JPH0342344Y2 - - Google Patents
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- JPH0342344Y2 JPH0342344Y2 JP4092484U JP4092484U JPH0342344Y2 JP H0342344 Y2 JPH0342344 Y2 JP H0342344Y2 JP 4092484 U JP4092484 U JP 4092484U JP 4092484 U JP4092484 U JP 4092484U JP H0342344 Y2 JPH0342344 Y2 JP H0342344Y2
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- insulating film
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- diaphragm
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は圧力変化を電気信号に変換して出力す
る金属ダイアフラム圧力センサに関する。
る金属ダイアフラム圧力センサに関する。
従来のダイアフラム式の圧力センサには、ダイ
アフラムにセラミツクを用いたものと、Fe系又
はCu系の金属を用いたものがある。ダイアフラ
ムをセラミツクによつて形成したものは、セラミ
ツクが絶縁性及び耐熱性に優れているから、その
ダイアフラムの表面に抵抗ペーストを印刷、乾燥
及び850℃程度の温度による焼成をすることによ
つて付設して厚膜回路からなる応力センサを容易
に形成し得る特徴を有するが、反面セラミツクは
金属を用いたダイアフラムに比べて製造工程が複
雑で高価であるとともに材質が脆く機械的強度が
低い欠点がある。一方、ダイアフラムをFe系又
はCu系金属によつて形成したものは、機械的な
強度には優れているが、反面、高温で酸化し易い
欠点があり、セラミツクのような絶縁性を有しな
いから応力センサを付設する場合に予め絶縁膜を
形成する必要がある。
アフラムにセラミツクを用いたものと、Fe系又
はCu系の金属を用いたものがある。ダイアフラ
ムをセラミツクによつて形成したものは、セラミ
ツクが絶縁性及び耐熱性に優れているから、その
ダイアフラムの表面に抵抗ペーストを印刷、乾燥
及び850℃程度の温度による焼成をすることによ
つて付設して厚膜回路からなる応力センサを容易
に形成し得る特徴を有するが、反面セラミツクは
金属を用いたダイアフラムに比べて製造工程が複
雑で高価であるとともに材質が脆く機械的強度が
低い欠点がある。一方、ダイアフラムをFe系又
はCu系金属によつて形成したものは、機械的な
強度には優れているが、反面、高温で酸化し易い
欠点があり、セラミツクのような絶縁性を有しな
いから応力センサを付設する場合に予め絶縁膜を
形成する必要がある。
しかしながら、Fe系又はCu系金属のダイアフ
ラムは高温で酸化し易いから、絶縁膜は蒸着等の
比較的低温度で可能なコーテイングに限られ、耐
熱性が低いから、斯様な耐熱性の絶縁膜上に上述
のように高温度で焼成する厚膜回路からなる応力
センサを形成することは困難でああつた。
ラムは高温で酸化し易いから、絶縁膜は蒸着等の
比較的低温度で可能なコーテイングに限られ、耐
熱性が低いから、斯様な耐熱性の絶縁膜上に上述
のように高温度で焼成する厚膜回路からなる応力
センサを形成することは困難でああつた。
本考案は上記事情に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、機械的強度に優れるとともに高
温での耐酸化性に優れ、表面に耐熱性に優れた絶
縁膜を形成することができて、高温処理の必要な
厚膜回路からなる応力センサを容易に付設し得る
金属ダイアフラム圧力センサを提供するにある。
り、その目的は、機械的強度に優れるとともに高
温での耐酸化性に優れ、表面に耐熱性に優れた絶
縁膜を形成することができて、高温処理の必要な
厚膜回路からなる応力センサを容易に付設し得る
金属ダイアフラム圧力センサを提供するにある。
以下本考案の一実施例について第１図乃至第３
図を参照しながら説明する。１はダイアフラム本
体で、これはFe−Cr−Al合金材（Fe：71％，
Cr：25％，Al：４％）からなる板材をプレスに
よつて絞り加工することによつて浅底の円形な容
器状に形成したものである。斯かる、ダイアフラ
ム本体１は、絞り加工後に、1160℃の大気中で50
分間の高温酸化処理を施すことにより、合金成分
中のAlを選択的に酸化して全表面部に約1μmの
厚さのアルミナ被膜からなる絶縁膜２が形成され
る。３〜６はダイアフラム本体１の上面側の中央
部及び外周部に位置させて絶縁膜２上に付設され
たピエゾレジステイブな厚膜抵抗からなる応力セ
ンサで、これらは酸化ルテニウム（RuO2）系の
抵抗材ペーストを印刷後、乾燥（150℃、10分
間）、焼成（850℃、10分間）の各工程を経て形成
される。７は各応力センサ３〜６間をブリツジ接
続する厚膜導体からなる印刷導体で、導体ペース
トの印刷、乾燥、焼成により応力センサ３〜６と
同時に形成される。そして、この印刷導体７の所
要部所に面積を拡大した電源端子部７ａ，７ｂと
出力端子部７ｃ，７ｄが夫々形成されている。
図を参照しながら説明する。１はダイアフラム本
体で、これはFe−Cr−Al合金材（Fe：71％，
Cr：25％，Al：４％）からなる板材をプレスに
よつて絞り加工することによつて浅底の円形な容
器状に形成したものである。斯かる、ダイアフラ
ム本体１は、絞り加工後に、1160℃の大気中で50
分間の高温酸化処理を施すことにより、合金成分
中のAlを選択的に酸化して全表面部に約1μmの
厚さのアルミナ被膜からなる絶縁膜２が形成され
る。３〜６はダイアフラム本体１の上面側の中央
部及び外周部に位置させて絶縁膜２上に付設され
たピエゾレジステイブな厚膜抵抗からなる応力セ
ンサで、これらは酸化ルテニウム（RuO2）系の
抵抗材ペーストを印刷後、乾燥（150℃、10分
間）、焼成（850℃、10分間）の各工程を経て形成
される。７は各応力センサ３〜６間をブリツジ接
続する厚膜導体からなる印刷導体で、導体ペース
トの印刷、乾燥、焼成により応力センサ３〜６と
同時に形成される。そして、この印刷導体７の所
要部所に面積を拡大した電源端子部７ａ，７ｂと
出力端子部７ｃ，７ｄが夫々形成されている。
次に上記構成の作用について説明する。ダイア
フラム本体１の下面側に圧力Ｐが上向きに作用す
ると、圧力Ｐに比例して該ダイアフラム本体１の
中心部には引張応力が作用し、且つ外周部分には
圧縮応力が作用し、応力センサ３〜６に応力に応
じた抵抗値の変化が生じ、電源端子７ａ，７ｂ間
に一定電圧を印加すると、応力センサ３〜６の抵
抗値変化に伴つた出力電圧が出力される。
フラム本体１の下面側に圧力Ｐが上向きに作用す
ると、圧力Ｐに比例して該ダイアフラム本体１の
中心部には引張応力が作用し、且つ外周部分には
圧縮応力が作用し、応力センサ３〜６に応力に応
じた抵抗値の変化が生じ、電源端子７ａ，７ｂ間
に一定電圧を印加すると、応力センサ３〜６の抵
抗値変化に伴つた出力電圧が出力される。
上記構成によれば、ダイアフラム本体１が金属
材であるから、プレス加工によつて容易に所望の
形状にでき、セラミツク材料を用いたものに比べ
て加工が容易であるとともに脆さがなく機械的な
強度が非常に優れている。また、ダイアフラム本
体１はAlを含有するFe基合金で融点が1500℃以
上であり、絶縁膜２はダイアフラム本体１に含有
するAlを選択的に酸化して形成されたアルミナ
被膜であるから、絶縁膜２が従来構造のものに比
べて基材との密着性に優れ、且つ耐熱性に優れる
とともにダイアフラム本体１は表面のアルミナ被
膜により保護されて高温での耐酸化性にも優れ、
従つて応力センサ３〜６及び印刷導体７を高温度
（850℃）で焼成する厚膜回路により容易に付設し
得る。
材であるから、プレス加工によつて容易に所望の
形状にでき、セラミツク材料を用いたものに比べ
て加工が容易であるとともに脆さがなく機械的な
強度が非常に優れている。また、ダイアフラム本
体１はAlを含有するFe基合金で融点が1500℃以
上であり、絶縁膜２はダイアフラム本体１に含有
するAlを選択的に酸化して形成されたアルミナ
被膜であるから、絶縁膜２が従来構造のものに比
べて基材との密着性に優れ、且つ耐熱性に優れる
とともにダイアフラム本体１は表面のアルミナ被
膜により保護されて高温での耐酸化性にも優れ、
従つて応力センサ３〜６及び印刷導体７を高温度
（850℃）で焼成する厚膜回路により容易に付設し
得る。
尚、ダイアフラム本体１は、上述したFe−Cr
−Al合金材の他にFe−Al合金材、Fe−Ni−Cr−
Al合金材、Ni−Cr−Al合金材等を用いることが
でき、アルミナ被膜からなる絶縁膜２は高温酸化
処理の代りに陽極酸化処理によつて形成すること
ができ、また、応力センサ３〜６は厚膜回路の他
に薄膜回路及び半導体センサにより形成すること
ができる。
−Al合金材の他にFe−Al合金材、Fe−Ni−Cr−
Al合金材、Ni−Cr−Al合金材等を用いることが
でき、アルミナ被膜からなる絶縁膜２は高温酸化
処理の代りに陽極酸化処理によつて形成すること
ができ、また、応力センサ３〜６は厚膜回路の他
に薄膜回路及び半導体センサにより形成すること
ができる。
第４図は本考案の他の実施例を示すものであ
り、第１図乃至第３図と異なる部分について説明
する。即ち、８は絶縁膜２の表面に850℃焼成の
誘電体ペーストを印刷、乾燥、焼成の各工程を経
てコーテイングされた絶縁材被膜で、これはアル
ミナ被膜からなる絶縁膜２の絶縁性及び表面粗さ
向上並びに各応力センサ３〜６との密着性向上を
目的としてなされ、この絶縁材被膜８の表面に応
力センサ３〜６及び印刷導体７が形成される。
り、第１図乃至第３図と異なる部分について説明
する。即ち、８は絶縁膜２の表面に850℃焼成の
誘電体ペーストを印刷、乾燥、焼成の各工程を経
てコーテイングされた絶縁材被膜で、これはアル
ミナ被膜からなる絶縁膜２の絶縁性及び表面粗さ
向上並びに各応力センサ３〜６との密着性向上を
目的としてなされ、この絶縁材被膜８の表面に応
力センサ３〜６及び印刷導体７が形成される。
本考案は以上の説明から明らかなように、機械
的強度に優れるとともに高温での耐酸化性に優
れ、表面に耐熱性に優れた絶縁膜を形成すること
ができて、高温処理の必要な厚膜回路からなる応
力センサを容易に付設し得る金属ダイアフラム圧
力センサを提供できる。
的強度に優れるとともに高温での耐酸化性に優
れ、表面に耐熱性に優れた絶縁膜を形成すること
ができて、高温処理の必要な厚膜回路からなる応
力センサを容易に付設し得る金属ダイアフラム圧
力センサを提供できる。
第１図乃至第３図は本考案の一実施例を示すも
のであり、第１図は上面図、第２図は縦断面図、
第３図は要部の拡大断面図、第４図は本考案の他
の実施例を示す第３図相当図である。 図面中、１はダイアフラム本体、２は絶縁膜、
３〜６は応力センサ、７は印刷導体、８は絶縁材
皮膜である。
のであり、第１図は上面図、第２図は縦断面図、
第３図は要部の拡大断面図、第４図は本考案の他
の実施例を示す第３図相当図である。 図面中、１はダイアフラム本体、２は絶縁膜、
３〜６は応力センサ、７は印刷導体、８は絶縁材
皮膜である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ Alを含有するFe基合金材又はNi基合金材を
プレス加工により所定形状に形成してなるダイ
アフラム本体と、このダイアフラム本体に含有
されたAlを選択的に酸化することにより前記
ダイアフラム本体の表面部に形成されるアルミ
ナ被膜からなる絶縁膜と、この絶縁膜に一体的
に付設される応力センサとを具備してなる金属
ダイアフラム圧力センサ。 ２ アルミナ被膜からなる絶縁膜と応力センサと
の間に絶縁材被膜を一体的に介在することを特
徴とする実用新案登録請求の範囲第１項に記載
の金属ダイアフラム圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4092484U JPS60152950U (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 金属ダイアフラム圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4092484U JPS60152950U (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 金属ダイアフラム圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152950U JPS60152950U (ja) | 1985-10-11 |
| JPH0342344Y2 true JPH0342344Y2 (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=30550272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4092484U Granted JPS60152950U (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 金属ダイアフラム圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152950U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11578997B1 (en) | 2021-08-24 | 2023-02-14 | Allegro Microsystems, Llc | Angle sensor using eddy currents |
-
1984
- 1984-03-21 JP JP4092484U patent/JPS60152950U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60152950U (ja) | 1985-10-11 |
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