JPH0362789B2 - - Google Patents
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- JPH0362789B2 JPH0362789B2 JP30614387A JP30614387A JPH0362789B2 JP H0362789 B2 JPH0362789 B2 JP H0362789B2 JP 30614387 A JP30614387 A JP 30614387A JP 30614387 A JP30614387 A JP 30614387A JP H0362789 B2 JPH0362789 B2 JP H0362789B2
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- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板に薄膜を形成するのに用いられる
マグネトロン・スパツタ装置に関する。
マグネトロン・スパツタ装置に関する。
マグネトロン・スパツタ装置は、基板にターゲ
ツトの材料を効率よく、その薄膜を形成させるの
に用いられるものであるが、第7図はこの一従来
例を示し、磁性材で成るヨーク1上に磁極2a,
2b及び中心磁極3が形成されている。本例で
は、これらは永久磁石から成るもので、断面は山
形を呈しているが、実際には中心磁極3を同心的
に外側磁極2a,2bが形成されている。すなわ
ち2aと2bは一体的となつている。中心磁極3
は上方がN極、下方がS極であり、この外方の2
a,2bは上方がS極、下方がN極となつてい
る。従つて、中心の磁極3から矢印Hで示すよう
に、磁力線Hが外側磁極2a,2bに流入するよ
うになつている。なお本例では、永久磁石で磁界
発生装置を構成する場合を説明したが、これは電
磁石で構成しててもよい。この場合には中心磁極
N−Sの周囲にコイルが巻装されることになる。
磁極2a,2b,3に近接して、ターゲツト支持
板4が配設され、これにターゲツト5が支持され
ている。磁力線Hは磁極2aと3、又は3と2a
との間で、その方向がターゲツト5の面に対し
ほゞ平行になるために、この部分において、プラ
ズマが集中するようになつている。従つて、この
ターゲツトからイオンが飛び出すのは、ハツチン
グで示した部分5a,5bが圭とした部分であ
り、従つてこゝが支配的に侵食される(エロージ
ヨン)。そして、そと他の部分においては、ハツ
チングで示されてないように、ほとんど侵食され
ることはなく、このターゲツトを有効に利用して
いるとは言えない。すなわちその利用効率は非常
に低いものである。
ツトの材料を効率よく、その薄膜を形成させるの
に用いられるものであるが、第7図はこの一従来
例を示し、磁性材で成るヨーク1上に磁極2a,
2b及び中心磁極3が形成されている。本例で
は、これらは永久磁石から成るもので、断面は山
形を呈しているが、実際には中心磁極3を同心的
に外側磁極2a,2bが形成されている。すなわ
ち2aと2bは一体的となつている。中心磁極3
は上方がN極、下方がS極であり、この外方の2
a,2bは上方がS極、下方がN極となつてい
る。従つて、中心の磁極3から矢印Hで示すよう
に、磁力線Hが外側磁極2a,2bに流入するよ
うになつている。なお本例では、永久磁石で磁界
発生装置を構成する場合を説明したが、これは電
磁石で構成しててもよい。この場合には中心磁極
N−Sの周囲にコイルが巻装されることになる。
磁極2a,2b,3に近接して、ターゲツト支持
板4が配設され、これにターゲツト5が支持され
ている。磁力線Hは磁極2aと3、又は3と2a
との間で、その方向がターゲツト5の面に対し
ほゞ平行になるために、この部分において、プラ
ズマが集中するようになつている。従つて、この
ターゲツトからイオンが飛び出すのは、ハツチン
グで示した部分5a,5bが圭とした部分であ
り、従つてこゝが支配的に侵食される(エロージ
ヨン)。そして、そと他の部分においては、ハツ
チングで示されてないように、ほとんど侵食され
ることはなく、このターゲツトを有効に利用して
いるとは言えない。すなわちその利用効率は非常
に低いものである。
本発明は以上の問題に鑑みてなされ、ターゲツ
トの使用効率の大きいマグネトロン・スパツタ装
置を提供することを目的とする。
トの使用効率の大きいマグネトロン・スパツタ装
置を提供することを目的とする。
複数の空〓又は磁気抵抗の特に大きい部分に対
抗する位置で平行磁界の強度が最大となる。この
ような空〓又は磁気抵抗の特に大きい部分が複
数、設けられることにより平行磁界の強い部分が
広がり、よつてターゲツトのエロージヨンは従来
より一段と均一化される。すなわち、ターゲツト
の利用効率を向上させることができる。
抗する位置で平行磁界の強度が最大となる。この
ような空〓又は磁気抵抗の特に大きい部分が複
数、設けられることにより平行磁界の強い部分が
広がり、よつてターゲツトのエロージヨンは従来
より一段と均一化される。すなわち、ターゲツト
の利用効率を向上させることができる。
以下、本発明の実施例によるマグネトロン・ス
パツタ装置について、第1図乃至第6図を参照し
て説明する。
パツタ装置について、第1図乃至第6図を参照し
て説明する。
第1図乃至第3図は本発明の第1実施例を示す
ものであるが、第7図の従来例に対応する部分に
ついては同一の符号を付し、その詳細にな説明は
省略する。
ものであるが、第7図の従来例に対応する部分に
ついては同一の符号を付し、その詳細にな説明は
省略する。
すなわち本実施例の磁界発生装置は永久磁石で
構成され、その形状は同心円状である。そして、
この永久磁石の磁極2a,2b,3にわずかな空
〓をおいて、ターゲツト支持板10(いわゆるバ
ツキングプレート)が配設される。これは従来例
と同様に、磁性材ではない他の金属であり例え
ば、銅で成るものである。そしてこの上にターゲ
ツト5が支持される。そして本発明によれば、タ
ーゲツト支持板10に第2図に示すような形状の
磁性板11が埋設されている。すなわち、本実施
例の磁性板11は、同心状態に形成され、中心部
11a、これと同心的な中間部11b及びこれと
同心的な外周部11cから成つており、これらの
間に間〓12a,12bを形成させている。本発
明の第1実施例は以上のように構成されるのであ
るが、次にこの作用について説明する。永久磁石
の磁極3からは、第1図の矢印で示すように、磁
力線H′が流出し、大部分は中間磁性板部11b
へと流入し、これから外方の磁極部2a,2bへ
と外周部11cを介して流入する。そして部分的
に磁極3から外方の磁極2a,2bへ流れる。す
なわち、従来は殆んど全ての磁力線が中央の電極
3から、直接、外方の磁極2a,2bへ流れてい
つたのであるが、本実施例によれば、図で示すよ
うな磁力線のいわゆる短絡路が形成される。従つ
てこのような磁力線について、その垂直成分と平
行成分についてグラフで示せば、第3図のように
なる。この図から明らかなように垂直成分は、タ
ーゲツト5の両端部において最大値を示し、これ
から内方に向うにつれて急激に減少し、空〓12
a,12bに対応する部分でほとんどゼロとな
り、そしてターゲツト5の中心部では極大値を示
している。また、磁力線の平行成分については、
ターゲツト5の中心とターゲツト5端部の間で、
ほゞ一様なレベルを示している。これを第4図に
示す従来の各成分と比較してみると、従来では平
行成分はターゲツトの中心部とターゲツトの端部
とのほゞ中間部において局在していたが、これが
本実施例によれば、第3図に示すごとく、ほゞ一
様に分布されている。また従来例では垂直成分や
はりターゲツトの中心、乃びターゲツト端部にお
いて極大値を示しているが、ターゲツト中心とタ
ーゲツト端部の中心部分でほゞゼロとなつてい
る。
構成され、その形状は同心円状である。そして、
この永久磁石の磁極2a,2b,3にわずかな空
〓をおいて、ターゲツト支持板10(いわゆるバ
ツキングプレート)が配設される。これは従来例
と同様に、磁性材ではない他の金属であり例え
ば、銅で成るものである。そしてこの上にターゲ
ツト5が支持される。そして本発明によれば、タ
ーゲツト支持板10に第2図に示すような形状の
磁性板11が埋設されている。すなわち、本実施
例の磁性板11は、同心状態に形成され、中心部
11a、これと同心的な中間部11b及びこれと
同心的な外周部11cから成つており、これらの
間に間〓12a,12bを形成させている。本発
明の第1実施例は以上のように構成されるのであ
るが、次にこの作用について説明する。永久磁石
の磁極3からは、第1図の矢印で示すように、磁
力線H′が流出し、大部分は中間磁性板部11b
へと流入し、これから外方の磁極部2a,2bへ
と外周部11cを介して流入する。そして部分的
に磁極3から外方の磁極2a,2bへ流れる。す
なわち、従来は殆んど全ての磁力線が中央の電極
3から、直接、外方の磁極2a,2bへ流れてい
つたのであるが、本実施例によれば、図で示すよ
うな磁力線のいわゆる短絡路が形成される。従つ
てこのような磁力線について、その垂直成分と平
行成分についてグラフで示せば、第3図のように
なる。この図から明らかなように垂直成分は、タ
ーゲツト5の両端部において最大値を示し、これ
から内方に向うにつれて急激に減少し、空〓12
a,12bに対応する部分でほとんどゼロとな
り、そしてターゲツト5の中心部では極大値を示
している。また、磁力線の平行成分については、
ターゲツト5の中心とターゲツト5端部の間で、
ほゞ一様なレベルを示している。これを第4図に
示す従来の各成分と比較してみると、従来では平
行成分はターゲツトの中心部とターゲツトの端部
とのほゞ中間部において局在していたが、これが
本実施例によれば、第3図に示すごとく、ほゞ一
様に分布されている。また従来例では垂直成分や
はりターゲツトの中心、乃びターゲツト端部にお
いて極大値を示しているが、ターゲツト中心とタ
ーゲツト端部の中心部分でほゞゼロとなつてい
る。
本実施例によれば以上のような磁界分布を示す
ので、第1図に示すようなエロージヨン13a,
13bが形成され、ターゲツト5は一様に侵食さ
れることになることにより、その用効率は従来と
比べるとはるかに高いものである。
ので、第1図に示すようなエロージヨン13a,
13bが形成され、ターゲツト5は一様に侵食さ
れることになることにより、その用効率は従来と
比べるとはるかに高いものである。
以上の実施例で、例えば磁性板11の厚みを3
m/mとし、これをパーマロイで形成し、間〓1
2a,12b幅を10m/mとし、またターゲツト
5の径を6インチφ、その厚みを6mmでクロム
(Cr)で成るものとすれば、ターゲツト5の使用
高率は55%であつたが、同じ材料、かつ同じサイ
ズで従来例ではその使用効率は25%であつた。
m/mとし、これをパーマロイで形成し、間〓1
2a,12b幅を10m/mとし、またターゲツト
5の径を6インチφ、その厚みを6mmでクロム
(Cr)で成るものとすれば、ターゲツト5の使用
高率は55%であつたが、同じ材料、かつ同じサイ
ズで従来例ではその使用効率は25%であつた。
第5図は本発明の第2実施例によるマグネトロ
ン・スパツタ装置における、要部である磁性板2
0の平面形状を示すものである。すなわち本実施
例では、上述の実施例の永久磁石が同心円状であ
つたのに対し、ターゲツトが長方形状であり、こ
れに対応して永久磁石も長方形状となつており、
その中心部に第5図に示すように磁性板20の中
心部23に対向する位置に中心磁極があり、これ
と長方形状であるが同心的に外周の磁極が磁性板
20の外周部21に対向して構成されている。そ
してこの磁性板20は、すでに述べたように中心
部23、中間部22、及び外周部21から成つて
おり、これらの間には空〓24,25が形成され
ている。このような実施例でも第1実施例と同様
な効果を得ることは明らかである。
ン・スパツタ装置における、要部である磁性板2
0の平面形状を示すものである。すなわち本実施
例では、上述の実施例の永久磁石が同心円状であ
つたのに対し、ターゲツトが長方形状であり、こ
れに対応して永久磁石も長方形状となつており、
その中心部に第5図に示すように磁性板20の中
心部23に対向する位置に中心磁極があり、これ
と長方形状であるが同心的に外周の磁極が磁性板
20の外周部21に対向して構成されている。そ
してこの磁性板20は、すでに述べたように中心
部23、中間部22、及び外周部21から成つて
おり、これらの間には空〓24,25が形成され
ている。このような実施例でも第1実施例と同様
な効果を得ることは明らかである。
第6図は本発明の第3実施例を示すものである
が、第1実施例に対応する部分については同一の
符号を付し、その詳細な説明は省略する。
が、第1実施例に対応する部分については同一の
符号を付し、その詳細な説明は省略する。
本実施例によれば、ターゲツト支持板30には
第1実施例と同様に磁性板31が埋設されてお
り、またこれは第1実施例と同様に同心的な形状
を有するものであるが、その中心部32と外周部
33との厚みは、中間部34の厚みより大きくし
てその磁気抵抗をより小なるものとしている。こ
のようにすれば、磁極3から2a,2bに向う磁
気抵抗がより小さくなつて磁束をより強くするこ
とができ、かつ上記実施例で述べた効果を奏する
ものである。
第1実施例と同様に磁性板31が埋設されてお
り、またこれは第1実施例と同様に同心的な形状
を有するものであるが、その中心部32と外周部
33との厚みは、中間部34の厚みより大きくし
てその磁気抵抗をより小なるものとしている。こ
のようにすれば、磁極3から2a,2bに向う磁
気抵抗がより小さくなつて磁束をより強くするこ
とができ、かつ上記実施例で述べた効果を奏する
ものである。
以上本発明の各実施例について説明したが、も
ちろん本発明はこれらに限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能で
ある。
ちろん本発明はこれらに限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能で
ある。
例えば、以上の実施例では磁性板11,20,
30には2つの空〓が形成されたがさらにこれを
増加するようにしてもよい。すなわち、以上の実
施例では磁性板は、分割構造としたが、この分割
数をさらに増大させるようにしてもよい。
30には2つの空〓が形成されたがさらにこれを
増加するようにしてもよい。すなわち、以上の実
施例では磁性板は、分割構造としたが、この分割
数をさらに増大させるようにしてもよい。
また、以上の実施例では、磁性板に複数の空〓
を形成させるようにしたが、これに代えてこの部
分をごく薄くするようにしてもよい。すなわち、
この部分を特に大きい磁気抵抗を有するようにし
ても空〓の場合より効果は小さくなるが、従来よ
りは利用効率を高めることができる。あるいはこ
れに代えて、空〓部分の非磁性材で成る材料で充
てんさせたものであつてもよい。すなわち、例え
ば同心状に成る分割磁性材の各空〓部分に非磁性
材で成る、同じく同心的な材料で充充填させるよ
うにして完全に一体物とし、これをターゲツト支
持板を表面に貼着させるようにしてもよい。ある
いはこのような磁性材、あるいは実施例で示すよ
うな形状の磁性板を磁界発生装置とターゲツト支
持板の間に介設させるようにしてもよい。
を形成させるようにしたが、これに代えてこの部
分をごく薄くするようにしてもよい。すなわち、
この部分を特に大きい磁気抵抗を有するようにし
ても空〓の場合より効果は小さくなるが、従来よ
りは利用効率を高めることができる。あるいはこ
れに代えて、空〓部分の非磁性材で成る材料で充
てんさせたものであつてもよい。すなわち、例え
ば同心状に成る分割磁性材の各空〓部分に非磁性
材で成る、同じく同心的な材料で充充填させるよ
うにして完全に一体物とし、これをターゲツト支
持板を表面に貼着させるようにしてもよい。ある
いはこのような磁性材、あるいは実施例で示すよ
うな形状の磁性板を磁界発生装置とターゲツト支
持板の間に介設させるようにしてもよい。
また、以上の実施例では磁性板の材料としてパ
ーマロイが用いられたが、他の磁性材であつても
よいが透磁率の高い材質で好ましい。
ーマロイが用いられたが、他の磁性材であつても
よいが透磁率の高い材質で好ましい。
また、以上の実施例では磁界発生装置としては
永久磁石を用いたが、冒頭で述べたように電磁石
であつてもよい。またその磁石の形状も同心円的
なものではなく、断面形状が同じくE型であつて
も中心磁極の両側に対向する磁極が相独立した磁
極であつても同様な効果が得られることはもちろ
んである。
永久磁石を用いたが、冒頭で述べたように電磁石
であつてもよい。またその磁石の形状も同心円的
なものではなく、断面形状が同じくE型であつて
も中心磁極の両側に対向する磁極が相独立した磁
極であつても同様な効果が得られることはもちろ
んである。
以上述べたように本発明のマグネトロン・スパ
ツタ装置によれば、従来に比べターゲツトの利用
効率を一段と向上させることができ、よつて生産
コストを低下させることができる。また、ターゲ
ツトの交換のインターバルを従来より長くするこ
とができる。
ツタ装置によれば、従来に比べターゲツトの利用
効率を一段と向上させることができ、よつて生産
コストを低下させることができる。また、ターゲ
ツトの交換のインターバルを従来より長くするこ
とができる。
第1図は本発明の第1実施例によるマグトロ
ン・スパツタ装置の部分断面側面図、第2図は第
1図における磁性板の平面図、第3図は同実施例
の作用を説明するためのグラフ、第4図は同実施
例の作用と比較するための従来例の作用を示すグ
ラフ、第5図は本発明の第2実施例のマグネトロ
ン・スパツタ装置に用いられる磁性板の平面図、
第6図は本発明の第3実施例によるマグネトロ
ン・スパツタ装置の部分断面側面図、及び第7図
は従来例のマグネトロン・スパツタ装置の部分断
面側面図である。 なお図において、11,20,31……磁性
材。
ン・スパツタ装置の部分断面側面図、第2図は第
1図における磁性板の平面図、第3図は同実施例
の作用を説明するためのグラフ、第4図は同実施
例の作用と比較するための従来例の作用を示すグ
ラフ、第5図は本発明の第2実施例のマグネトロ
ン・スパツタ装置に用いられる磁性板の平面図、
第6図は本発明の第3実施例によるマグネトロ
ン・スパツタ装置の部分断面側面図、及び第7図
は従来例のマグネトロン・スパツタ装置の部分断
面側面図である。 なお図において、11,20,31……磁性
材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 磁界発生装置とこれに近接してターゲツトと
を備えたマグネトロン・スパツタ装置において、
前記磁界発生装置と前記ターゲツトとの間に板状
の磁性部材を介設し、その前記磁界発生装置の磁
極間に対向する部位に複数の空〓又は磁気抵抗の
特に大きい部分を形成させるようにしたことを特
徴とするマグネトロン・スパツタ装置。 2 前記ターゲツトの支持板に前記磁性部材を取
付けた前記第1項に記載のマグネトロン・スパツ
タ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30614387A JPH01147063A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | マグネトロン・スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30614387A JPH01147063A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | マグネトロン・スパッタ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01147063A JPH01147063A (ja) | 1989-06-08 |
JPH0362789B2 true JPH0362789B2 (ja) | 1991-09-27 |
Family
ID=17953572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30614387A Granted JPH01147063A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | マグネトロン・スパッタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01147063A (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19622607B4 (de) * | 1996-06-05 | 2007-12-27 | Oerlikon Deutschland Holding Gmbh | Sputterkathode |
DE19622606C2 (de) * | 1996-06-05 | 2002-02-28 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Sputterkathode |
DE19747923C2 (de) * | 1997-10-30 | 2002-09-12 | Leybold Systems Gmbh | Sputterkathode |
DE19754986C2 (de) * | 1997-12-11 | 2002-09-12 | Leybold Systems Gmbh | Sputterkathode |
US7485210B2 (en) | 2004-10-07 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | Sputtering target fixture |
EP2067874B1 (de) | 2007-11-29 | 2011-03-02 | W.C. Heraeus GmbH | Magnetische Shunts in Rohrtargets |
DE102007060306B4 (de) | 2007-11-29 | 2011-12-15 | W.C. Heraeus Gmbh | Magnetische Shunts in Rohrtargets |
US20110108416A1 (en) * | 2009-11-10 | 2011-05-12 | Cheng-Tsung Liu | Magnetron sputter |
CN103328683B (zh) * | 2011-01-24 | 2015-04-15 | 日立金属株式会社 | 用于磁控管溅射的磁场发生装置 |
US9378934B2 (en) | 2011-05-30 | 2016-06-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Racetrack-shaped magnetic-field-generating apparatus for magnetron sputtering |
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-
1987
- 1987-12-03 JP JP30614387A patent/JPH01147063A/ja active Granted
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01147063A (ja) | 1989-06-08 |
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