JPH0352785A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH0352785A JPH0352785A JP1189449A JP18944989A JPH0352785A JP H0352785 A JPH0352785 A JP H0352785A JP 1189449 A JP1189449 A JP 1189449A JP 18944989 A JP18944989 A JP 18944989A JP H0352785 A JPH0352785 A JP H0352785A
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- JP
- Japan
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- laser light
- laser
- light source
- laser beam
- circuit pattern
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Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザ加工装置、特に回路パターンの修正に
適用しうるレーザ加工装置に関する。
適用しうるレーザ加工装置に関する。
従来のレーザ加工装置としては、例えば日本塑性学会誌
（塑性と加工）第２７巻３０７号Ｐ．９２８−Ｐ．９３
３に示されているように、レーザ光の走査手段上にエン
コーダを設けたレーザ加工装置がある。
（塑性と加工）第２７巻３０７号Ｐ．９２８−Ｐ．９３
３に示されているように、レーザ光の走査手段上にエン
コーダを設けたレーザ加工装置がある。
第２図は従来のレーザ加工装置を示す斜視図である。第
２図に示すレーザ加工装置は、ＹＡＧレーザ光源３０と
、ビームエクスバンダ３１と、ｘｙステージ３２と、ｘ
ｙステージ３２のＸ軸及びｙ軸それぞれの移動量を計測
するＸ軸リニアエンコーダ３３及びｙ軸リニアエンコー
ダ３４と、ｘｙステージ３２のＸ軸及びｙ軸上にそれぞ
れ設けられたミラー３５及びミラー３６と、集光レンズ
３７と、テーブル３８と、Ｘ軸リニアエンコーダ３３及
びｙ軸二ニアエンコーダ３４の出力をそ？ぞれカウント
するＸ軸カウンター３９及びｙ軸カウンター４０と、Ｘ
ｙステージ３２の移動量を指令する指令部４１と、指令
部４１からの信号とＸ軸及びｙ軸のカウンター３９及び
４０からの信号の差を計算し、’ｘｙステージ３２に駆
動の指令を出力するＸ軸コントローラ４２及びｙ軸コン
トローラ４３と、を含んで構或される。
２図に示すレーザ加工装置は、ＹＡＧレーザ光源３０と
、ビームエクスバンダ３１と、ｘｙステージ３２と、ｘ
ｙステージ３２のＸ軸及びｙ軸それぞれの移動量を計測
するＸ軸リニアエンコーダ３３及びｙ軸リニアエンコー
ダ３４と、ｘｙステージ３２のＸ軸及びｙ軸上にそれぞ
れ設けられたミラー３５及びミラー３６と、集光レンズ
３７と、テーブル３８と、Ｘ軸リニアエンコーダ３３及
びｙ軸二ニアエンコーダ３４の出力をそ？ぞれカウント
するＸ軸カウンター３９及びｙ軸カウンター４０と、Ｘ
ｙステージ３２の移動量を指令する指令部４１と、指令
部４１からの信号とＸ軸及びｙ軸のカウンター３９及び
４０からの信号の差を計算し、’ｘｙステージ３２に駆
動の指令を出力するＸ軸コントローラ４２及びｙ軸コン
トローラ４３と、を含んで構或される。
ＹＡＧレーザ光源３０より出射されたレーザ光は、ビー
ムエクスパンダ３１より平行光にコリメートされ、Ｘ軸
上に設置されたミラー３５に入射する。■ラー３５でｘ
ｙ平面内で直角に反射され、ｙ軸上に設置されたミラー
３６に入射し、Ｘｙ平面に対し直角に反射される。次に
集光レンズ３７に入射し、テーブル３８上で焦点を結ぶ
。このときミラー３５及び３６を移動させることにより
テーブル３８上のレーザ光をテーブル３８の平面内で走
査し、テーブル３８上の被加工物に加工を行う。加工を
行う位置、すなわちレーザ光の位置はｘｙステージ３２
上の２つのミラー３５及び３６の位置で決まり、この位
置はｘｙステージ３２の各軸上に設置されるリニアエン
コーダ３３及び３４により計測される。
ムエクスパンダ３１より平行光にコリメートされ、Ｘ軸
上に設置されたミラー３５に入射する。■ラー３５でｘ
ｙ平面内で直角に反射され、ｙ軸上に設置されたミラー
３６に入射し、Ｘｙ平面に対し直角に反射される。次に
集光レンズ３７に入射し、テーブル３８上で焦点を結ぶ
。このときミラー３５及び３６を移動させることにより
テーブル３８上のレーザ光をテーブル３８の平面内で走
査し、テーブル３８上の被加工物に加工を行う。加工を
行う位置、すなわちレーザ光の位置はｘｙステージ３２
上の２つのミラー３５及び３６の位置で決まり、この位
置はｘｙステージ３２の各軸上に設置されるリニアエン
コーダ３３及び３４により計測される。
上述した従来のレーザ加工装置は、被加工物上でのレー
ザ光の位置すなわち加工位置のデータを指令部に入力す
ることにより、レーザ光を走査するためのミラーを移動
させて加工を行っている。
ザ光の位置すなわち加工位置のデータを指令部に入力す
ることにより、レーザ光を走査するためのミラーを移動
させて加工を行っている。
回路パターンの修正等に適用する場合は、あらかじめ修
正する箇所の位置を調べ、その座標位置データを入力す
る必要があった。しかしながら、この座標位置データに
はレーザ加工装置に固有の誤差要因、すなわちミラーを
移動させるｘｙステージの機械的誤差及びレンズの収差
等が含まれていないため、加工位置にズレが生ずるとい
う欠点があった。
正する箇所の位置を調べ、その座標位置データを入力す
る必要があった。しかしながら、この座標位置データに
はレーザ加工装置に固有の誤差要因、すなわちミラーを
移動させるｘｙステージの機械的誤差及びレンズの収差
等が含まれていないため、加工位置にズレが生ずるとい
う欠点があった。
大容量メモリデバイス等の回路パターンのレーザトリミ
ングを行う場合のように高精度なレ→ザ加工の需要が増
加しているが、上述の欠点は高精度レーザ加工に致命的
なものである。
ングを行う場合のように高精度なレ→ザ加工の需要が増
加しているが、上述の欠点は高精度レーザ加工に致命的
なものである。
本発明のレーザ加工装置は、第１のレーザ光源と、前記
レーザ光源と発振波長の異なる第２のレーザ光源と、前
記第１，第２のレーザ光源より発せられる第１，第２の
レーザ光を２次元面内に走査する走査手段と、走査され
るレーザ光軸に対し直角な面内に設置されたテーブルと
、前記第１，第２のレーザ光を透過し、前記テーブル上
に設置される被加工物上で反射する第２のレーザ光を直
角に反射する光分割器と、前記光分割器により反射され
たレーザ光の強さを検出するホトディテクタと、このホ
トディテクタの出力が前記走査手段に対応する設計デー
タと異るときに前記第１のレーザ光源のレーザ光を出射
させる手段とを含んで構或される。
レーザ光源と発振波長の異なる第２のレーザ光源と、前
記第１，第２のレーザ光源より発せられる第１，第２の
レーザ光を２次元面内に走査する走査手段と、走査され
るレーザ光軸に対し直角な面内に設置されたテーブルと
、前記第１，第２のレーザ光を透過し、前記テーブル上
に設置される被加工物上で反射する第２のレーザ光を直
角に反射する光分割器と、前記光分割器により反射され
たレーザ光の強さを検出するホトディテクタと、このホ
トディテクタの出力が前記走査手段に対応する設計デー
タと異るときに前記第１のレーザ光源のレーザ光を出射
させる手段とを含んで構或される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
第１図に示すレーザ加工装置は、ＹＡＧレーザ光源１と
、ＹＡＧレーザ光源１と直角に配置され−５ るＨｅ−Ｎｅレーザ光源２と、ＹＡＧレーザ光源１より
出射されたＹＡＧレーザ光３の光軸と、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザ光源２より出射されたＨ ｅ − Ｎ ｅレーザ光４
との光軸な重ねるビームスプリッタ５と、重ねられたレ
ーザ光のビーム径を広げるビームエクスパンダ６と、Ｘ
ｙステージ７と、ビームスプリッタ５で重ねられたレー
ザ光を入射し、Ｘｙステージ７のＸ軸上に設置されるミ
ラー８と、ミラー８によりｘｙ平面内で直角に反射され
るレーザ光を入射し、ｘｙステージ７のｙ軸上に設置さ
れるミラー９と、ミラー９によりｘｙステージ７のなす
ｘｙ平面に対し直角に反射されるレーザ光を入射する集
光レンズ１０と、集光レンズ１０により集光された光が
走査するテーブル１１と、集光レンズ１０とテーブル１
１との間に、設置され、ＹＡＧレーザ光３及びＨｅ−Ｎ
ｅレーザ光４を透過し、テーブル１１上にセットした被
加工物上で反射して、もどってくるＨｅ−Ｎｅレーザ光
４を直角に反射するビームスブリッタ１２と、ビームス
プリッタ１２により直角に反射されたＨ ｅ − Ｎ
ｅ一６− レーザ光４を入射する集光レンズ１３と、集光レンズ１
３で集光される光の焦点位置に設置されるホトディテク
タ１４と、ホトディテクタ１４の出力を増幅するアンプ
１５と、アンプ１５の出力と被加工物のパターンデータ
とを比較する比較器１６と、比較器１６の出力するデー
タを入力しＹＡＧレーザ光源のオン・オフを制御するＹ
ＡＧレーザコントローラ１７と、Ｘｙステージに動作の
指令を出力する指令部１８と、指令部１８の指令により
ｘｙステージ７のモータを駆動させるモータドライバ１
９とを含んでいる。
、ＹＡＧレーザ光源１と直角に配置され−５ るＨｅ−Ｎｅレーザ光源２と、ＹＡＧレーザ光源１より
出射されたＹＡＧレーザ光３の光軸と、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザ光源２より出射されたＨ ｅ − Ｎ ｅレーザ光４
との光軸な重ねるビームスプリッタ５と、重ねられたレ
ーザ光のビーム径を広げるビームエクスパンダ６と、Ｘ
ｙステージ７と、ビームスプリッタ５で重ねられたレー
ザ光を入射し、Ｘｙステージ７のＸ軸上に設置されるミ
ラー８と、ミラー８によりｘｙ平面内で直角に反射され
るレーザ光を入射し、ｘｙステージ７のｙ軸上に設置さ
れるミラー９と、ミラー９によりｘｙステージ７のなす
ｘｙ平面に対し直角に反射されるレーザ光を入射する集
光レンズ１０と、集光レンズ１０により集光された光が
走査するテーブル１１と、集光レンズ１０とテーブル１
１との間に、設置され、ＹＡＧレーザ光３及びＨｅ−Ｎ
ｅレーザ光４を透過し、テーブル１１上にセットした被
加工物上で反射して、もどってくるＨｅ−Ｎｅレーザ光
４を直角に反射するビームスブリッタ１２と、ビームス
プリッタ１２により直角に反射されたＨ ｅ − Ｎ
ｅ一６− レーザ光４を入射する集光レンズ１３と、集光レンズ１
３で集光される光の焦点位置に設置されるホトディテク
タ１４と、ホトディテクタ１４の出力を増幅するアンプ
１５と、アンプ１５の出力と被加工物のパターンデータ
とを比較する比較器１６と、比較器１６の出力するデー
タを入力しＹＡＧレーザ光源のオン・オフを制御するＹ
ＡＧレーザコントローラ１７と、Ｘｙステージに動作の
指令を出力する指令部１８と、指令部１８の指令により
ｘｙステージ７のモータを駆動させるモータドライバ１
９とを含んでいる。
ＹＡＧレーザ光源１とＨ ｅ − Ｎ ｅレーザ光源２
は互いに直角に配置され、それぞれの出射光はビームス
プリッタ５に入射し、同一の光軸に重ね合わせビームエ
クスパンダ６に入射する。レーザ光は千行光にコリメー
トされ、ｘｙステージ７上にミラー８に入射し、直角に
反射されてミラー９に入射する。ここでｘｙステージの
なすｘｙ平面と直角に反射され集光レンズ１０に入射し
、ビームスプリッタ１２を透過してテーブル１１上にセ
ットされる被加工物上で合焦する。被加工物上に反射さ
れたＨｅ−Ｎｅレーザ光４は光軸を逆に進みビームスプ
リッタ１２で直角に反射されて、集光レンズ１３に入射
し、ホトディテクタ１４上に集光される。被加工物のＨ
ｅ−Ｎｅレーザ光４が合焦している位置が回路パターン
が形威されている位置である場合と、回路パターンがな
い位置である場合とで、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光４の反射率
が異なるため、ホトディテクタ１４に入射するレーザ光
量が異なり、回路パターンの有無が検出できる。
は互いに直角に配置され、それぞれの出射光はビームス
プリッタ５に入射し、同一の光軸に重ね合わせビームエ
クスパンダ６に入射する。レーザ光は千行光にコリメー
トされ、ｘｙステージ７上にミラー８に入射し、直角に
反射されてミラー９に入射する。ここでｘｙステージの
なすｘｙ平面と直角に反射され集光レンズ１０に入射し
、ビームスプリッタ１２を透過してテーブル１１上にセ
ットされる被加工物上で合焦する。被加工物上に反射さ
れたＨｅ−Ｎｅレーザ光４は光軸を逆に進みビームスプ
リッタ１２で直角に反射されて、集光レンズ１３に入射
し、ホトディテクタ１４上に集光される。被加工物のＨ
ｅ−Ｎｅレーザ光４が合焦している位置が回路パターン
が形威されている位置である場合と、回路パターンがな
い位置である場合とで、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光４の反射率
が異なるため、ホトディテクタ１４に入射するレーザ光
量が異なり、回路パターンの有無が検出できる。
Ｈｅ−Ｎｅレーザ光は、指令部１８からの信号によりモ
ータドライバ１９を経て駆動されるミラー８，ミラー９
により被加工物上を走査する。
ータドライバ１９を経て駆動されるミラー８，ミラー９
により被加工物上を走査する。
このときホトディテクタ１４の出力により回路パターン
の有無を検出し、比較器１６にて回路パターンの設計デ
ータ１８と比較し、設計データ１８と異なるとき比較器
１６よりＹＡＧレーザコントローラ１７に信号を出力す
る。ＹＡＧレーザ光源１７は比較器１６の信号を受けた
ときレーザを出射し回路パターンのトリミングを行う。
の有無を検出し、比較器１６にて回路パターンの設計デ
ータ１８と比較し、設計データ１８と異なるとき比較器
１６よりＹＡＧレーザコントローラ１７に信号を出力す
る。ＹＡＧレーザ光源１７は比較器１６の信号を受けた
ときレーザを出射し回路パターンのトリミングを行う。
本発明のレーザ加工装置は、被加工物上をＨｅ−Ｎｅレ
ーザ光等の第２のレーザ光で走査し、被加工物上のパタ
ーンの欠陥を検出し、検出した時点で第２のレーザ光と
同一の光軸をもつＹＡＧレーザ光等の第１のレーザ光を
出射し修正加工を行うため、修正加工を短時間に精度よ
く行えるという効果がある。
ーザ光等の第２のレーザ光で走査し、被加工物上のパタ
ーンの欠陥を検出し、検出した時点で第２のレーザ光と
同一の光軸をもつＹＡＧレーザ光等の第１のレーザ光を
出射し修正加工を行うため、修正加工を短時間に精度よ
く行えるという効果がある。
第ｌ図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は従来
のレーザ加工装置を宗す斜視図である。 １・・・・・・ＹＡＧレーザ光源、２・・・・・・Ｈ
ｅ − Ｎ ｅレーザ光源、５．１２・・・・・・ビー
ムスプリツタ、７・・・・・・ｘｙステージ、１０，１
３・・・・・・集光レンズ、１１・・・・・・テーブル
、１４・・・・・・ホトディテクタ、１６・・・・・・
比較器、ｌ７・・・・・・ＹＡＧレーザコントローラ。
のレーザ加工装置を宗す斜視図である。 １・・・・・・ＹＡＧレーザ光源、２・・・・・・Ｈ
ｅ − Ｎ ｅレーザ光源、５．１２・・・・・・ビー
ムスプリツタ、７・・・・・・ｘｙステージ、１０，１
３・・・・・・集光レンズ、１１・・・・・・テーブル
、１４・・・・・・ホトディテクタ、１６・・・・・・
比較器、ｌ７・・・・・・ＹＡＧレーザコントローラ。
Claims (1)
- 第１のレーザ光源と、前記レーザ光源と発振波長の異な
る第２のレーザ光源と、前記第１，第２のレーザ光源よ
り発せられる第１，第２のレーザ光を２次元面内に走査
する走査手段と、走査されるレーザ光軸に対し直角な面
内に設置されたテーブルと、前記第１，第２のレーザ光
を透過し、前記テーブル上に設置される被加工物上で反
射する第２のレーザ光を直角に反射する光分割器と、前
記光分割器により反射されたレーザ光の強さを検出する
ホトディテクタと、このホトディテクタの出力が前記走
査手段に対応する設計データと異るときに前記第１のレ
ーザ光源のレーザ光を出射させる手段とを含むことを特
徴とするレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189449A JPH0352785A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189449A JPH0352785A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352785A true JPH0352785A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16241437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1189449A Pending JPH0352785A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352785A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07504787A (ja) * | 1992-06-30 | 1995-05-25 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | フラット回路ユニットの機能調整装置および方法 |
| WO2016151712A1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 技術研究組合次世代３Ｄ積層造形技術総合開発機構 | 光加工ヘッド、光加工装置、その制御方法及び制御プログラム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56157830A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-05 | Toshiba Corp | Laser machining apparatus |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP1189449A patent/JPH0352785A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56157830A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-05 | Toshiba Corp | Laser machining apparatus |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07504787A (ja) * | 1992-06-30 | 1995-05-25 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | フラット回路ユニットの機能調整装置および方法 |
| WO2016151712A1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 技術研究組合次世代３Ｄ積層造形技術総合開発機構 | 光加工ヘッド、光加工装置、その制御方法及び制御プログラム |
| JP6091652B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2017-03-08 | 技術研究組合次世代３Ｄ積層造形技術総合開発機構 | 光加工ヘッド、光加工装置、その制御方法及び制御プログラム |
| US9959613B2 (en) | 2015-03-20 | 2018-05-01 | Technology Research Association For Future Additive Manufacturing | Optical Processing head, optical processing apparatus, and control method and control program of optical processing apparatus |
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