JPS61290377A - 磁気抵抗効果型センサ - Google Patents
磁気抵抗効果型センサInfo
- Publication number
- JPS61290377A JPS61290377A JP60130792A JP13079285A JPS61290377A JP S61290377 A JPS61290377 A JP S61290377A JP 60130792 A JP60130792 A JP 60130792A JP 13079285 A JP13079285 A JP 13079285A JP S61290377 A JPS61290377 A JP S61290377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- elements
- output
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は磁気抵抗効果型センサ（以下ＭＲセンサと略す
）に係り、さらに詳しくは磁気バイアス付ＭＲセンサに
係るものである。
）に係り、さらに詳しくは磁気バイアス付ＭＲセンサに
係るものである。
［従来技術］
磁気異方性を有する強磁性体の磁気抵抗効果素子（以下
ＭＲ素子と略称する）が、再生ヘッド等の磁気センサと
して広く用いられている。
ＭＲ素子と略称する）が、再生ヘッド等の磁気センサと
して広く用いられている。
ＭＲ素子とは素子の電気抵抗Ｒが磁界によって変化する
ものであり、この素子に定電流を流しておくことにより
抵抗変化を電圧変化に変えて出力として取り出すことが
できる素子のことである。
ものであり、この素子に定電流を流しておくことにより
抵抗変化を電圧変化に変えて出力として取り出すことが
できる素子のことである。
第１図は従来の所謂ノン磁気バイアス型ＭＲセンサの抵
抗値Ｒと磁界Ｈとの関係を示すグラフ（以下Ｒ−Ｈカー
ブと呼ぶ）である。
抗値Ｒと磁界Ｈとの関係を示すグラフ（以下Ｒ−Ｈカー
ブと呼ぶ）である。
第１図において、横軸はＭＲセンサに印加される磁界の
強さ、縦軸はＭＲ素子抵抗値である。同図によると素子
に磁界が加わると抵抗値は小さくなる。同図（Ａ）は磁
気テープに記録されている信号に基づく磁界ＳＩＮを入
力した場合を示し、出力信号として入力信号の２倍の周
波数を有する信号５ＯＵＴが得られる。同図（Ｂ）は磁
気ノイズ信号ＮｒＮを入力した場合を示し、ごく小さい
ノイズ出力Ｎｏ Ｕ Ｔが得られる。
強さ、縦軸はＭＲ素子抵抗値である。同図によると素子
に磁界が加わると抵抗値は小さくなる。同図（Ａ）は磁
気テープに記録されている信号に基づく磁界ＳＩＮを入
力した場合を示し、出力信号として入力信号の２倍の周
波数を有する信号５ＯＵＴが得られる。同図（Ｂ）は磁
気ノイズ信号ＮｒＮを入力した場合を示し、ごく小さい
ノイズ出力Ｎｏ Ｕ Ｔが得られる。
第２図（Ａ）、（Ｂ）は磁気バイアス付きＭＲセンサの
Ｒ−Ｈカーブであるがすでに磁界が加わっているため、
ノン磁気バイアス型ＭＲセンサのＲ−Ｈカーブが左側に
シフトした形になっている。
Ｒ−Ｈカーブであるがすでに磁界が加わっているため、
ノン磁気バイアス型ＭＲセンサのＲ−Ｈカーブが左側に
シフトした形になっている。
第１図に示すノン磁気バイアス型の場合、入力磁界がノ
イズ磁界等のように小さい場合は、同図（Ｂ）に示すよ
うにＲ−Ｈカーブの抵抗値が最大値付近の抵抗値変化の
小さい部分で変化するため、ノイズ出力は小さくおさえ
られる。
イズ磁界等のように小さい場合は、同図（Ｂ）に示すよ
うにＲ−Ｈカーブの抵抗値が最大値付近の抵抗値変化の
小さい部分で変化するため、ノイズ出力は小さくおさえ
られる。
また、十分大きな信号磁界は同図（Ａ）のようにＲ−Ｈ
カーブの抵抗値変化の大きい所まで利用されるため出力
はある程度大きく得られる。
カーブの抵抗値変化の大きい所まで利用されるため出力
はある程度大きく得られる。
即ち、信号磁界Ｓ／Ｎに比べＭＲ小出力Ｓ／Ｎは改善さ
れる。
れる。
ところが、磁気バイアス型の場合は、Ｒ−Ｈカーブのほ
ぼ直線となる部分を用いるため、入出力比は信号入力に
ついてもノイズ成分についても同じであり、ノン磁気バ
イアス型のようにＳ／Ｎが改善されることはない。
ぼ直線となる部分を用いるため、入出力比は信号入力に
ついてもノイズ成分についても同じであり、ノン磁気バ
イアス型のようにＳ／Ｎが改善されることはない。
磁気バイアス型は、ノン磁気バイアス型に比べ入力に比
例した大きな出力を得ることができるという長所がある
が上述の如＜Ｓ／Ｎについては改善されず、悪ければ悪
いまま出力されるという欠点を有する。
例した大きな出力を得ることができるという長所がある
が上述の如＜Ｓ／Ｎについては改善されず、悪ければ悪
いまま出力されるという欠点を有する。
このため、外部近傍にモータ等の漏れ磁界が発生すると
ＭＲ素子が検出してしまい誤動作を起す可能性がある。
ＭＲ素子が検出してしまい誤動作を起す可能性がある。
［発明の目的］
本発明は前記欠点を除去するために成されたもので、信
号成分は大きな出力として取り出し、ノイズ信号のみが
ほぼ出力Ｏとなるように構成したＭＲセンサを提供する
ことを目的としている。
号成分は大きな出力として取り出し、ノイズ信号のみが
ほぼ出力Ｏとなるように構成したＭＲセンサを提供する
ことを目的としている。
［実施例］
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
［第１実施例］
第３図は本発明の一実施例を説明するもので、図におい
て符号１で示すものはＭＲセンサで、ガラス基板２上に
１＠磁気異方性を有するパーマロイ膜３を形成しである
。
て符号１で示すものはＭＲセンサで、ガラス基板２上に
１＠磁気異方性を有するパーマロイ膜３を形成しである
。
このパーマロイ膜３は幅の狭いストライプ部３ａ、３ｂ
を介して屈曲した複雑な形状をもって直列に連続して形
成されている。
を介して屈曲した複雑な形状をもって直列に連続して形
成されている。
そして、第３図において上下に位置する幅広の部分が端
子ａ、ｂとなっており、この端子部分にバイアスマグネ
ット４，５が一部を重ねて固定されている。
子ａ、ｂとなっており、この端子部分にバイアスマグネ
ット４，５が一部を重ねて固定されている。
下側のストライプ部３ａの部分が素子Ａを構成し、上側
のストライプ部３ｂが素子Ｂを構成している。
のストライプ部３ｂが素子Ｂを構成している。
また、符号６で示すものは磁気テープである。
素子Ａは磁気テープ６に対して近接して配置されており
、素子Ｂは磁気テープ６から離して信号磁界を検出する
ことができない位置に配置されている。
、素子Ｂは磁気テープ６から離して信号磁界を検出する
ことができない位置に配置されている。
また、各々の素子のバイアスマグネット４，５はストラ
イプ部３ａ 、３ｂに対する磁界の垂直成分が互いに逆
方向で、かつ同じ磁界強さになるように配置しである。
イプ部３ａ 、３ｂに対する磁界の垂直成分が互いに逆
方向で、かつ同じ磁界強さになるように配置しである。
一方、第４図は上述した構造のＭＲセンサが示すＲ−Ｈ
カーブである。
カーブである。
第４図において曲線ａは素子ＡのみのＲ−Ｈカーブで、
曲線すは素子ＢのみのＲ−Ｈカーブである。
曲線すは素子ＢのみのＲ−Ｈカーブである。
また、曲線Ｃは素子ＡとＢとを直列に接続した場合のＲ
−）Ｉカーブを示す。
−）Ｉカーブを示す。
素子Ａ、Ｂには逆向きに同じ強さの磁気バイアスがかか
っているため、曲線ａ、ｂは水平方向逆向きに、左右対
称な状態にシフトし、Ｈ＝０の直線に対し対称となって
いる。
っているため、曲線ａ、ｂは水平方向逆向きに、左右対
称な状態にシフトし、Ｈ＝０の直線に対し対称となって
いる。
以上のような構造を有するＭＲ素子を用いて実際に磁気
記録された磁気テープを走行させてみると、磁気テープ
からの信号磁界は素子Ａのみに入力され、素子ＡのＲ−
Ｈカーブである曲線ａに従って出力信号とされる。
記録された磁気テープを走行させてみると、磁気テープ
からの信号磁界は素子Ａのみに入力され、素子ＡのＲ−
Ｈカーブである曲線ａに従って出力信号とされる。
この時、素子Ａの抵抗値ＲＡは入力０の時の抵抗値をＲ
ｏ、信号による抵抗変化をΔＲＡとすると、ＲＡ＝ＲＯ
土ΔＲＡと表わされる。
ｏ、信号による抵抗変化をΔＲＡとすると、ＲＡ＝ＲＯ
土ΔＲＡと表わされる。
ところが、素子Ｂは磁気テープとの間に大きな距離があ
り磁気テープの信号磁界を検出せず、素子Ｂの抵抗値Ｒ
Ｂ＝Ｒｏ＋ΔＲｅであるが、ΔＲ日は無視できるほど小
さいため、Ｒ日′、ＲＯである。
り磁気テープの信号磁界を検出せず、素子Ｂの抵抗値Ｒ
Ｂ＝Ｒｏ＋ΔＲｅであるが、ΔＲ日は無視できるほど小
さいため、Ｒ日′、ＲＯである。
従って、素子Ａ、Ｂの合計した抵抗値はＲＡ＋Ｒ日＝ｚ
ＲＯ＋ΔＲＡとなる。
ＲＯ＋ΔＲＡとなる。
この状態で素子Ａ、Ｂにさらに外部からのノイズ磁界が
加わるとし、このノイズ磁界は素子Ａ、Ｂから十分に離
れており、かつ素子Ａ、Ｂとも同じ大きさのノイズ磁界
が入力信号として加わるものとすると次のような現象が
生じる。
加わるとし、このノイズ磁界は素子Ａ、Ｂから十分に離
れており、かつ素子Ａ、Ｂとも同じ大きさのノイズ磁界
が入力信号として加わるものとすると次のような現象が
生じる。
即ち、ノイズ磁界による抵抗変化をΔＲ′とすると、素
子Ａの抵抗ＲＡ＝ＲＯ±ΔＲＡ±ΔＲ′と変化する時、
素子Ｂにはノイズ磁界による信号が曲線すに沿って出力
され、ＲＢ＝Ｒｏ干ΔＲ′となる。
子Ａの抵抗ＲＡ＝ＲＯ±ΔＲＡ±ΔＲ′と変化する時、
素子Ｂにはノイズ磁界による信号が曲線すに沿って出力
され、ＲＢ＝Ｒｏ干ΔＲ′となる。
これは、曲線ａ、ｂは互いに逆方向にシフトしているた
め、同一の入力信号は素子Ａが正なら素子Ｂは負方向へ
変化するためである。
め、同一の入力信号は素子Ａが正なら素子Ｂは負方向へ
変化するためである。
従って、素子Ａ、Ｂを直列に接続した場合の合成抵抗は
ＲＡ＋Ｒ日＝２Ｒｏ±ΔＲＡとなり、ノイズ信号ΔＲ′
は消されてしまい、磁気テープによる信号のみが出力さ
れる。
ＲＡ＋Ｒ日＝２Ｒｏ±ΔＲＡとなり、ノイズ信号ΔＲ′
は消されてしまい、磁気テープによる信号のみが出力さ
れる。
尚、過大なノイズ入力が発生する場合、ＭＲ素子の感度
を下げ、入力に対し適当なＲＨカーブになるように工夫
することによって過大なノイズ成分を抑えることも可能
である。
を下げ、入力に対し適当なＲＨカーブになるように工夫
することによって過大なノイズ成分を抑えることも可能
である。
このようにして信号成分はそのまま出力として取り出し
、ノイズ信号のみがほぼ出力ＯとなるようなＭＲセンサ
を得ることができる。
、ノイズ信号のみがほぼ出力ＯとなるようなＭＲセンサ
を得ることができる。
［第２実施例］
第５図は本発明の第２の実施例を説明するもので、図中
第３図と同一部分または相当する部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
第３図と同一部分または相当する部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
本実施例にあっては素子Ａ、Ｂを互いに対向した状態に
形成し、両者の中間にバイアスマグネット４を配置した
構造を採用している。
形成し、両者の中間にバイアスマグネット４を配置した
構造を採用している。
このような構造を採用すると両方の素子に１個のマグネ
ットにより逆方向に磁界をかけることができ構造を簡略
化することができる。
ットにより逆方向に磁界をかけることができ構造を簡略
化することができる。
なお、上述した実施例においてはバイアス磁界の印加手
段としてバイアスマグネットを用いた例を示したが１巻
線コイル等を用いても良く、磁気記録媒体としては磁気
テープ以外に磁気ディスクその他を用いても良い。
段としてバイアスマグネットを用いた例を示したが１巻
線コイル等を用いても良く、磁気記録媒体としては磁気
テープ以外に磁気ディスクその他を用いても良い。
［効 果］
以上の説明から明らかなように本発明によれば、大きな
出力が得られかつ外部磁界の影響を相殺しＳ／Ｎの高い
磁気センサを得ることができる。
出力が得られかつ外部磁界の影響を相殺しＳ／Ｎの高い
磁気センサを得ることができる。
また、端子は２個で、外部に特別な回路を設ける必要は
なく、従来通りの構造でノイズ低減が可能となり極めて
安価に製造することができる。
なく、従来通りの構造でノイズ低減が可能となり極めて
安価に製造することができる。
第１図及び第２図は従来の各々異なったＭＲセンサのＲ
−Ｈカーブを示す線図で、第１図（Ａ）、（Ｂ）はノン
磁気バイアス型のＭＲセンサの磁気信号及び磁気ノイズ
信号が入力された場合のＲ−Ｈカーブを示す線図、第２
図（Ａ）。 （Ｂ）は磁気バイアス型ＭＲセンサの磁気信号及びノイ
ズ信号が入力された場合のＲ−Ｈカーブを示す線図、第
３図及び第４図は本発明の第、１の実施例を説明するも
ので、第３図はＭＲセンサの斜視図、第４図はＲ−Ｈカ
ーブを示す線図、第５図は本発明の第２の実施例を説明
するＭＲセンサの側面図である。 ｌ・・・ＭＲセンサ ２・・・ガラス基板３・・・
パーマロイ膜 ４．５・・・バイアスマグネット ６・・・磁気テープ 第３図 第４図 第５図
−Ｈカーブを示す線図で、第１図（Ａ）、（Ｂ）はノン
磁気バイアス型のＭＲセンサの磁気信号及び磁気ノイズ
信号が入力された場合のＲ−Ｈカーブを示す線図、第２
図（Ａ）。 （Ｂ）は磁気バイアス型ＭＲセンサの磁気信号及びノイ
ズ信号が入力された場合のＲ−Ｈカーブを示す線図、第
３図及び第４図は本発明の第、１の実施例を説明するも
ので、第３図はＭＲセンサの斜視図、第４図はＲ−Ｈカ
ーブを示す線図、第５図は本発明の第２の実施例を説明
するＭＲセンサの側面図である。 ｌ・・・ＭＲセンサ ２・・・ガラス基板３・・・
パーマロイ膜 ４．５・・・バイアスマグネット ６・・・磁気テープ 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）第１及び第２の磁気抵抗効果素子を直列に接続した
ことを特徴とする磁気抵抗効果型センサ。 ２）第１及び第２の磁気抵抗効果素子に対して互いに逆
方向となるバイアス磁界を発生する手段を設けたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気抵抗効果
型センサ。 ３）第１及び第２の磁気抵抗効果素子を信号磁界から異
なる距離をもって配置したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の磁気抵抗効果型センサ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130792A JPS61290377A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 磁気抵抗効果型センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130792A JPS61290377A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 磁気抵抗効果型センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61290377A true JPS61290377A (ja) | 1986-12-20 |
Family
ID=15042796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60130792A Pending JPS61290377A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 磁気抵抗効果型センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61290377A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6438675A (en) * | 1987-08-01 | 1989-02-08 | Sharp Kk | Digital magnetic field detecting apparatus |
| JPH02298666A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-11 | Nippondenso Co Ltd | 内燃機関用点火配電器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5713048A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-23 | Nec Corp | Laminal storing device for paper of the like |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60130792A patent/JPS61290377A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5713048A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-23 | Nec Corp | Laminal storing device for paper of the like |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6438675A (en) * | 1987-08-01 | 1989-02-08 | Sharp Kk | Digital magnetic field detecting apparatus |
| JPH02298666A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-11 | Nippondenso Co Ltd | 内燃機関用点火配電器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5084794A (en) | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification | |
| US5818685A (en) | CIP GMR sensor coupled to biasing magnet with spacer therebetween | |
| US6100686A (en) | Magnetic field sensor with double wheatstone bridge having magneto-resistive elements | |
| US4803580A (en) | Double-gap magnetoresistive head having an elongated central write/shield pole completely shielding the magnetoresistive sensor strip in the read gap | |
| US4967298A (en) | Magnetic head with magnetoresistive sensor, inductive write head, and shield | |
| US5731937A (en) | Giant magnetoresistive transducer with increased output signal | |
| US4280158A (en) | Magnetoresistive reading head | |
| JP3210192B2 (ja) | 磁気検出素子 | |
| JPS63117309A (ja) | 磁気抵抗性読取変換器 | |
| JPH0261572A (ja) | 強磁性薄膜を有する磁場センサ | |
| KR19980079613A (ko) | 대칭인 판독 신호를 갖는 반대로 평행하게 고정된 스핀 밸브 | |
| EP0656620A2 (en) | Dual magnetoresistive head for reproducing very narrow track width short wavelength data | |
| JP2790811B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS6350768B2 (ja) | ||
| JP2000512763A (ja) | ホイートストンブリッジを備える磁界センサ | |
| JP2000018967A (ja) | 磁気検出装置 | |
| JP3682052B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| JPS61290377A (ja) | 磁気抵抗効果型センサ | |
| JPH0448175B2 (ja) | ||
| EP0738896A2 (en) | Exchange coupled barber pole magnetoresistive sensor | |
| JPS6360326B2 (ja) | ||
| JPS59112422A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JP2707850B2 (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPH1027317A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH06119620A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド |