JPS6389313A - 電子部品の金型樹脂成形法 - Google Patents
電子部品の金型樹脂成形法Info
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- JPS6389313A JPS6389313A JP23577286A JP23577286A JPS6389313A JP S6389313 A JPS6389313 A JP S6389313A JP 23577286 A JP23577286 A JP 23577286A JP 23577286 A JP23577286 A JP 23577286A JP S6389313 A JPS6389313 A JP S6389313A
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- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は電子部品の金型樹脂成形法に関する。
(従来の技術)
金型を用いた樹脂成形により基板上に搭載された電子部
品を封止する方法として、金属封止。
品を封止する方法として、金属封止。
セラミック封止、ガラス封脂、樹脂封止等の各種方法が
従来から用いられている。
従来から用いられている。
このうち、特に高い信頼性を要求される場合やある種の
大容量パワートランジスタの封止を行う場合を除き、樹
脂封止による方法が一般的である。
大容量パワートランジスタの封止を行う場合を除き、樹
脂封止による方法が一般的である。
このような樹脂封止による成形法の一例を第9図を参照
して説明する。
して説明する。
この樹脂封止による成形法は、まず各種の集積回路等の
電子部品21を、リードフレーム等の金属製の基板20
上にハンダ付は法、ペースト法又は共晶法を用いて搭載
した後、この基板20の両側に電極端子22a、22b
を配置し、電子部品21と電極端子22a、22bとの
間にそれぞれワイヤボンディングの手法により金線23
a、23bを接続する。
電子部品21を、リードフレーム等の金属製の基板20
上にハンダ付は法、ペースト法又は共晶法を用いて搭載
した後、この基板20の両側に電極端子22a、22b
を配置し、電子部品21と電極端子22a、22bとの
間にそれぞれワイヤボンディングの手法により金線23
a、23bを接続する。
そして、第9図に示すように前記基板20.電子部品2
1.金線23a、23bと電極端子22a。
1.金線23a、23bと電極端子22a。
22bの一部とを、金型を用いた樹脂封止の方法により
封止し、樹脂部24を形成するようにしたものである。
封止し、樹脂部24を形成するようにしたものである。
このような成形法の場合、一対の金型の型締めの際にこ
れら金型間に挟持される電子部品21を搭載した基板2
0には数トン程度の大きな圧力が加わるため、基板20
が例えば銅合金、 FeNi合金等の金属製であれば十
分な型締めにより樹脂の流れを防止しつつ所望の成形品
を得ることができる。
れら金型間に挟持される電子部品21を搭載した基板2
0には数トン程度の大きな圧力が加わるため、基板20
が例えば銅合金、 FeNi合金等の金属製であれば十
分な型締めにより樹脂の流れを防止しつつ所望の成形品
を得ることができる。
しかし、上述した成形法でセラミック類等の基板20上
に搭載した電子部品21を樹脂封止しようとすれば、金
型による圧力のためセラミック類の基板20に割れや亀
裂が生じることになり、この結果、セラミック類等の基
板20を用いた電子部品21に対してはこの成形法を適
用できないという問題がある。
に搭載した電子部品21を樹脂封止しようとすれば、金
型による圧力のためセラミック類の基板20に割れや亀
裂が生じることになり、この結果、セラミック類等の基
板20を用いた電子部品21に対してはこの成形法を適
用できないという問題がある。
また、この成形法は電子部品21を外部環境から保護し
たりこの電子部品21の作動時に生じる熱を外部に放熱
させることを主目的としており、基板20及び電子部品
21が樹脂部24で封止されるものであるため、成形品
における信号の処理態様は、電極端子22a、22bを
介しての電気信号の処理に限定され、わずかに樹脂部2
4に透明樹脂を用いて光信号の処理を行なうものが散見
される程度であった。
たりこの電子部品21の作動時に生じる熱を外部に放熱
させることを主目的としており、基板20及び電子部品
21が樹脂部24で封止されるものであるため、成形品
における信号の処理態様は、電極端子22a、22bを
介しての電気信号の処理に限定され、わずかに樹脂部2
4に透明樹脂を用いて光信号の処理を行なうものが散見
される程度であった。
一方、金型を用いない成形法として、キャスティング、
ボッティング等の注型法、浸漬法1滴下法等が知られて
いる。これらの方法はいずれも基板の一部を電子部品か
ら外方に露出させることができ、これにより、光信号、
熱信号等電気信号以外の信号処理も可能な成形品を得る
ことができるものの、成形後の樹脂の寸法精度や量産性
の点で十分なものが得られないという問題がある。
ボッティング等の注型法、浸漬法1滴下法等が知られて
いる。これらの方法はいずれも基板の一部を電子部品か
ら外方に露出させることができ、これにより、光信号、
熱信号等電気信号以外の信号処理も可能な成形品を得る
ことができるものの、成形後の樹脂の寸法精度や量産性
の点で十分なものが得られないという問題がある。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は上述した従来の問題点を解消すべ(なされたも
のであり、金属製基板以外の基板を用いた樹脂成形品を
製造する場合にも適用でき、電気信号以外の信号処理を
行う電子部品や機能素子を基板上に封止することが可能
であり、しかも、樹脂の寸法精度が良く、量産にも適す
る電子部品の金型樹脂成形法を提供するることを目的と
するものである。
のであり、金属製基板以外の基板を用いた樹脂成形品を
製造する場合にも適用でき、電気信号以外の信号処理を
行う電子部品や機能素子を基板上に封止することが可能
であり、しかも、樹脂の寸法精度が良く、量産にも適す
る電子部品の金型樹脂成形法を提供するることを目的と
するものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明の電子部品の金型樹脂成形法は、基板の任意領域
に電子部品や機能素子を設ける工程と、前記電子部品や
機能素子を設けた部分を一対の金型間に形成される樹脂
注入部に臨ませつつこれら金型の型締部に備えた所定の
硬度及び耐熱性を有する一対の弾性体で前記基板を加圧
保持する工程と、前記樹脂注入部に樹脂を注入して電子
部品の、搭載部を樹脂封止した後両金型を離型する工程
とを有して構成される。
に電子部品や機能素子を設ける工程と、前記電子部品や
機能素子を設けた部分を一対の金型間に形成される樹脂
注入部に臨ませつつこれら金型の型締部に備えた所定の
硬度及び耐熱性を有する一対の弾性体で前記基板を加圧
保持する工程と、前記樹脂注入部に樹脂を注入して電子
部品の、搭載部を樹脂封止した後両金型を離型する工程
とを有して構成される。
(作 用)
上記成形法によれば、基板の任意領域に電子部品や機能
素子を設け、その電子部品や機能素子を設けた部分を樹
脂封止するものであるから、この電子部品や機能素子に
接続された回路の一部を基板上に露出することができ、
これにより、電気信号の地熱信号、光信号等の信号処理
を容易に行うことが可能となる。
素子を設け、その電子部品や機能素子を設けた部分を樹
脂封止するものであるから、この電子部品や機能素子に
接続された回路の一部を基板上に露出することができ、
これにより、電気信号の地熱信号、光信号等の信号処理
を容易に行うことが可能となる。
また、金型の型締部に所定の硬度及び耐熱性を有する弾
性体を用いるものであるから、金属製以外の材料を用い
た基板に対しても割れ等を生じさせることがないととも
に、成形品の寸法精度もよく、量産にも適する。
性体を用いるものであるから、金属製以外の材料を用い
た基板に対しても割れ等を生じさせることがないととも
に、成形品の寸法精度もよく、量産にも適する。
(実施例)
以下に本発明方法の実施例を第1図乃至第8図を参照し
て説明する。
て説明する。
まず、第1図、第2図に示すように例えばセラミック類
の基板1上で、かつ、その中央部より同図において左側
領域に各種の集積回路等の電子部品2をハンダ付は法、
ペースト法又は共晶法を用いて搭載するとともに、この
基板1上に、一方の端部が前記電子部品2に接続され、
他方の端部が基板lの他方の端部近傍に至る電極Ji3
a、3bを形成する。
の基板1上で、かつ、その中央部より同図において左側
領域に各種の集積回路等の電子部品2をハンダ付は法、
ペースト法又は共晶法を用いて搭載するとともに、この
基板1上に、一方の端部が前記電子部品2に接続され、
他方の端部が基板lの他方の端部近傍に至る電極Ji3
a、3bを形成する。
次に第3図に示すように電子部品2を搭載し、かつ、電
極層3a、3bを形成した基板1を、−対の金型4a、
4b間に配置する。
極層3a、3bを形成した基板1を、−対の金型4a、
4b間に配置する。
前記金型4a、4bは、同図に示すようにお互いに相対
向する面に略対称形状の凹部4c、4dを設けてこれら
の間に形成される空間により樹脂注入部5を形成すると
ともに、前記凹部4c、4dの一方の端部(型締部)側
に相対向配置に、且つ、両金型4a、4bの相対向する
面からそれぞれ若干突出する状態に一対のゴム製の弾性
体6a、6bを備えている。
向する面に略対称形状の凹部4c、4dを設けてこれら
の間に形成される空間により樹脂注入部5を形成すると
ともに、前記凹部4c、4dの一方の端部(型締部)側
に相対向配置に、且つ、両金型4a、4bの相対向する
面からそれぞれ若干突出する状態に一対のゴム製の弾性
体6a、6bを備えている。
そして、第4図に示すように前記両弾性体5a。
6bにより、基板1の中央部及び前記電極N 3 a
。
。
3bを上下方向から挟持しつつ両金型4a、4bに所定
の押圧力を付与して、樹脂注入部5内に電子部品2を臨
ませた状態でこの樹脂注入部5内に予め80℃前後でプ
レヒートし、低粘度化した樹脂を注入し、電子部品2.
電極層3a、3bの一部及び基板1の一部の外周に樹脂
成形を行う。
の押圧力を付与して、樹脂注入部5内に電子部品2を臨
ませた状態でこの樹脂注入部5内に予め80℃前後でプ
レヒートし、低粘度化した樹脂を注入し、電子部品2.
電極層3a、3bの一部及び基板1の一部の外周に樹脂
成形を行う。
ここで、前記弾性体5a、5bの硬度について考察する
と、第5図のA部に示すように弾性体5a、5bの硬度
が低すぎると金型4a、4bの加圧時に弾性体6a、6
bが必要以上に変形し、この結果、金型4a、4bを離
型した後の成形品8の側面に第6図に示すような弾性体
5a、5bの変形に伴う凹凸が生じ寸法精度が悪化する
とともに、第5図のB部に示すように一方の金型4aと
弾性体6aとの接触部でこの弾性体6aが裂けてしまう
。他方、弾性体5a、6bの硬度が高いと基板lが破壊
してしまう。
と、第5図のA部に示すように弾性体5a、5bの硬度
が低すぎると金型4a、4bの加圧時に弾性体6a、6
bが必要以上に変形し、この結果、金型4a、4bを離
型した後の成形品8の側面に第6図に示すような弾性体
5a、5bの変形に伴う凹凸が生じ寸法精度が悪化する
とともに、第5図のB部に示すように一方の金型4aと
弾性体6aとの接触部でこの弾性体6aが裂けてしまう
。他方、弾性体5a、6bの硬度が高いと基板lが破壊
してしまう。
このため、弾性体5a、5bの硬度として例えばシェア
ーD30程度のものを用いることが好ましい。
ーD30程度のものを用いることが好ましい。
また、これら弾性体6a、6bの耐熱性は高温の樹脂に
晒されることから、150 ’C以上の耐熱性を有する
ものも用いることが好ましい。
晒されることから、150 ’C以上の耐熱性を有する
ものも用いることが好ましい。
次に上述した樹脂成形の後、両金型6a、6bを離型し
、第7図に示すように電子部品2.電極層3a、3bの
一部及び基板1の一部の外周に樹脂部7が施された成形
品8を得る。
、第7図に示すように電子部品2.電極層3a、3bの
一部及び基板1の一部の外周に樹脂部7が施された成形
品8を得る。
その後、3a、3bが電)玉である場合第8図(a)。
(′b)に示すように樹脂部7から突出している基板1
の残余の部分に例えば光信号を処理する機能素子として
のフォトダイオード素子9を搭載し、このフォトダイオ
ード素子9と樹脂部7から突出している電極@3a、3
bとを接続することにより、電子部品2による電気信号
の処理機能とフォトダイオード素子9による光信号の処
理機能とを併有する成形品11を得ることができる。
の残余の部分に例えば光信号を処理する機能素子として
のフォトダイオード素子9を搭載し、このフォトダイオ
ード素子9と樹脂部7から突出している電極@3a、3
bとを接続することにより、電子部品2による電気信号
の処理機能とフォトダイオード素子9による光信号の処
理機能とを併有する成形品11を得ることができる。
本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
例えば、上述した実施例では電子部品2の電極層3a、
3bを樹脂部7から基板l上に露出させる場合について
説明したが、樹脂部7内に例えばフォトダイオード素子
9を封止するとともに、このフォトダイオード素子9に
光を伝送する小径の光ファイバの一部を樹脂部7内に封
止し、残部を基板1上に露出させるようにすることもで
きる。
3bを樹脂部7から基板l上に露出させる場合について
説明したが、樹脂部7内に例えばフォトダイオード素子
9を封止するとともに、このフォトダイオード素子9に
光を伝送する小径の光ファイバの一部を樹脂部7内に封
止し、残部を基板1上に露出させるようにすることもで
きる。
また、電子部品やフォトダイオード素子のほか、熱信号
の処理を行う熱電変換素子を用いても実施可能である。
の処理を行う熱電変換素子を用いても実施可能である。
更に、機能素子を後で設ける場合に限らず初めから設け
ておいてもよい。当然のことながら電子部品のみの装置
、あるいは機能素子のみの装置にも適用できる。
ておいてもよい。当然のことながら電子部品のみの装置
、あるいは機能素子のみの装置にも適用できる。
以上詳述した本発明によれば、金型の型締部に所定の硬
度を有する弾性体を備え、この弾性体により基板を挟持
しつつこの基板の任意の領域に樹脂封止を行うものであ
るから、電気信号と光信号あるいは電気信号と熱信号等
信号処理の多様性を図れ、かつ、セラミック基板等金属
製以外の基板を用いる場合にも通用できる電子部品の樹
脂成形法を提供することができる。
度を有する弾性体を備え、この弾性体により基板を挟持
しつつこの基板の任意の領域に樹脂封止を行うものであ
るから、電気信号と光信号あるいは電気信号と熱信号等
信号処理の多様性を図れ、かつ、セラミック基板等金属
製以外の基板を用いる場合にも通用できる電子部品の樹
脂成形法を提供することができる。
また、金型を用い、かつ、その型締部に所定の硬度及び
耐熱性を有する弾性体を用いているため、成形品の寸法
精度が良く、しかも、量産性にも優れた電子部品の樹脂
成形法を提供することができる。
耐熱性を有する弾性体を用いているため、成形品の寸法
精度が良く、しかも、量産性にも優れた電子部品の樹脂
成形法を提供することができる。
第1図は本発明の実施例のうち、基板上に電子部品及び
電極層を設けた状態を示す平面図、第2図は同上の側面
図、第3図は同上の金型間に前記基板を配置した状態を
示す断面図、第4図は同上の型締状態を示す断面図、第
5図は金型に備えた弾性体の硬度を説明するための部分
拡大断面図、第6図は硬度の高い弾性体を用いた場合の
成形品を示す部分拡大斜視図、第7図は本発明の実施例
における金型離型後の成形品を示す側面図、第8図fa
)は第7図に示す成形品にさらにフォトダイオード素子
を搭載した状態を示す平面図、第8図(blは同上の側
面図、第9図は従来の金型樹脂成形により得られる成形
品の説明図である。 1・・・基板、2・・・電子部品、4a、4b・・・金
型、5・・・樹脂注入部、5a、6b・・・弾性体、7
・・・樹脂部、8.11・・・成形品。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 (Q) (b) 第8図 第9図
電極層を設けた状態を示す平面図、第2図は同上の側面
図、第3図は同上の金型間に前記基板を配置した状態を
示す断面図、第4図は同上の型締状態を示す断面図、第
5図は金型に備えた弾性体の硬度を説明するための部分
拡大断面図、第6図は硬度の高い弾性体を用いた場合の
成形品を示す部分拡大斜視図、第7図は本発明の実施例
における金型離型後の成形品を示す側面図、第8図fa
)は第7図に示す成形品にさらにフォトダイオード素子
を搭載した状態を示す平面図、第8図(blは同上の側
面図、第9図は従来の金型樹脂成形により得られる成形
品の説明図である。 1・・・基板、2・・・電子部品、4a、4b・・・金
型、5・・・樹脂注入部、5a、6b・・・弾性体、7
・・・樹脂部、8.11・・・成形品。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 (Q) (b) 第8図 第9図
Claims (1)
- 基板の任意領域に電子部品や機能素子を設ける工程と、
前記電子部品や機能素子を設けた部分を一対の金型間に
形成される樹脂注入部に臨ませつつこれら金型の型締部
に備えた所定の硬度及び耐熱性を有する一対の弾性体で
前記基板の任意部分を加圧保持する工程と、前記樹脂注
入部に樹脂を注入して電子部品や機能素子を設けた部分
を樹脂封止した後両金型を離型する工程とを有すること
を特徴とする電子部品の金型樹脂成形法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23577286A JPS6389313A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電子部品の金型樹脂成形法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23577286A JPS6389313A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電子部品の金型樹脂成形法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6389313A true JPS6389313A (ja) | 1988-04-20 |
Family
ID=16991009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23577286A Pending JPS6389313A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 電子部品の金型樹脂成形法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6389313A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001009940A2 (de) * | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und moldwerkzeug zum umhüllen von elektronischen bauelementen |
WO2001084618A2 (de) * | 2000-05-02 | 2001-11-08 | Siemens Production And Logistics Systems Ag | Verfahren und formwerkzeug zum umspritzen von elektronischen schaltungsträgern |
NL1019042C2 (nl) * | 2001-09-26 | 2003-03-27 | Europ Semiconductor Assembly E | Werkwijze voor het inkapselen van een chip en/of ander voorwerp. |
JP2007329450A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Lg Electronics Inc | 発光ユニット製作装置、発光ユニットのレンズ成形装置、発光素子パッケージ及び発光ユニット製造方法 |
JP2008297921A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Toyota Motor Corp | エンジン用マウント装置 |
KR20120021195A (ko) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | 토와 가부시기가이샤 | 수지 밀봉 성형품의 제조 방법 및 수지 밀봉 성형품의 제조 장치 |
WO2020094411A1 (en) * | 2018-11-07 | 2020-05-14 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Mold tool for molding a semiconductor power module with top-sided pin connectors and method of manufacturing such a semiconductor power module |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP23577286A patent/JPS6389313A/ja active Pending
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001009940A2 (de) * | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und moldwerkzeug zum umhüllen von elektronischen bauelementen |
WO2001009940A3 (de) * | 1999-07-28 | 2001-10-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und moldwerkzeug zum umhüllen von elektronischen bauelementen |
WO2001084618A2 (de) * | 2000-05-02 | 2001-11-08 | Siemens Production And Logistics Systems Ag | Verfahren und formwerkzeug zum umspritzen von elektronischen schaltungsträgern |
WO2001084618A3 (de) * | 2000-05-02 | 2002-02-07 | Siemens Production & Logistics | Verfahren und formwerkzeug zum umspritzen von elektronischen schaltungsträgern |
NL1019042C2 (nl) * | 2001-09-26 | 2003-03-27 | Europ Semiconductor Assembly E | Werkwijze voor het inkapselen van een chip en/of ander voorwerp. |
WO2003028086A1 (en) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. | Method for encapsulating a chip and/or other article |
US7205175B2 (en) | 2001-09-26 | 2007-04-17 | Elmos Advanced Packaging B.V. | Method for encapsulating a chip and/or other article |
EP1864780A3 (en) * | 2006-06-09 | 2008-02-20 | LG Electronics Inc. | Light emitting unit, apparatus and method for manufacturing the same, apparatus for moulding lens thereof, and light emitting device package thereof |
JP2007329450A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Lg Electronics Inc | 発光ユニット製作装置、発光ユニットのレンズ成形装置、発光素子パッケージ及び発光ユニット製造方法 |
US7496270B2 (en) | 2006-06-09 | 2009-02-24 | Lg Electronics Inc. | Light emitting unit, apparatus and method for manufacturing the same, apparatus for molding lens thereof, and light emitting device package thereof |
US7869674B2 (en) | 2006-06-09 | 2011-01-11 | Lg Electronics Inc. | Light emitting unit, apparatus and method for manufacturing the same, apparatus for molding lens thereof, and light emitting device package thereof |
TWI426621B (zh) * | 2006-06-09 | 2014-02-11 | Lg Electronics Inc | 發光單元、用於製造此單元之裝置與方法、用於模製其透鏡之裝置、以及其發光裝置封裝 |
JP2008297921A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Toyota Motor Corp | エンジン用マウント装置 |
KR20120021195A (ko) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | 토와 가부시기가이샤 | 수지 밀봉 성형품의 제조 방법 및 수지 밀봉 성형품의 제조 장치 |
JP2012049414A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Towa Corp | 基板露出面を備えた樹脂封止成形品の製造方法及び装置 |
WO2020094411A1 (en) * | 2018-11-07 | 2020-05-14 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Mold tool for molding a semiconductor power module with top-sided pin connectors and method of manufacturing such a semiconductor power module |
CN112969563A (zh) * | 2018-11-07 | 2021-06-15 | 丹佛斯硅动力有限责任公司 | 用于模制具有顶侧引脚连接器的半导体功率模块的模制工具和制造这种半导体功率模块的方法 |
CN112969563B (zh) * | 2018-11-07 | 2023-06-30 | 丹佛斯硅动力有限责任公司 | 用于模制半导体功率模块的模制工具和方法 |
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