JPH0367409A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0367409A JPH0367409A JP2157050A JP15705090A JPH0367409A JP H0367409 A JPH0367409 A JP H0367409A JP 2157050 A JP2157050 A JP 2157050A JP 15705090 A JP15705090 A JP 15705090A JP H0367409 A JPH0367409 A JP H0367409A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多結晶シリコン又はアモルファスシリコン及
び導電性透明電極を構成部材とする半導体装置に関し、
詳しくは上記両部材間のオーミックコンタクトを取る方
法に関するものである。
び導電性透明電極を構成部材とする半導体装置に関し、
詳しくは上記両部材間のオーミックコンタクトを取る方
法に関するものである。
液晶を用いた大容量表示装置としては各画素のスイッチ
ングデバイスとしてトランジスターを用いたアクティブ
マトリッス方式が理想的であり理論的に表示容量は無限
である。この方式は従来シリコン基板あるいはＳＯ３基
板にトランジスターアレイ−を構成し、この基板とガラ
ス板との間に液晶を封入して液晶パネルを構成した。し
かし、シリコン基板あるいはＳＯ３基板にトランジスタ
ーアレイを構成する方式は、従来の半導体製造技術によ
り容易に製造可能であるが、シリコンウェハーあるいは
ＳＯ３基板の価格が高くさらに半導体製造コストが高い
ために、アクティブマトリックス方式の液晶パネルは非
常に高価となってしまうという欠点を有する。アクティ
ブマトリックス方式による液晶パネルを、より低価格で
製造する方法として、ガラス板の上に多結晶シリコン又
はアモルファスシリコン等により薄膜トランジスター（
Ｔ、Ｆ、Ｔ、）のアレイ−を構威し、アクティブマトリ
ックスとする方法が提案されている。従来のアクティブ
マトリックス方式による液晶表示装置に用い６れる画素
の構成を第１図に一例として示す。
ングデバイスとしてトランジスターを用いたアクティブ
マトリッス方式が理想的であり理論的に表示容量は無限
である。この方式は従来シリコン基板あるいはＳＯ３基
板にトランジスターアレイ−を構成し、この基板とガラ
ス板との間に液晶を封入して液晶パネルを構成した。し
かし、シリコン基板あるいはＳＯ３基板にトランジスタ
ーアレイを構成する方式は、従来の半導体製造技術によ
り容易に製造可能であるが、シリコンウェハーあるいは
ＳＯ３基板の価格が高くさらに半導体製造コストが高い
ために、アクティブマトリックス方式の液晶パネルは非
常に高価となってしまうという欠点を有する。アクティ
ブマトリックス方式による液晶パネルを、より低価格で
製造する方法として、ガラス板の上に多結晶シリコン又
はアモルファスシリコン等により薄膜トランジスター（
Ｔ、Ｆ、Ｔ、）のアレイ−を構威し、アクティブマトリ
ックスとする方法が提案されている。従来のアクティブ
マトリックス方式による液晶表示装置に用い６れる画素
の構成を第１図に一例として示す。
第１図において、スイッチングトランジスターｌのゲー
ト電極はゲートライン７に、ソース電極はソースライン
８にそれぞれ接続され、ドレイン電極は液晶３の駆動電
極及び、コンデンサー２の一方の電極に接続されている
。
ト電極はゲートライン７に、ソース電極はソースライン
８にそれぞれ接続され、ドレイン電極は液晶３の駆動電
極及び、コンデンサー２の一方の電極に接続されている
。
第２図はＴ、Ｆ、Ｔ、を用いたガラス板上にアクティブ
マトリックスを構成した場合の一画素の構成の平面図の
一例を示したものである。６はＴ、Ｆ、Ｔ、のドレイン
、チャンネル、ソースを形成する多結晶シリコンであり
、ゲート電極はゲートライン４に接続され、又ソース電
極はソースライン５に接続されている。一方、液晶駆動
電極１１は図かられかるようにＴ、Ｆ、Ｔ、のドレイン
を構成する多結晶シリコンを延在して設ければ、液晶駆
動電極１１を製造工程をそのために設ける必要がなくな
る。しかるに光透過型の液晶表示装置の場合、液晶表示
電極１１は、導電性を有する透明電極でなければならな
い。Ｔ、Ｆ、７．６の材料として用いられる多結晶シリ
コンは、その厚みを１０００オングストローム程度に薄
くしても光を余り通さず、さらに又、干渉色による着色
が発生し駆動電極として用いると液晶表示体の表示品質
は著しく低下する。
マトリックスを構成した場合の一画素の構成の平面図の
一例を示したものである。６はＴ、Ｆ、Ｔ、のドレイン
、チャンネル、ソースを形成する多結晶シリコンであり
、ゲート電極はゲートライン４に接続され、又ソース電
極はソースライン５に接続されている。一方、液晶駆動
電極１１は図かられかるようにＴ、Ｆ、Ｔ、のドレイン
を構成する多結晶シリコンを延在して設ければ、液晶駆
動電極１１を製造工程をそのために設ける必要がなくな
る。しかるに光透過型の液晶表示装置の場合、液晶表示
電極１１は、導電性を有する透明電極でなければならな
い。Ｔ、Ｆ、７．６の材料として用いられる多結晶シリ
コンは、その厚みを１０００オングストローム程度に薄
くしても光を余り通さず、さらに又、干渉色による着色
が発生し駆動電極として用いると液晶表示体の表示品質
は著しく低下する。
このようなことから、液晶駆動電極として導電性透明物
質を用いなければならない。導電性の透明物質としては
酸化スズ又は酸化インジウムを用いるのが液晶を用いた
表示装置の一般的な方法であって、安定性、導電性、光
の透過性が非常に良く、透明電極として理想的である。
質を用いなければならない。導電性の透明物質としては
酸化スズ又は酸化インジウムを用いるのが液晶を用いた
表示装置の一般的な方法であって、安定性、導電性、光
の透過性が非常に良く、透明電極として理想的である。
ところが、第２図に示される様に透明電極１１と多結晶
シリコン６とは電気的コンタクトを取らなければならな
いが、ドレイン電極上の絶縁層にコンタクトホール９を
開孔し多結晶シリコン６と透明電極１１を直接接続させ
ても電気的接触が全くとれないか又は、接触があっても
、完全にオーミックとはならない。
シリコン６とは電気的コンタクトを取らなければならな
いが、ドレイン電極上の絶縁層にコンタクトホール９を
開孔し多結晶シリコン６と透明電極１１を直接接続させ
ても電気的接触が全くとれないか又は、接触があっても
、完全にオーミックとはならない。
本発明は以上の点に鑑みてなされたものであって、多結
晶シリコンと、導電性透明電極との間にアルミニュウム
等の金属を挟む事により両者の間に完全なオー果ツクコ
ンタクトを可能とするものである。
晶シリコンと、導電性透明電極との間にアルミニュウム
等の金属を挟む事により両者の間に完全なオー果ツクコ
ンタクトを可能とするものである。
以下本発明を図面によって詳細に説明する。
第３図はＴ、Ｆ、？、を用いたアクティブマトリックス
液晶表示装置の本発明による製造工程を説明するもので
あって、特にＴ、Ｆ、Ｔ、のドレインと、液晶駆動用透
明電極とのコンタクＨＭ域について、その製造工程の一
例をその工程順に示した断面図である。第３図（ａ）で
はガラス板１２の表面上に多結晶シリコン薄膜１３を形
成し、Ｔ、Ｆ、Ｔ、のドレイン、チャンネル、ソース領
域とすべき部分以外をエツチング除去した時の断面を示
したものである。Ｔ。
液晶表示装置の本発明による製造工程を説明するもので
あって、特にＴ、Ｆ、Ｔ、のドレインと、液晶駆動用透
明電極とのコンタクＨＭ域について、その製造工程の一
例をその工程順に示した断面図である。第３図（ａ）で
はガラス板１２の表面上に多結晶シリコン薄膜１３を形
成し、Ｔ、Ｆ、Ｔ、のドレイン、チャンネル、ソース領
域とすべき部分以外をエツチング除去した時の断面を示
したものである。Ｔ。
Ｆ、Ｔ、のドレイン及びソース領域には高濃度の不純物
が拡散される。
が拡散される。
次に第３図（ハ）に示される様に多結晶シリコン薄膜１
３の表面に延在してシリコン酸化膜１４を形成する。こ
のシリコン酸化膜は多結晶シリコン１３の表面を熱酸化
して得たものでも、又気相反応成長法によって得たもの
でも良い。さらにはシリコン酸化膜でなく他の絶縁膜、
例えばシリコン窒化膜、アルξす膜等でも良い。次にド
レイン領域上のシリコン酸化膜１４にコンタクトホール
を開孔し、ドレイン電極取り出し窓を作る。次に第３図
（Ｃ）における様に少なくとも第３図（ｂ）で開孔した
コンタクトホール部全部に延在させてアルミニュウム薄
膜１５を形成する。このためには、ガラス板表面全部に
アルミニュウム薄膜を形成した後、フォトリソグラフィ
ー技術を用い所望の領域にアルミニュウムを残し、他は
エツチング除去することにより第３図（Ｃ）の構成が可
能となる。
３の表面に延在してシリコン酸化膜１４を形成する。こ
のシリコン酸化膜は多結晶シリコン１３の表面を熱酸化
して得たものでも、又気相反応成長法によって得たもの
でも良い。さらにはシリコン酸化膜でなく他の絶縁膜、
例えばシリコン窒化膜、アルξす膜等でも良い。次にド
レイン領域上のシリコン酸化膜１４にコンタクトホール
を開孔し、ドレイン電極取り出し窓を作る。次に第３図
（Ｃ）における様に少なくとも第３図（ｂ）で開孔した
コンタクトホール部全部に延在させてアルミニュウム薄
膜１５を形成する。このためには、ガラス板表面全部に
アルミニュウム薄膜を形成した後、フォトリソグラフィ
ー技術を用い所望の領域にアルミニュウムを残し、他は
エツチング除去することにより第３図（Ｃ）の構成が可
能となる。
次に液晶駆動用電極として酸化スズ、酸化インジウム等
の導電性透明材料を全面に形成し、フォトリソグラフィ
ー技術により所望のパターンの液晶駆動用電極を得る。
の導電性透明材料を全面に形成し、フォトリソグラフィ
ー技術により所望のパターンの液晶駆動用電極を得る。
この時の基板の断面構造は第５図（ｄ）に示される様で
あって、ドレイン領域の多結晶シリコン１３は、アルミ
ニュウム１５を介して透明電極１６と接触している。こ
の様な構成により、これを３００〜４００℃に加熱する
事によって多結晶シリコン１３と透明電極１６とはアル
ミニュウムを介して低い接触抵抗で且つ完全なオーミッ
ク導通状態となる。アルミニュウム薄膜は１０００オン
グストロ一ム程度に薄＜シても不透明であるが、本発明
で用いるアルミニュウムは多結晶シリコンの上部のみに
形成するので、アルミニュウムが不透明であることの欠
点は全く生じない。
あって、ドレイン領域の多結晶シリコン１３は、アルミ
ニュウム１５を介して透明電極１６と接触している。こ
の様な構成により、これを３００〜４００℃に加熱する
事によって多結晶シリコン１３と透明電極１６とはアル
ミニュウムを介して低い接触抵抗で且つ完全なオーミッ
ク導通状態となる。アルミニュウム薄膜は１０００オン
グストロ一ム程度に薄＜シても不透明であるが、本発明
で用いるアルミニュウムは多結晶シリコンの上部のみに
形成するので、アルミニュウムが不透明であることの欠
点は全く生じない。
最後にガラス板表面全体に液晶の配向処理を行って、液
晶表示装置の一方のパネル板が完成する。
晶表示装置の一方のパネル板が完成する。
この様に本発明によれば、多結晶シリコンと酸化スズ、
酸化インジウムとうの透明電極とを接続するコンタクト
ホールのみに実質的にアルミニュウムを延在させること
により簡単に両者のオーミックコンタクトを低抵抗で可
能とするものであって、しかもアルミニュウムの介在に
よる表示装置の特性への影響は全く無い。
酸化インジウムとうの透明電極とを接続するコンタクト
ホールのみに実質的にアルミニュウムを延在させること
により簡単に両者のオーミックコンタクトを低抵抗で可
能とするものであって、しかもアルミニュウムの介在に
よる表示装置の特性への影響は全く無い。
尚、本発明でのＴ、Ｆ、Ｔ、の材料としては多結晶シリ
コンのみでなく、アモルファスシリコン、セレン化カド
ξウムであっても良く、ドレインと透明電極との間にか
いする金属はアルミニュウムに限る事はなく他の金属で
も本発明の効果は変わらない。
コンのみでなく、アモルファスシリコン、セレン化カド
ξウムであっても良く、ドレインと透明電極との間にか
いする金属はアルミニュウムに限る事はなく他の金属で
も本発明の効果は変わらない。
第１図はアクティブマトリックス液晶表示装置の１つの
画素の構成例を示した図である。 第２図は従来におけ
るＴ、Ｆ、Ｔ、を用いたアクティブマトリックス液晶表
示装置の１つの画素のパネル上での構成の一例を示した
平面図である。第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明によりア
クティブマトリックスを製造する方法の一例を工程順に
示した断面図である。 １．６・・・・・・Ｔ、Ｆ、Ｔ。 ２ ・・・・・・コンデンサー ３ ・・・・・・液晶 ４．７・・・・・・ゲートライン ５．８・・・・・・ソースライン ９．１０・・・・・・コンタクトホール１１ ・・
・・・・液晶駆動用透明電極１２ ・・・・・・ガ
ラス板 １３ ・・・・・・多結晶シリコン１４ ・・
・・・・酸化シリコン １５ ・・・・・・アルミニュウム１６ ・・
・・・・導電性透明電極第１図 第２図
画素の構成例を示した図である。 第２図は従来におけ
るＴ、Ｆ、Ｔ、を用いたアクティブマトリックス液晶表
示装置の１つの画素のパネル上での構成の一例を示した
平面図である。第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明によりア
クティブマトリックスを製造する方法の一例を工程順に
示した断面図である。 １．６・・・・・・Ｔ、Ｆ、Ｔ。 ２ ・・・・・・コンデンサー ３ ・・・・・・液晶 ４．７・・・・・・ゲートライン ５．８・・・・・・ソースライン ９．１０・・・・・・コンタクトホール１１ ・・
・・・・液晶駆動用透明電極１２ ・・・・・・ガ
ラス板 １３ ・・・・・・多結晶シリコン１４ ・・
・・・・酸化シリコン １５ ・・・・・・アルミニュウム１６ ・・
・・・・導電性透明電極第１図 第２図
Claims (1)
- 少なくとも多結晶シリコン又はアモルファスシリコン及
び導電性透明電極を構成部材とする半導体装置において
、該多結晶シリコン又はアモルファスシリコンと該導電
性透明電極とをオーミックコンタクトを取る位置の該多
結晶シリコン又はアモルファスシリコンと該導電性透明
電極の間にアルミニユウムを挟んでなす事を特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157050A JPH0367409A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157050A JPH0367409A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10429381A Division JPS585905A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6723094A Division JP2514166B2 (ja) | 1994-04-05 | 1994-04-05 | アクティブマトリックス液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0367409A true JPH0367409A (ja) | 1991-03-22 |
| JPH0542832B2 JPH0542832B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=15641102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2157050A Granted JPH0367409A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0367409A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7286870B2 (en) | 1994-10-06 | 2007-10-23 | Hitachi, Ltd. | Optical system for measuring metabolism in a body and imaging method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437697A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2157050A patent/JPH0367409A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437697A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7286870B2 (en) | 1994-10-06 | 2007-10-23 | Hitachi, Ltd. | Optical system for measuring metabolism in a body and imaging method |
| US7440794B2 (en) | 1994-10-06 | 2008-10-21 | Hitachi, Ltd. | Optical system for measuring metabolism in a body and imaging method |
| US7715904B2 (en) | 1994-10-06 | 2010-05-11 | Hitachi, Ltd. | Optical system for measuring metabolism in a body and imaging method |
| US8050744B2 (en) | 1994-10-06 | 2011-11-01 | Hitachi, Ltd. | Optical system for measuring metabolism in a body and imaging method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0542832B2 (ja) | 1993-06-29 |
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