JPH0353202A - 希土類元素添加導波路の製造方法 - Google Patents
希土類元素添加導波路の製造方法Info
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- JPH0353202A JPH0353202A JP18756389A JP18756389A JPH0353202A JP H0353202 A JPH0353202 A JP H0353202A JP 18756389 A JP18756389 A JP 18756389A JP 18756389 A JP18756389 A JP 18756389A JP H0353202 A JPH0353202 A JP H0353202A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は希土類元素を添加したガラス導波路の製遣方法
に関するものである， ［従来の技術］ 光ファイバのコアに希土類元素を添加した光ファイバ増
幅器及びレーサーの研究が活発に行われるようになり、
光波通信用増幅器及びレーザーとして注目されるように
なってきた。
に関するものである， ［従来の技術］ 光ファイバのコアに希土類元素を添加した光ファイバ増
幅器及びレーサーの研究が活発に行われるようになり、
光波通信用増幅器及びレーザーとして注目されるように
なってきた。
従来、光ファイバ増幅器として第７１図に示すように、
希土類元素のＥｒを添加した光ファイバ２０内に信号光
を伝搬させ、この信号光の伝搬方向に対して励起光を光
ファイバカプラ２１を用いて合成し、反転分布状態を形
或させることにより、信号光を増幅させ、出力側より光
ファイバカプラ２２で励起光を分離させる方法が検討さ
れている（木村，中沢：光ファイバレーザーの発振特性
とその光通信への応用，レーザー学会研究会， ＲＴＨ
−８７−１６．１）ｌ）．３１〜３７． １９８８年１
月｝。
希土類元素のＥｒを添加した光ファイバ２０内に信号光
を伝搬させ、この信号光の伝搬方向に対して励起光を光
ファイバカプラ２１を用いて合成し、反転分布状態を形
或させることにより、信号光を増幅させ、出力側より光
ファイバカプラ２２で励起光を分離させる方法が検討さ
れている（木村，中沢：光ファイバレーザーの発振特性
とその光通信への応用，レーザー学会研究会， ＲＴＨ
−８７−１６．１）ｌ）．３１〜３７． １９８８年１
月｝。
［発明が解決しようとする課題］
光ファイバ増幅器及びレーザーは、（１）コア径が１０
μ個程度と細径であるため、励起パワー密度が大きくな
り励起効率が上がること、（２）相互作用長を長くとれ
ること、（３）石英系光ファイバの場合、非常に低損失
であること、などの特徴がある。しかしながら、半導体
レーザー．受光素子，光変調回路，光分岐・結合回路．
光スイッチ回路，光合分波回路などと共に実装したシス
テムを構成しようとする場合に、それぞれが個別部品で
あるので、小形化、低損失化がむずかしいといった問題
点がある。また、個別部品を個々に光軸調整して配置さ
せなければならないので、調整時間が膨大にかかり、コ
スト高になる．信頼性に問題がある，などの課題もあっ
た。
μ個程度と細径であるため、励起パワー密度が大きくな
り励起効率が上がること、（２）相互作用長を長くとれ
ること、（３）石英系光ファイバの場合、非常に低損失
であること、などの特徴がある。しかしながら、半導体
レーザー．受光素子，光変調回路，光分岐・結合回路．
光スイッチ回路，光合分波回路などと共に実装したシス
テムを構成しようとする場合に、それぞれが個別部品で
あるので、小形化、低損失化がむずかしいといった問題
点がある。また、個別部品を個々に光軸調整して配置さ
せなければならないので、調整時間が膨大にかかり、コ
スト高になる．信頼性に問題がある，などの課題もあっ
た。
本発明の目的は、前記した従来技術の問題点を解消し、
小形．低損失，多機能性を実現させるために、プレーナ
構造のガラス導波路の光伝搬部分であるコア導波路に希
土類元素を制御性良く添加させることができるガラス導
波路の製造方法を提供することにある， ［課題を解決するだめの手段］ 本発明の希土類元素添加導波路の製造方法は、次の各プ
ロセス（ａ）〜（ｄ）からなる。
小形．低損失，多機能性を実現させるために、プレーナ
構造のガラス導波路の光伝搬部分であるコア導波路に希
土類元素を制御性良く添加させることができるガラス導
波路の製造方法を提供することにある， ［課題を解決するだめの手段］ 本発明の希土類元素添加導波路の製造方法は、次の各プ
ロセス（ａ）〜（ｄ）からなる。
（ａ）希土類元素，屈折率制御用酸化物，Ｓ ｉ ０２
の粉末を混合し、固体化したタブレノトを電子ビーム蒸
着法により蒸発させて、低屈折率層を有する基板上に該
混合物のガラス膜を形成するプロセス、 （ｂ）前記基板を高温熱処理するプロセス、（ｃ）ホト
リソグラフィ，ドライエッチングプロセスにより前記ガ
ラス膜を略矩形状に加工するプロセス、 （ｄ）前記加工した膜全面に低屈折率のカラス膜を被覆
するプロセス。
の粉末を混合し、固体化したタブレノトを電子ビーム蒸
着法により蒸発させて、低屈折率層を有する基板上に該
混合物のガラス膜を形成するプロセス、 （ｂ）前記基板を高温熱処理するプロセス、（ｃ）ホト
リソグラフィ，ドライエッチングプロセスにより前記ガ
ラス膜を略矩形状に加工するプロセス、 （ｄ）前記加工した膜全面に低屈折率のカラス膜を被覆
するプロセス。
上記希土類元素としては、希土類元素の酸化物を用いた
り、Ｆを含んだ希土類元素を用いることができ、また、
上記希土類元素が２種類以上含まれていても良い。
り、Ｆを含んだ希土類元素を用いることができ、また、
上記希土類元素が２種類以上含まれていても良い。
［作用］
ガラス導波路の光伝搬部分であるコア部分に希土類元素
を添加して、レーザ．増幅器１あるいは増幅機能付きの
各種光回路を実現する際に、励起光の出力．導波路長が
定められている場合には希土類元素の添加量を制御する
必要がある．しかしながら、ガラス導波路中へ希土類元
素を制御よく添加させる製造方法はまだ報告されていな
い。
を添加して、レーザ．増幅器１あるいは増幅機能付きの
各種光回路を実現する際に、励起光の出力．導波路長が
定められている場合には希土類元素の添加量を制御する
必要がある．しかしながら、ガラス導波路中へ希土類元
素を制御よく添加させる製造方法はまだ報告されていな
い。
本発明は、低屈折率層の形成された基板上に、電子ビー
ム蒸着装置を用いて希土類元素を含むコア用ガラス膜を
形成させ、その後、高温熟処理．ホトリソグラフィ，ド
ライエッチング，及び低屈折率ガラス膜形或プロセスに
よりガラス導波路を製造する方法であり、特に、コア用
ガラス膜の形或方法に特徴がある．即ち、希土類元素，
屈折率制御用酸化物，及びＳｉ０２の粉末を混合し、ホ
ットプレス等で固めた後、焼結して、粒状，板状，ある
いは棒状のタブレットとし、このタブレットを電子ビ、
一ム蒸着法により、例えば１０−’〜１０−４１０『ｒ
の電子ビーム蒸着装置中の酸素雰囲気中で、蒸発させて
、コア用ガラス膜を形威させる方法である． ここで希土類元素としては、エルビウムＥｒ，ネオジム
Ｎｄ ，イヴテルビウムＹｂ，セリウムＣｅ．ホルミウ
ムＨｏ，ツリウムＴｎ＋等の１７元素の少なくも一種を
含んだものを言う。また屈折率制御用酸化物としては、
リンＰ，ゲルマニウムＧｅ，チタンＴ＋，アルミニウム
Ａｊ，亜鉛Ｚｎ，ホウ素Ｂ，フッ素Ｆ等を少なくも一種
含んだ酸化物を言う． ［実施例］ 第１図に本発明の希土類元素添加導波路の製造方法の実
施例を示す。同図（ａ）〜（１１）は製造方法の工程を
示したものである。
ム蒸着装置を用いて希土類元素を含むコア用ガラス膜を
形成させ、その後、高温熟処理．ホトリソグラフィ，ド
ライエッチング，及び低屈折率ガラス膜形或プロセスに
よりガラス導波路を製造する方法であり、特に、コア用
ガラス膜の形或方法に特徴がある．即ち、希土類元素，
屈折率制御用酸化物，及びＳｉ０２の粉末を混合し、ホ
ットプレス等で固めた後、焼結して、粒状，板状，ある
いは棒状のタブレットとし、このタブレットを電子ビ、
一ム蒸着法により、例えば１０−’〜１０−４１０『ｒ
の電子ビーム蒸着装置中の酸素雰囲気中で、蒸発させて
、コア用ガラス膜を形威させる方法である． ここで希土類元素としては、エルビウムＥｒ，ネオジム
Ｎｄ ，イヴテルビウムＹｂ，セリウムＣｅ．ホルミウ
ムＨｏ，ツリウムＴｎ＋等の１７元素の少なくも一種を
含んだものを言う。また屈折率制御用酸化物としては、
リンＰ，ゲルマニウムＧｅ，チタンＴ＋，アルミニウム
Ａｊ，亜鉛Ｚｎ，ホウ素Ｂ，フッ素Ｆ等を少なくも一種
含んだ酸化物を言う． ［実施例］ 第１図に本発明の希土類元素添加導波路の製造方法の実
施例を示す。同図（ａ）〜（１１）は製造方法の工程を
示したものである。
まず（ａ）に示すように、基板１（Ｓ
Ｇａ Ａｓ ，Ｓｉ ０２系カラス．ＬｉＮｂ０３，サ
ファイアなど）上にバッファ層２（屈折率Ｎｂ，たとえ
ばＳｉ０２．あるいはＳ１０２に屈折率制御用添加物と
してＢ，Ｐ，Ｔｉ ，Ｇｅ ，Ｆ，ＡＪＪｓｎなどを少
なくとも一種含んだもの）を数μ−〜１０数μ沼の厚み
に形或させる。
ファイアなど）上にバッファ層２（屈折率Ｎｂ，たとえ
ばＳｉ０２．あるいはＳ１０２に屈折率制御用添加物と
してＢ，Ｐ，Ｔｉ ，Ｇｅ ，Ｆ，ＡＪＪｓｎなどを少
なくとも一種含んだもの）を数μ−〜１０数μ沼の厚み
に形或させる。
次に（ｂ）に示すように、バッファ層２の上にコアガラ
スＷＡ３を数μｍ〜１０μ−形成し、その後、１０００
゜Ｃ前後の高温度で上記基板を熱処理する。
スＷＡ３を数μｍ〜１０μ−形成し、その後、１０００
゜Ｃ前後の高温度で上記基板を熱処理する。
ここで、コアガラス膜３の形成方法は第２図に示すよう
な電子ビーム蒸着法により行なう。すなわち、真空排気
系ｌ１によって高真空に保たれた電子ビーム蒸着装置７
内に蒸発源９を設け、この蒸発源９内にタブレット１０
を入れておく，このタブレット１０は、少なくとも希土
類元素．屈折率制御用酸化物、ＳｉＯ２の粉末を混合し
、ボヅ１〜プレスでかためた後、焼結して、粒状，板状
あるいは棒状のいずれかのタブレノトにしたものである
，コアガラス膜３内への希土類元素の添加量の＃Ｉ御は
上記粉末状態で調合する段階で行なうことができる。ま
た、コアガラス膜３の屈折率ｎＷ （ｎｗ＞ｎｂ）も
、上記端末状態で屈折率制御用酸化＃’ｌＪ （Ｔｉ
， Ｇｅ ， Ｐ， ＡＪＩ， Ｚｎ ， ＳｎＢ，Ｆ
などを少なくと，も一種含んだ酸化物）の量を調節する
ことによって制御することかできる。
な電子ビーム蒸着法により行なう。すなわち、真空排気
系ｌ１によって高真空に保たれた電子ビーム蒸着装置７
内に蒸発源９を設け、この蒸発源９内にタブレット１０
を入れておく，このタブレット１０は、少なくとも希土
類元素．屈折率制御用酸化物、ＳｉＯ２の粉末を混合し
、ボヅ１〜プレスでかためた後、焼結して、粒状，板状
あるいは棒状のいずれかのタブレノトにしたものである
，コアガラス膜３内への希土類元素の添加量の＃Ｉ御は
上記粉末状態で調合する段階で行なうことができる。ま
た、コアガラス膜３の屈折率ｎＷ （ｎｗ＞ｎｂ）も
、上記端末状態で屈折率制御用酸化＃’ｌＪ （Ｔｉ
， Ｇｅ ， Ｐ， ＡＪＩ， Ｚｎ ， ＳｎＢ，Ｆ
などを少なくと，も一種含んだ酸化物）の量を調節する
ことによって制御することかできる。
第２図において、タブレット１０の上方には基板ホルタ
８が設けられ、このポルダ８に基板（バッファ層２付き
）■が１０枚以上はりつけられている．基板ｌは基板ホ
ルダ８の上部に設けられた加熱装置（図示せず）により
、約３００〜３５０゜Ｃに加熟されている。そして高真
空に保たれた電子ビーム蒸着装置７内に酸素ガス１２を
送り込み、１０−３〜１０−’Ｔｏｒｒの真空度にしな
がら、蒸発＃９中のタブレット１０を電子ビーム（図示
せず）にまり苛発させ、基板１のバッファ層２表面全体
にコアカラスＰＩＡ３を形成させる方法である。
８が設けられ、このポルダ８に基板（バッファ層２付き
）■が１０枚以上はりつけられている．基板ｌは基板ホ
ルダ８の上部に設けられた加熱装置（図示せず）により
、約３００〜３５０゜Ｃに加熟されている。そして高真
空に保たれた電子ビーム蒸着装置７内に酸素ガス１２を
送り込み、１０−３〜１０−’Ｔｏｒｒの真空度にしな
がら、蒸発＃９中のタブレット１０を電子ビーム（図示
せず）にまり苛発させ、基板１のバッファ層２表面全体
にコアカラスＰＩＡ３を形成させる方法である。
第３図に上記第２図の方法により作或したコアガラス膜
の特性の一例を示す。これは、タブレット１０として、
Ｓ＋ ０２ ，Ｔ＋ ０２ ，Ｅｒ２０３の粉末を混合
したものを用い、Ｅｒ２０３の仕込み量を種々変えてコ
アガラス膜３を形成さぜた場合ののコアガラスｖＡＢ中
へのＥｒの添加濃度を分析した結果である。Ｅｒ２０３
の仕込み量に対してＥ「の添加濃度を制御できることを
示している。この結果からターゲットを作るＦＩ Ｐａ
でＥｒ２０３の量を調整しておくことにより、コアガラ
スＭ３中へのＥｒの添加量を制御できることがわかる．
次に、第１図（ｃ）に示すように、コアガラス膜３の上
にメタル４（たとえば、ＷＳｉｌｇ！）をスパッタリン
グ装置により形成させる． その後、メタルｖ４の上にボトレジスト膜５を塗布し、
１リベーク後、その上に所望のパターンを形成したガラ
スマスクをのせ、その上から紫外線を照肘することによ
り、ホトレジスト膜をパターン化させる（（ｄ）のホト
リソグラフィ冫。
の特性の一例を示す。これは、タブレット１０として、
Ｓ＋ ０２ ，Ｔ＋ ０２ ，Ｅｒ２０３の粉末を混合
したものを用い、Ｅｒ２０３の仕込み量を種々変えてコ
アガラス膜３を形成さぜた場合ののコアガラスｖＡＢ中
へのＥｒの添加濃度を分析した結果である。Ｅｒ２０３
の仕込み量に対してＥ「の添加濃度を制御できることを
示している。この結果からターゲットを作るＦＩ Ｐａ
でＥｒ２０３の量を調整しておくことにより、コアガラ
スＭ３中へのＥｒの添加量を制御できることがわかる．
次に、第１図（ｃ）に示すように、コアガラス膜３の上
にメタル４（たとえば、ＷＳｉｌｇ！）をスパッタリン
グ装置により形成させる． その後、メタルｖ４の上にボトレジスト膜５を塗布し、
１リベーク後、その上に所望のパターンを形成したガラ
スマスクをのせ、その上から紫外線を照肘することによ
り、ホトレジスト膜をパターン化させる（（ｄ）のホト
リソグラフィ冫。
次に（０）に示すように、ホトレジストｖ．５をマスク
にしてメタル膜４をドライエッチングによりパターン化
させる， その後、（ｆ）に示すように、ホトレジスト膜５．メタ
ル膜ｌ１をマスクにしてコアカラス１漠３をドライエッ
チングによりパターン化さぜる。
にしてメタル膜４をドライエッチングによりパターン化
させる， その後、（ｆ）に示すように、ホトレジスト膜５．メタ
ル膜ｌ１をマスクにしてコアカラス１漠３をドライエッ
チングによりパターン化さぜる。
ついで（ｇ）に示すように、ホトレジスト膜５，メタル
膜４を除去した後、コアカラス導波路３全体をクラッド
膜６（屈折率ｎＣ ， ｎｃ ＜ｎ１ｖ ）で被覆する
Ｎｈ））． 以上のようにして埋込み型のカラス導波路を製造する方
法である。
膜４を除去した後、コアカラス導波路３全体をクラッド
膜６（屈折率ｎＣ ， ｎｃ ＜ｎ１ｖ ）で被覆する
Ｎｈ））． 以上のようにして埋込み型のカラス導波路を製造する方
法である。
本発明の希土類元素添加樺波路の製造方法は」二記実施
例に限定されない。たとえば、リンシ形、盛土形、装荷
形などの導波路にも適用することかできる．また、希土
類元素として、上記Ｅｒ２０３のような酸化物以外に、
Ｅｒ Ｆ３ ，Ｎｄ Ｆ３などのＦを含んだ希土類元素
を用いると、希土類元素を多量に添加する場合に有効で
ある。すなわち、希土類元素を多量に添加すると、コア
カラス膜の屈折率が高くなるが、Ｆも同時に入ると、Ｆ
か屈折率を下げる役目をはたすので、わざわざ屈折率制
御用酸化物を入れなくてもよいというメリンｌ−がある
。
例に限定されない。たとえば、リンシ形、盛土形、装荷
形などの導波路にも適用することかできる．また、希土
類元素として、上記Ｅｒ２０３のような酸化物以外に、
Ｅｒ Ｆ３ ，Ｎｄ Ｆ３などのＦを含んだ希土類元素
を用いると、希土類元素を多量に添加する場合に有効で
ある。すなわち、希土類元素を多量に添加すると、コア
カラス膜の屈折率が高くなるが、Ｆも同時に入ると、Ｆ
か屈折率を下げる役目をはたすので、わざわざ屈折率制
御用酸化物を入れなくてもよいというメリンｌ−がある
。
なお、第ｌ図の製造方法において、基板ｌに８１０２基
板を用いた場合には、低屈折率Ｎ２は形成されていなく
てもよい。
板を用いた場合には、低屈折率Ｎ２は形成されていなく
てもよい。
また、第２図のコアガラス膜形成方法において、蒸発源
９はもう一つ設け、同一組或のタブレットを同時に蒸発
させるようにすれば、より短時間で膜形或を行なうこと
かができるので、有効な方法である。
９はもう一つ設け、同一組或のタブレットを同時に蒸発
させるようにすれば、より短時間で膜形或を行なうこと
かができるので、有効な方法である。
さらに、希土類元素として、少なくとも２Ｎの希土類元
素を粉末状態でＳｉ０２，屈折率制御用酸化物と共に混
合するようにすれば、螢光特性を改善することができる
．たとえば、Ｅｒ２０３，Ｙｂ２０３ ，Ｐ２ ０５
，Ｓｉ ０２の粉末を混合して作ったタブレット，Ｎｄ
２０３ ，Ｙｂ２０３ ，Ｔ＋ ０２ ，Ｓｉ ０２の
粉末を混合して作ったタブレット， Ｆ，ｒ Ｆ３ ，
Ｎｄ２０３ ， Ｃｒ２０３ ，Ｐ２ ０５ ，Ｓｉ
０２の粉末を混合して作ったタブレットなどを用いる
ことができる。
素を粉末状態でＳｉ０２，屈折率制御用酸化物と共に混
合するようにすれば、螢光特性を改善することができる
．たとえば、Ｅｒ２０３，Ｙｂ２０３ ，Ｐ２ ０５
，Ｓｉ ０２の粉末を混合して作ったタブレット，Ｎｄ
２０３ ，Ｙｂ２０３ ，Ｔ＋ ０２ ，Ｓｉ ０２の
粉末を混合して作ったタブレット， Ｆ，ｒ Ｆ３ ，
Ｎｄ２０３ ， Ｃｒ２０３ ，Ｐ２ ０５ ，Ｓｉ
０２の粉末を混合して作ったタブレットなどを用いる
ことができる。
本発明の製造方法によって作った希土類元素添加導波路
を使うことにより、種々の光デバイスを実現することが
できる。たとえば、レーザー、増幅器、増幅機能付きの
光スターカプラ、光合分波器、光スイッチなど、さらに
は上記各種光デバイスを組み合せた光機能デバイスなど
である．［発明の効果］ 以上のように本発明は、希土類元素，屈折率制御用添加
物、ＳｉＯ２の粉末を混合し、ホットプレスでかためた
後、焼結してタブレットにしたものを電子ビーム蒸着装
置で蒸発させる方法を用いることにより、ブレーナｍ造
のガラス導波路のコア内に希土類元素を制御性良く添加
させることができる。その結果、小型．低損失．多機能
性をもった光デバイスを実現することができる．
を使うことにより、種々の光デバイスを実現することが
できる。たとえば、レーザー、増幅器、増幅機能付きの
光スターカプラ、光合分波器、光スイッチなど、さらに
は上記各種光デバイスを組み合せた光機能デバイスなど
である．［発明の効果］ 以上のように本発明は、希土類元素，屈折率制御用添加
物、ＳｉＯ２の粉末を混合し、ホットプレスでかためた
後、焼結してタブレットにしたものを電子ビーム蒸着装
置で蒸発させる方法を用いることにより、ブレーナｍ造
のガラス導波路のコア内に希土類元素を制御性良く添加
させることができる。その結果、小型．低損失．多機能
性をもった光デバイスを実現することができる．
第１図は本発明の希土類元素添加導波路の製造方法の実
施例を示す図、第２図は本発明の希土類元素添加コアガ
ラス膜の製造方法の実施例を示す図、第３図は第２図の
方法を用いて得た希土類元素添加濃度の制御結果の一例
を示した図、第４図は従来の光ファイバ増幅器の概略図
である。 図中、１は基板、２はバッファ層、３はコアガラス膜、
４はメタル膜、５はホトレジスト膜、６はクラッド膜、
７は電子ビーム蒸着装置、８は基板ホルダ、９は蒸発源
、１０はタブレｙト、１２は酸素ガスを示す．
施例を示す図、第２図は本発明の希土類元素添加コアガ
ラス膜の製造方法の実施例を示す図、第３図は第２図の
方法を用いて得た希土類元素添加濃度の制御結果の一例
を示した図、第４図は従来の光ファイバ増幅器の概略図
である。 図中、１は基板、２はバッファ層、３はコアガラス膜、
４はメタル膜、５はホトレジスト膜、６はクラッド膜、
７は電子ビーム蒸着装置、８は基板ホルダ、９は蒸発源
、１０はタブレｙト、１２は酸素ガスを示す．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、次の各プロセス（ａ）〜（ｄ）からなる希土類元素
添加導波路の製造方法 （ａ）希土類元素、屈折率制御用酸化物、 ＳｉＯ２の粉末を混合し、固体化したタブレットを電子
ビーム蒸着法により蒸発させて、低屈折率層を有する基
板上に該混合物のガラス膜を形成するプロセス、 （ｂ）前記基板を高温熱処理するプロセス、（ｃ）ホト
リソグラフィ、ドライエッチングプロセスにより前記ガ
ラス膜を略矩形状に加工するプロセス、 （ｄ）前記加工した膜全面に低屈折率のガラス膜を被覆
するプロセス。 ２、上記希土類元素として希土類元素の酸化物を用いた
ことを特徴とする請求項１記載の希土類元素添加導波路
の製造方法。 ３、上記希土類元素としてＦを含んだ希土類元素を用い
たことを特徴とする請求項１記載の希土類元素添加導波
路の製造方法。 ４、上記希土類元素は２種類以上含まれていることを特
徴とする請求項１記載の希土類元素添加導波路の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18756389A JPH0353202A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18756389A JPH0353202A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353202A true JPH0353202A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16208275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18756389A Pending JPH0353202A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353202A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422906A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Hitachi Cable Ltd | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
| JPH06216456A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 導波型ガラスレーザの製造方法 |
| JPH07196334A (ja) * | 1993-02-17 | 1995-08-01 | Canada | 感光性を増大した光ファイバおよびその製造法 |
| CN1300638C (zh) * | 2004-11-25 | 2007-02-14 | 上海交通大学 | 用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146504A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-05 | Fujikura Ltd | 非線形光導波路の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP18756389A patent/JPH0353202A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146504A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-05 | Fujikura Ltd | 非線形光導波路の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422906A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Hitachi Cable Ltd | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
| JPH06216456A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 導波型ガラスレーザの製造方法 |
| JPH07196334A (ja) * | 1993-02-17 | 1995-08-01 | Canada | 感光性を増大した光ファイバおよびその製造法 |
| JP3011308B2 (ja) * | 1993-02-17 | 2000-02-21 | カナダ | 感光性を増大した光ファイバの製造法 |
| CN1300638C (zh) * | 2004-11-25 | 2007-02-14 | 上海交通大学 | 用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法 |
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