JPH0374506B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0374506B2
JPH0374506B2 JP60010616A JP1061685A JPH0374506B2 JP H0374506 B2 JPH0374506 B2 JP H0374506B2 JP 60010616 A JP60010616 A JP 60010616A JP 1061685 A JP1061685 A JP 1061685A JP H0374506 B2 JPH0374506 B2 JP H0374506B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafers
cassette
stocker
disk
stored
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP60010616A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61168934A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP60010616A priority Critical patent/JPS61168934A/ja
Priority to US06/819,253 priority patent/US4759681A/en
Publication of JPS61168934A publication Critical patent/JPS61168934A/ja
Publication of JPH0374506B2 publication Critical patent/JPH0374506B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Specific Conveyance Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウエハを処理する際の、例えばイ
オン注入装置においてウエハにイオン注入する際
のウエハハンドリング方法に関する。
〔従来の技術〕 第７図は、従来のウエハハンドリング方法の一
例を説明をするためのエンドステーシヨンの概略
平面図である。この例では、大気中でウエハのハ
ンドリングを行う。即ち、大気中に設けられてい
るローダー６のカセツト７に予め未注入のウエハ
２を複数枚収納しておき、イオン注入後に真空中
から大気中に移された（引出された）デイスク４
に装着されている注入済みのウエハ２を、大気中
に設けられているアンローダー８のカセツト９内
に収納すると共に、当該デイスク４にカセツト７
から未注入のウエハ２を提供して装着する。
第８図は、従来のウエハハンドリング方法の他
の例を説明するための他のエンドステーシヨンの
概略平面図である。この例では、デイスク４は常
時真空中にあり、カセツト７，９は大気中にあつ
て、ウエハ２の供給、回収はエアロツク室１６を
介して行う。即ち、デイスク４は、注入室（図示
省略）に通じていて真空に排除される真空容器１
２内に収納されており、真空容器１２には方向制
御室１４がゲートバルブ等を介さずに直接通じて
いる。方向制御室１４と大気中との間には、ゲー
トバルブ１８，２０を介して、真空に排気される
エアロツク室１６が設けられている。大気中に設
けられているローダー６のカセツト７に予め未注
入のウエハ２を複数枚収納しておき、デイスク４
に装着されている注入済みのウエハ２を、方向制
御室１４、エアロツク室１６を経由して大気中に
設けられているアンローダー８のカセツト９内に
収納すると共に、ローダー６のカセツト７から未
注入のウエハ２を、エアロツク室１６、方向制御
室１４を経由してデイスク４に供給して装着す
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第７図で説明したウエハハンドリング方法には
次のような問題点がある。
ローダー６のカセツト７とアンローダー８の
カセツト９とが別々であるため、注入後のウエ
ハ２は未注入の時とは別のカセツト９に回収さ
れる。所が、イオン注入装置の運転条件等によ
つては、注入後のウエハ２は元入つていたカセ
ツト７に回収される方が好都合な場合であり、
そのような場合にはウエハ２をカセツト間で入
れ替える工程が更に必要になり、非常に手間が
かかると共に処理能力（単位時間当たりのウエ
ハの処理枚数）も低下する。
供給用のカセツト７と回収用のカセツト９と
の両方があるため、ハンドリング途中で、カセ
ツト７にウエハ切れが発生する場合があるだけ
でなく、カセツト９がウエハで満杯になつたり
する場合もあり、そのような場合にはカセツト
７またはカセツト９を交換しなければならず手
間が多くかかると共に、これらの交換に要する
時間だけハンドリング動作が休止するため、そ
れだけ処理能力が低下する。
一般的に言えば、カセツト７または９へのウ
エハ２の収納枚数よりも、デイスク４へのウエ
ハ２の装着枚数の方が少ないので（例えば、前
者は25枚であり、後者は14枚である）、カセツ
ト１個分のウエハ２を一度に処理することはで
きない。そのため、１カセツト分を数回に分け
て処理したり、１ロツトを数回に分けて処理し
たりするが、その場合、最後の処理では、ウエ
ハ２がデイスク４の装着枚数にどうしても満た
ない場合がある。このような場合に、ウエハ２
が装着されていない箇所があるままイオン注入
を行うと、デイスク４に不具合が生じる。例え
ば、デイスク４のウエハ２の装着箇所には、ウ
エハ２とデイスク４との熱伝導を良くする等の
ためにシリコンゴムが敷かれており、もしウエ
ハ２を装着しないままそこにイオン注入すると
シリコンゴムが破損されてしまう。そのような
不具合が生じるのを防止するため、デイスク４
に供給するウエハ２が不足した場合は、例えば
ダミーウエハを装着する等してからイオン注入
しなければならない。そのような場合、第７図
で説明したウエハハンドリング方法において
は、作業者がローダー６にダミーウエハの入つ
たカセツトを取り付けなければならず非常に手
間がかかる。更に、アンローダー８に回収され
たダミーウエハを選別するのも人手に頼らなけ
ればならず、面倒である。
一方、第８図のエンドステーシヨンではダミ
ーステーシヨン１０が設けられており、そこの
カセツト１１からのダミーウエハ２ｄの供給、
回収は自動的に行われるようになつており、上
述したの問題点は解決されている。しかしな
がら、ローダー６のカセツト７とアンローダー
８のカセツト９とは、第７図の場合と同様に
別々であるため、上述した、の問題点は依
然として存在している。
従つてこの発明の主たる目的は、ウエハの供
給と回収とを同一のカセツトで行うことができ
るウエハハンドリング方法を提供することであ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
第１の発明のウエハハンドリング方法は、複数
枚の未処理のウエハが予め収納されているカセツ
トと、当該カセツトへの収納枚数以上のウエハを
収納可能なストツカーとを用い、まずカセツトに
収納されていたウエハをストツカーに全て移し替
えてカセツトを空にし、次いでストツカーからウ
エハを処理のために搬出し、そして処理後のウエ
ハを元のカセツトに回収するようにしている。
第２の発明のウエハハンドリング方法は、複数
枚の未処理のウエハが予め収納されているカセツ
トと、予め複数枚のダミーウエハが収納されてい
て、しかも前記カセツトへの収納枚数以上のウエ
ハを更に収納可能なストツカーとを用い、まずカ
セツトに収納されていたウエハをストツカーに全
て移し替えてカセツトを空にし、次いでストツカ
ーからウエハを搬出してデイスクに供給し、その
際デイスクに供給するウエハが不足した場合には
不足枚数だけデイスクにダミーウエハを供給し、
そして処理後のウエハは元のカセツトに回収し
し、ダミーウエハは元のストツカーに回収するよ
うにしている。
第３の発明のウエハハンドリング方法は、複数
枚の未処理のウエハがそれぞれに予め収納されて
いる複数のカセツトと、当該カセツトと対を成し
ていて、予め複数枚のダミーウエハが収納されて
いて、しかも対を成すカセツトへの収納枚数以上
のウエハを更に収納可能な複数のストツカーとを
用い、まず各カセツトに収納されていたウエハを
対を成すストツカーに全て移し替えて各カセツト
を空にし、次いで１つのストツカーからウエハを
搬出してデイスクに供給し、その際デイスクに供
給するウエハが不足した場合には、当該ストツカ
ーから不足枚数だけデイスクにダミーウエハを供
給するか又は他のストツカーから不足枚数だけデ
イスクにウエハを供給するかのいずれかを行い、
そして処理後のウエハは元のカセツトに回収し、
ダミーウエハは元のストツカーに回収するように
している。
〔作用〕
第１の発明のウエハハンドリング方法において
は、処理後のウエハは元のカセツトに回収され
る。
第２の発明のウエハハンドリング方法において
は、デイスクにウエハの不足枚数だけダミーウエ
ハが供給され、しかも処理後のウエハは元のカセ
ツトに回収され、ダミーウエハは元のストツカー
に回収される。
第３の発明のウエハハンドリング方法において
は、デイスクにウエハが不足した場合、その分だ
けダミーウエハが供給されるか又は他のストツカ
ーからウエハが供給され、しかも処理後のウエハ
は元のカセツトに回収され、ダミーウエハは元の
ストツカーに回収される。
〔実施例〕
第１図はこの発明に係るウエハハンドリング方
法の一例を説明するためのエンドステーシヨンの
概略平面図であり、第２図は第１図の線−に
沿う概略断面図である。この例は、大気中でウエ
ハのハンドリングを行う場合を示す。即ち、カセ
ツト２２Ａとストツカー２６Ａの対（これをステ
ージＡと言う）及びカセツト２２Ｂとストツカー
２６Ｂの対（これをステージＢと言う）等は大気
中に設けられており、デイスク４もウエハ２の取
り出し及び装着を行う際には真空中から大気中に
移される（引出される）。
カセツト２２Ａ，２２Ｂには、それぞれ、複数
枚（例えば25枚）の未処理の（未注入の）ウエハ
２が予め収納されている。カセツト２２Ａ，２２
Ｂとデイスク４との間に設けられたストツカー２
６Ａ，２６Ｂには、それぞれ、上段部に予め複数
枚の、例えばデイスク４へのウエハ２の装着枚数
（例えば９枚）だけのダミーウエハ２ｄが収納さ
れており、しかも下段部には対を成すカセツト２
２Ａ，２２Ｂへの収納枚数以上の（例えば25枚
の）ウエハ２を更に収納可能である。
カセツト２２Ａからのウエハ２の取り出し及び
それへのウエハ２の回収は、モータ等から成る昇
降機構３２Ａによつてカセツト２２Ａを段階的に
上昇または降下させると共に搬送ベルト２４Ａを
正転または逆転させることによつて行われる。こ
れを補足説明すると、カセツト２２Ａは、その内
側面にウエハ２の両端部を下から支える棚を複数
段（この例では25段）有しており、複数枚のウエ
ハ２は、当該棚の上に互いに所定間隔をおいて載
置される。そして、当該カセツト２２Ａは、搬送
ベルト２４Ａ上に跨るような格好で設けられてお
り、カセツト２２Ａを上昇位置から１段ずつ降下
させるのに歩調を合わせて搬送ベルト２４Ａを駆
動、例えば正転させることによつて、カセツト２
２Ａ内のウエハ２を下段側のものから１枚ずつ搬
送ベルト２４Ａ上に載置して搬出する。逆に、カ
セツト２２Ａを降下位置から１段ずつ上昇させる
のに歩調を合わせて搬送ベルト２４Ａを逆転させ
ることによつて、搬送ベルト２４Ａ上に供給され
たウエハ２を前記棚で下からすくい上げるような
格好でカセツト２２Ａ内にその上段側から順次収
納する。
ストツカー２６Ａへのウエハ２の収納及ひそれ
からのウエハ２及びダミーウエハ２ｄの取り出し
は、モータ等から成る昇降機構３４Ａによつてス
トツカー２６Ａを段階的に上昇または降下させる
と共に搬送ベルト２４Ａを駆動することによつて
行われる。これを補足説明すると、ストツカー２
６Ａもウエハ２の進行方向の前後が開いている点
以外は上記カセツト２２Ａとほぼ同様の構造をし
ていて、搬送ベルト２４Ａ上に跨るような格好で
設けられており、ストツカー２６Ａを降下位置か
ら１段ずつ上昇させるのに歩調を合わせて搬送ベ
ルト２４Ａを駆動、例えば正転させることによつ
て、前記カセツト２２Ａから搬送ベルト２４Ａ上
に供給されたウエハ２を棚で下からすくい上げる
ような格好でストツカー２６Ａ内のダミーウエハ
２ｄの下部にその上段側から順次収納する。逆
に、ストツカー２６Ａを上昇位置から１段ずつ降
下させるのに歩調を合わせて搬送ベルト２４Ａを
正転させることによつて、ストツカー２６Ａ内の
ウエハ２を下段側のものから１枚ずつ搬送ベルト
２４Ａ上に載置してデイスク４に向けて搬出す
る。ダミーウエハ２ｄの搬出についても同様であ
る。尚、ストツカー２６Ａを昇降させずに固定し
た状態においては、搬送ベルト２４Ａとストツカ
ー２６Ａ或いはそこに収納されたウエハ２等との
間にはウエハ２の厚み以上の空間部Ｓ（第２図参
照）が生じるようになつており、その状態で搬送
ベルト２４Ａを駆動すると、搬送ベルト２４Ａ上
に載置されたウエハ２はストツカー２６Ａを通過
することになる。
デイスク４へのウエハ２またはダミーウエハ２
ｄの装着及び取り出しは、アクチユエータ等から
成る昇降機構３８によつて搬送ベルト３０を上昇
させて、当該搬送ベルト３０を正転または逆転さ
せると共に、デイスク４を段階的に回転させるこ
とによつて行われる。カセツト２２Ｂ、ストツカ
ー２６Ｂについても上述と同様であるが、これら
からウエハ２またはダミーウエハ２ｄを搬送する
際には、アクチユエータ等から成る昇降機構３６
によつて搬送ベルト２８を上昇させる。
次に上記エンドステーシヨンにおけるウエハハ
ンドリング方法を説明する。まず、未注入のウエ
ハ２の入つた２個のカセツト２２Ａ，２２Ｂを最
上昇装置に装着し、カセツト２２Ａの下段側より
ウエハ２を１枚ずつ取り出してそれをストツカー
２６Ａのダミーウエハ２ｄのすぐ下より順次下段
側にかけて入れて、カセツト２２Ａの全てのウエ
ハ２をストツカー２６Ａに移し替える。カセツト
２２Ｂ内のウエハ２も同様にストツカー２６Ｂに
全て移し替えて、カセツト２２Ａ，２２Ｂを一旦
空にする。
次いで、ストツカー２６Ａの最下段（そこのウ
エハ２は元々カセツト２２Ａの最上段に収納され
ていたものである）から順次ウエハ２を搬出して
デイスク４に供給し、デイスク４上の位置P1か
ら位置P9に順次ウエハ２を装着し、その後デイ
スク４を高真空の注入室（図示省略）内に入れて
イオン注入を行う。
イオン注入後は、デイスク４を大気中に戻し
て、注入済みのウエハ２をデイスク４の位置P1
から取り出して、ストツカー２６Ａの前述した空
間部Ｓを通過して元のカセツト２２Ａの最上段に
（即ち元にあつた位置に）回収し、ストツカー２
６Ａ内の次のウエハ２をデイスク４の位置P1に
装着する。同様のことをデイスク４の位置P2〜
位置P9まで行つた後２回目のイオン注入を行う。
この場合、注入後のウエハ２は、供給した時と同
一カセツト内に、しかもその中の同一場所に（即
ち予め収納されていたのと同一順序で）回収され
る。
ストツカー２６Ａ内のウエハ２が無くなると、
それが例えばフオトセンサ等で検出されて、例え
ばストツカー２６Ｂより未注入のウエハ２がデイ
スク４に供給される。カセツト２２Ａが注入済み
のウエハ２で一杯になると、それが例えばフオト
センサ等で検出されて、デイスク４からの注入済
みのウエハ２は自動的にカセツト２２Ｂに回収さ
れると共に、カセツト２２Ａの取替えの信号が発
せられる。
これを受けた作業者が、注入済みのウエハ２が
回収されたカセツト２２Ａを取り外し、未注入の
ウエハ２が収納されているカセツト２２Ａを装着
すると、前述のようなウエハ２のストツカー２６
Ａへの移し替えは自動的に行われ、待機状態に入
る。その間に並行して、ストツカー２６Ｂからの
ウエハ２の供給、イオン注入、カセツト２２Ｂへ
のウエハ２の回収が行われている。
デイスク４に供給するウエハが不足してダミー
ウエハを使用する場合は、ストツカー２６Ａ，２
６Ｂの上段部のダミーウエハ２ｄをデイスク４に
供給し、イオン注入後は当該ダミーウエハ２ｄは
元の（即ち、供給した時と同一の）ストツカー２
６Ａ，２６Ｂに回収する。そのためには、例え
ば、ダミーウエハ２ｄの供給元、供給枚数等を制
御手段に記憶させておく。
この場合、カセツトとストツカーの対から成る
ステージが２ステージ以上ある場合（第１図及び
第２図は、２ステージの例を示す）、デイスク４
に供給するウエハ２が不足した場合の当該ステー
ジがらのダミーウエハ２ｄの供給または他のステ
ージからのウエハ２の供給の仕方は色々考えられ
るが、典型的な例を第３図に示す。デイスク４の
ウエハ装着枚数をＭ（例えば９）とし、各ステー
ジのウエハ収納枚数をＮ（例えば25）とした場合、
第３図ａは、１つのステージからデイスク４に供
給するウエハが不足する度毎に、当該ステージか
ら不足枚数だけダミーウエハを供給する場合を示
す。例えば、イオン注入及びの際は、デイス
ク４にステージＡのストツカー２６Ａから９枚ず
つウエハ２を供給し、イオン注入の際は、スト
ツカー２６Ａから７枚のウエハ２と２枚のダミー
ウエハ２ｄを供給する。次いでステージＢから同
様に、ウエハ２またはダミーウエハ２ｄの供給を
行う。
一方第３図ｂは、１つのステージから供給する
ウエハ２が不足した場合は、不足枚数だけ他のス
テージからウエハ２を供給し、そしてイオン注入
の後の方でまとめてダミーウエハ２ｄを供給する
場合を示す。
上記いずれの方法を使用するかは、注入条件等
による。例えば、各カセツト毎に注入条件を変え
る場合には第３図ａの方法を使用し、同一条件で
多数のウエハに連続的にイオン注入する場合には
第３図ｂの方法を使用すれば良い。
以上に説明したウエハハンドリング方法におい
ては、次のような効果が得られる。
注入後のウエハ２は、供給した時と同一のカ
セツトに回収される。従つて、従来のようにカ
セツト間でウエハを入れ換える工程は不要とな
り、これに伴なう手間を省くことができ、処理
能力の向上を図ることができる。しかも、上述
した例のように、注入後のウエハ２は、供給し
た時と同一のカセツトに回収されるだけでな
く、同一のカセツト内に同一順序で回収される
ようにすることもできる。そのようにすること
の主たる利点は、１つのカセツト内に異なつた
種類のウエハ２を収納していた場合、注入後の
ウエハ２が元と同一順序で回収されると、ウエ
ハの入れ換え等が不要となつて後処理が非常に
楽になるということである。
従来のようにローダー側のカセツトとアンロ
ーダー側のカセツトとが別々ではなく、注入後
のウエハ２は元のカセツト内に回収されるた
め、カセツトの数は従来の半分で良く、そのた
めカセツトの交換頻度、手間も従来の半分にな
り、これによつても処理能力の向上を図ること
ができる。
上述した例のようにストツカー２６Ａ，２６
Ｂ内にダミーウエハ２ｄを予め収納しておけ
ば、デイスク４に供給するウエハ２が不足した
場合は、入手を要することなくダミーウエハ２
ｄを自動的に供給、回収することもできる。
更に上述した例のように、カセツトと、これ
と対を成すストツカーとを２対用いれば（即ち
２ステージとすれば）、一方のステージのカセ
ツトを入れ換え中は他のステージからデイスク
４にウエハ２を供給することができる。従つ
て、ハンドリング途中でのウエハ切れによるイ
オン注入の休止を無くすることができ、これに
よつて処理能力の向上を更に図ることができ
る。勿論、３ステージ以上にしても良い。
尚、エンドステーシヨンには、上述したような
デイスク４を用いないで、ウエハ２を１枚ずつ注
入室へ搬入してイオン注入して搬出するというも
のもあるが、そのようなエンドステーシヨンにも
この発明のウエハハンドリング方法を用いること
ができる。その場合は１ステージとし、しかもス
トツカー内にダミーウエハ２ｄを収納しておく必
要はない。そのような場合でも、上記及びの
効果を得ることができる。
次に、真空中でウエハのハンドリングを行う場
合を説明する。第４図はこの発明に係るウエハハ
ンドリング方法の他の例を説明するための他のエ
ンドステーシヨンの概略平面図であり、第５図は
第４図の線−に沿う概略断面図である。第１
図及び第２図と同等部分には同一符号を付してそ
の説明を省略する。
デイスク４は、注入室（図示省略）に通じてい
て真空に排気される真空容器１２内に収納されて
おり、ウエハハンドリングの際は第５図の実線の
状態で段階的に回転させられ、イオン注入の際は
第５図の破線（符号４′）の状態で回転及び並進
させられる。真空容器１２には、搬送室４２がゲ
ートバルブ等を介さずに直接通じている。搬送室
４２と大気中との間には、真空に排気されるカセ
ツト４０Ａ，４０Ｂが設けられており、その両側
には、それぞれカセツトドア４４Ａ，４４Ｂ及び
ゲートバルブ４６Ａ，４６Ｂが設けられている。
そして、前述したカセツト２２Ａ，２２Ｂは、そ
れぞれ、カセツト室４０Ａ，４０Ｂ内に収納され
ており、ストツカー２６Ａ，２６Ｂは共に搬送室
４２内に収納されている。また、前述した搬送ベ
ルト２４Ａ，２４Ｂは、この例では、それぞれ搬
送ベルト２３Ａと２７Ａ及び搬送ベルト２３Ｂと
２７Ｂに分けられている。
次に上記エンドステーシヨンにおけるウエハハ
ンドリング方法を、第６図を参照しながら説明す
る。ステツプ１において、カセツトドア４４Ａ，
４４Ｂを開いて、未注入のウエハ２が収納されて
いるカセツト２２Ａ，２２Ｂをエンドステーシヨ
ンに装着する。ステツプ２においてカセツトドア
４４Ａ，４４Ｂを閉じ、ステツプ３においてカセ
ツト室４０Ａ，４０Ｂの真空引きを行う。ステツ
プ４においてゲートバルブ４６Ａ，４６Ｂを開
き、ステツプ５においてウエハ２をカセツト２２
Ａ，２２Ｂからストツカー２６Ａ，２６Ｂに全て
移し替える。ステツプ６においてストツカー２６
Ａから９枚のウエハ２をデイスク４に供給して装
着し、ステツプ７において当該ウエハ２に順次イ
オン注入を行う。ステツプ８において、注入済み
のウエハ２をカセツト２２Ａに回収すると共に、
未注入のウエハ２を９枚だけストツカー２６Ａか
らデイスク４に供給し、ステツプ９においてイオ
ン注入する。ステツプ10においては、注入済みの
ウエハ２をカセツト２２Ａに回収すると共に、ス
トツカー２６Ａから未注入ウエハ２を７枚だけデ
イスク４に供給し（この例ではカセツト２２Ａ，
２２Ｂへのウエハ２の収納枚数は共に25枚である
ため、３度目のロード時には未注入のウエハ２は
一方のステージには７枚しか残つていないため）、
不足分の２枚は他方のステージのストツカー２６
Ｂから供給する。ステツプ11においてイオン注入
の後、ステツプ12において、注入済みの７枚のウ
エハ２は元のカセツト２２Ａに回収し、２枚のウ
エハ２は元のカセツト２２Ｂに回収すると共に、
未注入のウエハ２を９枚だけストツカー２６Ｂか
らデイスク４に供給する。ステツプ13において、
イオン注入すると共に、ゲートバルブ４６Ａを閉
じる。ステツプ14において、上述と同様にウエハ
２のロード、アンロードを行うと共に、カセツト
室４０Ａに窒素ガス等を注入してカセツト室４０
Ａを大気圧にする（ベントする）。ステツプ15に
おいて、イオン注入すると共に、カセツトドア４
４Ａを開き、ステツプ16においてカセツト２２Ａ
を交換する。即ち、注入済みのウエハ２が回収さ
れたカセツト２２Ａを取り外して、未注入のウエ
ハ２が収納されているカセツト２２Ａを装着す
る。以降、上記と同様の動作を繰り返す。そし
て、ステツプ27において、ストツカー２６Ａから
残り３枚のウエハ２をデイスク４に供給し、不足
分としてストツカー２６Ａからダミーウエハ２ｄ
を６枚供給する。この時のウエハ２及びダミーウ
エハ２ｄは、ステツプ29において、元のカセツト
２２Ａ及び元のストツカー２６Ａに回収される。
即ち、この例では、第３図ｂのダミーウエハの供
給の仕方を採用している。
以上のようにこのウエハハンドリング方法にお
いては、真空中でハンドリングを行つているた
め、真空中と大気中との間でデイスク４を出し入
れする第１図及び第２図で説明したハンドリング
方法に比べて、更に処理能力が向上する。勿論、
第１図及び第２図で説明した〜の効果も得ら
れることは言うまでもない。更に、ローダーのカ
セツトとアンローダーのカセツトとが別で２つの
カセツト室内にそれぞれ収納されているエンドス
テーシヨンを用いたハンドリング方法は従来から
あるが、この発明のウエハハンドリング方法にお
いては、その従来例に比べてカセツト室の数は半
分で済み、従つてそれの真空引きも半分で良く、
その分だけ処理能力が向上する。
最後に、上記第１図及び第２図の例、並びに第
４図ないし第６図の例では、いずれも、デイスク
４を有するエンドステーシヨンで、２ステージで
あり、しかもダミーウエハ２ｄを用いる場合を説
明したが、この発明はそれに限定されるものでは
なく、カセツトとストツカーとを用いたハンドリ
ング方法（第１の発明）によつて上述した及び
の効果が得られ、更にデイスク４とダミーウエ
ハ２ｄを用いたハンドリング方法（第２の発明）
によつて上述した〜の効果が得られ、更に複
数ステージとしたハンドリング方法（第３の発
明）によつて上述した〜の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上のように、第１の発明においては、カセツ
トとストツカーとを用いていて、処理後のウエハ
は元のカセツトに回収される。従つて従来のよう
にカセツト間でウエハを入れ換える工程は不要と
なり、これに伴う手間を省くことができ、処理能
力の向上を図ることができる。また、従来のよう
にローダー側のカセツトとアンローダー側のカセ
ツトの両方を交換する必要は無く、１つのカセツ
トの交換で良いため、カセツトの交換頻度、手間
も従来の半分になり、これによつても処理能力の
向上を図ることができる。
第２の発明においては、第１の発明に加えて、
デイスクにダミーウエハを自動的に供給できるの
で、第１の発明の効果に加えて、デイスクに供給
するウエハが不足した場合には人手を要すること
なくダミーウエハを速やかに供給することができ
るという効果も得られる。
第３の発明においては、第２の発明に加えて、
カセツトとストツカーの対を複数用いていて、ハ
ンドリング途中でのウエハ切れによるイオン注入
の休止を無くすることができるので、第２の発明
の効果に加えて、処理能力の向上を更に図ること
ができるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明に係るウエハハンドリング
方法の一例を説明するためのエンドステーシヨン
の概略平面図である。第２図は、第１図の線−
に沿う概略断面図である。第３図は、デイスク
にウエハまたはダミーウエハを供給する仕方を説
明するための図である。第４図は、この発明に係
るウエハハンドリング方法の他の例を説明するた
めの他のエンドステーシヨンの概略平面図であ
る。第５図は、第４図の線−に沿う概略断面
図である。第６図は、第４図及び第５図に示した
エンドステーシヨンにおけるウエハハンドリング
動作を説明するための図である。第７図は、従来
のウエハハンドリング方法の一例を説明するため
のエンドステーシヨンの概略平面図である。第８
図は、従来のウエハハンドリング方法の他の例を
説明するための他のエンドステーシヨンの概略平
面図である。 ２……ウエハ、２ｄ……ダミーウエハ、４……
デイスク、１２……真空容器、２２Ａ，２２Ｂ…
…カセツト、２６Ａ，２６Ｂ……ストツカー。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ウエハを処理する際のウエハハンドリング方
    法であつて、複数枚の未処理のウエハが予め収納
    されているカセツトと、当該カセツトへの収納枚
    数以上のウエハを収納可能なストツカーとを用
    い、まずカセツトに収納されていたウエハをスト
    ツカーに全て移し替えてカセツトを空にし、次い
    でストツカーからウエハを処理のために搬出し、
    そして処理後のウエハを元のカセツトに回収する
    ことを特徴とするウエハハンドリング方法。 ２ 処理後のウエハを元のカセツトに回収する際
    に、予め収納されていた順序と同一順序で回収す
    るようにした特許請求の範囲第１項記載のウエハ
    ハンドリング方法。 ３ 複数枚のウエハをデイスクに装着してそれら
    を順次処理する際のウエハハンドリング方法であ
    つて、複数枚の未処理のウエハが予め収納されて
    いるカセツトと、予め複数枚のダミーウエハが収
    納されていて、しかも前記カセツトへの収納枚数
    以上のウエハを更に収納可能なストツカーとを用
    い、まずカセツトに収納されていたウエハをスト
    ツカーに全て移し替えてカセツトを空にし、次い
    でストツカーからウエハを搬出してデイスクに供
    給し、その際デイスクに供給するウエハが不足し
    た場合には不足枚数だけデイスクにダミーウエハ
    を供給し、そして処理後のウエハは元のカセツト
    に回収し、ダミーウエハは元のストツカーに回収
    することを特徴とするウエハハンドリング方法。 ４ 複数枚のウエハをデイスクに装着してそれら
    を順次処理する際のウエハハンドリング方法であ
    つて、複数枚の未処理のウエハがそれぞれに予め
    収納されている複数のカセツトと、当該カセツト
    と対を成していて、予め複数枚のダミーウエハが
    収納されていて、しかも対を成すカセツトへの収
    納枚数以上のウエハを更に収納可能な複数のスト
    ツカーとを用い、まず各カセツトに収納されてい
    たウエハを対を成すストツカーに全て移し替えて
    各カセツトを空にし、次いで１つのストツカーか
    らウエハを搬出してデイスクに供給し、その際デ
    イスクに供給するウエハが不足した場合には、当
    該ストツカーから不足枚数だけデイスクにダミー
    ウエハを供給するか又は他のストツカーから不足
    枚数だけデイスクにウエハを供給するかのいずれ
    かを行い、そして処理後のウエハは元のカセツト
    に回収し、ダミーウエハは元のストツカーに回収
    することを特徴とするウエハハンドリング方法。
JP60010616A 1985-01-22 1985-01-22 ウエハハンドリング方法 Granted JPS61168934A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60010616A JPS61168934A (ja) 1985-01-22 1985-01-22 ウエハハンドリング方法
US06/819,253 US4759681A (en) 1985-01-22 1986-01-16 End station for an ion implantation apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60010616A JPS61168934A (ja) 1985-01-22 1985-01-22 ウエハハンドリング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61168934A JPS61168934A (ja) 1986-07-30
JPH0374506B2 true JPH0374506B2 (ja) 1991-11-27

Family

ID=11755164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60010616A Granted JPS61168934A (ja) 1985-01-22 1985-01-22 ウエハハンドリング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61168934A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0265252A (ja) * 1988-08-31 1990-03-05 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置
JPH0727955B2 (ja) * 1990-08-03 1995-03-29 国際電気株式会社 ウェーハ移載方法及びその制御装置及び半導体製造装置
JP2584927Y2 (ja) * 1992-06-25 1998-11-11 日新電機株式会社 イオン注入装置
JP2014225707A (ja) * 2014-09-01 2014-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7345437B2 (ja) * 2020-06-30 2023-09-15 三菱電機株式会社 イオン注入装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61168934A (ja) 1986-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4759681A (en) End station for an ion implantation apparatus
US6079927A (en) Automated wafer buffer for use with wafer processing equipment
US6330755B1 (en) Vacuum processing and operating method
US6540466B2 (en) Compact apparatus and method for storing and loading semiconductor wafer carriers
JP2002527901A (ja) ウエーハ用並べ換え／貯蔵装置とその取扱法
EP0848413B1 (en) Compact apparatus and method for storing and loading semiconductor wafer carriers
EP0035844A2 (en) Material handling system and method for manufacturing line
JP2001298069A (ja) カセットの保管および移動装置
JPH10256346A (ja) カセット搬出入機構及び半導体製造装置
US20070092359A1 (en) Access to one or more levels of material storage shelves by an overhead hoist transport vehicle from a single track position
US4498832A (en) Workpiece accumulating and transporting apparatus
JPH11130255A (ja) 基板搬送移載装置
JPH0374506B2 (ja)
JPS6339102B2 (ja)
JPH1079412A (ja) 半導体製造装置
JPS62131455A (ja) イオン処理装置用エンドステ−シヨン
JP4229497B2 (ja) 基板処理装置および基板の処理方法
JPH04298059A (ja) 真空処理装置
JP2639093B2 (ja) イオン処理装置
JP3082148B2 (ja) 複合型ウェハ処理装置
JPH0237742A (ja) 半導体装置の製造装置
USRE39775E1 (en) Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
JPS6327035A (ja) ウエハ昇降装置
JPH0648858Y2 (ja) ウエハ収納容器
JPS594039A (ja) ウエ−ハ搬送装置