JPH0360575B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0360575B2 JPH0360575B2 JP56140829A JP14082981A JPH0360575B2 JP H0360575 B2 JPH0360575 B2 JP H0360575B2 JP 56140829 A JP56140829 A JP 56140829A JP 14082981 A JP14082981 A JP 14082981A JP H0360575 B2 JPH0360575 B2 JP H0360575B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- flow
- modifier
- nozzle
- wheel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 173
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 claims 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 18
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 13
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- -1 tungsten Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B7/00—Distributors for the molten glass; Means for taking-off charges of molten glass; Producing the gob, e.g. controlling the gob shape, weight or delivery tact
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/002—Making metallic powder or suspensions thereof amorphous or microcrystalline
- B22F9/008—Rapid solidification processing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/06—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material
- B22F9/08—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying
- B22F9/10—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying using centrifugal force
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B17/00—Forming molten glass by flowing-out, pushing-out, extruding or drawing downwardly or laterally from forming slits or by overflowing over lips
- C03B17/02—Forming molten glass coated with coloured layers; Forming molten glass of different compositions or layers; Forming molten glass comprising reinforcements or inserts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B17/00—Forming molten glass by flowing-out, pushing-out, extruding or drawing downwardly or laterally from forming slits or by overflowing over lips
- C03B17/06—Forming glass sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/022—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from molten glass in which the resultant product consists of different sorts of glass or is characterised by shape, e.g. hollow fibres, undulated fibres, fibres presenting a rough surface
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、金属、誘電体、あるいは半導体のガ
ラス物質のいずれかである改質化されたアモルフ
アスガラス物質を製造する方法に関する。
ラス物質のいずれかである改質化されたアモルフ
アスガラス物質を製造する方法に関する。
［従来の技術］
従来、金属スピニングと呼ばれる技術で金属ガ
ラス物質を生成することが知られている。この技
術を実施する際、高導電金属から作られた移動可
能な基板即ち回転車輪が、液体の金属あるいは金
属合金の容器の出口にあるノズルの下に配置され
る。車輪は、その質量並びに溶融金属と車輪の周
囲温度との間のかなりの温度差のため、溶融金属
に対し移動する冷却基板を提供するためには冷却
される必要はない。車輪は、代表的には直径が
15.24cm及び25.40cmの間であり、しかも1000rpm
及び5000rpmの間の回転速度で回転駆動され、そ
れによつて車輪の円筒状周囲に対し溶融金属が接
触する位置において1000cm／秒及び2000cm／秒の
間の線速度を得る。
ラス物質を生成することが知られている。この技
術を実施する際、高導電金属から作られた移動可
能な基板即ち回転車輪が、液体の金属あるいは金
属合金の容器の出口にあるノズルの下に配置され
る。車輪は、その質量並びに溶融金属と車輪の周
囲温度との間のかなりの温度差のため、溶融金属
に対し移動する冷却基板を提供するためには冷却
される必要はない。車輪は、代表的には直径が
15.24cm及び25.40cmの間であり、しかも1000rpm
及び5000rpmの間の回転速度で回転駆動され、そ
れによつて車輪の円筒状周囲に対し溶融金属が接
触する位置において1000cm／秒及び2000cm／秒の
間の線速度を得る。
車輪と接触するとき、溶融金属は104℃／秒及
び108℃／秒の間の冷却速度で冷却され、車輪か
らアモルフアス金属ガラスのリボンとなつて離れ
る。このようなアモルフアス金属ガラス物質は多
くの独特な特性を有することがわかつており、例
えばより優れた延性及び弾性ならびに結晶物質で
得られるよりもはるかに低い損失で磁界内におけ
る反転を統御する物質の能力とを有する。
び108℃／秒の間の冷却速度で冷却され、車輪か
らアモルフアス金属ガラスのリボンとなつて離れ
る。このようなアモルフアス金属ガラス物質は多
くの独特な特性を有することがわかつており、例
えばより優れた延性及び弾性ならびに結晶物質で
得られるよりもはるかに低い損失で磁界内におけ
る反転を統御する物質の能力とを有する。
アモルフアス金属ガラスの生成に関する更に別
の情報は以下の論文及び著書に見られる。
の情報は以下の論文及び著書に見られる。
(1) 題名「平らな移動基板上に放出された円筒状
ジエツトにより形成されるアモルフアス金属リ
ボンの均一性に関して」、著者アンソニー（T.
R.Anthony）およびクライン（H.E.Cline）、ジ
ヤーナル・オブ・アプライド・フイジイツクス
（Journal of Applied Physics）、1978年２月、
第829頁。
ジエツトにより形成されるアモルフアス金属リ
ボンの均一性に関して」、著者アンソニー（T.
R.Anthony）およびクライン（H.E.Cline）、ジ
ヤーナル・オブ・アプライド・フイジイツクス
（Journal of Applied Physics）、1978年２月、
第829頁。
(2) 題名「金属ガラス」、著者プラビーン・コー
ドヘア（Praveen Chaudhair）、ビル・シー・
ギーセン（Bill C.Giessen）及びデービツド・
ターンバル（David Turnbull）、第98頁、
vol.242，No.4，サイエンテイフイツク・アメ
リカン（Scientfic American）、1980年４月。
ドヘア（Praveen Chaudhair）、ビル・シー・
ギーセン（Bill C.Giessen）及びデービツド・
ターンバル（David Turnbull）、第98頁、
vol.242，No.4，サイエンテイフイツク・アメ
リカン（Scientfic American）、1980年４月。
(3) 題名「金属ガラス」、著者ジヨン・ジエイ・
ギルマン（John J.Gilman）、サイエンス
（Science）、第436頁、Vol.208，1980年５月。
ギルマン（John J.Gilman）、サイエンス
（Science）、第436頁、Vol.208，1980年５月。
(4) 著書「金属ガラス」、アメリカン・ソサイア
テイ・フオー・メタルズ発行、1976年、ミード
ウパーク・オハイオ 44073。
テイ・フオー・メタルズ発行、1976年、ミード
ウパーク・オハイオ 44073。
また、従来真空堆積例えばスパツタリング、蒸
気堆積あるいはグロー放電等によつてアモルフア
ス半導体物質を生成することが提案されている。
更に、導電性及び他の所望なパラメータが制御可
能であるいわゆる改質化されたアモルフアス半導
体物質を提供するため、改質剤物質を有する改質
化されたアモルフアス半導体物質を生成すること
が提案されている。改質化されたあるいは改質化
されていないアモルフアス半導体物質を生成する
このような方法の例は、次の特許に開示されてい
る。オブシンスキー（S.R.Ovshinsky）に発行さ
れた米国特許第4177473号（アモルフアス半導体
部材及びこれを製造する方法）。オブシンスキー
に発行された米国特許第4177474号（高温アモル
フアス半導体部材及びこれを製造する方法）。オ
ブシンスキー及びサプル（K.Sapru）に発行され
た米国特許第4178415号（改質化されたアモルフ
アス半導体及びこれを製造する方法）。
気堆積あるいはグロー放電等によつてアモルフア
ス半導体物質を生成することが提案されている。
更に、導電性及び他の所望なパラメータが制御可
能であるいわゆる改質化されたアモルフアス半導
体物質を提供するため、改質剤物質を有する改質
化されたアモルフアス半導体物質を生成すること
が提案されている。改質化されたあるいは改質化
されていないアモルフアス半導体物質を生成する
このような方法の例は、次の特許に開示されてい
る。オブシンスキー（S.R.Ovshinsky）に発行さ
れた米国特許第4177473号（アモルフアス半導体
部材及びこれを製造する方法）。オブシンスキー
に発行された米国特許第4177474号（高温アモル
フアス半導体部材及びこれを製造する方法）。オ
ブシンスキー及びサプル（K.Sapru）に発行され
た米国特許第4178415号（改質化されたアモルフ
アス半導体及びこれを製造する方法）。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記に例示した如き従来のアモ
ルフアス金属ガラスの製造法は改質化された、即
ち導電性及び他の所望なパラメータが制御可能な
アモルフアスガラス物質を提供することには向け
られておらず、また上記に例示した如き従来の改
質化されたアモルフアス半導体の製造方法によつ
ては、得られるアモルフアス物質の光学的及び電
気的伝送特性などの物質パラメータ並びに電子配
置の数及びタイプが独立に制御できなかつた。
ルフアス金属ガラスの製造法は改質化された、即
ち導電性及び他の所望なパラメータが制御可能な
アモルフアスガラス物質を提供することには向け
られておらず、また上記に例示した如き従来の改
質化されたアモルフアス半導体の製造方法によつ
ては、得られるアモルフアス物質の光学的及び電
気的伝送特性などの物質パラメータ並びに電子配
置の数及びタイプが独立に制御できなかつた。
従つて、本発明の目的は、制御された光学的及
び電気的伝送特性並びに電子配置の数及びタイプ
を有する改質化されたアモルフアスガラス物質を
製造するための方法を提供することを目的とす
る。
び電気的伝送特性並びに電子配置の数及びタイプ
を有する改質化されたアモルフアスガラス物質を
製造するための方法を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］
上記課題は、本発明においては、
冷却基板を提供する段階と、
前記基板上に主要成分物質を形成する段階と、
少なくとも１つの改質剤物質を含み、前記基板
に流れとなつて向かう少なくとも１つの流動物質
を、前記少なくとも１つの改質剤物質の前記流れ
が前記主要成分物質と集中するような方向に向け
る段階と、 前記流れの流量と冷却速度とを独立に制御する
段階と、 結合された主要成分物質と改質剤物質とを、こ
れらが互いに接触しているときに、前記基板が冷
却速度104℃／秒から少なくとも108℃／秒または
それ以上で冷却し、それにより光学的及び電気的
伝送特性並びに電子配置の数及びタイプが制御可
能な改質化アモルフアスガラス物質のリボンを提
供するように、前記基板と前記改質剤物質の流れ
との間に、相対運動を提供し、それにより前記主
要成分物質とを改質剤物質との軌道関係を制御す
る段階と、 を備える改質化アモルフアスガラス物質の製造方
法によつて解決される。
に流れとなつて向かう少なくとも１つの流動物質
を、前記少なくとも１つの改質剤物質の前記流れ
が前記主要成分物質と集中するような方向に向け
る段階と、 前記流れの流量と冷却速度とを独立に制御する
段階と、 結合された主要成分物質と改質剤物質とを、こ
れらが互いに接触しているときに、前記基板が冷
却速度104℃／秒から少なくとも108℃／秒または
それ以上で冷却し、それにより光学的及び電気的
伝送特性並びに電子配置の数及びタイプが制御可
能な改質化アモルフアスガラス物質のリボンを提
供するように、前記基板と前記改質剤物質の流れ
との間に、相対運動を提供し、それにより前記主
要成分物質とを改質剤物質との軌道関係を制御す
る段階と、 を備える改質化アモルフアスガラス物質の製造方
法によつて解決される。
［作用］
上記の製造方法においては、改質剤物質は、そ
れ自身の独立した別々の制御可能な冷却速度でア
モルフアス主要成分へ入り込み得るようにアモル
フアス主要成分内へ導入される。このような改質
剤物質は急冷され主要成分内にて通常の結晶格子
を作ることなく凝固される。それによつてその物
質の主結合に入り込んで合金の一部分となるだけ
でなく、最も重要なことは、非平衡の態様で合金
内にて凝固されることである。これによりソリツ
ドバルク物質合金の物質パラメータが比較的に独
立して制御可能である。即ち、かなりのバンドギ
ヤツプを有する合金物質において、このギヤツプ
とは比較的独立に電気的活性化が制御できる。こ
れは、いわゆる薄膜よりも実質上大きい厚さの物
質に対する改質化の独特な利点を拡大する。
れ自身の独立した別々の制御可能な冷却速度でア
モルフアス主要成分へ入り込み得るようにアモル
フアス主要成分内へ導入される。このような改質
剤物質は急冷され主要成分内にて通常の結晶格子
を作ることなく凝固される。それによつてその物
質の主結合に入り込んで合金の一部分となるだけ
でなく、最も重要なことは、非平衡の態様で合金
内にて凝固されることである。これによりソリツ
ドバルク物質合金の物質パラメータが比較的に独
立して制御可能である。即ち、かなりのバンドギ
ヤツプを有する合金物質において、このギヤツプ
とは比較的独立に電気的活性化が制御できる。こ
れは、いわゆる薄膜よりも実質上大きい厚さの物
質に対する改質化の独特な利点を拡大する。
上記方法によれば物質の光学的及び電気的伝送
特性を制御でき、また制御された数及びタイプの
分子に関する結合部位、即ち満たされていない価
電子を伴なう電子配置を、改質化されたアモルフ
アス物質に与えることができる。
特性を制御でき、また制御された数及びタイプの
分子に関する結合部位、即ち満たされていない価
電子を伴なう電子配置を、改質化されたアモルフ
アス物質に与えることができる。
更に、以下に詳細に説明するように、本発明の
教示に従つて生成された改質化アモルフアスガラ
ス物質は利点となる種々の特性を備えている。例
えば、多数の結合部位を有する改質化ガラス物質
は触媒動作および気体蓄積のために使用でき、こ
れらの原子は上記物質の制御された数及びタイプ
の結合部位に結合される。他方、光学的及び電気
的伝送特性が制御された改質化アモルフアス半導
体物質は、種々の半導体デバイス、例えば、熱電
デバイス、あるいはフエルミ準位における状態の
密度の制御がコレクタキヤリア動作を行わせるこ
とができる如き他の所望な特性を有するデバイス
において使用できる。
教示に従つて生成された改質化アモルフアスガラ
ス物質は利点となる種々の特性を備えている。例
えば、多数の結合部位を有する改質化ガラス物質
は触媒動作および気体蓄積のために使用でき、こ
れらの原子は上記物質の制御された数及びタイプ
の結合部位に結合される。他方、光学的及び電気
的伝送特性が制御された改質化アモルフアス半導
体物質は、種々の半導体デバイス、例えば、熱電
デバイス、あるいはフエルミ準位における状態の
密度の制御がコレクタキヤリア動作を行わせるこ
とができる如き他の所望な特性を有するデバイス
において使用できる。
改質化された物質の種々の特性及び配置を制御
することにより、この物質の電気的、化学的、熱
的あるいは物理的特性が独立に制御可能である。
３次元結合及び非結合関係の如き物質特性の独立
した制御は、結晶物質においては通常観察され
ず、少なくとも大きくかつ制御可能な数ではな
い。このことは、ｄバンドあるいは多数軌道改質
剤物質に関して特に真である。このｄバンドある
いは多数軌道改質剤物質は、独立して制御可能な
冷却速度により改質化された物質を安定ではある
が非平衡な軌道配置に凝固させる。
することにより、この物質の電気的、化学的、熱
的あるいは物理的特性が独立に制御可能である。
３次元結合及び非結合関係の如き物質特性の独立
した制御は、結晶物質においては通常観察され
ず、少なくとも大きくかつ制御可能な数ではな
い。このことは、ｄバンドあるいは多数軌道改質
剤物質に関して特に真である。このｄバンドある
いは多数軌道改質剤物質は、独立して制御可能な
冷却速度により改質化された物質を安定ではある
が非平衡な軌道配置に凝固させる。
溶融工程において、主要成分及び改質剤物質の
上記関係及び冷却速度は、改質剤物質が正常な主
要成分の構造結合内に含まれることを可能にす
る。本発明の工程において、改質剤物質は上述の
特許に記載された改質元素となる。改質剤物質の
導入のタイミングは、如何なる結晶制限とも独立
して制御され得る。改質剤物質の流量は、制御で
きかつ変化あるいは断続することができ、また流
れあるいは環境において気体の改質剤物質を含む
こともできる。環境、冷却速度、流量及びタイミ
ングを独立に制御することによつて、新規なバル
ク物質あるいは合金を、結晶物質において対応す
るもののない所望の特性を備えた状態で形成でき
る。
上記関係及び冷却速度は、改質剤物質が正常な主
要成分の構造結合内に含まれることを可能にす
る。本発明の工程において、改質剤物質は上述の
特許に記載された改質元素となる。改質剤物質の
導入のタイミングは、如何なる結晶制限とも独立
して制御され得る。改質剤物質の流量は、制御で
きかつ変化あるいは断続することができ、また流
れあるいは環境において気体の改質剤物質を含む
こともできる。環境、冷却速度、流量及びタイミ
ングを独立に制御することによつて、新規なバル
ク物質あるいは合金を、結晶物質において対応す
るもののない所望の特性を備えた状態で形成でき
る。
［好ましい実施態様の説明］
本発明の１つの好ましい実施態様においては、
前記主要成分物質及び前記改質剤物質は前記基板
の方へ第１及び第２のノズルを介して向けられ
る。これらノズルの夫々は、流動物質を前記基板
へ該基板に対し90゜及び30゜の間の角度で向けるよ
うに配置され、しかもこれらノズルの一方はそれ
らノズルの他方の後方に配置され、それによつて
両ノズルは実質上同一の垂直平面内にあり、かつ
前記両ノズルからの前記流れが前記垂直平面内に
集中する。
前記主要成分物質及び前記改質剤物質は前記基板
の方へ第１及び第２のノズルを介して向けられ
る。これらノズルの夫々は、流動物質を前記基板
へ該基板に対し90゜及び30゜の間の角度で向けるよ
うに配置され、しかもこれらノズルの一方はそれ
らノズルの他方の後方に配置され、それによつて
両ノズルは実質上同一の垂直平面内にあり、かつ
前記両ノズルからの前記流れが前記垂直平面内に
集中する。
更に、他の好ましい実施態様においては、前記
主要成分物質及び前記改質剤物質が前記基板の方
へ第１及び第２のノズルを介して向けられる。こ
れらノズルの夫々は流動物質を前記基板へ該基板
に対し90゜及び30゜の間の角度で向けるように配置
され、しかも前記両ノズルは、横方向に離間さ
れ、かつこれらノズルから流出する流れが相対運
動の方向に対して横方向に延在しかつ水平に対し
30゜及び90゜の間の角度にある平面内に集中するよ
うに、互いの方向に傾いている。
主要成分物質及び前記改質剤物質が前記基板の方
へ第１及び第２のノズルを介して向けられる。こ
れらノズルの夫々は流動物質を前記基板へ該基板
に対し90゜及び30゜の間の角度で向けるように配置
され、しかも前記両ノズルは、横方向に離間さ
れ、かつこれらノズルから流出する流れが相対運
動の方向に対して横方向に延在しかつ水平に対し
30゜及び90゜の間の角度にある平面内に集中するよ
うに、互いの方向に傾いている。
更に、他の好ましい実施態様においては、前記
主要成分物質及び前記改質剤物質は前記基板の方
へ第１及び第２の同心状ノズルを介して向けられ
る。これら同心状ノズルは、該ノズルから流出す
る前記流れが前記基板に対し接触するときあるい
は接触する前に互いに集中するように配列され、
かつ前記同心状ノズルは流動物質を前記基板へ相
対運動の方向に延在する前記基板上の直線に対し
90゜及び30゜の間の角度で向けるように配置されて
いる。
主要成分物質及び前記改質剤物質は前記基板の方
へ第１及び第２の同心状ノズルを介して向けられ
る。これら同心状ノズルは、該ノズルから流出す
る前記流れが前記基板に対し接触するときあるい
は接触する前に互いに集中するように配列され、
かつ前記同心状ノズルは流動物質を前記基板へ相
対運動の方向に延在する前記基板上の直線に対し
90゜及び30゜の間の角度で向けるように配置されて
いる。
［実施例］
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第１図において、本発明を実施するための金属
スピニング装置１０の一実施例が示される。金属
スピニング装置１０は、基板面１４を有する移動
可能な即ち回転可能な基板を形成する車輪１２を
備えている。車輪１２は第２図に示された原動機
１６の如き原動機によつて回転される。
スピニング装置１０の一実施例が示される。金属
スピニング装置１０は、基板面１４を有する移動
可能な即ち回転可能な基板を形成する車輪１２を
備えている。車輪１２は第２図に示された原動機
１６の如き原動機によつて回転される。
金属スピニング装置１０は第１のほぼ円筒状の
容器１８を備えることができ、容器１８は車輪１
２の上方に配置されしかも容器１８からの底部出
口を形成するノズル２０を有する。容器１８は、
その中に流動金属あるいは半導体の主要成分物質
を受けて保持するように適合されている。
容器１８を備えることができ、容器１８は車輪１
２の上方に配置されしかも容器１８からの底部出
口を形成するノズル２０を有する。容器１８は、
その中に流動金属あるいは半導体の主要成分物質
を受けて保持するように適合されている。
図示実施例において、コイル２２は容器１８の
回りに配置されて、容器内の主要成分物質の粒状
片をその融点より高く加熱して粒状片を流動主要
成分物質に変える。また、容器１８の上端部には
ピストン２４が設けられ、ピストン２４は、容器
１８内の流動主要成分物質に重力によつて圧力を
与えるため大きい質量に耐えることができる。代
わりとして、空気あるいは油圧のピストン及びシ
リンダ機構又は電気的ねじ駆動機構により圧力を
ピストン２４に加えることができ、それによつて
比較的一定の圧力が容器１８内の流動主要成分物
質へ加えられて、該物質は第１図に示す如き流れ
２８でノズル２０から流出する。
回りに配置されて、容器内の主要成分物質の粒状
片をその融点より高く加熱して粒状片を流動主要
成分物質に変える。また、容器１８の上端部には
ピストン２４が設けられ、ピストン２４は、容器
１８内の流動主要成分物質に重力によつて圧力を
与えるため大きい質量に耐えることができる。代
わりとして、空気あるいは油圧のピストン及びシ
リンダ機構又は電気的ねじ駆動機構により圧力を
ピストン２４に加えることができ、それによつて
比較的一定の圧力が容器１８内の流動主要成分物
質へ加えられて、該物質は第１図に示す如き流れ
２８でノズル２０から流出する。
図示の如く、流れ２８を基板車輪１２に向かい
車輪基板面１４の接線に対しほぼ90゜の角度で向
けるようにノズル２０が配置されている。この角
度は、角度30゜から角度90゜の範囲で変化可能であ
る。
車輪基板面１４の接線に対しほぼ90゜の角度で向
けるようにノズル２０が配置されている。この角
度は、角度30゜から角度90゜の範囲で変化可能であ
る。
本発明の教示に従い、金属スピニング装置１０
は、中に流動改質剤物質を有する第２の容器３８
を備えている。容器３８は流動改質剤物質の流れ
４２を流れ２８の方に向けるように配置された底
部出口ノズル４０を有し、それによつて流れ４２
は、流れ２８に対し、基板上において、あるいは
主要成分物質の流れ２８が車輪１２の基板面１４
と接触する前において集中する。
は、中に流動改質剤物質を有する第２の容器３８
を備えている。容器３８は流動改質剤物質の流れ
４２を流れ２８の方に向けるように配置された底
部出口ノズル４０を有し、それによつて流れ４２
は、流れ２８に対し、基板上において、あるいは
主要成分物質の流れ２８が車輪１２の基板面１４
と接触する前において集中する。
容器１８と同じように、容器３８はほぼ円筒形
であり、しかも容器内に置かれている粒状改質剤
物質を加熱するためその回りにコイル４４を有し
ている。換言すれば、コイル２２及び４４に電流
を流すことにより、主要成分物質及び改質剤物質
が電磁エネルギによつてそれらの融点をより高く
熱せられ、それによつて流動性の主要成分物質及
び流動性の改質剤物質を提供する。当然、コイル
２２及び４４に代わる他の装置を容器１８及び３
８の夫々に収容された粒状の主要成分物質及び改
質剤物質を加熱するために提供できることは、理
解されるべきである。
であり、しかも容器内に置かれている粒状改質剤
物質を加熱するためその回りにコイル４４を有し
ている。換言すれば、コイル２２及び４４に電流
を流すことにより、主要成分物質及び改質剤物質
が電磁エネルギによつてそれらの融点をより高く
熱せられ、それによつて流動性の主要成分物質及
び流動性の改質剤物質を提供する。当然、コイル
２２及び４４に代わる他の装置を容器１８及び３
８の夫々に収容された粒状の主要成分物質及び改
質剤物質を加熱するために提供できることは、理
解されるべきである。
容器１８と同じように、容器３８もまたその上
端部にピストン５４を有し、ピストン５４は、こ
の上に配置された重り及び重力によつて、空気あ
るいは油圧のピストン及びシリンダ機構によつ
て、若しくは電気機械的ねじ駆動装置によつて容
器３８内の流動改質剤物質に圧力を加えることが
でき、それによつて該物質は流動主要成分物質の
流れ２８と集中するように配列された流れ４２で
圧力下において流出する。
端部にピストン５４を有し、ピストン５４は、こ
の上に配置された重り及び重力によつて、空気あ
るいは油圧のピストン及びシリンダ機構によつ
て、若しくは電気機械的ねじ駆動装置によつて容
器３８内の流動改質剤物質に圧力を加えることが
でき、それによつて該物質は流動主要成分物質の
流れ２８と集中するように配列された流れ４２で
圧力下において流出する。
図示の如く、ノズル４０は、ノズル２０の後方
にしかも基板車輪面１４の水平接線に対し約45゜
の角度に位置決めされている。更に、ノズル４０
の位置は角度30゜及び角度90゜の間で変化でき、し
かもノズル４０はノズル２０の前方あるいは後方
に配置できる。
にしかも基板車輪面１４の水平接線に対し約45゜
の角度に位置決めされている。更に、ノズル４０
の位置は角度30゜及び角度90゜の間で変化でき、し
かもノズル４０はノズル２０の前方あるいは後方
に配置できる。
車輪１２は、高伝導物質例えば銅あるいはアル
ミニウムから作ることができ、そして代表面には
13cm及び25cmの間の直径を有する。代わりのもの
として、車輪１２の如き移動可能な基板は、相互
に作用するあるいは相互作用のない他の物質のコ
ーテイングを有してもよい。急冷速度は、熱伝導
度あるいは冷却によつて制御できる。基板表面の
物質のコーテイングあるいは薄膜は、特殊な物質
のものが可能であり、所望ならば結果として生ず
る改質化された合金リボン内にドーパントあるい
は他の改質剤成分として部分的に含ませることが
できる。
ミニウムから作ることができ、そして代表面には
13cm及び25cmの間の直径を有する。代わりのもの
として、車輪１２の如き移動可能な基板は、相互
に作用するあるいは相互作用のない他の物質のコ
ーテイングを有してもよい。急冷速度は、熱伝導
度あるいは冷却によつて制御できる。基板表面の
物質のコーテイングあるいは薄膜は、特殊な物質
のものが可能であり、所望ならば結果として生ず
る改質化された合金リボン内にドーパントあるい
は他の改質剤成分として部分的に含ませることが
できる。
本金属スピニング装置１０を使用する本発明の
１つの方法の実施において、車輪１２は1000から
5000rpmの間好ましくは2000から3000rpmの間の
速度で回転され、流れ２８及び４２が車輪１２の
基板面１４と接触する接線基板面において1000か
ら2000cm／秒の線速度を確立する。
１つの方法の実施において、車輪１２は1000から
5000rpmの間好ましくは2000から3000rpmの間の
速度で回転され、流れ２８及び４２が車輪１２の
基板面１４と接触する接線基板面において1000か
ら2000cm／秒の線速度を確立する。
また、十分な圧力が圧力印加ピストン２４及び
５４によつて与えられ、それによつて流動主要成
分物質及び流動改質剤物質の流れ２８及び４２が
200から300cm／秒の間の速度でノズル２０及び４
０から流出する。また、代表的にはノズル２０及
び４０の夫々の出口オリフイスは、0.005cmから
0.15cm以上の間の直径を有する。各流量は独立に
制御可能である。
５４によつて与えられ、それによつて流動主要成
分物質及び流動改質剤物質の流れ２８及び４２が
200から300cm／秒の間の速度でノズル２０及び４
０から流出する。また、代表的にはノズル２０及
び４０の夫々の出口オリフイスは、0.005cmから
0.15cm以上の間の直径を有する。各流量は独立に
制御可能である。
主要成分物質及び改質剤物質あるいはこれらか
ら形成される物質の汚染は未然に完全に防止でき
ない場合、この汚染を最小限にするためには、本
装置は、不活性ガス、所望ならば例えばアルゴ
ン、ネオン、ヘリウム、クリプトンあるいはキセ
ノンによつて囲まれ、本方法は、真空から58Psia
（4.1Kg／cm2）までの範囲の圧力下で実施される。
更に、所望ならば、周囲環境及び又は流れは、合
金リボンに含まれる１以上の活性ガス、例えば酸
素、窒素、シリコン４価フツ化物あるいはアルシ
ンを含むことができる。
ら形成される物質の汚染は未然に完全に防止でき
ない場合、この汚染を最小限にするためには、本
装置は、不活性ガス、所望ならば例えばアルゴ
ン、ネオン、ヘリウム、クリプトンあるいはキセ
ノンによつて囲まれ、本方法は、真空から58Psia
（4.1Kg／cm2）までの範囲の圧力下で実施される。
更に、所望ならば、周囲環境及び又は流れは、合
金リボンに含まれる１以上の活性ガス、例えば酸
素、窒素、シリコン４価フツ化物あるいはアルシ
ンを含むことができる。
上述のように、流れ２８及び４２は、これらが
基板面１４と接触した後あるいは接触する前に集
まるように、配列される。そのため、流れ２８及
び４２が基板面１４と接触するとき、接線におけ
る基板面１４の線速度と関連した車輪１２の温度
と各流れ２８及び４２の温度との間の温度差は、
結合した流れが104℃／秒から少なくとも108℃／
秒あるいはそれ以上の冷却速度で急冷される如き
ものである。この冷却速度を達成するため、車輪
１２の温度は4.2〓及び周囲の室温の間に維持さ
れる。周囲の室温は、基板面１４の温度と流れ２
８及び４２の温度との間の温度差、及び基板車輪
面１４の接触接点における高い線速度のため、し
ばしば十分な急冷速度を提供する。もちろん、車
輪１２の温度が低くなれば、冷却速度はより高く
なる。
基板面１４と接触した後あるいは接触する前に集
まるように、配列される。そのため、流れ２８及
び４２が基板面１４と接触するとき、接線におけ
る基板面１４の線速度と関連した車輪１２の温度
と各流れ２８及び４２の温度との間の温度差は、
結合した流れが104℃／秒から少なくとも108℃／
秒あるいはそれ以上の冷却速度で急冷される如き
ものである。この冷却速度を達成するため、車輪
１２の温度は4.2〓及び周囲の室温の間に維持さ
れる。周囲の室温は、基板面１４の温度と流れ２
８及び４２の温度との間の温度差、及び基板車輪
面１４の接触接点における高い線速度のため、し
ばしば十分な急冷速度を提供する。もちろん、車
輪１２の温度が低くなれば、冷却速度はより高く
なる。
流動主要成分物質及び流動改質剤物質の流れ２
８及び４２を104℃／秒から少なくとも108℃／秒
あるいはそれ以上の高い冷却速度で急冷する結
果、第１図に示すごとく車輪１２から改質化され
たアモルフアスガラス物質のリボン６０が生成さ
れる。もちろん、このリボンの幅はノズル２０及
び４０の出口オリフイスの寸法に依存して変わり
得る。
８及び４２を104℃／秒から少なくとも108℃／秒
あるいはそれ以上の高い冷却速度で急冷する結
果、第１図に示すごとく車輪１２から改質化され
たアモルフアスガラス物質のリボン６０が生成さ
れる。もちろん、このリボンの幅はノズル２０及
び４０の出口オリフイスの寸法に依存して変わり
得る。
上記から、ノズル・オリフイスの夫々は、車輪
１２の回転軸と同一線方向の実質的な長さと、
0.005cm及び0.15cmの間の幅とを有し、それによ
つて基板面１４と接触する前あるいは接触した後
で集中し得るシート状の液体流を形成する。この
ように、本例の方法及び装置１０により、より幅
の広い改質化されたアモルフアス物質のリボンを
作ることができる。
１２の回転軸と同一線方向の実質的な長さと、
0.005cm及び0.15cmの間の幅とを有し、それによ
つて基板面１４と接触する前あるいは接触した後
で集中し得るシート状の液体流を形成する。この
ように、本例の方法及び装置１０により、より幅
の広い改質化されたアモルフアス物質のリボンを
作ることができる。
しかしながら、第１図の装置においては、ノズ
ル２０及び４０は、車輪１４の回転運動方向と同
一線方向の垂直面内にほぼ配置される。
ル２０及び４０は、車輪１４の回転運動方向と同
一線方向の垂直面内にほぼ配置される。
本方法及び本装置１０は、改質化されたアモル
フアス半導体を作るために使用できる。
フアス半導体を作るために使用できる。
改質化されるアモルフアス金属を作るための装
置１０を用いる本発明の方法の実施において、容
器１８内の流動主要成分物質は、金属あるいは金
属合金が可能であり、これらは容器３８内の金
属、半導体あるいは金属合金によつて改質化され
る。この改質剤は、代表的には生成される改質化
されたアモルフアス物質のリボン６０においてか
なり大きな割合、例えば0.5％から30％（原子％）
である。上述の特許における如く、より小量の改
質剤成分が、調整あるいはドーピングにより電気
的伝導度を変更するため利用できる。更に次の特
許を参照されたい。スタンフオード・アール・オ
ブシンスキー（Stanford R.Ovshinsky）及びマ
サツグ・イヅ（Masatsugu Izu）に特許された米
国特許第4217374号（結晶半導体に等化なアモル
フアス半導体）及びスタンフオード・アール・オ
ブシンスキー及びアラン・マダン（Arun
Madan）に特許された米国特許第4226898号（結
晶半導体に等価なアモルフアス半導体）。小量の
物質が、フツ素及び又は水素のリアクテイブ・プ
ラズマ内においてバルク形式に作られたシリコン
と共に使用できる。改質剤成分は砒素化合物が可
能であり、この化合物においてバルク物質をドー
プするのにppmのオーダの物質が必要なだけであ
る。
置１０を用いる本発明の方法の実施において、容
器１８内の流動主要成分物質は、金属あるいは金
属合金が可能であり、これらは容器３８内の金
属、半導体あるいは金属合金によつて改質化され
る。この改質剤は、代表的には生成される改質化
されたアモルフアス物質のリボン６０においてか
なり大きな割合、例えば0.5％から30％（原子％）
である。上述の特許における如く、より小量の改
質剤成分が、調整あるいはドーピングにより電気
的伝導度を変更するため利用できる。更に次の特
許を参照されたい。スタンフオード・アール・オ
ブシンスキー（Stanford R.Ovshinsky）及びマ
サツグ・イヅ（Masatsugu Izu）に特許された米
国特許第4217374号（結晶半導体に等化なアモル
フアス半導体）及びスタンフオード・アール・オ
ブシンスキー及びアラン・マダン（Arun
Madan）に特許された米国特許第4226898号（結
晶半導体に等価なアモルフアス半導体）。小量の
物質が、フツ素及び又は水素のリアクテイブ・プ
ラズマ内においてバルク形式に作られたシリコン
と共に使用できる。改質剤成分は砒素化合物が可
能であり、この化合物においてバルク物質をドー
プするのにppmのオーダの物質が必要なだけであ
る。
改質化された溶融金属あるいは溶融金属合金を
104℃／秒から108℃／秒あるるいはそれ以上の冷
却速度で急冷することにより、改質化されたアモ
ルフアス・ガラス・リボン６０が得られ、このリ
ボンは、結晶状態とは逆のアモルフアス状態に凝
固され、また改質化されるため、分子に関し相当
数の分離部位及び相当数の結合部位、即ち多くの
満たされていないあるいは接続されていない価電
子位置を伴なつた高価電子原子を有するであろ
う。そして、この高価電子原子は気体の自由原子
に対し結合部位を与え、それによつてこの物質
は、気体を蓄積する作用を有し、しかも何等貴金
属を含まなくとも貴金属の触媒化学特性をシミユ
レートできる。
104℃／秒から108℃／秒あるるいはそれ以上の冷
却速度で急冷することにより、改質化されたアモ
ルフアス・ガラス・リボン６０が得られ、このリ
ボンは、結晶状態とは逆のアモルフアス状態に凝
固され、また改質化されるため、分子に関し相当
数の分離部位及び相当数の結合部位、即ち多くの
満たされていないあるいは接続されていない価電
子位置を伴なつた高価電子原子を有するであろ
う。そして、この高価電子原子は気体の自由原子
に対し結合部位を与え、それによつてこの物質
は、気体を蓄積する作用を有し、しかも何等貴金
属を含まなくとも貴金属の触媒化学特性をシミユ
レートできる。
また、本発明の一例の方法の実施において、流
動主要成分物質は、半導体物質、例えばシリコ
ン、シリコン酸化物、炭素、シリコンと窒素、ホ
ウ素と炭素、ホウ素と窒素、シリコンと窒素、テ
ルルとセレンとゲルマニウム、若しくはテルルと
セレンとゲルマニウム可能であり、これらは夫々
半導体あるいは金属物質によつて改質化される。
動主要成分物質は、半導体物質、例えばシリコ
ン、シリコン酸化物、炭素、シリコンと窒素、ホ
ウ素と炭素、ホウ素と窒素、シリコンと窒素、テ
ルルとセレンとゲルマニウム、若しくはテルルと
セレンとゲルマニウム可能であり、これらは夫々
半導体あるいは金属物質によつて改質化される。
１つの改質化半導体ガラス物質の生成におい
て、主要成分物質はシリコン酸化物であり、この
場合シリコンと酸素との比はSiOxで表わされ、
Ｘは零から２まで制御でき、そして改質剤は例え
ば0.5％乃至30％（原子％）のリチウムの如きア
ルカリ金属である。
て、主要成分物質はシリコン酸化物であり、この
場合シリコンと酸素との比はSiOxで表わされ、
Ｘは零から２まで制御でき、そして改質剤は例え
ば0.5％乃至30％（原子％）のリチウムの如きア
ルカリ金属である。
更に、本発明の方法の実施において、改質剤物
質は、半導体あるいは金属例えばタングステンの
如き遷移金属、あるいは希土類金属、及び多価電
子及び多軌道元素の如き前述の特許及び特許出願
に記載されている特性を提供できる他の元素が可
能である。
質は、半導体あるいは金属例えばタングステンの
如き遷移金属、あるいは希土類金属、及び多価電
子及び多軌道元素の如き前述の特許及び特許出願
に記載されている特性を提供できる他の元素が可
能である。
本発明の利点の１つは、ガラス物質がいわゆる
薄膜物質とは対照的に作れることである。この点
に関し、改質化アモルフアス半導体薄膜物質及び
上述の合成物を有するこれらの物質を製造する方
法は、オブシンスキーに特許された米国特許第
4177473号（アモルフアス半導体部材及びこれを
製造する方法）、オブシンスキーに特許された米
国特許第4177474号（高温アモルフアス半導体部
材及びこれを製造する方法）、オブシンスキーと
ケイ・サプル（K.Sapru）に特許された米国特許
第4178415号（改質化アモルフアス半導体及びこ
れを製造する方法）に開示されている。
薄膜物質とは対照的に作れることである。この点
に関し、改質化アモルフアス半導体薄膜物質及び
上述の合成物を有するこれらの物質を製造する方
法は、オブシンスキーに特許された米国特許第
4177473号（アモルフアス半導体部材及びこれを
製造する方法）、オブシンスキーに特許された米
国特許第4177474号（高温アモルフアス半導体部
材及びこれを製造する方法）、オブシンスキーと
ケイ・サプル（K.Sapru）に特許された米国特許
第4178415号（改質化アモルフアス半導体及びこ
れを製造する方法）に開示されている。
このような薄膜物質は、代表的には真空堆積技
術例えばスパツタリング、蒸気堆積あるいはグロ
ー放電を使用して生成されている。
術例えばスパツタリング、蒸気堆積あるいはグロ
ー放電を使用して生成されている。
本発明の方法及び装置１０の独特な利点は、金
属スピニング技術を使用して本発明の教示に従い
改質化されたアモルフアス金属あるいは金属ガラ
ス物質、又は改質化アモルフアス半導体ガラス物
質を生成することができ、それによつていわゆる
薄膜生成技術を作用して現在得られる量と比べよ
り大量の物質を生成することができる。このよう
に、比較的大量の改質化アモルフアスガラス物質
を形成でき、この物質の光学的及び電気的伝送特
性ならびに化学的特性が制御でき、しかも電子配
置の数及びタイプが制御できる。化学的不活性が
要求される場合の如く、特殊な反応あるいは非反
応が設計できる。
属スピニング技術を使用して本発明の教示に従い
改質化されたアモルフアス金属あるいは金属ガラ
ス物質、又は改質化アモルフアス半導体ガラス物
質を生成することができ、それによつていわゆる
薄膜生成技術を作用して現在得られる量と比べよ
り大量の物質を生成することができる。このよう
に、比較的大量の改質化アモルフアスガラス物質
を形成でき、この物質の光学的及び電気的伝送特
性ならびに化学的特性が制御でき、しかも電子配
置の数及びタイプが制御できる。化学的不活性が
要求される場合の如く、特殊な反応あるいは非反
応が設計できる。
次に第２図において、本発明の教示に従つて作
られた金属スピニング装置の他の実施例が示され
ており、全体が参照符号１１０で指示されてい
る。金属スピニング装置１１０は車輪１１２を備
えており車輪１１２はなめらかな円筒基板面１１
４を有し、原動機１６によつて駆動される。この
実施例においては、流動主要成分物質用の容器１
１８は図示の如く基板面１１４の接線の一方の側
に配置され、容器１１８からの出口ノズル１２０
は基板面１１４の接線を含む横方向の角度で主要
成分物質の流れ１２８を向ける。この実施例にお
いては、車輪１１２の回転方向と同一線方向の垂
直面内に配置されるのではなく、ノズル１２０は
車輪１１２の回転面に対し約60゜の角度に配置さ
れる。
られた金属スピニング装置の他の実施例が示され
ており、全体が参照符号１１０で指示されてい
る。金属スピニング装置１１０は車輪１１２を備
えており車輪１１２はなめらかな円筒基板面１１
４を有し、原動機１６によつて駆動される。この
実施例においては、流動主要成分物質用の容器１
１８は図示の如く基板面１１４の接線の一方の側
に配置され、容器１１８からの出口ノズル１２０
は基板面１１４の接線を含む横方向の角度で主要
成分物質の流れ１２８を向ける。この実施例にお
いては、車輪１１２の回転方向と同一線方向の垂
直面内に配置されるのではなく、ノズル１２０は
車輪１１２の回転面に対し約60゜の角度に配置さ
れる。
また、この実施例において、第１図に示した容
器３８と同様な容器１３８が設けられ、流動改質
剤物質を保持する。容器１３８はノズル１４０を
有し、ノズル１４０は、接線の他の側に配置さ
れ、主要成分物質の流れが基板面１１４と接触す
る前あるいは接触した後において流動主要成分物
質の流れ１２８に集中するような方向に流動改質
剤物質の流れ１４２を向けるように配置されてい
る。ノズル１４０はまた、このノズル１４０から
流出する流れ１４２が基板面１１４の回転面に対
し約60゜の角度の平面内にあるように配置される。
器３８と同様な容器１３８が設けられ、流動改質
剤物質を保持する。容器１３８はノズル１４０を
有し、ノズル１４０は、接線の他の側に配置さ
れ、主要成分物質の流れが基板面１１４と接触す
る前あるいは接触した後において流動主要成分物
質の流れ１２８に集中するような方向に流動改質
剤物質の流れ１４２を向けるように配置されてい
る。ノズル１４０はまた、このノズル１４０から
流出する流れ１４２が基板面１１４の回転面に対
し約60゜の角度の平面内にあるように配置される。
従つて図示の如く、ノズル１２０と１４０とは
横方向に隔間され、第１図に示した金属スピニン
グ装置１０における如き一方が他方の後方にある
１つの垂直面内にはない。むしろ、ノズル１２０
と１４０とは、接線に対し横方向の角度が30゜か
ら80゜に、かつその接線における直線移動方向に
対して及びこの接線を含む水平面に対して角度
90゜乃至30゜に配置される。従つて、車輪１１２の
側方からノズル１２０と１４０とを見た場合、こ
れらノズルは一線に並びしかも車輪の接線に対し
角度90゜乃至30゜に配置されている。回転軸に対し
垂直な方向からノズルを見た場合、それらノズル
は接線と及び基板面１１４から生成されるガラス
物質リボン１６０とを含む平面から傾いている。
横方向に隔間され、第１図に示した金属スピニン
グ装置１０における如き一方が他方の後方にある
１つの垂直面内にはない。むしろ、ノズル１２０
と１４０とは、接線に対し横方向の角度が30゜か
ら80゜に、かつその接線における直線移動方向に
対して及びこの接線を含む水平面に対して角度
90゜乃至30゜に配置される。従つて、車輪１１２の
側方からノズル１２０と１４０とを見た場合、こ
れらノズルは一線に並びしかも車輪の接線に対し
角度90゜乃至30゜に配置されている。回転軸に対し
垂直な方向からノズルを見た場合、それらノズル
は接線と及び基板面１１４から生成されるガラス
物質リボン１６０とを含む平面から傾いている。
第３図において、本発明の金属スピニング装置
の他の実施例の部分が示されており、全体が参照
符号２１０によつて指示される。この実施例にお
いて、主要成分物質の容器からのノズル２２０
は、接線に対し角度45゜にあり、かつ角度60゜に配
置された改質剤物質の容器から延びるノズル２４
０の後方に配置され、その結果流動主要成分物質
と流動改質剤物質の集まる流れ２２８と２４２と
は、接線に対しかつこの接線における基板面２４
４の直線移動方向に対して小さな鋭角において回
転する基板面２４４と接触する。
の他の実施例の部分が示されており、全体が参照
符号２１０によつて指示される。この実施例にお
いて、主要成分物質の容器からのノズル２２０
は、接線に対し角度45゜にあり、かつ角度60゜に配
置された改質剤物質の容器から延びるノズル２４
０の後方に配置され、その結果流動主要成分物質
と流動改質剤物質の集まる流れ２２８と２４２と
は、接線に対しかつこの接線における基板面２４
４の直線移動方向に対して小さな鋭角において回
転する基板面２４４と接触する。
更に、第３図から明らかなように、主要成分物
質と改質剤物質のノズルの位置は交替可能であ
り、いずれか一方のノズルが他方のノズルの後方
にあり、各ノズルは接線に対する角度90゜から接
線に対する角度90゜から接線に対する角度30゜まで
の60゜の円弧内に配置される。
質と改質剤物質のノズルの位置は交替可能であ
り、いずれか一方のノズルが他方のノズルの後方
にあり、各ノズルは接線に対する角度90゜から接
線に対する角度90゜から接線に対する角度30゜まで
の60゜の円弧内に配置される。
次に、第４図において、他のノズル構成２５０
が示されており、このノズル構成２５０は第１の
内側ノズル２５２と同心の外側環状ノズル２５４
とから成る。図示の如く、ノズル２５２の下側の
出口オリフイス２５６は、外側ノズル２５４内に
おいてこのノズルからの出口オリフイス２５８の
上方で開口している。ノズル２５４は円錐台部
（frusto−conical section）２６０を有し、流動
物質を円錐台部２６０内へ開口する出口オリフイ
ス２５６から流出した流動物質に集めて混合す
る。
が示されており、このノズル構成２５０は第１の
内側ノズル２５２と同心の外側環状ノズル２５４
とから成る。図示の如く、ノズル２５２の下側の
出口オリフイス２５６は、外側ノズル２５４内に
おいてこのノズルからの出口オリフイス２５８の
上方で開口している。ノズル２５４は円錐台部
（frusto−conical section）２６０を有し、流動
物質を円錐台部２６０内へ開口する出口オリフイ
ス２５６から流出した流動物質に集めて混合す
る。
更に、この実施例において、環状肩部構成２６
２が円錐台部２６０の底部でかつ出口オリフイス
２５８の上方において設けられており、それによ
つてかく流を起こして流動物質をよりよく混合す
る。
２が円錐台部２６０の底部でかつ出口オリフイス
２５８の上方において設けられており、それによ
つてかく流を起こして流動物質をよりよく混合す
る。
この実施例において、流動改質剤物質が内側ノ
ズル２５２にあり、流動主要成分物質が外側環状
ノズル２５４にある。しかしながら、ノズル２５
２と２５４との直径を変更して、改質剤物質が環
状ノズル２５４に通されそして主要成分物質が内
側ノズル２５２に通されるようにできる。
ズル２５２にあり、流動主要成分物質が外側環状
ノズル２５４にある。しかしながら、ノズル２５
２と２５４との直径を変更して、改質剤物質が環
状ノズル２５４に通されそして主要成分物質が内
側ノズル２５２に通されるようにできる。
更に、所望ならば、第３の同心ノズル２６４
を、第１ノズル２５２と第２ノズル２５４との間
に設けることもできる。第３のノズル２６４（及
び他の追加のノズル）は、他の物質例えば他の改
質剤、合金あるいは主要成分物質に対するドーパ
ントを添加するために使用できる。
を、第１ノズル２５２と第２ノズル２５４との間
に設けることもできる。第３のノズル２６４（及
び他の追加のノズル）は、他の物質例えば他の改
質剤、合金あるいは主要成分物質に対するドーパ
ントを添加するために使用できる。
先の実施例における如く、ノズル２５２及び２
５４は、これらノズルから流出する物質の流れが
基板と接触するときあるいは接触する前において
互いに集中ように配列され、かつこれらノズルは
相対移動方向に延びた基板上の直線に対し角度
90゜乃至30゜で基板に流動物質を向けるように配置
されている。
５４は、これらノズルから流出する物質の流れが
基板と接触するときあるいは接触する前において
互いに集中ように配列され、かつこれらノズルは
相対移動方向に延びた基板上の直線に対し角度
90゜乃至30゜で基板に流動物質を向けるように配置
されている。
この実施例からわかるように、１以上の別のノ
ズルが、所望ならば装置１０，１１０あるいは２
１０に追加できる。
ズルが、所望ならば装置１０，１１０あるいは２
１０に追加できる。
回転基板面は種々の形式を取ることができ、第
５図において、回転基板面３１４を有する車輪３
１２が示されており、この基板面３１４は、主要
成分物質及び改質剤物質の流れが向けられる環状
溝３１５を有する。環状溝３１５は半楕円あるい
は半円筒形横断面を有しており、それによつて車
輪３１４からのガラス物質リボンはほぼ楕円の横
断面を有する。
５図において、回転基板面３１４を有する車輪３
１２が示されており、この基板面３１４は、主要
成分物質及び改質剤物質の流れが向けられる環状
溝３１５を有する。環状溝３１５は半楕円あるい
は半円筒形横断面を有しており、それによつて車
輪３１４からのガラス物質リボンはほぼ楕円の横
断面を有する。
第６図において、ドラム形車輪４１２が示され
ており、この車輪４１２は、流動主要成分物質及
び流動改質剤物質の結合された流れが向けられる
内側円筒状基板形成面４１４を有する。
ており、この車輪４１２は、流動主要成分物質及
び流動改質剤物質の結合された流れが向けられる
内側円筒状基板形成面４１４を有する。
第７図において、車輪５１２が示されており、
この車輪５１２は、車輪５１２の一方の側の最大
直径５１５から他方の側の車輪５１２の最小直径
５１６まで延在する曲面である傾斜した基板面５
１４を有する。
この車輪５１２は、車輪５１２の一方の側の最大
直径５１５から他方の側の車輪５１２の最小直径
５１６まで延在する曲面である傾斜した基板面５
１４を有する。
金属スピニング装置１０，１１０あるいは２１
０において利用される車輪あるいはドラム上の移
動する基板面の形状は、第５図、第６図及び第７
図に示される如く変化可能であり、またここに示
していない他の形状及び寸法が可能である。例え
ば、流動主要成分物質及び流動改質剤物質用のノ
ズル２０及び４０の出口オリフイスが車輪１２の
回転軸と平行な方向により大きな長さを有すると
き、及び内側ノズルを囲む外側ノズル即ち同心の
隣接ノズルが上述の如き改質化アモルフアス・ガ
ラス物質の幅の広いリボンを得るとき、より幅の
広い円筒状基板面１４が提供できる。更に、平面
状の基板が相対運動を与えるため表示された基板
及び又はノズルに対し設けることができる。
０において利用される車輪あるいはドラム上の移
動する基板面の形状は、第５図、第６図及び第７
図に示される如く変化可能であり、またここに示
していない他の形状及び寸法が可能である。例え
ば、流動主要成分物質及び流動改質剤物質用のノ
ズル２０及び４０の出口オリフイスが車輪１２の
回転軸と平行な方向により大きな長さを有すると
き、及び内側ノズルを囲む外側ノズル即ち同心の
隣接ノズルが上述の如き改質化アモルフアス・ガ
ラス物質の幅の広いリボンを得るとき、より幅の
広い円筒状基板面１４が提供できる。更に、平面
状の基板が相対運動を与えるため表示された基板
及び又はノズルに対し設けることができる。
［発明の効果］
以上、詳述したように、本発明の改質化アモル
フアスガラス物質の製造方法によれば、広範な応
用の可能な、光学的及び電気的伝送特性並びに電
子配置の数及びタイプが制御可能な改質化アモル
フアスガラス物質のリボンを提供することが可能
となる。
フアスガラス物質の製造方法によれば、広範な応
用の可能な、光学的及び電気的伝送特性並びに電
子配置の数及びタイプが制御可能な改質化アモル
フアスガラス物質のリボンを提供することが可能
となる。
第１図は、本発明の方法を実施する装置の１実
施例の側面図である。第２図は、本発明の方法を
実施する装置の他の実施例の正面図である。第３
図は、第１図と同様な装置の他の実施例の側面図
である。第４図は、本発明の方法の実施に使用さ
れる同心状の第１及び第２のノズルを有する他の
実施例の断面図である。第５図は、回転基板の１
実施例の正面図である。第６図は、回転基板の他
の実施例の垂直断面図である。第７図は、傾斜面
を有する車輪の形式の回転基板の他の実施例の側
面図である。 １０……金属スピニング装置、１２……車輪、
１４……基板面、１６……原動機、１８……容
器、２０……ノズル、２２……コイル、２４……
ピストン、２８……流れ、３８……容器、４０…
…ノズル、４２……流れ、４４……コイル、５４
……ピストン、６０……リボン。
施例の側面図である。第２図は、本発明の方法を
実施する装置の他の実施例の正面図である。第３
図は、第１図と同様な装置の他の実施例の側面図
である。第４図は、本発明の方法の実施に使用さ
れる同心状の第１及び第２のノズルを有する他の
実施例の断面図である。第５図は、回転基板の１
実施例の正面図である。第６図は、回転基板の他
の実施例の垂直断面図である。第７図は、傾斜面
を有する車輪の形式の回転基板の他の実施例の側
面図である。 １０……金属スピニング装置、１２……車輪、
１４……基板面、１６……原動機、１８……容
器、２０……ノズル、２２……コイル、２４……
ピストン、２８……流れ、３８……容器、４０…
…ノズル、４２……流れ、４４……コイル、５４
……ピストン、６０……リボン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 冷却基板を提供する段階と、 前記基板上に主要成分物質を形成する段階と、 少なくとも１つの改質剤物質を含み、前記基板
に流れとなつて向かう少なくとも１つの流動物質
を、前記少なくとも１つの改質剤物質の前記流れ
が前記主要成分物質と集中するような方向に向け
る段階と、 前記流れの流量と冷却速度とを独立に制御する
段階と、 結合された主要成分物質と改質剤物質とを、こ
れらが互いに接触しているときに、前記基板が冷
却速度104℃／秒から少なくとも108℃／秒または
それ以上で冷却し、それにより光学的及び電気的
伝送特性並びに電子配置の数及びタイプが制御可
能な改質化アモルフアスガラス物質のリボンを提
供するように、前記基板と前記改質剤物質の流れ
との間に、相対運動を提供し、それにより前記主
要成分物質と改質剤物質との軌道関係を制御する
段階と、 を備える、改質化アモルフアスガラス物質の製造
方法。 ２ 前記主要成分物質と改質剤物質の前記流れと
が、前記主要成分物質が前記基板上に形成される
ときに結合される特許請求の範囲第１項に記載の
方法。 ３ 前記基板が1000から5000rpmの速度にて回転
する車輪である特許請求の範囲第１項に記載の方
法。 ４ 前記主要成分物質がノズルを介して吐出され
た流体物質から前記基板上に形成される特許請求
の範囲第２項に記載の方法。 ５ 前記ノズルが0.005から0.15cm又はそれ以上
の直径を有するオリフイスである特許請求の範囲
第４項に記載の方法。 ６ 前記主要成分物質が金属物質である特許請求
の範囲第１項に記載の方法。 ７ 前記主要成分物質が半導体物質である特許請
求の範囲第１項に記載の方法。 ８ 前記基板が車輪であつて、前記主要成分物質
と前記改質剤物質とは、基板の接線に対して30゜
から90゜の間の角度で流動物質を前記車輪へと向
ける第１と第２のノズルを介して、前記車輪の接
線の方へ向けられる特許請求の範囲第１項に記載
の方法。 ９ 前記車輪が前記集中する流れが向けられる滑
らかな外側円筒状周囲を有する特許請求の範囲第
８項に記載の方法。 １０ 前記方法は制御された雰囲気内にて行わ
れ、前記制御された雰囲気は、前記主要成分物質
内に少なくとも部分的に含まれる活性ガスを含む
特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １１ 前記主要成分物質が１つの遷移金属であ
り、且つ前記改質剤物質が他の遷移金属である特
許請求の範囲第１項に記載の方法。 １２ 改質剤、合金、あるいはドーパント物質の
如き追加の物質の第３の流れが、これらの流れが
前記基板と接触するとき、またはその前に、集中
し結合するように、主要成分物質の流れの方へ向
けられる特許請求の範囲第８項に記載の方法。 １３ 前記改質剤物質が溶融半導体である特許請
求の範囲第１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/185,528 US4339255A (en) | 1980-09-09 | 1980-09-09 | Method and apparatus for making a modified amorphous glass material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5778133A JPS5778133A (en) | 1982-05-15 |
| JPH0360575B2 true JPH0360575B2 (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=22681352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56140829A Granted JPS5778133A (en) | 1980-09-09 | 1981-09-07 | Modified amorphous glass substance |
Country Status (19)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4339255A (ja) |
| JP (1) | JPS5778133A (ja) |
| KR (1) | KR890003437B1 (ja) |
| AU (1) | AU546131B2 (ja) |
| BR (1) | BR8105744A (ja) |
| CA (1) | CA1203984A (ja) |
| DE (1) | DE3135374A1 (ja) |
| ES (2) | ES8302117A1 (ja) |
| FR (1) | FR2489843B1 (ja) |
| GB (1) | GB2083455B (ja) |
| IE (1) | IE52734B1 (ja) |
| IL (1) | IL63751A0 (ja) |
| IN (1) | IN157289B (ja) |
| IT (1) | IT1195054B (ja) |
| NL (1) | NL8104141A (ja) |
| PH (1) | PH17519A (ja) |
| SE (1) | SE454600B (ja) |
| SG (1) | SG35285G (ja) |
| ZA (1) | ZA815722B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4556287B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2010-10-06 | 株式会社Ｉｈｉ | リザーバ装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4485839A (en) * | 1980-10-22 | 1984-12-04 | Allegheny Ludlum Steel Corporation | Rapidly cast alloy strip having dissimilar portions |
| JPS57132372A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Univ Tohoku | Manufacture of p-n junction type thin silicon band |
| EP0111728A3 (de) * | 1982-11-12 | 1985-04-03 | Concast Standard Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung band- oder folienartiger Produkte |
| DE3515167A1 (de) * | 1985-04-26 | 1986-10-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung eines metallischen koerpers aus einer amorphen legierung |
| EP0230959A3 (en) * | 1986-01-21 | 1989-07-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Fabrication of atomically alloyed synthetic materials |
| US5032193A (en) * | 1986-01-21 | 1991-07-16 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making synthetically engineered materials |
| FR2636552B1 (fr) * | 1988-09-21 | 1990-11-02 | Michelin & Cie | Procedes et dispositifs pour obtenir des fils en alliages metalliques amorphes |
| US5176758A (en) * | 1991-05-20 | 1993-01-05 | United Solar Systems Corporation | Translucent photovoltaic sheet material and panels |
| EP0750050A4 (en) * | 1993-12-22 | 1997-09-24 | Toshiba Kk | HYDROGEN ABSORBENT ALLOY AND ALKALINE SECONDARY CELL USING THIS |
| US5665424A (en) * | 1994-03-11 | 1997-09-09 | Sherman; Dan | Method for making glass articles having a permanent protective coating |
| US5723172A (en) * | 1994-03-11 | 1998-03-03 | Dan Sherman | Method for forming a protective coating on glass |
| US7368023B2 (en) * | 2004-10-12 | 2008-05-06 | Wisconisn Alumni Research Foundation | Zirconium-rich bulk metallic glass alloys |
| DE102011079467A1 (de) * | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Behr Gmbh & Co. Kg | Thermoelektrisches Modul, Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Moduls und Verwendung eines metallischen Glases oder eines gesinterten Werkstoffes |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3427154A (en) * | 1964-09-11 | 1969-02-11 | Ibm | Amorphous alloys and process therefor |
| US4177473A (en) * | 1977-05-18 | 1979-12-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductor member and method of making the same |
| US4177474A (en) * | 1977-05-18 | 1979-12-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | High temperature amorphous semiconductor member and method of making the same |
| US4217374A (en) * | 1978-03-08 | 1980-08-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors |
| US4226898A (en) * | 1978-03-16 | 1980-10-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process |
| US4178415A (en) * | 1978-03-22 | 1979-12-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Modified amorphous semiconductors and method of making the same |
-
1980
- 1980-09-09 US US06/185,528 patent/US4339255A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-08-19 ZA ZA815722A patent/ZA815722B/xx unknown
- 1981-09-07 FR FR8116959A patent/FR2489843B1/fr not_active Expired
- 1981-09-07 PH PH26160A patent/PH17519A/en unknown
- 1981-09-07 SE SE8105280A patent/SE454600B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-09-07 IT IT23830/81A patent/IT1195054B/it active
- 1981-09-07 IL IL63751A patent/IL63751A0/xx not_active IP Right Cessation
- 1981-09-07 NL NL8104141A patent/NL8104141A/nl not_active Application Discontinuation
- 1981-09-07 GB GB8126964A patent/GB2083455B/en not_active Expired
- 1981-09-07 IN IN1006/CAL/81A patent/IN157289B/en unknown
- 1981-09-07 DE DE19813135374 patent/DE3135374A1/de active Granted
- 1981-09-07 JP JP56140829A patent/JPS5778133A/ja active Granted
- 1981-09-07 ES ES505271A patent/ES8302117A1/es not_active Expired
- 1981-09-07 KR KR1019810003331A patent/KR890003437B1/ko active
- 1981-09-08 AU AU75022/81A patent/AU546131B2/en not_active Ceased
- 1981-09-08 CA CA000385376A patent/CA1203984A/en not_active Expired
- 1981-09-08 BR BR8105744A patent/BR8105744A/pt unknown
-
1982
- 1982-07-26 ES ES514375A patent/ES8305840A1/es not_active Expired
-
1985
- 1985-05-09 SG SG352/85A patent/SG35285G/en unknown
-
1987
- 1987-09-07 IE IE2066/81A patent/IE52734B1/en unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4556287B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2010-10-06 | 株式会社Ｉｈｉ | リザーバ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES505271A0 (es) | 1982-12-16 |
| CA1203984A (en) | 1986-05-06 |
| KR830008408A (ko) | 1983-11-18 |
| DE3135374C2 (ja) | 1991-12-05 |
| IL63751A0 (en) | 1981-12-31 |
| DE3135374A1 (de) | 1982-09-16 |
| ZA815722B (en) | 1982-08-25 |
| AU7502281A (en) | 1982-03-18 |
| GB2083455B (en) | 1984-05-10 |
| IE52734B1 (en) | 1988-02-03 |
| US4339255A (en) | 1982-07-13 |
| KR890003437B1 (ko) | 1989-09-21 |
| IT1195054B (it) | 1988-10-12 |
| IN157289B (ja) | 1986-02-22 |
| IT8123830A0 (it) | 1981-09-07 |
| JPS5778133A (en) | 1982-05-15 |
| SG35285G (en) | 1985-11-15 |
| ES514375A0 (es) | 1983-04-16 |
| IE812066L (en) | 1982-03-09 |
| FR2489843A1 (fr) | 1982-03-12 |
| AU546131B2 (en) | 1985-08-15 |
| GB2083455A (en) | 1982-03-24 |
| ES8302117A1 (es) | 1982-12-16 |
| BR8105744A (pt) | 1982-05-25 |
| SE454600B (sv) | 1988-05-16 |
| FR2489843B1 (fr) | 1985-11-29 |
| PH17519A (en) | 1984-09-13 |
| ES8305840A1 (es) | 1983-04-16 |
| SE8105280L (sv) | 1982-03-10 |
| NL8104141A (nl) | 1982-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0360575B2 (ja) | ||
| Budhani et al. | Melt-spinning technique for preparation of metallic glasses | |
| US6041735A (en) | Inductively coupled plasma powder vaporization for fabricating integrated circuits | |
| US8545942B2 (en) | Method for producing clathrate compounds | |
| JPH0114170B2 (ja) | ||
| JPH0151523B2 (ja) | ||
| JPS605804A (ja) | 微小金属球の製造方法 | |
| JPH0360732A (ja) | 微粉末の製造方法と装置ならびにその利用方法 | |
| JP2001172704A (ja) | 金属フレークの製造方法 | |
| JPS5911164B2 (ja) | 超伝導体薄帯の製造方法および装置 | |
| US4913220A (en) | Apparatus and method for spill chilling rapidly solidified material | |
| JPS61135460A (ja) | フイラメント状無秩序材料の形成方法 | |
| JPH02145710A (ja) | 金属微粉末の製造方法 | |
| JPS61172654A (ja) | 急冷合金薄帯の製造方法 | |
| JPH0457609B2 (ja) | ||
| JPH0754018A (ja) | 金属の球状粒子の製造方法 | |
| JPH0356286B2 (ja) | ||
| RU2122601C1 (ru) | Способ изготовления изделий из износостойких, прочных и жаропрочных материалов | |
| JPH06192705A (ja) | 急冷凝固物品の製造方法 | |
| JPH0250055B2 (ja) | ||
| JPH0372003B2 (ja) | ||
| JPH0346408B2 (ja) | ||
| JPS58168461A (ja) | 磁性薄帯の製造方法 | |
| JPS5896844A (ja) | 超急冷Ｎｉ−Ｔｉ系形状記憶合金 | |
| JPS5889938A (ja) | 遠心噴霧用回転体 |