JPH0375650A - フォトマスク修正装置 - Google Patents
フォトマスク修正装置Info
- Publication number
- JPH0375650A JPH0375650A JP1210947A JP21094789A JPH0375650A JP H0375650 A JPH0375650 A JP H0375650A JP 1210947 A JP1210947 A JP 1210947A JP 21094789 A JP21094789 A JP 21094789A JP H0375650 A JPH0375650 A JP H0375650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ionic
- detected
- detectors
- pattern
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 claims abstract description 33
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 14
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はフォトマスクの修正そ装置に関するものである
。
。
従来の技術
以下に従来の集束イオンビーム（以下、ＦＩＢと略す）
マスク修正装置について説明する。第２図は従来のＦＩ
Ｂマスク修正装置の概略図である。１は欠陥データ入力
部、２はフォトマスク、３はステージ、４はイオン部、
５は二次イオン検出器、６はＣＲＴである。Ｆはマスク
パターンの方向を表している。欠陥検査装置で得られた
欠陥データを、例えば、磁器カードを用いてＦＩＢマス
ク修正装置に入力する。フォトマスクは欠陥データと同
一の座標軸になるようにＦＩＢマスク修正装置のステー
ジにセットされている。ステージはデータで指定された
座標位置まで移動し、これから修正しようとする欠陥の
認識を行う。イオン源よりイオンビームをフォトマスク
に照射する。
マスク修正装置について説明する。第２図は従来のＦＩ
Ｂマスク修正装置の概略図である。１は欠陥データ入力
部、２はフォトマスク、３はステージ、４はイオン部、
５は二次イオン検出器、６はＣＲＴである。Ｆはマスク
パターンの方向を表している。欠陥検査装置で得られた
欠陥データを、例えば、磁器カードを用いてＦＩＢマス
ク修正装置に入力する。フォトマスクは欠陥データと同
一の座標軸になるようにＦＩＢマスク修正装置のステー
ジにセットされている。ステージはデータで指定された
座標位置まで移動し、これから修正しようとする欠陥の
認識を行う。イオン源よりイオンビームをフォトマスク
に照射する。
それによって発生する二次イオンを二次イオン検出器で
検出し、ＣＲＴ上に二次イオン像として欠陥部を表示す
る。このイオン源、二次イオン検出器は装置内に固定さ
れている。その後、実際の欠陥修正作業にはいる。
検出し、ＣＲＴ上に二次イオン像として欠陥部を表示す
る。このイオン源、二次イオン検出器は装置内に固定さ
れている。その後、実際の欠陥修正作業にはいる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では、二次イオン検出器が
一方向に固定されているために、検出し−たパターンの
エツジについて、エツジの存在する方向により解像度に
差が生じる。検出器に近いエツジと遠いエツジとの間に
はかなりの差がある。しかし、実際に発生するフォトマ
スクの欠陥には方向性がなく、もし解像度の悪いエツジ
に欠陥がある場合には、修正精度が低下することになる
。
一方向に固定されているために、検出し−たパターンの
エツジについて、エツジの存在する方向により解像度に
差が生じる。検出器に近いエツジと遠いエツジとの間に
はかなりの差がある。しかし、実際に発生するフォトマ
スクの欠陥には方向性がなく、もし解像度の悪いエツジ
に欠陥がある場合には、修正精度が低下することになる
。
本発明は上記従来例の課題を解決するもので、すべての
方向の欠陥について修正の精度を均一にすることを目的
とする。
方向の欠陥について修正の精度を均一にすることを目的
とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のフォトマスク修正装
置は、新たに二次イオン検出器を付加し、これら複数の
二次イオン検出器より得られる情報を処理して、多方向
からの二次イオン像を得られるようにする。
置は、新たに二次イオン検出器を付加し、これら複数の
二次イオン検出器より得られる情報を処理して、多方向
からの二次イオン像を得られるようにする。
作用
この構成によって、欠陥部のパターンエツジは上下左右
ともに同等の解像度が得られる。
ともに同等の解像度が得られる。
実施例
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
１は欠陥データ入力部、２はフォトマスク、３はステー
ジ、１１は付加の二次イオン検出器、１２は情報処理部
、４はイオン源、５は従来の二次イオン検出器、６はＣ
ＲＴである。欠陥検査装置で得られたデータと同一の座
標軸になるようにフォトマスクをステージニセットする
。上＝己データをＦＩＢマスク修正装置に入力する。入
力された各欠陥の座標位置にステージが移動する。その
後、イオン源よりイオンビームをフォトマスクに照射し
、それにより発生する二次イオンを検出してＣＲＴ上に
二次イオン像として欠陥部を表示する。この時に、発生
する二次イオンを同一の線上に向かいあった２つの二次
イオン検出器で検出して、この得られた情報を処理する
ことにより、ＣＲＴ上に表示する。パターンエツジの方
向に応じてどちらか片方の検出器を選択するか、あるい
は両方の情報を同時にとらえて画像処理を行なうことに
、より、常に最良のイメージをとることができる。従来
は検出器とは反対側が影になっていたが、そちら側にも
検出器を設け、二次イオンを検出するために死角が全く
なくなる。すべてのパターンエツジが解像度よく検出で
きるので、修正工程で高精度にパターン修正が行える。
ジ、１１は付加の二次イオン検出器、１２は情報処理部
、４はイオン源、５は従来の二次イオン検出器、６はＣ
ＲＴである。欠陥検査装置で得られたデータと同一の座
標軸になるようにフォトマスクをステージニセットする
。上＝己データをＦＩＢマスク修正装置に入力する。入
力された各欠陥の座標位置にステージが移動する。その
後、イオン源よりイオンビームをフォトマスクに照射し
、それにより発生する二次イオンを検出してＣＲＴ上に
二次イオン像として欠陥部を表示する。この時に、発生
する二次イオンを同一の線上に向かいあった２つの二次
イオン検出器で検出して、この得られた情報を処理する
ことにより、ＣＲＴ上に表示する。パターンエツジの方
向に応じてどちらか片方の検出器を選択するか、あるい
は両方の情報を同時にとらえて画像処理を行なうことに
、より、常に最良のイメージをとることができる。従来
は検出器とは反対側が影になっていたが、そちら側にも
検出器を設け、二次イオンを検出するために死角が全く
なくなる。すべてのパターンエツジが解像度よく検出で
きるので、修正工程で高精度にパターン修正が行える。
なお、この実施例では２つの二次イオン検出器を用いた
例をのべたが、−膜内には複数であり、多数はど高解像
性がある。
例をのべたが、−膜内には複数であり、多数はど高解像
性がある。
発明の効果
以上のように本発明によれば、二次イオン検出器を同一
線上に向かいあわせて複数設けることにより、二次イオ
ンの検出効率を上げ、すべてのパターンエツジが解像度
よく検出できる。それに伴い、すべての方向の欠陥修正
が高い精度でできる。
線上に向かいあわせて複数設けることにより、二次イオ
ンの検出効率を上げ、すべてのパターンエツジが解像度
よく検出できる。それに伴い、すべての方向の欠陥修正
が高い精度でできる。
第１図は本発明の実施例におけるＦＩＢマスク修正装置
の概略図、第２図は従来の修正装置の概略図である。 １１・・・・・・新たに二次イオン検出器、１２・・・
・・・２つの二次イオン検出器から得られた情報の処理
部、１・・・・・・欠陥データの入力部、２・・・・・
・フォトマスク、３・・・・・・ステージ、４・・・・
・・イオン源、５・・・・・・従来からある二次イオン
検出器、６・・・・・・ＣＲＴである。 −ｍ− ３−・− ５、ＩＩ 実闇士−タ入力部 フォトマスク ステージ イ ７ ′：／ 源 二次イイン浅出風 ＲＴ
の概略図、第２図は従来の修正装置の概略図である。 １１・・・・・・新たに二次イオン検出器、１２・・・
・・・２つの二次イオン検出器から得られた情報の処理
部、１・・・・・・欠陥データの入力部、２・・・・・
・フォトマスク、３・・・・・・ステージ、４・・・・
・・イオン源、５・・・・・・従来からある二次イオン
検出器、６・・・・・・ＣＲＴである。 −ｍ− ３−・− ５、ＩＩ 実闇士−タ入力部 フォトマスク ステージ イ ７ ′：／ 源 二次イイン浅出風 ＲＴ
Claims (1)
- パターン部をイオン照射する手段および同パターンイメ
ージをとるための複数の二次イオン検出器を同一線上に
向かいあわせて備えたフォトマスク修正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210947A JPH0375650A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | フォトマスク修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210947A JPH0375650A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | フォトマスク修正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375650A true JPH0375650A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16597733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1210947A Pending JPH0375650A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | フォトマスク修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375650A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001903A1 (fr) * | 1996-07-09 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un composant de circuit integre a semi-conducteur |
-
1989
- 1989-08-16 JP JP1210947A patent/JPH0375650A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001903A1 (fr) * | 1996-07-09 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un composant de circuit integre a semi-conducteur |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6023334A (en) | Method and apparatus for detecting minute irregularities on the surface of an object | |
| JPH01311551A (ja) | パターン形状測定装置 | |
| JP2007212219A (ja) | 基板の欠陥検査方法及びプログラム | |
| JPS60113426A (ja) | マスク欠陥検査装置 | |
| JPH05340738A (ja) | Ｉｃの傾き検査方法 | |
| JP2012022903A (ja) | 荷電粒子ビーム応用装置、および荷電粒子ビーム応用装置における基準マークの検出方法 | |
| JPH0375650A (ja) | フォトマスク修正装置 | |
| JP2006105794A (ja) | Ｘ線検査装置、ｘ線検査方法およびｘ線検査プログラム | |
| JP2924859B2 (ja) | 外観検査方法及び装置 | |
| JPS61260632A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH0375649A (ja) | フォトマスク修正装置 | |
| JP3396548B2 (ja) | 欠陥部位置合せ方法 | |
| JP2005037291A (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
| JPH0887101A (ja) | マスク検査装置 | |
| JPH0375651A (ja) | パターン修正装置 | |
| JPS61200415A (ja) | 微細パタ−ン検査装置 | |
| JPH03235949A (ja) | マスク検査方法 | |
| JPS6222010A (ja) | パタ−ン欠陥検出方法 | |
| KR100272240B1 (ko) | 규칙적인 미세패턴을 갖는 화상디바이스의 패턴 검사장치 및 검사방법 | |
| JP2001012907A (ja) | 鋼構造物のボルト孔位置の計測方法およびその計測装置 | |
| JPS6041456B2 (ja) | 電子線を用いたパタ−ン検査装置 | |
| JPH0545947B2 (ja) | ||
| JPS59195825A (ja) | 荷電粒子線露光装置 | |
| JP2001153817A (ja) | Ｘ線断層撮像装置 | |
| JPH08298275A (ja) | Ｆｉｂ断面観察におけるスケール補正方法および補正装 置 |