JPS61290377A - 磁気抵抗効果型センサ - Google Patents
磁気抵抗効果型センサInfo
- Publication number
- JPS61290377A JPS61290377A JP60130792A JP13079285A JPS61290377A JP S61290377 A JPS61290377 A JP S61290377A JP 60130792 A JP60130792 A JP 60130792A JP 13079285 A JP13079285 A JP 13079285A JP S61290377 A JPS61290377 A JP S61290377A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetic field
- elements
- output
- signal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は磁気抵抗効果型センサ(以下MRセンサと略す
)に係り、さらに詳しくは磁気バイアス付MRセンサに
係るものである。
)に係り、さらに詳しくは磁気バイアス付MRセンサに
係るものである。
[従来技術]
磁気異方性を有する強磁性体の磁気抵抗効果素子(以下
MR素子と略称する)が、再生ヘッド等の磁気センサと
して広く用いられている。
MR素子と略称する)が、再生ヘッド等の磁気センサと
して広く用いられている。
MR素子とは素子の電気抵抗Rが磁界によって変化する
ものであり、この素子に定電流を流しておくことにより
抵抗変化を電圧変化に変えて出力として取り出すことが
できる素子のことである。
ものであり、この素子に定電流を流しておくことにより
抵抗変化を電圧変化に変えて出力として取り出すことが
できる素子のことである。
第1図は従来の所謂ノン磁気バイアス型MRセンサの抵
抗値Rと磁界Hとの関係を示すグラフ(以下R−Hカー
ブと呼ぶ)である。
抗値Rと磁界Hとの関係を示すグラフ(以下R−Hカー
ブと呼ぶ)である。
第1図において、横軸はMRセンサに印加される磁界の
強さ、縦軸はMR素子抵抗値である。同図によると素子
に磁界が加わると抵抗値は小さくなる。同図(A)は磁
気テープに記録されている信号に基づく磁界SINを入
力した場合を示し、出力信号として入力信号の2倍の周
波数を有する信号5OUTが得られる。同図(B)は磁
気ノイズ信号NrNを入力した場合を示し、ごく小さい
ノイズ出力No U Tが得られる。
強さ、縦軸はMR素子抵抗値である。同図によると素子
に磁界が加わると抵抗値は小さくなる。同図(A)は磁
気テープに記録されている信号に基づく磁界SINを入
力した場合を示し、出力信号として入力信号の2倍の周
波数を有する信号5OUTが得られる。同図(B)は磁
気ノイズ信号NrNを入力した場合を示し、ごく小さい
ノイズ出力No U Tが得られる。
第2図(A)、(B)は磁気バイアス付きMRセンサの
R−Hカーブであるがすでに磁界が加わっているため、
ノン磁気バイアス型MRセンサのR−Hカーブが左側に
シフトした形になっている。
R−Hカーブであるがすでに磁界が加わっているため、
ノン磁気バイアス型MRセンサのR−Hカーブが左側に
シフトした形になっている。
第1図に示すノン磁気バイアス型の場合、入力磁界がノ
イズ磁界等のように小さい場合は、同図(B)に示すよ
うにR−Hカーブの抵抗値が最大値付近の抵抗値変化の
小さい部分で変化するため、ノイズ出力は小さくおさえ
られる。
イズ磁界等のように小さい場合は、同図(B)に示すよ
うにR−Hカーブの抵抗値が最大値付近の抵抗値変化の
小さい部分で変化するため、ノイズ出力は小さくおさえ
られる。
また、十分大きな信号磁界は同図(A)のようにR−H
カーブの抵抗値変化の大きい所まで利用されるため出力
はある程度大きく得られる。
カーブの抵抗値変化の大きい所まで利用されるため出力
はある程度大きく得られる。
即ち、信号磁界S/Nに比べMR小出力S/Nは改善さ
れる。
れる。
ところが、磁気バイアス型の場合は、R−Hカーブのほ
ぼ直線となる部分を用いるため、入出力比は信号入力に
ついてもノイズ成分についても同じであり、ノン磁気バ
イアス型のようにS/Nが改善されることはない。
ぼ直線となる部分を用いるため、入出力比は信号入力に
ついてもノイズ成分についても同じであり、ノン磁気バ
イアス型のようにS/Nが改善されることはない。
磁気バイアス型は、ノン磁気バイアス型に比べ入力に比
例した大きな出力を得ることができるという長所がある
が上述の如<S/Nについては改善されず、悪ければ悪
いまま出力されるという欠点を有する。
例した大きな出力を得ることができるという長所がある
が上述の如<S/Nについては改善されず、悪ければ悪
いまま出力されるという欠点を有する。
このため、外部近傍にモータ等の漏れ磁界が発生すると
MR素子が検出してしまい誤動作を起す可能性がある。
MR素子が検出してしまい誤動作を起す可能性がある。
[発明の目的]
本発明は前記欠点を除去するために成されたもので、信
号成分は大きな出力として取り出し、ノイズ信号のみが
ほぼ出力Oとなるように構成したMRセンサを提供する
ことを目的としている。
号成分は大きな出力として取り出し、ノイズ信号のみが
ほぼ出力Oとなるように構成したMRセンサを提供する
ことを目的としている。
[実施例]
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
[第1実施例]
第3図は本発明の一実施例を説明するもので、図におい
て符号1で示すものはMRセンサで、ガラス基板2上に
1@磁気異方性を有するパーマロイ膜3を形成しである
。
て符号1で示すものはMRセンサで、ガラス基板2上に
1@磁気異方性を有するパーマロイ膜3を形成しである
。
このパーマロイ膜3は幅の狭いストライプ部3a、3b
を介して屈曲した複雑な形状をもって直列に連続して形
成されている。
を介して屈曲した複雑な形状をもって直列に連続して形
成されている。
そして、第3図において上下に位置する幅広の部分が端
子a、bとなっており、この端子部分にバイアスマグネ
ット4,5が一部を重ねて固定されている。
子a、bとなっており、この端子部分にバイアスマグネ
ット4,5が一部を重ねて固定されている。
下側のストライプ部3aの部分が素子Aを構成し、上側
のストライプ部3bが素子Bを構成している。
のストライプ部3bが素子Bを構成している。
また、符号6で示すものは磁気テープである。
素子Aは磁気テープ6に対して近接して配置されており
、素子Bは磁気テープ6から離して信号磁界を検出する
ことができない位置に配置されている。
、素子Bは磁気テープ6から離して信号磁界を検出する
ことができない位置に配置されている。
また、各々の素子のバイアスマグネット4,5はストラ
イプ部3a 、3bに対する磁界の垂直成分が互いに逆
方向で、かつ同じ磁界強さになるように配置しである。
イプ部3a 、3bに対する磁界の垂直成分が互いに逆
方向で、かつ同じ磁界強さになるように配置しである。
一方、第4図は上述した構造のMRセンサが示すR−H
カーブである。
カーブである。
第4図において曲線aは素子AのみのR−Hカーブで、
曲線すは素子BのみのR−Hカーブである。
曲線すは素子BのみのR−Hカーブである。
また、曲線Cは素子AとBとを直列に接続した場合のR
−)Iカーブを示す。
−)Iカーブを示す。
素子A、Bには逆向きに同じ強さの磁気バイアスがかか
っているため、曲線a、bは水平方向逆向きに、左右対
称な状態にシフトし、H=0の直線に対し対称となって
いる。
っているため、曲線a、bは水平方向逆向きに、左右対
称な状態にシフトし、H=0の直線に対し対称となって
いる。
以上のような構造を有するMR素子を用いて実際に磁気
記録された磁気テープを走行させてみると、磁気テープ
からの信号磁界は素子Aのみに入力され、素子AのR−
Hカーブである曲線aに従って出力信号とされる。
記録された磁気テープを走行させてみると、磁気テープ
からの信号磁界は素子Aのみに入力され、素子AのR−
Hカーブである曲線aに従って出力信号とされる。
この時、素子Aの抵抗値RAは入力0の時の抵抗値をR
o、信号による抵抗変化をΔRAとすると、RA=RO
土ΔRAと表わされる。
o、信号による抵抗変化をΔRAとすると、RA=RO
土ΔRAと表わされる。
ところが、素子Bは磁気テープとの間に大きな距離があ
り磁気テープの信号磁界を検出せず、素子Bの抵抗値R
B=Ro+ΔReであるが、ΔR日は無視できるほど小
さいため、R日′、ROである。
り磁気テープの信号磁界を検出せず、素子Bの抵抗値R
B=Ro+ΔReであるが、ΔR日は無視できるほど小
さいため、R日′、ROである。
従って、素子A、Bの合計した抵抗値はRA+R日=z
RO+ΔRAとなる。
RO+ΔRAとなる。
この状態で素子A、Bにさらに外部からのノイズ磁界が
加わるとし、このノイズ磁界は素子A、Bから十分に離
れており、かつ素子A、Bとも同じ大きさのノイズ磁界
が入力信号として加わるものとすると次のような現象が
生じる。
加わるとし、このノイズ磁界は素子A、Bから十分に離
れており、かつ素子A、Bとも同じ大きさのノイズ磁界
が入力信号として加わるものとすると次のような現象が
生じる。
即ち、ノイズ磁界による抵抗変化をΔR′とすると、素
子Aの抵抗RA=RO±ΔRA±ΔR′と変化する時、
素子Bにはノイズ磁界による信号が曲線すに沿って出力
され、RB=Ro干ΔR′となる。
子Aの抵抗RA=RO±ΔRA±ΔR′と変化する時、
素子Bにはノイズ磁界による信号が曲線すに沿って出力
され、RB=Ro干ΔR′となる。
これは、曲線a、bは互いに逆方向にシフトしているた
め、同一の入力信号は素子Aが正なら素子Bは負方向へ
変化するためである。
め、同一の入力信号は素子Aが正なら素子Bは負方向へ
変化するためである。
従って、素子A、Bを直列に接続した場合の合成抵抗は
RA+R日=2Ro±ΔRAとなり、ノイズ信号ΔR′
は消されてしまい、磁気テープによる信号のみが出力さ
れる。
RA+R日=2Ro±ΔRAとなり、ノイズ信号ΔR′
は消されてしまい、磁気テープによる信号のみが出力さ
れる。
尚、過大なノイズ入力が発生する場合、MR素子の感度
を下げ、入力に対し適当なRHカーブになるように工夫
することによって過大なノイズ成分を抑えることも可能
である。
を下げ、入力に対し適当なRHカーブになるように工夫
することによって過大なノイズ成分を抑えることも可能
である。
このようにして信号成分はそのまま出力として取り出し
、ノイズ信号のみがほぼ出力OとなるようなMRセンサ
を得ることができる。
、ノイズ信号のみがほぼ出力OとなるようなMRセンサ
を得ることができる。
[第2実施例]
第5図は本発明の第2の実施例を説明するもので、図中
第3図と同一部分または相当する部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
第3図と同一部分または相当する部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
本実施例にあっては素子A、Bを互いに対向した状態に
形成し、両者の中間にバイアスマグネット4を配置した
構造を採用している。
形成し、両者の中間にバイアスマグネット4を配置した
構造を採用している。
このような構造を採用すると両方の素子に1個のマグネ
ットにより逆方向に磁界をかけることができ構造を簡略
化することができる。
ットにより逆方向に磁界をかけることができ構造を簡略
化することができる。
なお、上述した実施例においてはバイアス磁界の印加手
段としてバイアスマグネットを用いた例を示したが1巻
線コイル等を用いても良く、磁気記録媒体としては磁気
テープ以外に磁気ディスクその他を用いても良い。
段としてバイアスマグネットを用いた例を示したが1巻
線コイル等を用いても良く、磁気記録媒体としては磁気
テープ以外に磁気ディスクその他を用いても良い。
[効 果]
以上の説明から明らかなように本発明によれば、大きな
出力が得られかつ外部磁界の影響を相殺しS/Nの高い
磁気センサを得ることができる。
出力が得られかつ外部磁界の影響を相殺しS/Nの高い
磁気センサを得ることができる。
また、端子は2個で、外部に特別な回路を設ける必要は
なく、従来通りの構造でノイズ低減が可能となり極めて
安価に製造することができる。
なく、従来通りの構造でノイズ低減が可能となり極めて
安価に製造することができる。
第1図及び第2図は従来の各々異なったMRセンサのR
−Hカーブを示す線図で、第1図(A)、(B)はノン
磁気バイアス型のMRセンサの磁気信号及び磁気ノイズ
信号が入力された場合のR−Hカーブを示す線図、第2
図(A)。 (B)は磁気バイアス型MRセンサの磁気信号及びノイ
ズ信号が入力された場合のR−Hカーブを示す線図、第
3図及び第4図は本発明の第、1の実施例を説明するも
ので、第3図はMRセンサの斜視図、第4図はR−Hカ
ーブを示す線図、第5図は本発明の第2の実施例を説明
するMRセンサの側面図である。 l・・・MRセンサ 2・・・ガラス基板3・・・
パーマロイ膜 4.5・・・バイアスマグネット 6・・・磁気テープ 第3図 第4図 第5図
−Hカーブを示す線図で、第1図(A)、(B)はノン
磁気バイアス型のMRセンサの磁気信号及び磁気ノイズ
信号が入力された場合のR−Hカーブを示す線図、第2
図(A)。 (B)は磁気バイアス型MRセンサの磁気信号及びノイ
ズ信号が入力された場合のR−Hカーブを示す線図、第
3図及び第4図は本発明の第、1の実施例を説明するも
ので、第3図はMRセンサの斜視図、第4図はR−Hカ
ーブを示す線図、第5図は本発明の第2の実施例を説明
するMRセンサの側面図である。 l・・・MRセンサ 2・・・ガラス基板3・・・
パーマロイ膜 4.5・・・バイアスマグネット 6・・・磁気テープ 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)第1及び第2の磁気抵抗効果素子を直列に接続した
ことを特徴とする磁気抵抗効果型センサ。 2)第1及び第2の磁気抵抗効果素子に対して互いに逆
方向となるバイアス磁界を発生する手段を設けたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の磁気抵抗効果
型センサ。 3)第1及び第2の磁気抵抗効果素子を信号磁界から異
なる距離をもって配置したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項に記載の磁気抵抗効果型センサ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60130792A JPS61290377A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 磁気抵抗効果型センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60130792A JPS61290377A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 磁気抵抗効果型センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61290377A true JPS61290377A (ja) | 1986-12-20 |
Family
ID=15042796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60130792A Pending JPS61290377A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 磁気抵抗効果型センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61290377A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6438675A (en) * | 1987-08-01 | 1989-02-08 | Sharp Kk | Digital magnetic field detecting apparatus |
JPH02298666A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-11 | Nippondenso Co Ltd | 内燃機関用点火配電器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5713048A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-23 | Nec Corp | Laminal storing device for paper of the like |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60130792A patent/JPS61290377A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5713048A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-23 | Nec Corp | Laminal storing device for paper of the like |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6438675A (en) * | 1987-08-01 | 1989-02-08 | Sharp Kk | Digital magnetic field detecting apparatus |
JPH02298666A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-11 | Nippondenso Co Ltd | 内燃機関用点火配電器 |
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