JPH034542A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH034542A
JPH034542A JP14047889A JP14047889A JPH034542A JP H034542 A JPH034542 A JP H034542A JP 14047889 A JP14047889 A JP 14047889A JP 14047889 A JP14047889 A JP 14047889A JP H034542 A JPH034542 A JP H034542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
elements
wiring
board
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14047889A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Takeda
竹田 和男
Izumi Okamoto
岡本 泉
Tomohiko Suzuki
知彦 鈴木
Kenzo Hatada
畑田 賢造
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP14047889A priority Critical patent/JPH034542A/ja
Publication of JPH034542A publication Critical patent/JPH034542A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種電子機器に利用される半導体装置の製造
方法に関するものである。
従来の技術 従来の技術を第2図(a)・〜(c)とともに説明する
まず、第2図(a)に示すように、セラミック、ガラス
、エポキシ等よりなる配線基板1の半導体素子3を固着
する部分に(導体配線2上を含んで)エポキシ、シリコ
ーン、アクリル等よりなる絶縁性のある樹脂6を塗布す
る。導体配線2は、0r−4u。
ムl 、 ito 等よりなる。次に第2図(b)に示
すように、半導体素子3の突起状の電極4と導体配線2
を一致させ、半導体素子3を配線基板1に加圧体6によ
り加圧する。電極4はに71.ムu 、 Cu  等で
ある。この時、導体配線2上の樹脂6は周囲に押し出さ
れ、上部より紫外線8を照射することによって半導体素
子3の周縁部の樹脂6を硬化させ反固定する。上記の方
法で複数個の半導体素子3が仮固定された配線基板1を
第2図(0)に示すように、ナイロン、ポリプロピレン
等からなる真空袋7に入れ、真空包装し、複数個の半導
体素子3全てに大気圧による均等な圧力を6口える。こ
の状態のまま加熱することによって樹脂6全体を硬化さ
せ、その接着力により半導体素子3の電極4と導体配線
2の電気的接続と半導体素子3の機械的保持が完了され
る。
発明が解決しようとする課題 以上のように従来の技術では、半導体素子3の電極4を
配線基板1の導体配線2に直接接触させる方法であるた
め、多端子、狭ピッチの半導体素子3のパッケージング
に有利な方法である。また、樹脂を熱硬化させる時、真
空包装状態で作用する大気圧の力で配線基板1上に仮固
定された複数個の半導体素子3全てに対して均等に加圧
しているので、簡易に加圧できるので量産性に優れ、か
つ高温時にいったん樹脂5の接着力が低下する際の導体
配線2と半導体素子3の電極4の電気的な接触が保持で
き、さらに、半導体素子3が加圧体6により加圧された
時生じたひずみを樹脂5の接着力の低下により解消する
事ができ、しかも大気圧の均等加圧で半導体素子3にひ
ずみを生じさせないので、真空包装の開封後も安定な導
体配線2と半導体素子3の電気的な接触が保持できる。
樹脂6は紫外線硬化に加え熱硬化性でもあるので硬化温
度が高い程、収縮力が増加する性質があるのであるが、
ナイロン、ポリプロピレン等の真空袋7は、耐熱性が低
いため、樹脂6の十分な収縮力が得られず、この結果導
体配線と半導体素子3の電気的接読の信頼性が悪いとい
う問題があった。
課題を解決するための手段 そこで、前記問題点を解決する本発明の技術的な手段は
、真空包装状態で半導体素子のひずみをなくし硬化させ
た後、真空包装を開梱して樹脂の十分な収縮力を得られ
る高温で再び熱硬化を行うものである。
作用 上記方法により、配線基板と半導体素子の電気的接触を
保持するに十分な樹脂の収縮力を得る事ができ、電気的
接続の信頼性に優れたものKなる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第1図(IL)〜(d)とと
もに説明する。
まず、第1図e)に示すように、セラミック、ガラス、
エポキシ等よりなる配線基板11の後に半導体素子13
を固着する部分に(導体配線12上を含んで)エポキシ
、シリコーン、アクリル等よりなる絶縁性のある樹脂1
6を塗布する。導体配線12はCr−ムu 、 h6 
、 ito  等よりなる。次に第1図(′b)に示す
ように、半導体素子13の突起状の電極14と導体配線
12を一致させ半導体素子13を配線基板11に加圧体
16により加圧する。
電極14はA7I、 Au 、 Cu 等である。この
時、導体配線12上の樹脂15は周囲に押し出され、上
部より紫外、腺18を照射することによって半導体素子
130周縁部の樹脂16を硬化させ仮固定する。上記の
方法で複数個の半導体素子13が仮固定された配線基板
11を第1図(C)に示すように、ナイロン、ポリプロ
ピレン等からなる真空袋17に入れ、真空包装し、複数
個の半導体素子13全てに大気圧による均等な圧力を加
える。この状態のまま加熱することによって樹脂16全
体1[化させ、その接着力により半導体素子13の電匣
14と導体配線12の電気的接、続と半導体素子13の
機械的保持を行ったのち、真空包装を開梱し、第1図f
dlのような真空袋を除去した状態で再びより高温にて
硬化を行い、その接着力を強くする。尚、硬化する温度
は真空包装状態での硬化温度と同温度もしくは低温でも
可能であるが、高温にて行う。
発明の効果 本発明の効果を以下に示す。
(1)真空包装により複数個の半導体素子を大気圧を利
用して、簡易に、均等に加圧した状態で熱硬化すること
により、半導体素子に与えるひずみをなくすことができ
、さらに真空袋を開梱後に、真空包装状態のままでの硬
化温度よりさらに高温で硬化することで、樹脂の接着力
が強くなるので、高信頼性を得ることができ、かつ、高
温硬化する事により、硬化時間が短縮でき生産性が向上
する。
(2)  真空包装材の熱容量が小さく、また再加熱時
は真空包装材のような加圧治具が不要であるため、熱硬
化時の昇温時間、冷却時間を短かくでき、生産性が向上
する。
【図面の簡単な説明】
第1図(al〜(d)は、本発明の半導体装置の製造方
法の一実施例を示す各工程の断面図で、第2図(IL)
・〜(c)fi従来の技術を示す各工程の断面図である
。 11・・・・・・配線基板、12・・・・・・導体配線
、13・・・・・半導体素子、14・・・・・・半導体
素子の7層、16・・・・・・絶縁性の樹脂、16・・
・・・加圧体、17・・・・・真空袋、18・・・・・
・紫外線。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導体配線を有した配線基板上に樹脂により半導体
    素子を接着し、前記半導体素子の電極と前記配線基板の
    導体配線を圧接させた状態で前記半導体素子と配線基板
    を真空包装して気圧により加圧し、この加圧状態で前記
    樹脂の熱硬化を行い、さらに前記真空包装を開梱後、前
    記熱硬化の温度より高い温度で前記樹脂の熱硬化を行う
    半導体装置の製造方法。
  2. (2)半導体素子の電極が突起電極である請求項1記載
    の半導体装置の製造方法。
JP14047889A 1989-06-01 1989-06-01 半導体装置の製造方法 Pending JPH034542A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14047889A JPH034542A (ja) 1989-06-01 1989-06-01 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14047889A JPH034542A (ja) 1989-06-01 1989-06-01 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH034542A true JPH034542A (ja) 1991-01-10

Family

ID=15269543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14047889A Pending JPH034542A (ja) 1989-06-01 1989-06-01 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH034542A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03195033A (ja) * 1989-12-25 1991-08-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2010153434A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の製造方法及び製造装置
WO2015053149A1 (ja) * 2013-10-10 2015-04-16 日東電工株式会社 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法
JP2017105527A (ja) * 2015-12-01 2017-06-15 信越化学工業株式会社 半導体封止用硬化性樹脂シートの梱包方法及び半導体封止用硬化性樹脂シートの梱包体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03195033A (ja) * 1989-12-25 1991-08-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2010153434A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の製造方法及び製造装置
WO2015053149A1 (ja) * 2013-10-10 2015-04-16 日東電工株式会社 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法
JP2017105527A (ja) * 2015-12-01 2017-06-15 信越化学工業株式会社 半導体封止用硬化性樹脂シートの梱包方法及び半導体封止用硬化性樹脂シートの梱包体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW513898B (en) Method of manufacturing bump-component mounted body and device for manufacturing the same
US5221642A (en) Lead-on-chip integrated circuit fabrication method
US5654877A (en) Lead-on-chip integrated circuit apparatus
US6080603A (en) Fixtures and methods for lead bonding and deformation
MY116860A (en) Thermocompressing bonding method and thermocompressing bonding apparatus
JPH034542A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2806348B2 (ja) 半導体素子の実装構造及びその製造方法
JPH0519306B2 (ja)
JP2903697B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JPH034546A (ja) 半導体実装装置
JP2001126851A (ja) 半導体ウエハーにおけるヒータ装置およびその製造方法
JPS6389313A (ja) 電子部品の金型樹脂成形法
JP2597244B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2569781B2 (ja) ヒートシンク用加圧治具
JPH0244742A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04254343A (ja) 半導体装置の実装方法
JPS62252946A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2847954B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10163799A (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法
JPH0482240A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61180465A (ja) リ−ド接続方法
JPS63293839A (ja) 半導体装置
JPH03290983A (ja) Led表示素子の製造方法
TW301792B (en) Tape automated bonding method and structure thereof
JPH03129843A (ja) マルチチップ実装方法