JPH04181920A

JPH04181920A - 液晶電気光学装置

Info

Publication number: JPH04181920A
Application number: JP2312533A
Authority: JP
Inventors: Toshimitsu Konuma; 利光小沼; Akira Mase; 晃間瀬; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Misao Yagi; 操八木; Hitoshi Kondo; 仁近藤; Mika Tadokoro; 田所　美加; Hiroko Konuma; 裕子小沼; Hiroshi Sugiyama; 弘杉山; Toshimitsu Hagiwara; 利光萩原
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; Takasago International Corp; Takasago Perfumery Industry Co
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; Takasago International Corp
Priority date: 1990-11-16
Filing date: 1990-11-16
Publication date: 1992-06-29
Anticipated expiration: 2015-08-21
Also published as: US5827448A; JP3078573B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、液晶表示素子や液晶光シャッターアレイ等の
液晶電気光学装置に関し、更に詳しくは液晶分子の初期
配向状態を改善することにより表示ならびに駆動特性を
改善した液晶電気光学装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来の液晶電気光学装置としてはツィステッド・ネマチ
ック（ｔｗｉｓｔｅｄ　ｎｅｍｅｔｉｃ）液晶組成物を
用いたものがよく知られている。しかし、このＴＮ液晶
は、近年の情報量の増加要求に答えるべく、画素数を多
くしたマトリクス電極構造を用いた時分割駆動を行なっ
た際、クロストークを発生し、コントラスト比の低下を
招き、表示品質を落とすという問題点があるため、構成
可能な画素数か制限されていた。

そこで、前記クロストークを改善するために、各画素に
薄膜トランジスタによるスイッチング素子を接続し、各
画素毎にスイッチングするアクティブマトリクス方式の
表示素子か提案され、実施されている。しかしながら、
大面積の基板上に薄膜トランジスタを何十万個も形成す
る工程は、極めて煩雑な上、さらにその製造コスト製造
歩留り等の要因により大面積の表示素子を作成すること
が難しいという問題点かある。

これらの問題点を解決するものとして、クラークらによ
り米国特許第４３６７９２４号公報で強誘電性液晶素子
が提案され、公知となっている。

第３図は強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例を
模式的に描いたものである。１１と１１°は、Ｉｎ２Ｏ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ
）等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラス
板）であり、その間に液晶分子層１２がガラス面に垂直
になるよう配向したＳｍＣ”相又は、他の強誘電性を示
す液晶相か封入されている。この液晶電気光学装置にお
いて強誘電性液晶分子か第４図に示すように、スメクチ
ック層の層の法線方向に対して十〇傾いた第１の状態（
１）と−θ傾いた第２の状態（Ｉ［）を取る。

この二つの状態間を外部より電界を加えて、強誘電性液
晶分子をスイッチさせることにより発生する複屈折効果
の違いにより表示を行うものであった。

この時強誘電性液晶分子を第１の状態（１）より第２の
状態（Ｉｔ）へかえる為にスメクチック層に対して垂直
方向に例えば正の電界を加えることにより成される。ま
た逆に第２の状態（ＩＩ）より第１の状態（Ｉ）へ反転
させる為には、逆に負の電界を加えることにより成され
るものであった。

すなわち外部より印加される電界の向きをかえることに
より強誘電性液晶分子の取る２状態を変化させそれに伴
って生じる電気光学効果の違いを利用するものであった
。

さらにこの外部より印加する電界を除去しても強誘電性
液晶分子はその状態を安定に保っており第１と第２の双
安定なメモリー性を持っていた。

その為、この強誘電性液晶を用いた液晶電気光学装置を
駆動する信号波形としては両極性パルス列となっており
、パルス極性の切り替わる方向により強誘電性液晶分子
の取る２状態間をスイッチングしていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このような強誘電性液晶を用いた電気光学装置において
は、装置全体において均一な駆動特性が当然ながら要求
される。そのために、液晶電気光学装置全体にわたって
欠陥のない、均一な液晶相すなわちモノドメインを全体
に形成することを、目標として従来より技術開発がなさ
れてきた。

しかしながら、液晶材料特にスメクチックの層構造を持
つ強誘電性液晶は配向膜についた微少なキズや液晶駆動
用の電極の凹凸段差や、液晶装置の基板間隔を一定に保
持するためのスペーサーその他種々の原因により層構造
に欠陥が発生し、均一なモノドメインが得られない。そ
の為に従来は液晶電気光学装置セルの端部より、液晶を
一次元結晶成長させる方法（温度勾配）によりセル全体
にモノドメインを成長させることか試みられていた。し
かしなから液晶電気光学装置か大面積化した場合この方
法は適用不可能てあった。すなわちこの方法によって実
現されるモノドメインの大きさは最大数十ミリ角程度で
あり大面積化して工業的に使用することは不可能であっ
た。

また仮に使用可能な大きさのモノドメインか実現された
としても、強誘電性液晶材料が持つ性質として液晶材料
か基板に平行に配列せず、一定の傾きを持つ配列を取る
ため強誘電性液晶の層構造が曲かったり、折れたりする
。そのためにジグサグ欠陥がドメイン中に発生し、表示
性、駆動特性に不均一さが発生する問題かあった。

〔発明の構成〕

本発明は、透光性でありかつ少なくともその表面に絶縁
性を有する基板上に、電極およびリードと、液晶組成物
の光学的方向を少なくとも初期に一定方向に配列させる
ための配向手段とを有する第一の基板と、透光性であり
かつ少なくともその表面に絶縁性を有する基板上に、電
極およびリードを有する第二の基板間に強誘電性を示す
液晶を含む液晶組成物が挟持される液晶電気光学装置に
おいて、その液晶組成物の取る初期配向状態をモノドメ
インではなく、微小なドメインか存在するマルチマイク
ロドメイン状態とすることを特徴とするものであります
。

従来スメクチック相において、ランダムな方向にバトネ
か成長している状態をマルチドメインと定義している。

本発明におけるマルチマイクロドメインとは、この状態
とは異なり、各ドメインか光学的にほぼ共通の一軸性を
維持しており、かつそのドメインか非常に微小な構造と
して観察される。このドメインは特に層方向に数μｍ〜
数十μｍの短径を有し、層に垂直な長径は短径の５〜５
００倍である。

本発明者らは、この新しい思想のもとに鋭意努力した結
果、所定の構造の配向部を有し且つ液晶材料組成物中に
特別な物質か含まれている際にマルチマイクロドメイン
配列で、良好なスイッチングコントラストを得たためそ
れを液晶電気光学装置に用いたちのである。

また、別の発明として、透光性でありかつ少なくともそ
の表面に絶縁性を有する基板上に第一の電極およびリー
ドと、該第一の電極の少なくとも一部を覆うＳ　ｉ、ｃ
ｂｏ、（ａ＋ｂ十ｄ＝１）なる薄膜をプラズマＣＶＤ法
、スパッタ法によって成膜し、該薄膜上の任意の部分に
第二の電極、および液晶組成物の光学的方向を少なくと
も初期に一定方向に配列させるための配向手段とを有す
る第一の基板と、透光性でありかつ少なくともその表面
に絶縁性を有する基板上に第三の電極およびリードを有
する第二の基板間に強誘電性を示す液晶を含む液晶組成
物か挟持される液晶電気光学装置において、その液晶組
成物の取る初期配向状態をモノドメインではなく、微小
なドメインか存在するマルチマイクロドメイン状態とす
ることを特徴とするものであります。

第１図に従い配向部について述へる。配向部は電極を伴
う１対の平行基板の一方の電極３上にのみに一軸配向部
４を有しているものである。−軸配向部とは、有機樹脂
をラビング処理したものや、ラングミュア−ブロジェッ
ト法（ＬＢ法）により単分子膜を数層に積層したもので
ある。有機樹脂として使用されるのはポリイミド東し製
ＬＰ−６４や日本合成ゴム製ＪＩＢてあり、またナイロ
ンとしては６−ナイロン、６−６ナイロンなとである。

ＬＢ膜としてはポリイミドやポリアミドの前駆体物質を
ラングミュア−ブロジェット法により成膜したものであ
る。こうした−軸配向部を伴う基板２を、−軸配向部を
有さない基板２′　と平行に配置させたものにより液晶
を配向させる。

次に液晶組成物について述べる。液晶組成物中には、２
〜３０モル％の一般式（Ｉ）８〜１２の直鎖アルキル基を示し、Ｔは水素またはフッ
素を示す）をＲ１は炭素数２〜８の直鎖アルキル基を、Ｘはフッ素ま
たはメチル基を示し、ｎは１または２の数を、ｍは０〜３の数を、ｋは０〜１
の数をそれぞれ示し、Ｃ”は不斉炭素を意味する〕で表される光学活性化合物
、５５〜８０モル％の一般式（ＩＩ）Ｒ３−ｙ＋＋ｚ−Ｒ４（ＩＩ）Ｒ３およびＲ４はそれぞれ炭素数６〜１４の直鎖または
分岐鎖のアルキル基を、ＹおよびＺはそれぞれ単結合または一〇−を示す。）で
表されるアルキル液晶組成物と、２〜１５モル％の一般式（ＩＩＩ）Ｒ５は炭素数６〜１４の直鎖アルキル基もしくは直鎖ア
ルコキシ基を、Ｒ６は炭素数６〜１４の直鎖または分岐鎖の不斉炭素を
存していてもよいアルキル基を、Ｑは単結合または−０
００−を、Ｗは水素または弗素を示し、Ｊは０または１の数を示す。）で表される液晶性化合物
を含有してなる強誘電性液晶組成物であります。このよ
うな物質を含む液晶材料を第１図に示すような液晶セル
内に注入し、その配向状態について顕微鏡観察を行った
ところ第２図（Ａ）に示されるようなマルチマイクロド
メイン配向状態をとっていた。

また第２図（Ｂ）には第２図（Ａ）に対応する模式図を
示している。

このマルチマイクロドメイン（８）の大きさは数μｍ〜
数１００μｍであり、長径／短径の比率か５〜５００程
度の値の範囲であった。このようなマルチマイクロドメ
イン状態においては、液晶の配向欠陥はそのドメインの
境界（９）によって、緩和されるために液晶電気光学装
置セル全体において、ジグザグ欠陥等が発生しないもの
である。

このような装置において外部回路より駆動信号を入力す
ると、装置全体にわたって均一な高いコントラスト比の
表示を実現することができるものであります。

また、さらにコントラストを代表とする表示品質を向上
させるために、第一の基板上に第一の電極およびリード
と、該第一の電極の少なくとも一部を覆う５ｉ−ＣｂＯ
ｄ（ａ＋ｂ＋ｄ＝１）なる２０００Å以下の薄膜をプラ
ズマＣＶＤ法、スノくツ夕法によって成膜し、該薄膜上
の任意の部分に第二の電極という構成によって、得られ
る素子は電気的な非線型素子となる。複数本の走査電極
と複数本の信号電極とによって構成される、液晶電気光
学装置の場合、走査電極の増加は、クロストーク等の表
示品質の低下が生じる。これを解決する手段として、本
発明では前記の素子を用いることを特徴としている。

以下に実施例を示します。

〔実施例　Ｉ〕

第１図に本実施例で用いた強誘電性液晶装置の概略断面
図を示した。ガラス基板上に８００から１２００オング
ストロームのＩＴ’Ｏを反応性スパッタ法にて成膜した
。

抵抗はシート抵抗で、１５〜２５Ω／口であった。

これを通常のフォトレジスト法によりレジストマスク部
を形成し、酸化第２鉄を含有する酸溶液によりＩＴＯの
不要部をエツチング除去し、レジストを剥離し、１ＴＯ
３，３°をパターニング形成した。この時のＩＴＯパタ
ーンは、同一の方向を向いたストライプ状のものてあり
、この電極３゜３′をマトリクス状に配置されたもので
ある。

また、一方の基板の電極上には配向部か設けられている
。配向部の材料としては、ポリイミド（日立化成製ＬＱ
５２００や東し製ＬＰ−６４、日本合成ゴム製ＪＩＢ）
や、ナイロン系のものを使用した。これらの配向材料を
スピンコード法やオフセット印刷法により基板面上に塗
布し、焼成して成膜した。成膜温度はナイロンの場合１
００〜１３０℃であり、ポリイミドの場合は２５０℃〜
３００°Ｃ１特に２８０°Ｃ〜３００°Ｃであることか
望ましい。膜厚は１００〜５００オングストロームであ
った。−軸配向処理としては、これにラビング処理を施
した。

ラビング布は綿製ベルベット、毛足長２．５〜３ｍｍの
ものを使用し、回転数　１０００〜１５００　ｒ　ｐｍ
、テーブル移動速度　１００〜４００ｃｍ／分でラビン
グした。

二の基板上に２．５μｍの酸化シリコン粒子を散布した
後、第１図に示すように一軸配向処理を施してない基板
と平行に重ね合わせた。このセルに真空法により圧力差
を利用して、等方相に加熱した強誘電性液晶材料をセル
内に充填した。

その後、偏光板１．１°をはり測定に供した。

本実施例に使用した液晶材料は以下に示すような液晶組
成物であった。

また、この液晶組成物の相転移温度は以下のような数値
であった。

これを前記セル中に、上記液晶組成物を封入し、±５Ｖ
／μｍの三角波印加時の分極反転電流より求めた自発分
極は、７．ＯｎＣ／ｃＪ（２５°Ｃ）であった。

応答速度は、±１０Ｖ／μｍの矩形波印加時において　
２７μ５ｅｃ（２５°Ｃ）と極めて高速であった。この
状態における液晶セルの顕微鏡観察における配向状態は
マルチマイクロドメインであり、ジグザグ欠陥は生じな
かった。

このセルに、バイアス比１／４の４パルス法の駆動波形
によりマルチブレクス駆動した時のコントラスト比は２
０であった。

〔実施例■〕

実施例においては以下に示す組成により強誘電性液晶組
成物を得た。

この液晶材料を実施例Ｉで示したセル中に真空注入し、
実施例■と同様にして測定した自発分極は１２、　３　
ｎ　Ｃ／ａｉ　（２５°Ｃ）てあった。応答速度は２１
μｓｅｃ極めて高速であった。マルチプレクス駆動によ
るコントラスト比は１１と良好であった。

〔比較例　■〕

下記の組成により強誘電性液晶組成物を調製した。

１．０°Ｃ４７，７°Ｃ５６℃　　６５．５℃Ｃｒ　ｙ
　−３ｍｅ　”　−３ｍＡ　−Ｎ　−Ｉ　ｓ。

自発分極は２．６ｎＣ／ｃｍ２であり、応答速度は１２
６μｓｅｃと遅かった。また得られたコントラスト比は
３以下であり本発明による実施例に比へてかなり低い。

〔比較例　■〕

以下に示す組成物を作製した。

また、二の液晶組成物の相転移温度は以下のような数値
であった。

１．７°Ｃ６３，１°Ｃ７０，６°ＣＣｒ　ｙ　−３ｍＣ”　−７３ｍＡ　−Ｉ　ｓ　。

実施例１と同様のセルに注入し偏光顕微鏡にて配向観察
した。第９図にその配向をしめした。典型的なジグサグ
欠陥か多数観察された。応答速度は２５°Ｃて４３μＳ
０マルチプレックス駆動時のコントラスト比は前記ジグ
ザグ欠陥か起因し１゜５と非常に低い。

〔実施例　■〕

以下に示す組成物を作製した。

また、実施例■と同様のセルに注入し、偏光顕微鏡にて
配向観察を行った。第１０図に示す配向写真でも分かる
ように、ジグザグ欠陥のないマルチマイクロドメインが
全面に得られた。

応答速度は２５°Ｃで２６４μｓであり、マルチプレッ
クス駆動時のコントラスト比は１０て良好であった。

〔実施例　■〕

配向膜の組み合わせの違いによるコントラスト比の差異
について検討した結果を示す。

材料としては東し製ポリイミドＬＰ−６４、Ｓｉｏ２．
　　　ＩＴＯの３種を用いた。

５ＩＯ２については触媒化成製ＺＱ−２を用いた。２８
０°Ｃ焼成て膜厚は１００〜５００人てあった。液晶材
料は、実施例のＩて述へたものである。測定の結果を表
−１に示した。

表−１ポリイミドを両側ラビングを施したものについては、ジ
グザグ欠陥か多数発生し、コントラストも低かった。そ
の他１方のみに一軸配向処理を施したものについては、
マルチマイクロドメインとなりコントラストも良好であ
った。

〔実施例　■〕液晶電気光学装置の一例として、６４０（横）Ｘ４００
（縦）ドツトを有する装置を試作した。

その工程図を第５図に示した。ガラス基板上に１２００
人のＩＴＯを直流反応性スパッタ法にて成膜した。抵抗
値はシート抵抗で、１５〜２５Ω／口であった。これを
通常のフォトレジスト法によりレジスト部を形成し、酸
化第２鉄を含有する酸溶液によりＩＴＯの不要部をエツ
チング除去し、レジストを剥離し、パターニングされた
ＩＴＯを形成した。この時のＩＴＯパターンは、同一の
方向を向いたストライプ状のものであり、この電極３．
３°　をマトリクス状に配置したものである。

またそのサイズはストライプ幅か２５０μｍ、パターン
ピッチが２５０μｍであった。

また、該電極の一方には配向部か設けられている。

配向部の材料としては、ポリイミド（日立化成製ＬＱ５
２００や東し製ＬＰ−６４、日本合成コム製ＪＩＢ）や
、ナイロン系のものを使用した。これらの配向材料をス
ピンコード法やオフセット印刷法により基板面上に塗布
し、焼成して成膜した。

成膜温度はナイロンの場合１００〜】３０°Ｃてあり、
ポリイミドの場合は２５０°Ｃ〜３００°Ｃ１特（二２
８０°Ｃ〜３００°Ｃである二とか望ましい。膜厚は１
００〜５００人であった。−軸配向処理としては、これ
にラビング処理を施した。ラピンク布は綿製ベルベット
、毛足長２５〜３ｍｍのものを使用し、回転数１０００
〜１５００ｒｐｍ、テーブル移動速度　１００〜４００
ｃｍ／分てラヒングした。

二の基板上に２．５μｍの酸化シリコン粒子を散布した
後、第１図に示すように一軸配向処理を施してない基板
と平行に重ね合わせた。二のセルに真空法により圧力差
を利用して、等吉相に加熱した強誘電性液晶材料をセル
内に充填した。

その後、偏光板をはり測定に供した。液晶材料は実施例
１に示す構造組成物であった。

また、本実施例においては、液晶パネル周辺に液晶組成
物を駆動するための、ドライバーＩＣをＴＡＢ法にて接
続し、駆動を試みた。その構成図を第６図に示す。

また、走査側ＩＣより走査電極に加える電気信号と、信
号側ＩＣより信号電極に加える電気信号と、その各電極
の交差点の液晶組成物に加わる電気信号を第７図に示す
。

また、液晶電気光学装置を動かすための、ブロックダイ
アグラムは、第８図に示す通りである。

その結果、パネル全面に渡り良好な配向が得られ高いコ
ントラスト比の表示か得られた。

〔実施例　■］本実施例では第１Ｉ図に示されるような構造を持つ液晶
電気光学装置を作製した。

すなわち、絶縁性を有する材料を持つ基板上に第一の電
極およびリードと該第一の電極の少なくとも一部を覆う
Ｓ　１−ＣｂＯａ　（ａ＋ｂ＋ｃ＋＝　１）なる薄膜を
有し、該薄膜上の任意の部分に第二の電極、および液晶
組成物の光学的方向を少なくとも初期に一定方向に配列
させるための配向手段を設けた構成の液晶電気光学装置
である。

厚さ１．１ｍｍのソーダライムガラス（２ｏ）に、ＤＣ
スパッタ法によって、ｒＴＯを１０００人成膜した。そ
の後、フォトリソ法を用いて、表示画素電極の一方の辺
と、概略同一寸法とする幅のストライブ状に、バターニ
ングをして、第一の電極（２Ｉ）とした。

その後、下記条件の下にグロー放電を行い、５ｒ−Ｃｂ
Ｏ４（ａ　十ｂ　十ｄ＝　１）膜（３０）を５００人成
膜した。

その時の薄膜の形成条件を以下に示す。

ガス混合比Ｃ２Ｈ４２ＮＦ３　　　　１Ｈ２１０反応圧力　　　５０ＰａＲＦパワー　１００Ｗその後、再びＤＣスパッタ法によって、ＩＴＯを１００
０人成膜し、フォトリソ法を用いて、第二の電極（２２
）を得た。

画素電極の一方である第二の電極の寸法は、−辺か１５
０μｍの正方形とし、画素間のギャップは、２０μｍと
した。

この様にして、第一の基板（２３）を得た。

他方の第二の基板（２４）も、１．１ｍｍのソーダライ
ムガラス（２９）に、ＤＣスパッタ法によって、ＩＴＯ
を１０００人成膜した。その後、フォトリソ法を用いて
、表示画素電極の一方の辺と、概略同一寸法とする幅の
ストライプ状に、パターニングをして、第三の電極（２
５）とした構造となっている。　前記第一の基板上に、
印刷法によりポリイミド薄膜（２６）を２００人成膜し
、その後、ラビング法によって、液晶分子をある一定方
向に並へる配向処理を行った。

第一の基板と第二の基板の間に、強誘電性液晶（２７）
　、および樹脂からなる基板間の間隔を保持するための
スペーサー（２８）をいれ、その周囲をエポキシ系の接
着剤で固定した。この際使用した液晶材料は実施例１と
同し材料を使用した。

その後、第一の電極、第三の電極につながるリードに、
ＣＯＧ法を用いて液晶駆動用ＬＳＩを接続し、液晶電気
光学装置を得た。その他の構成および作製方法は実施例
■と同しである。

本実施例で設けた薄膜は非線形素子として機能し、マト
リクス状の表示装置を実際に駆動する際に問題となるク
ロストークによって表示コントラストか低下することを
防止できた。

その結果、非線形素子を持たない装置のコントラスト比
と比較して、本実施例の場合は１０％以上コントラスト
比の値か向上した。

〔効果〕

本発明による液晶電気光学装置に於いて、前述の配向方
法と液晶材料を組み合わせることにより、マルチマイク
ロドメイン配向を行うことかできその結果全体として均
一な配向状態を得ることかできた。ジグサグ欠陥等光学
的に大きな影響の出る欠陥か発生せず、マルチプレクス
駆動した場合も均一な表示特性と高いコントラスト比を
実現できた。また、本発明によりこれまで難しいと言わ
れていた強誘電性液晶の配向を容易に達成し、工業的に
も生産しやすくなった。

さらに、これらの構成に加えて液晶装置の画素電極にＳ
　ｉ　、Ｃ，Ｏ，（ａ十す十ｄ＝Ｉ）なる薄膜を設けて
、非線形素子として機能させた場合コントラストか向上
し、表示品質を高めることかできた。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第１１図は本発明で用いた液晶電気光学装置
セルの概略を示す。第２図（Ａ）は本発明に液晶の配列状態の結晶構造を表
す顕微鏡写真を示す。第２図（Ｂ）第２図（Ａ）の顕微鏡写真を模式的に現し
た図を示す。第３図は強誘電性液晶を模式的に現した図を示す。第４図は液晶の取り得る状態を示す。第５図は本発明による実施例の、製造工程図を示す。第６図は本発明による実施例の、構成図を示す。第７図は実施例の印加信号を示す。第８図は実施例のブロックダイアグラムを示す。第９図は比較例２の液晶の配列状態の結晶の構造を表す
顕微鏡写真を示す。第１０図は実施例３の液晶の配列状態の結晶構造を表す
顕微鏡写真を示す。１．１′　　・・・・偏光板９９′　・・・・基板３．３′　・・・・電極４．４′　・・・・配向制御膜５　　　・・・・液晶８　　　・・・・マルチマイクロドメイン１３　　・・
・・液晶セル１４　　・・・・偏光板１５　　・・・・偏光板１６　　・・・・駆動用ＩＣ１７・・・・配線用ＰＣＢ１８　　・・・・配線用ワイヤー１９　　・・・・入力用電線

Claims

【特許請求の範囲】１、透光性でありかつ少なくともその表面に絶縁性を有
する基板上に、電極およびリードと、液晶組成物の光学
的方向を少なくとも初期に一定方向に配列させるための
配向手段とを有する第一の基板と、透光性でありかつ少
なくともその表面に絶縁性を有する基板上に、電極およ
びリードを有する第二の基板間に強誘電性を示す液晶組
成物が挟持されかつ該液晶組成物がマルチマイクロドメ
イン配向を有する事を特徴とする液晶電気光学装置。２、透光性でありかつ少なくともその表面に絶縁性を有
する材料を持つ基板上に第一の電極およびリードと該第
一の電極の少なくとも一部を覆うＳｉ＿ａＣ＿ｂＯ＿ｄ
（ａ＋ｂ＋ｄ＝１）なる薄膜を有し、該薄膜上の任意の
部分に第二の電極、および液晶組成物の光学的方向を少
なくとも初期に一定方向に配列させるための配向手段と
を有する第一の基板と、透光性でありかつ少なくともそ
の表面に絶縁性を有する材料を持つ基板上に第三の電極
およびリードを有する第二の基板間に強誘電性を示す液
晶組成物が挟持され、かつ該当液晶組成物がマルチマイ
クロドメイン配向を有する事を特徴とする液晶電気光学
装置。３、特許請求の範囲第一項および第二項において前記使
用される液晶組成物の内、２〜３０モル％の一般式（
I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）〔式中Ａは▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼（ここで、Ｒ＿２は
炭素数８〜１２の直鎖アルキル基を示し、Ｔは水素また
はフッ素を示す）をＲ＿１は炭素数２〜８の直鎖アルキ
ル基を、Ｘはフッ素またはメチル基を示し、ｎは１また
は２の数を、ｍは０〜３の数を、ｋは０〜１の数をそれ
ぞれ示し、Ｃ＾＊は不斉炭素を意味する〕で表される光学活性化合
物、５５〜８０モル％の一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II）（式中、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
表等があります▼または▲数式、化学式、表等がありま
す▼をＲ＿３およびＲ＿４はそれぞれ炭素数６〜１４の直鎖ま
たは分岐鎖のアルキル基を、ＹおよびＺはそれぞれ単結合または−Ｏ−を示す。）で
表されるアキラル液晶性化合物、および２〜１５モル％
の一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III）（式中、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
表等があります▼または▲数式、化学式、表等がありま
す▼をＲ＿５は炭素数６〜１４の直鎖アルキル基もしくは直鎖
アルコキシ基を、Ｒ＿６は炭素数６〜１４の直鎖または分岐鎖の不斉炭素
を有していてもよいアルキル基を、Ｑは単結合または−
ＣＯＯ−を、Ｗは水素または弗素を示し、Ｊは０または１の数を示す。）で表される液晶性化合物
を含有してなる強誘電性液晶組成物であることを特徴と
する液晶電気光学装置。