JPH0340207A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録、再生用の磁気ヘッドに関する。

〔従来の技術〕

磁気記録の分野においては高密度化に対する要請がます
ます高まってきている。この要請に応じるためには、磁
気記録媒体の高保磁力化と共に、磁気ヘッドの高性能化
が必要である。磁気ヘッド１１１哩 においては高保磁力の記録媒体の特許を十分引き出すた
めに高飽和磁束密度で、高透磁率の磁性材料が必要とな
る。このような理由から、従来のフェライト材料から、
Ｎ　ａ　−Ｆ　ｅ系、Ｆｅ−ＡＱ−Ｓｉ系などの結晶質
磁性合金やＣｏ　　Ｎ　ｂ　　Ｚ　ｒ　＋Ｃｏ−Ｔａ−
Ｚｒ等の非晶質磁性合金が用いられるようになった。

一方、高密度化に伴い磁気ヘッドのトラック幅やギャッ
プ長も狭くなり、それらの加工精度も向上させる必要が
ある。また、転送レートも高くむり、高周波領域での記
録再生特性の向上が要求されるため、多層膜構造の磁気
ヘッドが必要となる。

このような理由から、磁気ヘッドの製造においては、従
来のバルク材料を加工する方法から、スパッタリング法
、真空蒸着法、メツキ法などのＭ膜形成技術が用いられ
るようになり、加工においてもリングラフィ技術が適用
された薄膜形磁気ヘツドが開発されている。

また、高周波領域での磁気ヘッド特性を最大限に引き出
すために、磁路の中での磁性膜の磁気異方性の制御も盛
んに行なわれている。１ｉ！性膜の高周波領域における
透磁率は磁化容易方向において低く、磁化困難方向にお
いて高いことが知られている。これは磁化容易方向に磁
化過程が主に磁壁移動で行なわれるのに対して、磁化困
難方向の磁化過程が主に磁化回転によって行なわれるた
めである。

磁性膜に磁気異方性を付与する手段ヒしては、磁性膜作
製時に磁界を印加するか、あるいは磁性膜を磁界中で熱
処理する方法がある。これらの方法により、印加磁界方
向に磁化容易方向がそろった磁性膜が得られる。しかし
、薄膜の場合には、形状異方性が大きいために、磁性膜
の膜厚方向を磁化容易方向とするのは困難となる。従っ
て、通常は膜面内が磁化容易方向となる。磁気ヘッドに
おいてはこの形状による異方性を考慮し、磁路方向が透
磁率の高い磁化困難方向になるように磁性膜に磁気異方
性を付与することによって磁気ヘッドの特性が向上する
ことが知られている。

このような適用例としては計算機用磁気ディスク装置に
用いられている薄膜磁気ヘッドが挙げられる。（アイ・
イー・イー・イー・トランスアクション　オン　マグネ
ティックス、　ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎ　ｏｎ
　Ｍａｇｎａｔｉｃ＋、　ＭＡＧ−７，１４６，１９７
１）。

第１４図に薄膜磁気ヘッドの１例を示す。第１４図（ａ
）は断面図、（ｂ）は平面図である。

基板１の上に下部磁性膜２を形成し、その上に絶縁膜を
介してコイル３を形成し、さらに上部磁性！ｌ’１４を
形成して磁路を形成する。ここで、５は記録媒体で、ト
ラック幅は６となる。ここで、磁路としては記録媒体方
向が磁化困難方向となるようにしである。従って、磁化
容易方向７はトラック幅方向の面内になり、磁路に対し
て高い透磁率が得られる。

しかし、一般にＶＴＲ等のリング型磁気ヘッドでは形状
が複雑で、磁路全体を透磁率の高い方向をとることが困
難である。

例えば、第１５図にＶＴＲに用いられているリング型の
従来磁気ヘッドを示す（例えば、インターマグ・コンフ
ァレンス、４月、１４−１７゜１９８７）。

この磁気ヘッドは保護基板１の上に磁性膜２を多層に形
成し、さらにその上に保護基板１′を形成し、二つに分
割してコア半体８，８′とし、コイル巻線用窓９を形成
した後、ギャップ材１０を介して接合したものである。

この場合、磁性膜の膜厚方向６がトラック幅となる。こ
のようなリング型磁気ヘッドでは磁路の方向は巻線窓９
を周回する方向にあり、第１４図の薄膜ヘッドの考え方
でいけば磁路の方向に直角な方向である磁性膜厚方向（
トラック幅方向）を磁化容易方向とする磁気異方性を付
与すればよいこｋになる。しかし、第１５［に示したリ
ング型磁気ヘッドにおいては。

膜厚方向を磁化容易方向とすることは反磁界の影響で困
難となる。特に、トラック密度を上げるために１例えば
１０ｐｍ以下の膜厚とじた時にはさらに困難となる。

また、リング型コアに対して放射状に磁化容易方向を形
成すれば同様の効果が得られるが、磁路方向に沿って、
全て直角方向に磁化容易方向を制御することは、量産的
に非常に困難である。

一方、磁気ヘッドを磁気回路的にみると、記録媒体対向
面側の作動ギャップ近傍部の磁気抵抗がヘッド特性に大
きく影響しており、この部分の磁化容易方向を媒体の走
行方向にそろえることによって、かなり改善される。し
かし、後部磁路は磁化容易方向と平行になり、十分なヘ
ッド特性が得られない、さらに、１０μｍ以下の狭トラ
ツクヘツドにおいては、磁性膜の膜厚も薄くなり、比較
的磁路の長い第１５図の磁気ヘッドでは、全体的に磁路
の磁気抵抗が高くなり、十分な再生出力が得られなくな
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のように、従来の磁気ヘッドにおいては、トラック
幅を狭くした場合、磁気記録再生特性が不充分となると
いう問題があった。

特に、磁性膜の膜厚方向をトラック幅とするりング型磁
気ヘッドにおいては磁路に沿って、該磁路に直角な方向
を磁化容易方向とすることは困難であり、従って、磁気
記録再生特性が十分でなく。

かつ、特性のばらつきが大きいという問題があった。

本発明の目的は上記問題を解決し、優れた記録再生特性
を示す磁気ヘッドを提供することにある。

〔ｉｌＩＩＭを解決するための手段〕

上記課題を解決するために本発明では、作動ギャップと
５作動ギャップを形成する磁路部材と。

磁路部材に磁束を発生させるコイル手段を有する磁気ヘ
ッドにおいて、磁路部材を磁化容易方向が異なる２以上
の部材を組み合わせて構成したものである。

また１本発明の一側面によれば、本発明は主磁路及び作
動ギャップを形成する厚さ１０μｍ以下の主磁路磁性層
と、該主磁路磁性層に磁気的に結合される厚さ１０μｍ
以上の補助磁路磁性層と、上記主磁路磁性層及び補助磁
路磁性層のうち少なくとも１に磁気的に結合され電気磁
気変換を行うコイル手段とを有し、上記作動ギャップ近
傍で３．７５ｍ／ｓの速度で相対移動する磁気記録媒体
に５　Ｍ　Ｈｚの信号を一１ｄＢ以上の再生出力で記録
再生するように構成された磁気ヘッドである。

すなわち、主磁路の欠点を補助磁路で補なうような磁気
ヘッド構造、構成材料、磁性材料特性を提０（するもの
である。

特に、トラック幅がコア幅、高さより狭い磁気ヘッドに
おいては、主磁路形成用磁性膜と補助磁路形成用磁性膜
とを有し、主磁路形成膜によってトラック幅ならびに作
動ギャップが形成され、該主磁路形成膜の磁化容易方向
が作動ギャップに対して垂直になっており、補助磁路形
成膜の少なくとも一方が後部磁路に対して磁化容易方向
が垂直になっているように配置したものである。

特に主磁路に形成磁性膜の膜厚方向をトラック幅となる
リング型ヘッドにおいては、磁気ヘッドの作動ギャップ
近傍部は主磁路形成用磁性膜の磁気異方性を制御するこ
とによって磁路の磁気特性１最適化し、後部磁路は補助
磁路形成用磁性膜の磁気異方性を制御することによって
磁路磁気特性を最適化しＰのである。

〔作用〕

本発明では、磁路部材が磁化容易方向が異なる複数の部
材により構成されているため磁路の磁気特性を最適化す
ることができる。

主磁路形成磁性膜は作動ギャップ近傍部において最適な
磁気特性を持つように作用し、補助磁路形成磁性膜は後
部磁路において最適な磁気特性を持つように作用するの
で、リング型磁気ヘッドの磁路に対して良好な磁気特性
を持つようになる。

また、狭トラツク磁気ヘツドにおいて、補助磁路を設け
ることによって、後部磁路の効率を低減しないように作
用するため、トラック幅が１０μｍ以下となってもヘッ
ド特性の劣化を防止できる。

さらに、主磁路に飽和磁束密度の高い磁性材料を選択す
ることによって記録能力を高め、補助磁路には飽和磁束
密度よりむしろ透磁率の高い磁性材料を選択することが
できるため、高密度記録に適したヘッド設計ができる。

〔実施例〕

本発明の実施例を以下に示す、すなわち本実施例の構成
は １）少なくとも作動ギヤツブ部を形成する主磁路形成磁
性膜と、これを補う補助磁路形成磁性膜とからなり、補
助磁路形成磁性膜は磁気コアのギャップ深さより後部に
配置され、主磁路形成膜と磁気的に連結した構造となっ
ている。

ｉ）補助磁路は、主磁路の一方の側面もしくは両側面に
形成されている。

団）主磁路形成磁性膜の磁化容易方向と少なくとも一方
の補助磁路形成磁性膜の磁化容易方向が異なるようにし
である。好ましい方向は、主磁路形成磁性膜の磁化容易
方向を作動ギャップと垂直（記録媒体走行方向）とし、
少なくとも一方の補助磁路形成磁性膜の磁化容易方向を
これと約９０’″異なるようにしたものである。

膣）磁路形成磁性膜ならびに補助磁路形成磁性膜＆？）
としてはＮｉ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−Ａｌ１−ｓｉ金合金の
多結晶合金膜、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金、Ｇ　ｏ　−Ｔ　
ａ　−Ｚ　ｒ合金等の非晶質合金膜が用いられ、さらに
は高飽和磁束密度材料としてＦｅ−Ｃ／Ｎｉ−Ｆｅ系超
多層膜が用いられる。膜の形成方法は、ＲＦスパッタ法
、イオンビームスパッタ法、蒸着法など薄膜形成技術が
用いられる。

なお、上記磁性膜は主磁路および補助磁路とも同種の材
料でもよく、目的に応じて主磁路と補助磁路を異なるも
のとしてもよい、好ましくは、主磁路に高飽和磁束密度
の材料を、補助磁路には高透磁率を有し、作製が容易で
、信頼性の高い材料が良い。

この磁性膜が形成される保護基板としては。

結晶化ガラス、Ｍｎ０−Ｎｉ０系、ＮｉＯ・ＭｇＯ系等
の岩塩型、他にＺｎフェライト、ＦｅｚＯδ、Ｚｒ０１
系等の非磁性材が用いられる。

以下、本発明の一実施例を図によって説明する。

実施例１ 本発明の構成の実施例を第１図に示す。基本的には２種
の金属磁性層２１．２２の両側を基板２３．２３’で挟
持し、ギャップ２５を介して接合ガラス２４．２４’で
固定したリング形の磁路を有する磁気ヘッドである。

ここで、金属磁性層２１は主磁路を形成し、膜厚方向が
トラック幅Ｔ、となっており、媒体対向面に露出してい
る。また、金属磁性層２１の磁化容易方向はヘッドの走
行方向Ａ（作動ギャップに垂直）とし、媒体対向方向Ｃ
（ヘッド高さ方向）の透磁率が高くなるようにする。

一方、金属磁性層２２は補助磁路を形成するもので、主
磁路形成膜２１よりもギャップ深さｄだけ下に配置し、
後部磁路の磁気抵抗を下げる役目をする。すなわち、媒
体対応方向Ｃを磁化容易方向とし、後部磁路の走行方向
Ａの透磁率が高くなるようにする。

なお、補助磁路形成膜をギャップ深さｄより下げる理由
は、トラック幅に相当する主磁路形成膜の膜厚ギャップ
深さｄまで一定になるようにし、ヘッドが摩耗してもｄ
の深さまで使用できるようにするためである。

上記のような構成にすることによってリング型磁気ヘッ
ド全体の磁路の効率を高めることができ、優れたヘッド
特性を得ることができる。

また、金属磁性層２１の飽和磁束密度を金属磁性層２２
よりも高くすることが可能であり、それぞれの役目を分
担することができ、優れた記録ならびに再生ヘッドが得
られる。さらに、金属磁性材料で全体の磁路が形成され
ているので摺動雑音の少ない磁気ヘッドとなる。

このヘッドの製造方法を第２図〜第６図によって説明す
る。まず、第２図に示すようなセセミックスや、結晶化
ガラス等の基板２３の片面に溝を形成する。溝の方向は
磁気コアの走行方向Ａに平行とする。溝の深さは約５０
μｍとした。

次に第３図に示すように、前記溝に補助磁路となる金属
磁性層２２をスパッタリングにより２０〜３０μｍ形成
し、その後、研削、研磨を行なって余分な金属磁性層を
除去し平坦な面を形成した。

本実施例では、金属磁性層２２として、飽和磁束密度０
．８　ＴのＧｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系アモルファス合金を用い
た。金属磁性層は磁化容易方向Ｅａが、磁気コアの媒体
対向面方向Ｃとなるように、スパッタ中の磁界あるいは
スパッタ後の磁場中熱処理によってそろえた。

このようにして得られた基板面に、さらに第４図に示す
ように、主磁路形成膜となる金属磁性層２１を形成した
。その膜厚はトラック幅に相当するものとし、５ｉｆｔ
等の眉間絶縁層を介して積層構造とした。これは積層構
造にすることにより、渦電流損失を少なくして高周波領
域における磁気特性を良好にするためである０本実施例
では、飽和磁束密度０．９ＴのＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ　系の
アモルファス合金を用い、５ｉＯｚ０．１μｍの層間絶
縁層を介して、−層３μｍのものを５Ｍ形成した。なお
、この金属磁性層の磁化容易方向は、磁気コアの走行方
向となるように形成した。すなわち、−主磁路形成［２
１は磁気コアの走行方向が磁化容易方向となるようにし
、反対に、補ｊＪ）ｓ磁路の磁化容易方向は、これと約
９０″異なる方向とした。

次に、基板２３′の金属磁性層のついていないもう片面
に接着ガラス層を形成した基板２３′を第５図に示すよ
うに重ね合せ、接着ガラスを溶融させて接合し、接合ブ
ロックを得た。

次に、このブロックを第６図に示すように短財状に切断
して一対のコア半休を作製し、一方のコアに巻線溝２６
を形威し、ギャップ面を平滑に研磨した後、所定のギャ
ップ長になるように非磁性薄膜を介して接合した。接合
は作動キャップの外側に切り欠き溝を設け、低融点ガラ
スを充填して固着し、適当のコア幅に切断して第１図の
磁気へラドコアを得た。

実施例２ 本発明の構成の他の実施例を第７図に示す。本実施例は
トラック幅が１０μｍ以下の高密度記録用磁気ヘッドに
好適な構成を示す。第７図に示すように、金属磁性層（
主磁路形成用磁性Ｍ）２１と２種の金属磁性層（補助磁
路形成用磁性層）２２．２２’　とからなっている。

ここで、金属磁性層２工は磁化容易方向をヘッド走行方
向Ａとし、他の金属磁性層２２．２２’の一方を金属磁
性層２１と同一方向とし、もう−方をこれと約９０°異
なる方向とする。

その理由は、トラック幅が〕、０μｍ、以下になると金
属磁性層２１だけで構成した磁路は急激に磁気抵抗が増
加し、記録再生特性が劣化する。そのため、これを補う
ための同一の磁化容易方向を持つ後部補助磁路が必要と
なる。

このヘッドの製造方法の一例を第８図〜第９図に示す、
基本的な製造方法は第２ｒＡ〜第６図と同一である。

まず、第８図（ａ）、（ｂ）に示すようなセラミックス
や結晶化ガラス等の基板２３．２３’の片面にそれぞれ
溝を形成する。溝の方向は磁気コアの走行方向Ａに平行
（作動ギャップに垂直）とした、溝の深さは３０〜５０
μｍとした。

次に、第９図（ａＬ　　（ｂ）に示すように前記溝に補
助磁路となる金属磁性層２２．２２’　をスパッタリン
グにより形成し、研削、研磨を行なって平坦な面を形成
した。本実施例では、金属磁性層として飽和磁束密度０
．８Ｔ　のＣｏ　−Ｎ　ｂ　−Ｚ　ｒ系アモルファス合
金を用いた。ここで、金属磁性層の磁化容易方向Ｅ＆は
第９図（ａ）と（ｂ）では異なる方向とした。すなわち
、第９図（ａ）の金属磁性層２２の磁化容易方向Ｅ＆は
磁気コアの作動ギャップに垂直方向Ａ（基板上では溝に
平行な方）とし、一方第９図（ｂ）の金属磁性層２２′
の磁化容易方向Ｅａは磁気コアの媒体対向面方向Ｃ（基
板上では溝に直角な方向）となるようにした、磁化容易
方向の制御は４６０℃で５ＫＯｅの磁場中で熱処理した
。この時の金属磁性層の周波数５ＭＨｚにおける実効率
磁率は磁化容易方向で４００゜磁化困難方向で１５００
であった。

次に、第１０図（ａ）に示すように第９図（ａ）基板の
面に主磁路形成膜となる金属磁性層２１を形成する。狭
トラツクヘツドを得るために膜厚は５ｒ臥形成５た・金
属磁性層に′−１は２°−０／Ｎ　ｉ　−Ｆ’　ｅ多層
膜を形成した。その周期はＦｅ−Ｃ（０，１μｍ）に対
してＮ　ｉ　−Ｆ　ｓ　（５ｎ　ｍ）と１０層ごとに絶
縁層としてＢＮ（窒化ホウ素）層（１０ｎ　ｍ）を介し
て積層構造とした。この膜の作製はイオンビームスパッ
タ装置で行なった。得られた多層膜の飽和磁束密度は約
２Ｔあり、磁化困難方向の５　Ｍ　Ｈｚにおける実効透
磁率は２０００であった。このような高飽和磁束密度の
磁性層を用いるのは、トラック幅が狭くなっても高保磁
力の記録媒体にも十分記録をできるようにするためであ
る。

上記、Ｆｅ−Ｃ／Ｎ１−Ｆｓ多層膜の形成条件。

磁気性質については、日本国特開昭６３−０６５６０４
号明細書に記載されている。

次に、基板２３′の金属磁性層の面に接着ガラス層を形
成し、第１１図に示すように重ね合せて接着ガラスを溶
融させて接合し接合ブロックとした。

以下の製造方法は第５図〜第６図の工程と同一である。

なお、補助磁路となる磁性層２２．２２’は溝の幅によ
って主磁路磁性層２１の側面を全体的におおってもよい
が、第１２図に磁気ヘッドの端面を示すように、主磁路
磁性層２１ヒ同一方向の磁化容易方向の補助磁路磁性層
２１で全体の磁気抵抗を低減させるようにし、これに直
角な磁化容易方向をもつ、補助磁路磁性Ｍ２２′を後部
のみに設けることも可能である。

また、補助磁路磁性層の厚さは、１０μｍ〜５０μｍが
好適である。１０μｍ以下にすると補助磁路にしての効
果が薄れる０５０μｍ以下の場合は絶縁層を介して多層
膜とすれば高周波特性も良好となるが、、　ＩＩ＠のは
く離の問題や膜の形成時間が長時間となり量産性が問題
となる。

なお１本磁性膜の構成によればトラック幅５μｍ以下、
１μｍまで形成し、保磁力２００００ｏまでの媒体に記
録再生できることを確認した。

実施例３ 第１３図に本発明の磁気ヘッドと従来の補助磁路なしの
磁気ヘッドを試作し、ＶＴＲ装置によって記録再生した
時のｉ−５ｆｉＪり輻と単位トラック幅当りの５ＭＨｚ
の再生出力の値を示す、測定に用いたテープはメタルバ
ラタ−テープで保磁力１５０００ｅのものを用い、相対
速度３．７５ｍ／ｓ　　とした、磁気ヘッドのギャップ
長は０．３μｍ、ギャップ深さは２０μｍとした。

第１３図に示すように従来の補助磁路なしの磁気ヘッド
がトラック幅の減少とともに単位トラック幅当りの再生
出力が急激に低下するのに対し、本発明の磁気ヘッドで
はトラック幅が５μｍ以下でもその低下がほとんどない
ことが確認された。

なお、主磁路形成磁性膜と補助磁路形成磁性膜の構成は
、同一の磁性材料を用いてもよいが、Ｆｅ−ＡＱ−Ｓｉ
合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金やＦｅ−Ｃ合金等の多結品質膜と
Ｇｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金、Ｇ　ｏ　−Ｔ　ａ　−Ｚ　ｒ合
金１等の非晶質膜を組み合せてもよい０例えば、第１図
に示す磁気ヘッドにおいて、補助磁路形成磁性膜２２を
Ｆ　ｅ　−Ａ　Ｑ　−Ｓｉ合金膜とし、主磁路形成磁性
膜２１をＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ非晶質合金膜とすることがで
きる。

このような組み合せにすれば、それぞれの磁化容易方向
の制御が容易である８例えば、磁気ヘッド製造工程第２
１ｄ〜第６図において、補助磁路形成磁性ｔｌＩＡ２２
としτＦ”　ｅ　−Ａ　Ｑ　−Ｓ　ｉ合金膜を第３図の
ごとく形成した後、磁界中で５５０℃〜０５０℃の温度
範囲で熱処理することによってＥ＆の方向に磁化容易方
面を形成する。このようにした後、主磁路形成磁性膜２
１としてＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ非晶質合金１摸を形成し、磁
界中で納品化温度基ドの温度でにａ′の方向に磁化容易
方向を形成する。これは、蛋結晶質合煮が一度熱処理す
ると磁化の方向制御が困難であるのに対しで非Φ 晶質合金は工程の♂の磁界中熱処理で容易に磁化の方向
を制御できるためである。従って５非晶質合余膜を磁路
一部に設けＩ：場合には、第５図、および第６図の接合
工程においても磁化の方向を制御することが可能である
。しかし　非陥質合彼膜を用いた場合には、結晶化Ａ＆
度以Ｆで熱処理工程を進める必要があり、接合ガラスは
低融点のものを使用する必要がある。

一方、主磁路形成磁性膜および補助磁路形成磁性膜をい
ずれも多結晶質合金膜とすれば接合ガラスとして信頼性
の高い高融点のものを選択することができる。従って、
磁性材料はそれぞれの目的に応じて選択することが可能
である。

次に、磁気ヘッド製造工程において起る問題として、基
板と補助磁路形成磁性膜の境界あるいは補助磁路形成磁
性膜と主磁路形成磁性膜の境界における１反応やはく離
がある。はく離の問題は両者の熱膨張係数の差、膜の内
部応力が考えられ、それぞれの目的に応じて下地層、中
間層を介して形成することができる１例えば、反応性の
少ない材料としてはＣｒ　、　−Ｌ’　ａ　、　”Ｉ’
　ｉ　、　Ｂ　Ｎ　、　Ｓ　ｉ　Ｃ。

Ｓ　ｉ　Ｏｘ、　Ａ　Ｑ　ｚｏ８が好適である。

前記下地層もしくは中間層を非磁性基板、補助磁路形成
磁性膜、主磁路形成磁性膜ならびにもう一方の非磁性基
板の各構成材料の間に介在させることによって、反応や
はく離の問題を解決し、歩留りの高い磁気＾、ラド製造
が可能である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、主磁路形成磁性膜と補助磁路形成磁性
膜によって、リング型磁気ヘッドのそれぞれの磁路の没
目を分担することができるので、磁路の効率が高められ
、その効果磁気ヘッドの特性が向上できる。また、狭ト
ラツク磁気ヘツドの場合に、補助磁路によって磁気コア
アの後部の磁気抵抗を低減できるので、高密度で高周波
の記録再生特性を向上する効果がある６その結果、トラ
ック幅５μｍ以下でも十分記録再生できる磁気ヘッドが
得られた。さらに、主磁路形成磁性膜と補助磁路形成磁
性膜の材料を目的に応じて選択することができるので、
多目的の磁気記録装置に適用できる。例えば、高密度、
高周波磁気記録を必要とするディジタルＶ　’ｒ　Ｒ１
高品位ＴＶ用ディジタルＶＴＲ用磁気ヘッドとして好適
である。また、浮上用スライダと組み合せることによっ
て高密度の磁気ディスク装置にも適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す磁気ヘッドの斜視図、
第２図から第６１１！ｌは第１図の磁気ヘッドを製造す
るための一例を示す製造工程図、第７図は本発明の他の
実施例を示す磁気ヘッドの斜視図。 第８図から第１２図は第７図の磁気ヘッドを製造するた
めの一例を示す製造工程図、第１３図は本発明の効果を
実証するために行なった実験結果を示すグラフ、第１４
図は従来の磁気ディスク装置に用いられているＷＩ膜春
巻線型磁気ヘッド断面図および上面図、第１５図は従来
のＶ　Ｔ　Ｒ用磁気ヘッドの斜視図である。 ２１・・・主磁路形成磁性膜、２２，２２′・・・補助
磁路形成磁性膜、２３．２３’・・・非磁性基板、２４
゜２４′・・・接合充填ガラス、２５・・・作動ギャッ
プ、２６・・・コイル巻線窓、　Ａ、　ｌ：ｌ、　Ｃ・
・・それぞれ磁気ヘッドの形状８位置説明するための記
号５１′１・・・・・トラック幅、ｇ、・・・ギャップ
深さ、Ｅｌ・・磁性膜の磁化容易方向や ￥：Ｉ昭 巣 図 第２図 第 図 図 冨 薗

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも作動ギャップ部を形成する主磁路形成磁
   性膜と、これを補う補助磁路形成磁性膜とからなり、補
   助磁路形成磁性膜が磁気コアのギャップ深さより後部に
   配置され、前記主磁路形成膜と磁気的に連結しており、
   該主磁路形成磁性膜の磁化容易方向を作動ギャップと垂
   直方向とし、補助磁路形成磁性膜の磁化容易方向を媒体
   対向方向とすることを特徴とする磁気ヘッド。 ２、補助磁路形成磁性膜が主磁路形成磁性膜の両側面に
   配置され、一方の補助磁路形成磁性膜が主磁路形成磁性
   膜と同一磁化容易方向とすることを特徴とする特許請求
   範囲第１項記載の磁気ヘッド。 ３、主磁路形成磁性膜の飽和磁束密度が補助磁路形成磁
   性膜より高いことを特徴とする特許請求の範囲第１項又
   は第２項記載の磁気ヘッド。 ４、主磁路形成磁性膜が非晶質磁性合金膜からなり、補
   助磁路形成磁性膜が多結晶質磁性合金からなることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の磁気ヘ
   ッド。 ５、主磁路形成磁性膜が多結晶質磁性合金膜からなり、
   補助磁路形成磁性膜が非晶質磁性合金膜からなることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の磁気
   ヘッド。 ６、少なくとも補助磁路磁性膜が非磁性基板の溝に埋め
   込まれていることを特徴とする特許請求範囲第１項又は
   第２項記載の磁気ヘッド。 ７、主磁路形成磁性膜がＦｅ−Ｃ系、もしくはＦｅ−Ｓ
   ｉ系の多層膜からなり、補助磁路形成磁性膜がＦｅ−Ａ
   ｌ−Ｓｉ合金もしくは非晶質磁性合金であることを特徴
   とする特許請求の範囲第３項記載の磁気ヘッド。 ８、磁路に用いられている磁性膜が非磁性絶縁層を介し
   た多層膜であることを特徴とした特許請求の範囲第１項
   記載の磁気ヘッド。 ９、主磁路形成磁性膜の膜厚がトラック幅となり、その
   トラック幅が１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項又は第２項記載の磁気ヘッド。 １０、非磁性基板、補助磁路形成磁性膜、主磁路形成磁
   性膜ならびにもう一方の非磁性基板の各構成材料の間に
   Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、ＢＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ＿２、Ａｌ＿
   ２Ｏ＿３からなる少なくとも一種の薄膜を介在させるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
   磁気ヘッド。 １１、作動ギャップと、該作動ギャップを形成する磁路
   部材と、該磁路部材に磁束を発生させるコイル手段を有
   する磁気ヘッドにおいて、上記磁路部材は、磁化容易方
   向が異なる２以上の部材よりなることを特徴とする磁気
   ヘッド。 １２、前記磁路部材は、前記作動ギャップと垂直に交わ
   る磁化容易方向を有する主磁路部材と、これと異なる磁
   化容易方向を有する補助磁路部材よりなることを特徴と
   する特許請求の範囲第１１項記載の磁気ヘッド。 １３、前記補助磁路部材は前記作動ギャップの深さ方向
   の磁化容易方向を有することを特徴とする特許請求の範
   囲第１２項記載の磁気ヘッド。 １４、前記磁路部材は前記作動ギャップのトラック幅方
   向を厚さ方向とする少なくとも１の磁性体層よりなるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１１項〜第１３項のう
   ちいずれかに記載の磁気ヘッド。 １５、媒体に対向する作動ギャップと、該作動ギャップ
   に磁束を通す磁路部材とを有し、上記作動ギャップから
   の磁束で相対的に移動する媒体に磁気記録する磁気ヘッ
   ドにおいて、上記磁路部材は、上記作動ギャップを形成
   する主磁路部材と、他の部分を形成する補助磁路部材よ
   りなり、上記主磁路部材は上記媒体面に垂直方向の透磁
   率が他の方向より大きく、上記補助磁路部材は上記媒体
   の移動方向の透磁率が他の方向より大きいことを特徴と
   する磁気ヘッド。 １６、主磁路及び作動ギャップを形成する厚さ１０μｍ
   以下の主磁路磁性層と、該主磁路磁性層に磁気的に結合
   される厚さ１０μｍ以上の補助磁路磁性層と、上記主磁
   路磁性層及び補助磁路磁性層のうち少なくとも１に磁気
   的に結合され電気磁気変換を行うコイル手段とを有し、
   上記作動ギャップ近傍で３．７５ｍ／ｓの速度で相対移
   動する磁気記録媒体に５ＭＨ＿ｚの信号を−１ｄＢ以上
   の再生出力で記録再生することを特徴とする磁気ヘッド
   。 １７、前記主磁路磁性層の厚さがトラック幅となつてい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１６項記載の磁気
   ヘッド。 １８、前記主磁路磁性層は複数の層を積層してなること
   を特徴とする特許請求の範囲第１６項又は１７項記載の
   磁気ヘッド。