JPH0377274B2 - - Google Patents
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- JPH0377274B2 JPH0377274B2 JP57225008A JP22500882A JPH0377274B2 JP H0377274 B2 JPH0377274 B2 JP H0377274B2 JP 57225008 A JP57225008 A JP 57225008A JP 22500882 A JP22500882 A JP 22500882A JP H0377274 B2 JPH0377274 B2 JP H0377274B2
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- station
- wafer
- processing
- vacuum
- chamber
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- Organic Chemistry (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、多数の被処理物を真空若しくは稀薄
ガス中で連続的に順次に処理する装置に関するも
のである。
ガス中で連続的に順次に処理する装置に関するも
のである。
例えばLSIの製造工程の一つである配線膜形成
工程において、多数のウエハが稀薄ガス中で順次
にスパツタリング処理される。このスパツタリン
グは10-10〜10Pa程度の稀薄ガス(通常Arガス)
中においてウエハを陽極近傍に置き成膜材料を陰
極としてグロー放置させるものである。
工程において、多数のウエハが稀薄ガス中で順次
にスパツタリング処理される。このスパツタリン
グは10-10〜10Pa程度の稀薄ガス(通常Arガス)
中においてウエハを陽極近傍に置き成膜材料を陰
極としてグロー放置させるものである。
上記のスパツタリング処理を容易に高能率で行
なうため、従来、第1図及び第2図に示すような
連続スパツタ装置が用いられている。
なうため、従来、第1図及び第2図に示すような
連続スパツタ装置が用いられている。
第1図は同装置の概要的な構造を示す平面図、
第2図は上図の−断面図である。
第2図は上図の−断面図である。
第1図において、1は排気手段及びガス導入手
段(共に図示せず)を備えた真空チエンバで、こ
の中に取入・取出ステーシヨン27と、ウエハベ
ークステーシヨン28と、スパツタエツチステー
シヨン29と、2基のスパツタステーシヨン30
と同30′とが円形に配置されている。被処理物
であるウエハは、取入・取出ステーシヨン27か
ら真空チエンバ1内に搬入され、ステーシヨン2
8,29,30,30′の順に搬送された後に取
入・取出ステーシヨン27から搬出される。上記
の搬送の途中、ウエベークステーシヨン28では
ウエハを約300℃に加熱して水分を除き、スパツ
タエツチステーシヨン29でウエハ表面をスパツ
タエツチングして酸化膜を除去し、2基のスパツ
タステーシヨン30、同30′を順次に経由する
際にスパツタリングによる膜形成処理が行なわれ
る。
段(共に図示せず)を備えた真空チエンバで、こ
の中に取入・取出ステーシヨン27と、ウエハベ
ークステーシヨン28と、スパツタエツチステー
シヨン29と、2基のスパツタステーシヨン30
と同30′とが円形に配置されている。被処理物
であるウエハは、取入・取出ステーシヨン27か
ら真空チエンバ1内に搬入され、ステーシヨン2
8,29,30,30′の順に搬送された後に取
入・取出ステーシヨン27から搬出される。上記
の搬送の途中、ウエベークステーシヨン28では
ウエハを約300℃に加熱して水分を除き、スパツ
タエツチステーシヨン29でウエハ表面をスパツ
タエツチングして酸化膜を除去し、2基のスパツ
タステーシヨン30、同30′を順次に経由する
際にスパツタリングによる膜形成処理が行なわれ
る。
第2図の断面には取入・取出ステーシヨン27
とスパツタステーシヨン30とが現われている。
4は円板状のトランスフアプレートで、ウエハ5
を収納するために5個の開口4a(2個のみ表わ
れている)が穿たれている。このトランスフアプ
レート4は、モータ18によりチエーン35を介
して回転駆動され、かつ、エアシリンダ17aに
より上下に往復駆動される構造である。
とスパツタステーシヨン30とが現われている。
4は円板状のトランスフアプレートで、ウエハ5
を収納するために5個の開口4a(2個のみ表わ
れている)が穿たれている。このトランスフアプ
レート4は、モータ18によりチエーン35を介
して回転駆動され、かつ、エアシリンダ17aに
より上下に往復駆動される構造である。
34は上記のトランスフアプレート4の上に対
向せしめて設けられたプレツシヤプレートで、エ
アシリンダ17bにより上下に往復駆動される。
向せしめて設けられたプレツシヤプレートで、エ
アシリンダ17bにより上下に往復駆動される。
前記の取入・取出ステーシヨン27には2枚の
ドア31,32が交互に開閉できるように設けて
ある。上記のドア31はウエハを搬入するための
ローダドアで、ウエハ5を吸着するための真空チ
ヤツク33が設けられており、図示のように開扉
した状態でウエハ5を吸着保持して閉扉すると、
上記のウエハ5はトランスフアプレート4の開口
4a内に挿入される。ウエハ5は開口4a内に設
けられたつめ6によつて保持され、真空チヤツク
33を解放してウエハ搬入を完了する。この後ド
ア32によつて真空チエンバ1を密閉する。
ドア31,32が交互に開閉できるように設けて
ある。上記のドア31はウエハを搬入するための
ローダドアで、ウエハ5を吸着するための真空チ
ヤツク33が設けられており、図示のように開扉
した状態でウエハ5を吸着保持して閉扉すると、
上記のウエハ5はトランスフアプレート4の開口
4a内に挿入される。ウエハ5は開口4a内に設
けられたつめ6によつて保持され、真空チヤツク
33を解放してウエハ搬入を完了する。この後ド
ア32によつて真空チエンバ1を密閉する。
前述のスパツタステーシヨン30にはスパツタ
電極20が設けられている。
電極20が設けられている。
本図に示した従来の連続スパツタ装置を使用す
るには、エアシリンダ17aでトランスフアプレ
ート4を下方に押し下げエアシリンダ17bでプ
レツシヤプレート34を下方に押下げ、真空チエ
ンバ1の底面との間にトランスフアプレート4を
挾圧する。すると、ロツクドア32を開扉しても
取入・取出ステーシヨン27の開口部27aがト
ランスフアプレート4を介してプレツシヤプレー
ト34で密閉され、真空チエンバ1内の空間Aの
気密が保たれる。21は密閉用のOリングであ
る。
るには、エアシリンダ17aでトランスフアプレ
ート4を下方に押し下げエアシリンダ17bでプ
レツシヤプレート34を下方に押下げ、真空チエ
ンバ1の底面との間にトランスフアプレート4を
挾圧する。すると、ロツクドア32を開扉しても
取入・取出ステーシヨン27の開口部27aがト
ランスフアプレート4を介してプレツシヤプレー
ト34で密閉され、真空チエンバ1内の空間Aの
気密が保たれる。21は密閉用のOリングであ
る。
ウエハ5を吸着保持したローダドア31を閉じ
てウエハ5をトランスフアプレート4に受渡した
後ローダドア31を開いてロツクドア32を閉
じ、取入・取出ステーシヨン27部分を排気した
後、プレツシヤプレート34を上昇せしめ、トラ
ンスフアプレート4の挾圧を解除した後に該トラ
ンスフアプレート4を上昇し、真空チエンバ1か
ら離した後、回転させる。これによりトランスフ
アプレート4の開口4a内に収納されたウエハ5
は、各ステーシヨンへ順次に搬送される。第1図
に示した各ステーシヨン28,29,30,3
0′を一巡したウエハは、前記とほぼ逆の手順で
取入・取出ステーシヨン27から搬出される。
てウエハ5をトランスフアプレート4に受渡した
後ローダドア31を開いてロツクドア32を閉
じ、取入・取出ステーシヨン27部分を排気した
後、プレツシヤプレート34を上昇せしめ、トラ
ンスフアプレート4の挾圧を解除した後に該トラ
ンスフアプレート4を上昇し、真空チエンバ1か
ら離した後、回転させる。これによりトランスフ
アプレート4の開口4a内に収納されたウエハ5
は、各ステーシヨンへ順次に搬送される。第1図
に示した各ステーシヨン28,29,30,3
0′を一巡したウエハは、前記とほぼ逆の手順で
取入・取出ステーシヨン27から搬出される。
以上に説明した従来の連続スパツタ装置は、そ
の構造機能から容易に理解されるように、ウエハ
ベーキング、スパツタエツチング、及びスパツタ
リングの各処理を同一の真空チエンバ1内で共通
の圧力雰囲気(たとえば数ミリTorrのArガス雰
囲気)で行なわれる。このため、次記のような技
術的不具合がある。
の構造機能から容易に理解されるように、ウエハ
ベーキング、スパツタエツチング、及びスパツタ
リングの各処理を同一の真空チエンバ1内で共通
の圧力雰囲気(たとえば数ミリTorrのArガス雰
囲気)で行なわれる。このため、次記のような技
術的不具合がある。
(イ)各ステーシヨンで行なう処理に最適な圧力を
設定できない。(ロ)各ステーシヨンで処理中に発生
したガス等が互いに他のステーシヨンに影響を及
ぼす。例えばベークステーシヨンで蒸発した水分
がスパツタステーシヨンに流入し、形成される膜
の品質を低下させるといつた悪影響を及ぼす。(ハ)
スパツタステーシヨンにおいては成膜材料で構成
したターゲツトが消耗するので適宜新しいターゲ
ツトに交換しなければならないが、ターゲツト交
換のために真空チエンバ1を大気に開放したとき
該チエンバ1内の全体が大気に開放されるため大
気中の水分などで汚れ、再び該チエンバ1内を膜
形成に必要な高真空にまで排気するのに時間がか
かる。
設定できない。(ロ)各ステーシヨンで処理中に発生
したガス等が互いに他のステーシヨンに影響を及
ぼす。例えばベークステーシヨンで蒸発した水分
がスパツタステーシヨンに流入し、形成される膜
の品質を低下させるといつた悪影響を及ぼす。(ハ)
スパツタステーシヨンにおいては成膜材料で構成
したターゲツトが消耗するので適宜新しいターゲ
ツトに交換しなければならないが、ターゲツト交
換のために真空チエンバ1を大気に開放したとき
該チエンバ1内の全体が大気に開放されるため大
気中の水分などで汚れ、再び該チエンバ1内を膜
形成に必要な高真空にまで排気するのに時間がか
かる。
本発明は上述の事情に鑑みて為され、その目的
とするところは、各処理ステーシヨン毎に圧力を
設定することができ、しかも、特定の処理ステー
シヨンのみを大気に開放できる様にしてその他の
処理ステーシヨンの密閉を保持して稼働再開の所
要時間を短縮し得る連続真空処理装置を提供する
にある。本発明は、ウエハのスパツタリング処理
に適用し得るのみならず、真空若しくは稀薄ガス
中における連続処理に広く応用し得るものであ
る。
とするところは、各処理ステーシヨン毎に圧力を
設定することができ、しかも、特定の処理ステー
シヨンのみを大気に開放できる様にしてその他の
処理ステーシヨンの密閉を保持して稼働再開の所
要時間を短縮し得る連続真空処理装置を提供する
にある。本発明は、ウエハのスパツタリング処理
に適用し得るのみならず、真空若しくは稀薄ガス
中における連続処理に広く応用し得るものであ
る。
上記の目的を達成するため、本発明は真空雰囲
気を維持するためのチエンバと、上記のチエンバ
内を真空にするための排気手段と、該チエンバ内
にガスを導入する手段とを設けた真空処理装置に
おいて、前記のチエンバ内に複数稀の処理ステー
シヨンを設けると共に、被処理物を上記複数基の
処理ステーシヨンに順次に搬送する手段を設け、
かつ、上記の複数基の処理ステーシヨン毎に、搬
送手段と処理ステーシヨンの壁とによつて独立し
た密閉空間を形成し得るように構成したことを特
徴とする。
気を維持するためのチエンバと、上記のチエンバ
内を真空にするための排気手段と、該チエンバ内
にガスを導入する手段とを設けた真空処理装置に
おいて、前記のチエンバ内に複数稀の処理ステー
シヨンを設けると共に、被処理物を上記複数基の
処理ステーシヨンに順次に搬送する手段を設け、
かつ、上記の複数基の処理ステーシヨン毎に、搬
送手段と処理ステーシヨンの壁とによつて独立し
た密閉空間を形成し得るように構成したことを特
徴とする。
次に、本発明の一実施例を第3図及び第4図に
ついて説明する。
ついて説明する。
本実施例は、第1図及び第2図について説明し
た従来の連続スパツタ装置に本発明を適用して改
良した例である。本実施例の概要的な平面図は従
来装置における第1図と同様であるから図示を省
略する。第3図は本実施例を第1図における−
面に相当する面で切断した断面図である。
た従来の連続スパツタ装置に本発明を適用して改
良した例である。本実施例の概要的な平面図は従
来装置における第1図と同様であるから図示を省
略する。第3図は本実施例を第1図における−
面に相当する面で切断した断面図である。
第3図において、2は真空チエンバ1の底面に
設けた排気手段、19は真空ポンプであり、3は
リークガス導入用のパイプである。
設けた排気手段、19は真空ポンプであり、3は
リークガス導入用のパイプである。
上記の真空チエンバ1に設けた複数個の処理ス
テーシヨンの内、この断面にはベーク用の処理ス
テーシヨン(B)9aと、スパツタ用の処理ステーシ
ヨン(S)9bとが現われている。16はベーク
用のヒータ、20はスパツタ用の電極である。
テーシヨンの内、この断面にはベーク用の処理ス
テーシヨン(B)9aと、スパツタ用の処理ステーシ
ヨン(S)9bとが現われている。16はベーク
用のヒータ、20はスパツタ用の電極である。
上記のステーシヨン(B)9aおよびステーシヨン
(S)9bは、それぞれ有頂無底の円筒状の壁1
1を真空チエンバ1の頂面に貫通せしめ、気密に
固着して構成する。これらのステーシヨン9a,
9bにそれぞれ排気用配管13a,13b、リー
ク用ガス配管15a,15bを接続して連通させ
る。スパツタ用処理ステーシヨン(S)9bには
Arガス注入用のプロセスガス配管14を接続し
て連通させる。
(S)9bは、それぞれ有頂無底の円筒状の壁1
1を真空チエンバ1の頂面に貫通せしめ、気密に
固着して構成する。これらのステーシヨン9a,
9bにそれぞれ排気用配管13a,13b、リー
ク用ガス配管15a,15bを接続して連通させ
る。スパツタ用処理ステーシヨン(S)9bには
Arガス注入用のプロセスガス配管14を接続し
て連通させる。
本実施例のトランスフアプレート4′は従来装
置(第2図)におけるトランスフアプレート4に
対応する部材であるが、プレツシヤプレート34
を備えておらず、モータ18によつて回転駆動す
るように構成してある。このトランスフアプレー
ト4′が処理ステーシヨン(B)9-1及び処理ステー
シヨン(S)9-2に対向する位置に、それぞれ、
段付透孔8を設け、上段の大径部にウエハホルダ
プレート7を摺動自在に嵌合する。6は上記のウ
エハホルダプレート7上に設けたウエハホルダで
ある。上記のウエハホルダプレート7は、ウエハ
ホルダ6を介してウエハ5を保持し、トランスフ
アレート4′の回転に伴つて一緒に回転してウエ
ハ5を搬送する機能を果たす部材である。
置(第2図)におけるトランスフアプレート4に
対応する部材であるが、プレツシヤプレート34
を備えておらず、モータ18によつて回転駆動す
るように構成してある。このトランスフアプレー
ト4′が処理ステーシヨン(B)9-1及び処理ステー
シヨン(S)9-2に対向する位置に、それぞれ、
段付透孔8を設け、上段の大径部にウエハホルダ
プレート7を摺動自在に嵌合する。6は上記のウ
エハホルダプレート7上に設けたウエハホルダで
ある。上記のウエハホルダプレート7は、ウエハ
ホルダ6を介してウエハ5を保持し、トランスフ
アレート4′の回転に伴つて一緒に回転してウエ
ハ5を搬送する機能を果たす部材である。
そして、前記の段付透孔8の下段の小径部にエ
アシリンダ17のピストン棒10を摺動自在に嵌
合せしめ、このピストン棒10が伸縮作動に伴つ
て段付透孔8内に挿入、抜去されるように構成す
る。
アシリンダ17のピストン棒10を摺動自在に嵌
合せしめ、このピストン棒10が伸縮作動に伴つ
て段付透孔8内に挿入、抜去されるように構成す
る。
これにより、ピストン棒10を伸長させてウエ
ハホルダプレート7を突き上げると、該ウエハホ
ルダプレート7は処理ステーシヨンの円筒状の壁
11の下端に当接し、本図に示すように処理ステ
ーシヨン(S)9b内に独立した密閉空間12b
を形成する。本図において処理ステーシヨン(B)9
aのウエハホルダプレート7が下降して内部空間
12aが真空チエンバ1の内部空間Aに連通した
状態で描いてあるがこの空間12-1もウエハホル
ダプレート7を突き上げると、密閉された空間に
なる。
ハホルダプレート7を突き上げると、該ウエハホ
ルダプレート7は処理ステーシヨンの円筒状の壁
11の下端に当接し、本図に示すように処理ステ
ーシヨン(S)9b内に独立した密閉空間12b
を形成する。本図において処理ステーシヨン(B)9
aのウエハホルダプレート7が下降して内部空間
12aが真空チエンバ1の内部空間Aに連通した
状態で描いてあるがこの空間12-1もウエハホル
ダプレート7を突き上げると、密閉された空間に
なる。
第4図は、1基の取入・取出ステーシヨン2
7′と、1基のベーク用の処理ステーシヨン(B)9
aと、1基のスパツタエツチング用処理ステーシ
ヨン9cと、1基のスパツタ用処理ステーシヨン
(S)9bとを設けた本発明の連続真空処理装置
の配管系統図の1例である。23はプロセス用の
Arガスボンベ、24はリーク用のN2ガスボンベ、
25はクライオポンプ、26はロータリポンプ、
22はバルブである。
7′と、1基のベーク用の処理ステーシヨン(B)9
aと、1基のスパツタエツチング用処理ステーシ
ヨン9cと、1基のスパツタ用処理ステーシヨン
(S)9bとを設けた本発明の連続真空処理装置
の配管系統図の1例である。23はプロセス用の
Arガスボンベ、24はリーク用のN2ガスボンベ、
25はクライオポンプ、26はロータリポンプ、
22はバルブである。
次に、第3図に示した実施例の作動を説明す
る。エアシリンダ17を収縮させてウエハホルダ
プレータ7を下降させた状態でトランスフアプレ
ート4′を回転させると、ウエハホルダプレート
7はウエハ5を載置して一緒に回り、該ウエハ5
を順次に次工程の処理ステーシヨンに搬送する。
複数個のウエハホルダプレート7をそれぞれ処理
ステーシヨンの真下に位置せしめてエアシリンダ
17を伸長させると、ウエハホルダプレート7が
突き上げられて処理ステーシヨンの円筒壁11の
下端に密着する。このため、各処理ステーシヨン
9a,9bの内部の空間12a,12bはそれぞ
れ独立した密閉空間となる。本図に現われていな
いスパツタエツチ用の処理ステーシヨンも上記と
同様にして密閉される。
る。エアシリンダ17を収縮させてウエハホルダ
プレータ7を下降させた状態でトランスフアプレ
ート4′を回転させると、ウエハホルダプレート
7はウエハ5を載置して一緒に回り、該ウエハ5
を順次に次工程の処理ステーシヨンに搬送する。
複数個のウエハホルダプレート7をそれぞれ処理
ステーシヨンの真下に位置せしめてエアシリンダ
17を伸長させると、ウエハホルダプレート7が
突き上げられて処理ステーシヨンの円筒壁11の
下端に密着する。このため、各処理ステーシヨン
9a,9bの内部の空間12a,12bはそれぞ
れ独立した密閉空間となる。本図に現われていな
いスパツタエツチ用の処理ステーシヨンも上記と
同様にして密閉される。
上述のように各処理ステーシヨンに独立密閉空
間が形成されるので、排気用配管13a,13b
を介して処理ステーシヨン毎に最適の真空度に減
圧したり、プロセスガス配管14を介してArガ
スを注入したりして、処理ステーシヨン毎に最適
のプロセス条件を設定することができる。
間が形成されるので、排気用配管13a,13b
を介して処理ステーシヨン毎に最適の真空度に減
圧したり、プロセスガス配管14を介してArガ
スを注入したりして、処理ステーシヨン毎に最適
のプロセス条件を設定することができる。
また、ベーク用処理ステーシヨン(B)9a内でウ
エハ1を加熱して水分を発散させても、水蒸気が
スパツタ用処理ステーシヨン(S)9bに流入し
て悪影響を及ぼす虞れが無い。
エハ1を加熱して水分を発散させても、水蒸気が
スパツタ用処理ステーシヨン(S)9bに流入し
て悪影響を及ぼす虞れが無い。
また、膜形成材料であるターゲツトを交換する
ためスパツタ用処理ステーシヨンを大気開放する
時、スパツタ用処理ステーシヨン(S)9b以外
の処理ステーシヨンは真空を破られないので、タ
ーゲツトを組付けた後に所定の膜形成に必要な高
真空まで短時間で排気できる。
ためスパツタ用処理ステーシヨンを大気開放する
時、スパツタ用処理ステーシヨン(S)9b以外
の処理ステーシヨンは真空を破られないので、タ
ーゲツトを組付けた後に所定の膜形成に必要な高
真空まで短時間で排気できる。
以上詳述したように、本発明によれば各処理ス
テーシヨン毎にプロセス条件を設けることがで
き、しかも、特定の処理ステーシヨンのみを大気
に解放してその他の処理ステーシヨンの密閉を保
持し、稼働再開の所要時間を短縮し得る。
テーシヨン毎にプロセス条件を設けることがで
き、しかも、特定の処理ステーシヨンのみを大気
に解放してその他の処理ステーシヨンの密閉を保
持し、稼働再開の所要時間を短縮し得る。
第1図は連続スパツタ装置の概要的な平面図、
第2図は従来の連続スパツタ装置の垂直断面図、
第3図は本発明の連続真空処理装置の一実施例で
ある連続スパツタ装置の垂直断面図、第4図は上
記と異なる実施例である連続スパツタ装置の配管
系統図である。 1……真空チエンバ、2……排気手段、3……
リークガス導入パイプ、4,4′……トランスフ
アプレート、4a……開口、5……ウエハ、6…
…つめ、7……ウエハホルダプレート、8……段
付透孔、9a……ベーク用処理ステーシヨン(B)、
9b……スパツタ用処理ステーシヨン(S)、1
0……ピストン棒、11……処理ステーシヨンの
円筒状の壁、12a,12b……密閉空間、13
a,13b……排気用配管、14……プロセスガ
ス配管、15……リークガス導入配管、16……
ウエハベークヒータ、17……エアシリンダ、1
8……駆動用モータ、19……ポンプ、20……
スパツタ用電極、21……Oリング。
第2図は従来の連続スパツタ装置の垂直断面図、
第3図は本発明の連続真空処理装置の一実施例で
ある連続スパツタ装置の垂直断面図、第4図は上
記と異なる実施例である連続スパツタ装置の配管
系統図である。 1……真空チエンバ、2……排気手段、3……
リークガス導入パイプ、4,4′……トランスフ
アプレート、4a……開口、5……ウエハ、6…
…つめ、7……ウエハホルダプレート、8……段
付透孔、9a……ベーク用処理ステーシヨン(B)、
9b……スパツタ用処理ステーシヨン(S)、1
0……ピストン棒、11……処理ステーシヨンの
円筒状の壁、12a,12b……密閉空間、13
a,13b……排気用配管、14……プロセスガ
ス配管、15……リークガス導入配管、16……
ウエハベークヒータ、17……エアシリンダ、1
8……駆動用モータ、19……ポンプ、20……
スパツタ用電極、21……Oリング。
Claims (1)
- 1 真空雰囲気を維持するためのチエンバと、上
記のチエンバ内を真空にするための排気手段と、
該チエンバ内にガスを導入する手段とを設けた真
空処理装置において、前記のチエンバ内に複数基
の処理ステーシヨンを設けると共に、被処理物を
上記複数基の処理ステーシヨンに順充に搬送する
手段を設け、さらに被処理物を保持する機構が設
けられ、上記の複数基の処理ステーシヨン毎に、
該保持機構と処理ステーシヨンの壁とによつて独
立した密閉空間を形成し得るように該保持機構は
可動機構を具備しており、また各々の独立した密
閉空間はそれぞれ独立した排気口をもつた構成に
したことを特徴とする連続真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22500882A JPS59116372A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 連続真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22500882A JPS59116372A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 連続真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59116372A JPS59116372A (ja) | 1984-07-05 |
JPH0377274B2 true JPH0377274B2 (ja) | 1991-12-10 |
Family
ID=16822629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22500882A Granted JPS59116372A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 連続真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59116372A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1287594C (en) * | 1986-04-04 | 1991-08-13 | Miroslav Eror | Method and apparatus for handling and processing wafer like materials |
JPS6326357A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
JPS6360276A (ja) * | 1986-08-30 | 1988-03-16 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
US4733631B1 (en) * | 1986-09-30 | 1993-03-09 | Apparatus for coating substrate devices | |
JP3923007B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2007-05-30 | 株式会社イデアルスター | 内包フラーレンの製造・回収システムツール |
WO2010013333A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | 株式会社島津製作所 | 真空装置及び真空処理方法 |
JP5764409B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-08-19 | 株式会社アルバック | 薄膜リチウム二次電池製造装置及び薄膜リチウム二次電池製造方法 |
JP6033703B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2016-11-30 | スタンレー電気株式会社 | 成膜装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS564244A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treatment device for wafer |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP22500882A patent/JPS59116372A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS564244A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treatment device for wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59116372A (ja) | 1984-07-05 |
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