JPH07226884A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH07226884A JPH07226884A JP6017310A JP1731094A JPH07226884A JP H07226884 A JPH07226884 A JP H07226884A JP 6017310 A JP6017310 A JP 6017310A JP 1731094 A JP1731094 A JP 1731094A JP H07226884 A JPH07226884 A JP H07226884A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 機械的強度を低下することなく、固体撮像素
子間のつなぎの部分の画像出力の異常を防止する固体撮
像装置を得る。 【構成】 第１及び第２の固体撮像素子１、２がつきあ
わされている側のそれぞれの端面１ｂ、２ｂの全面に凹
凸を形成する。
子間のつなぎの部分の画像出力の異常を防止する固体撮
像装置を得る。 【構成】 第１及び第２の固体撮像素子１、２がつきあ
わされている側のそれぞれの端面１ｂ、２ｂの全面に凹
凸を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、赤外線を撮像する複
数の固体撮像素子を並置して構成される固体撮像装置に
係り、特に固体撮像素子間のつなぎの部分に発生する画
像出力の異常を改良する構造に関するものである。
数の固体撮像素子を並置して構成される固体撮像装置に
係り、特に固体撮像素子間のつなぎの部分に発生する画
像出力の異常を改良する構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光電変換素子アレイ及び電気信号を読み
出す機構を同一半導体基板上に集積した固体撮像素子
は、可視領域においてはすでにビデオカメラ等に利用さ
れている。一方、赤外線領域の固体撮像素子の開発も進
んでおり、特にシリコンショットキバリアダイオード
を、光電変換部とした赤外線固体撮像素子については可
視の固体撮像素子と同等の解像度を持つものが開発され
ている。
出す機構を同一半導体基板上に集積した固体撮像素子
は、可視領域においてはすでにビデオカメラ等に利用さ
れている。一方、赤外線領域の固体撮像素子の開発も進
んでおり、特にシリコンショットキバリアダイオード
を、光電変換部とした赤外線固体撮像素子については可
視の固体撮像素子と同等の解像度を持つものが開発され
ている。
【０００３】最近、さらによい解像度を持った固体撮像
素子の要求がある。可視域の固体撮像素子では画素の微
細化をさらに進めることによりこの要求に応えられる
が、赤外域の固体撮像素子は赤外光の波長が長いため回
折限界を考慮すると、画素の微細化には限界がある。そ
のため、赤外線固体撮像素子では画素数を増やすと素子
は大面積になってしまい、チップサイズの増大により歩
留まりが低下してしまう。また縮小投写型の露光装置を
使ってパターンを形成する場合転写できる面積に限界が
あるため、チップサイズを大きくできない。そこで、赤
外線固体撮像素子の解像度を上げる構成として図５及び
図６に示す構成が考えられる。
素子の要求がある。可視域の固体撮像素子では画素の微
細化をさらに進めることによりこの要求に応えられる
が、赤外域の固体撮像素子は赤外光の波長が長いため回
折限界を考慮すると、画素の微細化には限界がある。そ
のため、赤外線固体撮像素子では画素数を増やすと素子
は大面積になってしまい、チップサイズの増大により歩
留まりが低下してしまう。また縮小投写型の露光装置を
使ってパターンを形成する場合転写できる面積に限界が
あるため、チップサイズを大きくできない。そこで、赤
外線固体撮像素子の解像度を上げる構成として図５及び
図６に示す構成が考えられる。
【０００４】図５はこの種の従来の固体撮像装置の構成
を示す平面図、図６は図５における線ＶＩ−ＶＩに沿う
断面を示す断面図である。１、２、３は例えばＳｉ基体
上にショットキバイアダイオードの第１、第２及び第３
の光電変換アレイ部４、５、６とその電気信号を読み出
す手段とをモノリシックに形成した第１、第２、第３の
固体撮像素子である。７は各固体撮像素子１、２、３に
入射する赤外光、８は各固体撮像素子１、２の端面１
ａ、２ａに赤外光７が反射しておこる赤外光７の迷光成
分である。
を示す平面図、図６は図５における線ＶＩ−ＶＩに沿う
断面を示す断面図である。１、２、３は例えばＳｉ基体
上にショットキバイアダイオードの第１、第２及び第３
の光電変換アレイ部４、５、６とその電気信号を読み出
す手段とをモノリシックに形成した第１、第２、第３の
固体撮像素子である。７は各固体撮像素子１、２、３に
入射する赤外光、８は各固体撮像素子１、２の端面１
ａ、２ａに赤外光７が反射しておこる赤外光７の迷光成
分である。
【０００５】そして、各固体撮像素子１、２、３は素子
間の間隙が非常に小さくなるように並べて並置してあ
る。そのため各固体撮像素子１、２、３で構成された固
体撮像装置は、実効的に３つの光電変換アレイ部４、
５、６を持つことになり、１個の固体撮像素子１だけで
構成した場合に比べて撮像面積が３倍となり、ひいては
３倍の解像度を持つことができる。
間の間隙が非常に小さくなるように並べて並置してあ
る。そのため各固体撮像素子１、２、３で構成された固
体撮像装置は、実効的に３つの光電変換アレイ部４、
５、６を持つことになり、１個の固体撮像素子１だけで
構成した場合に比べて撮像面積が３倍となり、ひいては
３倍の解像度を持つことができる。
【０００６】又、各固体撮像素子１、２、３の画素のピ
ッチをｄ0とすると、光電変換アレイ部４と５、及び、
５と６の端の画素同士の中心間の距離ｄがｄ0に等しく
なるように各固体撮像素子１、２、３を配置すれば、固
体撮像素子１と２、固体撮像素子２と３の光電変換アレ
イ部４、５、６が連続につながる。そのため、光電変換
アレイ部４、５、６によって形成される大面積の領域で
撮像でき、固体撮像素子１、２、３間のつなぎの部分で
の画像の欠損のない画像が得られる。
ッチをｄ0とすると、光電変換アレイ部４と５、及び、
５と６の端の画素同士の中心間の距離ｄがｄ0に等しく
なるように各固体撮像素子１、２、３を配置すれば、固
体撮像素子１と２、固体撮像素子２と３の光電変換アレ
イ部４、５、６が連続につながる。そのため、光電変換
アレイ部４、５、６によって形成される大面積の領域で
撮像でき、固体撮像素子１、２、３間のつなぎの部分で
の画像の欠損のない画像が得られる。
【０００７】次に、上記のように構成された従来の固体
撮像装置の動作について説明する。各固体撮像素子１、
２、３に入射された赤外光７は透明のＳｉ基板を介して
透過して入射され、各光電変換アレイ部４、５、６にて
検出される。
撮像装置の動作について説明する。各固体撮像素子１、
２、３に入射された赤外光７は透明のＳｉ基板を介して
透過して入射され、各光電変換アレイ部４、５、６にて
検出される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像装置は
以上のように構成され、図６に示すように固体撮像素子
１、２同士の対向する端面１ａ、２ａでは赤外光７の全
反射により迷光成分８が生じ本来入射すべき画素と異な
る画素に入射するため、固体撮像素子１、２、３間のつ
なぎの部分の画像出力に異常が生じるので、固体撮像素
子１、２、３のＳｉ基板を薄くして迷光成分８を生じな
いような手段も考えられるが、固体撮像素子１、２、３
が機械的強度の低下を生じるため実施することが困難で
あるという問題点があった。
以上のように構成され、図６に示すように固体撮像素子
１、２同士の対向する端面１ａ、２ａでは赤外光７の全
反射により迷光成分８が生じ本来入射すべき画素と異な
る画素に入射するため、固体撮像素子１、２、３間のつ
なぎの部分の画像出力に異常が生じるので、固体撮像素
子１、２、３のＳｉ基板を薄くして迷光成分８を生じな
いような手段も考えられるが、固体撮像素子１、２、３
が機械的強度の低下を生じるため実施することが困難で
あるという問題点があった。
【０００９】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、機械的強度を低下することな
く、固体撮像素子間のつなぎの部分の画像出力の異常を
防止する固体撮像装置を得ることを目的とする。
るためになされたもので、機械的強度を低下することな
く、固体撮像素子間のつなぎの部分の画像出力の異常を
防止する固体撮像装置を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る固体撮像装置は、固体撮像素子同士の対向する端面に
凹凸が形成されたものである。
る固体撮像装置は、固体撮像素子同士の対向する端面に
凹凸が形成されたものである。
【００１１】又、この発明の請求項２に係る固体撮像装
置は、固体撮像素子同士の対向する端面に光吸収層が形
成されたものである。
置は、固体撮像素子同士の対向する端面に光吸収層が形
成されたものである。
【００１２】又、この発明の請求項３に係る固体撮像装
置は、固体撮像素子同士の対向する端面の全面に光吸収
層が形成されたものである。
置は、固体撮像素子同士の対向する端面の全面に光吸収
層が形成されたものである。
【００１３】又、この発明の請求項４に係る固体撮像装
置は固体撮像素子同士の対向する端面にこの端面を垂直
方向の面をそれぞれ有した複数の光吸収層が所望の間隔
で形成されたものである。
置は固体撮像素子同士の対向する端面にこの端面を垂直
方向の面をそれぞれ有した複数の光吸収層が所望の間隔
で形成されたものである。
【００１４】
【作用】この発明の請求項１における固体撮像素子同士
の対向する端面に形成された凹凸は、固体撮像素子の端
面に入射する赤外光の迷光成分を散乱させる。
の対向する端面に形成された凹凸は、固体撮像素子の端
面に入射する赤外光の迷光成分を散乱させる。
【００１５】又、この発明の請求項２における固体撮像
素子同士の対向する端面に形成された光吸収層は、固体
撮像素子の端部に入射する赤外光を吸収する。
素子同士の対向する端面に形成された光吸収層は、固体
撮像素子の端部に入射する赤外光を吸収する。
【００１６】又、この発明の請求項３における固体撮像
素子同士の対向する端面の全面に形成された光吸収層
は、固体撮像素子の端部に入射する赤外光を吸収する。
素子同士の対向する端面の全面に形成された光吸収層
は、固体撮像素子の端部に入射する赤外光を吸収する。
【００１７】又、この発明の請求項４における固体撮像
素子同士の対向する端面にこの端面と垂直方向の面をそ
れぞれ有して所望の間隔で形成された複数の光吸収層
は、固体撮像素子の端部に入射する赤外光を垂直に近い
角度で受光して効率よく吸収する。
素子同士の対向する端面にこの端面と垂直方向の面をそ
れぞれ有して所望の間隔で形成された複数の光吸収層
は、固体撮像素子の端部に入射する赤外光を垂直に近い
角度で受光して効率よく吸収する。
【００１８】
実施例１．以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図１はこの発明の実施例１における固体撮像装置
の構成を示す平面図、図２は図１における線ＩＩ−ＩＩ
に沿う断面を示す断面図である。図において、従来の場
合と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。１
ｂ、２ｂは固体撮像素子１、２同士の対向するＳｉ基板
１０の端面で、全面が凹凸状に形成されている。
する。図１はこの発明の実施例１における固体撮像装置
の構成を示す平面図、図２は図１における線ＩＩ−ＩＩ
に沿う断面を示す断面図である。図において、従来の場
合と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。１
ｂ、２ｂは固体撮像素子１、２同士の対向するＳｉ基板
１０の端面で、全面が凹凸状に形成されている。
【００１９】次に、上記のように構成された実施例１の
固体撮像装置の動作について説明する。従来の場合と同
様に、各固体撮像素子１、２、３に入射された赤外光７
は各光電変換アレイ部４、５、６の形成面と反対側の面
から透明のＳｉ基板１０を介して透過して入射され、各
光電変換アレイ部４、５、６にて検出される。この時、
図２に示すように固体撮像素子１、２の基板の端面１
ｂ、２ｂに入射する赤外光７は端面１ｂ、２ｂが凹凸で
あるため乱反射され迷光成分８は分散されてエネルギを
失う。
固体撮像装置の動作について説明する。従来の場合と同
様に、各固体撮像素子１、２、３に入射された赤外光７
は各光電変換アレイ部４、５、６の形成面と反対側の面
から透明のＳｉ基板１０を介して透過して入射され、各
光電変換アレイ部４、５、６にて検出される。この時、
図２に示すように固体撮像素子１、２の基板の端面１
ｂ、２ｂに入射する赤外光７は端面１ｂ、２ｂが凹凸で
あるため乱反射され迷光成分８は分散されてエネルギを
失う。
【００２０】以上のように、実施例１によれば端面１
ｂ、２ｂに形成された凹凸により迷光成分８は分散され
てエネルギを失い各光電変換アレイ部４、５まで届かな
いようにしているため、各光電変換アレイ部４、５では
実際に受光すべき光のみ受光できるので、固体撮像素子
１、２間のつなぎの部分の画像出力の異常は少なくでき
る。尚、ここでは第１及び第２の固体撮像素子１、２間
のつなぎの部分のみ記載しているが、第２及び第３の固
体撮像素子２、３間のつなぎの部分でも当然のことなが
ら同様のことが言える。
ｂ、２ｂに形成された凹凸により迷光成分８は分散され
てエネルギを失い各光電変換アレイ部４、５まで届かな
いようにしているため、各光電変換アレイ部４、５では
実際に受光すべき光のみ受光できるので、固体撮像素子
１、２間のつなぎの部分の画像出力の異常は少なくでき
る。尚、ここでは第１及び第２の固体撮像素子１、２間
のつなぎの部分のみ記載しているが、第２及び第３の固
体撮像素子２、３間のつなぎの部分でも当然のことなが
ら同様のことが言える。
【００２１】実施例２．図３は実施例２における固体撮
像装置の固体撮像素子間の構成の詳細を示す断面図であ
る。図において、実施例１と同様の部分は同一符号を付
して説明を省略する。図において、９は固体撮像素子
１、２同士の対向するＳｉ基板１０の端面１ｃ、２ｃの
全面に形成された光吸収層である。
像装置の固体撮像素子間の構成の詳細を示す断面図であ
る。図において、実施例１と同様の部分は同一符号を付
して説明を省略する。図において、９は固体撮像素子
１、２同士の対向するＳｉ基板１０の端面１ｃ、２ｃの
全面に形成された光吸収層である。
【００２２】この光吸収層９は端部での全反射を防止す
るために、Ｓｉ基板１０と屈折率が近いものが望まし
く、例えば、Ｓｉ基板１０中にボロンやリンの不純物を
イオン注入にて１０20ｃｍ-3以上という高濃度の領域を
形成して光吸収層９とするか、又は、Ｓｉ基板上にボロ
ンなどの不純物を１０20ｃｍ-3以上という高濃度導入さ
れたアモルファスシリコン膜をデポして光吸収層９とし
てもよい。
るために、Ｓｉ基板１０と屈折率が近いものが望まし
く、例えば、Ｓｉ基板１０中にボロンやリンの不純物を
イオン注入にて１０20ｃｍ-3以上という高濃度の領域を
形成して光吸収層９とするか、又は、Ｓｉ基板上にボロ
ンなどの不純物を１０20ｃｍ-3以上という高濃度導入さ
れたアモルファスシリコン膜をデポして光吸収層９とし
てもよい。
【００２３】次いで、上記のように構成された実施例２
の固体撮像装置の動作について説明する。上記実施例１
と同様に各固体撮像素子１、２に入射した赤外光７はＳ
ｉ基板１０を通過し、各光電変換アレイ部４、５によっ
て検出される。この時、固体撮像素子１、２の端部に入
射する赤外光７は端面１ｃ、２ｃに形成された光吸収層
９に吸収される。
の固体撮像装置の動作について説明する。上記実施例１
と同様に各固体撮像素子１、２に入射した赤外光７はＳ
ｉ基板１０を通過し、各光電変換アレイ部４、５によっ
て検出される。この時、固体撮像素子１、２の端部に入
射する赤外光７は端面１ｃ、２ｃに形成された光吸収層
９に吸収される。
【００２４】以上のように実施例２によれば端面１ｃ、
２ｃに形成された光吸収層９により端部に入射される赤
外光７は吸収され、迷光成分が発生しないため、各光電
変換アレイ部４、５では実際に受光すべき光のみ受光で
きるので、固体撮像素子１、２間のつなぎの部分の画像
出力の異常は防止できる。
２ｃに形成された光吸収層９により端部に入射される赤
外光７は吸収され、迷光成分が発生しないため、各光電
変換アレイ部４、５では実際に受光すべき光のみ受光で
きるので、固体撮像素子１、２間のつなぎの部分の画像
出力の異常は防止できる。
【００２５】実施例３．図４はこの発明の実施例３の固
体撮像装置の固体撮像素子間の構成の詳細を示す断面図
である。図において、実施例１と同様の部分は同一符号
を付して説明を省略する。１１は固体撮像素子１、２同
士の対向するＳｉ基板１０の端面１ｄ、２ｄと垂直方向
に所望の間隔にて形成された溝１２に実施例２と同様の
方法にて埋め込まれた光吸収層である。そして、この溝
１２の深さは各光電変換アレイ部４、５の垂直投影断面
領域に遮られない位置までとしており、溝１２のピッチ
は入射するすべての赤外光７が端面１ｄ、２ｄに達しな
いように設定されている。
体撮像装置の固体撮像素子間の構成の詳細を示す断面図
である。図において、実施例１と同様の部分は同一符号
を付して説明を省略する。１１は固体撮像素子１、２同
士の対向するＳｉ基板１０の端面１ｄ、２ｄと垂直方向
に所望の間隔にて形成された溝１２に実施例２と同様の
方法にて埋め込まれた光吸収層である。そして、この溝
１２の深さは各光電変換アレイ部４、５の垂直投影断面
領域に遮られない位置までとしており、溝１２のピッチ
は入射するすべての赤外光７が端面１ｄ、２ｄに達しな
いように設定されている。
【００２６】次いで、上記のように構成された実施例３
の固体撮像装置の動作について説明する。上記実施例１
と同様に各固体撮像素子１、２に入射した赤外光７はＳ
ｉ基板１０を通過し、各光電変換アレイ部４、５によっ
て検出される。この時、固体撮像素子１、２の端部に入
射する赤外光７は端面１ｄ、２ｄの垂直方向に形成され
た光吸収層１１の面に垂直に近い角度で入射するので、
効率がよく光吸収層１１に吸収される。
の固体撮像装置の動作について説明する。上記実施例１
と同様に各固体撮像素子１、２に入射した赤外光７はＳ
ｉ基板１０を通過し、各光電変換アレイ部４、５によっ
て検出される。この時、固体撮像素子１、２の端部に入
射する赤外光７は端面１ｄ、２ｄの垂直方向に形成され
た光吸収層１１の面に垂直に近い角度で入射するので、
効率がよく光吸収層１１に吸収される。
【００２７】以上のように実施例３によれば、赤外光７
は光吸収層１１に垂直に近い角度で入射して吸収される
ので、上記各実施例と同様の効果を奏するのはもちろん
のこと、光吸収層１１の屈折率がＳｉ基板１０の屈折率
と多少異なっていたとしても十分に赤外光７を吸収する
ので、光吸収層１１は赤外光７を吸収するものであれば
いずれでも用いることができる。
は光吸収層１１に垂直に近い角度で入射して吸収される
ので、上記各実施例と同様の効果を奏するのはもちろん
のこと、光吸収層１１の屈折率がＳｉ基板１０の屈折率
と多少異なっていたとしても十分に赤外光７を吸収する
ので、光吸収層１１は赤外光７を吸収するものであれば
いずれでも用いることができる。
【００２８】実施例４．尚、上記各実施例では３つの固
体撮像素子１、２、３を横方向に並置した例を示したけ
れども、これに限られることはなく複数の固体撮像素子
を縦、横両方向に並置するようにした固体撮像装置に適
用しても同様の効果を奏することは言うまでもない。
体撮像素子１、２、３を横方向に並置した例を示したけ
れども、これに限られることはなく複数の固体撮像素子
を縦、横両方向に並置するようにした固体撮像装置に適
用しても同様の効果を奏することは言うまでもない。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば固体撮像素子同士の対向する端面に凹凸を形成した
ので、機械的強度を低下することなく、固体撮像素子間
の画像出力の異常を防止する固体撮像装置を得ることが
できる効果がある。
れば固体撮像素子同士の対向する端面に凹凸を形成した
ので、機械的強度を低下することなく、固体撮像素子間
の画像出力の異常を防止する固体撮像装置を得ることが
できる効果がある。
【００３０】又、この発明の請求項２によれば固体撮像
素子同士の対向する端面に光吸収層を形成したので、機
械的強度を低下することなく、固体撮像素子間の画像出
力の異常を防止する固体撮像装置を得ることができる効
果がある。
素子同士の対向する端面に光吸収層を形成したので、機
械的強度を低下することなく、固体撮像素子間の画像出
力の異常を防止する固体撮像装置を得ることができる効
果がある。
【００３１】又、この発明の請求項３によれば固体撮像
素子同士の対向する端面の全面に光吸収層を形成したの
で、機械的強度を低下することなく、固体撮像素子間の
画像出力の異常を防止する固体撮像装置を得ることがで
きる効果がある。
素子同士の対向する端面の全面に光吸収層を形成したの
で、機械的強度を低下することなく、固体撮像素子間の
画像出力の異常を防止する固体撮像装置を得ることがで
きる効果がある。
【００３２】又、この発明の請求項４によれば固体撮像
素子同士の対向する端面にこの端面と垂直方向の面をそ
れぞれ有して所望の間隔で複数の光吸収層を備えている
ので、機械的強度を低下することなく、固体撮像素子間
の画像出力の異常を防止するのはもちろんのこと、光吸
収層は赤外光を吸収できるものであればいずれを用いて
もよい固体撮像装置を得ることができる効果がある。
素子同士の対向する端面にこの端面と垂直方向の面をそ
れぞれ有して所望の間隔で複数の光吸収層を備えている
ので、機械的強度を低下することなく、固体撮像素子間
の画像出力の異常を防止するのはもちろんのこと、光吸
収層は赤外光を吸収できるものであればいずれを用いて
もよい固体撮像装置を得ることができる効果がある。
【図１】この発明の実施例１における固体撮像装置の構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図２】図１における線ＩＩ−ＩＩに沿う断面を示す断
面図である。
面図である。
【図３】この発明の実施例２における固体撮像装置の固
体撮像素子間の構成の詳細を示す断面図である。
体撮像素子間の構成の詳細を示す断面図である。
【図４】この発明の実施例３における固体撮像装置の固
体撮像素子間の詳細を示す断面図である。
体撮像素子間の詳細を示す断面図である。
【図５】従来の固体撮像装置の構成を示す平面図であ
る。
る。
【図６】図５における線ＶＩ−ＶＩに沿う断面を示す断
面図である。
面図である。
１ 第１の固体撮像素子 ２ 第２の固体撮像素子 ３ 第３の固体撮像素子 ４ 第１の光電変換アレイ部 ５ 第２の光電変換アレイ部 ６ 第３の光電変換アレイ部 ７ 赤外光 ８ 迷光成分 ９、１１ 光吸収層 １０ Ｓｉ基板 １２ 溝
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上の一面に設けられ他面から
入射する赤外線を検知して電気信号に変換する光電変換
部を備えた固体撮像素子が複数個並置された固体撮像装
置において、上記固体撮像素子同士の対向する端面に凹
凸が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 半導体基板上の一面に設けられ他面から
入射する赤外線を検知して電気信号に変換する光電変換
部を備えた固体撮像素子が複数個並置された固体撮像装
置において、上記固体撮像素子同士の対向する端面に光
吸収層が形成されていることを特徴とする固体撮像装
置。 - 【請求項３】 光吸収層が固体撮像素子の端面の全面に
形成されていることを特徴とする請求項２記載の固体撮
像装置。 - 【請求項４】 固体撮像素子の端面と垂直方向の面をそ
れぞれ有した複数の光吸収層が所望の間隔で形成されて
いることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6017310A JPH07226884A (ja) | 1994-02-14 | 1994-02-14 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6017310A JPH07226884A (ja) | 1994-02-14 | 1994-02-14 | 固体撮像装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH07226884A true JPH07226884A (ja) | 1995-08-22 |
Family
ID=11940445
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6017310A Pending JPH07226884A (ja) | 1994-02-14 | 1994-02-14 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH07226884A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-02-14 JP JP6017310A patent/JPH07226884A/ja active Pending
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