JPH0335774B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0335774B2 JPH0335774B2 JP55158728A JP15872880A JPH0335774B2 JP H0335774 B2 JPH0335774 B2 JP H0335774B2 JP 55158728 A JP55158728 A JP 55158728A JP 15872880 A JP15872880 A JP 15872880A JP H0335774 B2 JPH0335774 B2 JP H0335774B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beryllium
- ray
- window
- silicon nitride
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010004485 Berylliosis Diseases 0.000 description 2
- 208000023355 Chronic beryllium disease Diseases 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001572 beryllium Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N [B].[Si] Chemical compound [B].[Si] CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- -1 corundum Chemical compound 0.000 description 1
- 229920003020 cross-linked polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004703 cross-linked polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/16—Vessels; Containers; Shields associated therewith
- H01J35/18—Windows
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/18—Windows, e.g. for X-ray transmission
- H01J2235/183—Multi-layer structures
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はX線回折装置、X線露光装置、X線検
出器、等々のX線装置に於て使用されるX線窓に
関わるものである。上記X線装置に於ては、一般
にフイラメントから放出された熱電子を高電界で
加速し、金属で形成されたターゲツトに衝突させ
てX線を発生させたり、X線を放電箱中に導いて
電気信号に変換するなどしている。これらの場
合、X線強度を大幅に減衰させることなく透過さ
せる所謂X線窓が必要となる。しかもX線装置は
そのかなりのものが高真空装置であることが多
く、かかる場合ではX線窓はX線透過窓であると
共にその表裏においてかなりの圧力差を維持する
真空気密性をも要求されることとなる。
出器、等々のX線装置に於て使用されるX線窓に
関わるものである。上記X線装置に於ては、一般
にフイラメントから放出された熱電子を高電界で
加速し、金属で形成されたターゲツトに衝突させ
てX線を発生させたり、X線を放電箱中に導いて
電気信号に変換するなどしている。これらの場
合、X線強度を大幅に減衰させることなく透過さ
せる所謂X線窓が必要となる。しかもX線装置は
そのかなりのものが高真空装置であることが多
く、かかる場合ではX線窓はX線透過窓であると
共にその表裏においてかなりの圧力差を維持する
真空気密性をも要求されることとなる。
従来、該気密室の壁の一部には厚さ数十μmの
ベリリウム箔で形成したX線窓が設けられ、この
ベリリウム窓を通してX線のやりとりがなされて
いる。これはベリリウムのX線透過率が大きく、
且つ機械的強度が比較的大きい為である。ところ
がこのベリリウム箔には、鉄、銅、マンガン、ニ
ツケル、アルミニウム、ケイ素等の不純物の他、
酸素、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム等
の揮発性の不純物が一般に含まれており、この為
該ベリリウム窓を大気中で長時間X線照射する
と、照射X線のエネルギーによつて大気中の酸素
と前記の不純物が反応し、一部の不純物は気化若
しくは化学的構造に変化を生ずる。その結果、ベ
リリウム窓にはピンホールを生じ、該気密室の中
を所望の高真空に保てなくなることがしばしば生
じていた。上述の現象はベリリウム窓のいずれか
一方の表面が空気に晒されている時にのみ生じ、
He等の不活性ガスで満たされた雰囲気中で使用
した場合にはピンホールは殆ど発生しない。した
がつて、ベリリウム窓のピンホールを防止する為
にはベリリウム窓の表面が空気に晒されない様に
しなければならず、X線源となるターゲツトが含
まれる気密室の外側に更にもう一つの室を設け、
該室の中の空気をHe等の不活性ガスで完全に置
換するか、若しくは高真空状態に保たなければな
らない。ところが、例えば微細パターンの一括転
写に用いられるX線露光機等に於ては、X線露光
マスク及び半導体ウエハ等を頻繁に交換する為、
X線露光マスク及び該半導体ウエハは大気中に置
いたまま露光する必要があると考えられており、
したがつてベリリウム窓の少なくとも1表面は空
気に晒されることになり、ピンホールの発生を防
ぐことは困難であつた。
ベリリウム箔で形成したX線窓が設けられ、この
ベリリウム窓を通してX線のやりとりがなされて
いる。これはベリリウムのX線透過率が大きく、
且つ機械的強度が比較的大きい為である。ところ
がこのベリリウム箔には、鉄、銅、マンガン、ニ
ツケル、アルミニウム、ケイ素等の不純物の他、
酸素、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム等
の揮発性の不純物が一般に含まれており、この為
該ベリリウム窓を大気中で長時間X線照射する
と、照射X線のエネルギーによつて大気中の酸素
と前記の不純物が反応し、一部の不純物は気化若
しくは化学的構造に変化を生ずる。その結果、ベ
リリウム窓にはピンホールを生じ、該気密室の中
を所望の高真空に保てなくなることがしばしば生
じていた。上述の現象はベリリウム窓のいずれか
一方の表面が空気に晒されている時にのみ生じ、
He等の不活性ガスで満たされた雰囲気中で使用
した場合にはピンホールは殆ど発生しない。した
がつて、ベリリウム窓のピンホールを防止する為
にはベリリウム窓の表面が空気に晒されない様に
しなければならず、X線源となるターゲツトが含
まれる気密室の外側に更にもう一つの室を設け、
該室の中の空気をHe等の不活性ガスで完全に置
換するか、若しくは高真空状態に保たなければな
らない。ところが、例えば微細パターンの一括転
写に用いられるX線露光機等に於ては、X線露光
マスク及び半導体ウエハ等を頻繁に交換する為、
X線露光マスク及び該半導体ウエハは大気中に置
いたまま露光する必要があると考えられており、
したがつてベリリウム窓の少なくとも1表面は空
気に晒されることになり、ピンホールの発生を防
ぐことは困難であつた。
本発明は上記のように従来各種X線装置に於て
用いられていたベリリウム窓を改良し、空気中で
長時間使用した場合にもピンホールが極めて発生
し難い構造にしようとするものである。
用いられていたベリリウム窓を改良し、空気中で
長時間使用した場合にもピンホールが極めて発生
し難い構造にしようとするものである。
本発明は、こうしたベリリウム箔の一表面上も
しくは両表面上に保護膜を堆積することで前記従
来の欠点を除去し、更に人体にとつて極めて有害
なベリリウムを被覆することでX線装置取扱者を
所謂ベリリウム中毒から防護する。本発明の保護
膜としては、シリコン窒化物、シリコン酸化物、
シリコン炭化物、ホウ素化合物、コランダム等の
アルミニウム酸化物、プラスチツク、等が良い成
績を得る。
しくは両表面上に保護膜を堆積することで前記従
来の欠点を除去し、更に人体にとつて極めて有害
なベリリウムを被覆することでX線装置取扱者を
所謂ベリリウム中毒から防護する。本発明の保護
膜としては、シリコン窒化物、シリコン酸化物、
シリコン炭化物、ホウ素化合物、コランダム等の
アルミニウム酸化物、プラスチツク、等が良い成
績を得る。
以下、本発明の実施の一例についてより具体的
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明のX線窓の概略構成を模式的に
示したものであり、11は両表面を研磨した数μ
mないし数十μmの厚さを有する平行平板状のベ
リリウム箔の一部であり、12は該ベリリウム箔
の両表面上にCVD法又はプラズマCVD法等の方
法で数百Åないし数千Åの厚さになるように堆積
させたシリコン窒化物層である。シリコン窒化物
は通気性が小さく、空気中の酸素とベリリウム箔
中の不純物との反応を妨げ、ピンホールの発生を
防止する。また、数百Åないし数千Åの膜厚の該
シリコン窒化物層によるX線の吸収は、通常数十
μmの厚さを有する該ベリリウム箔による吸収に
比べて殆んど無視でき、支障にならない。尚、該
シリコン窒化物層12は、該ベリリウム板11を
所定のX線装置に装填した時に、空気に晒される
側のみ堆積しても良い。したがつて、本発明は第
2図に示す様にベリリウム箔21のいずれか一方
の表面上にシリコン窒化物層22を堆積した構造
によつても、その効果を十分に発揮し得る。尚、
上記の実施例では保護膜としてシリコン窒化物膜
を用いた場合について説明したが、本発明は、上
記の実施例のシリコン窒化物(Si3N4)に換え
て、通気性が小さく、且つX線の透過率が大きい
シリコン酸化物(SiO2)、シリコン炭化物
(SiC)、窒化ホウ素(BN)、炭化ホウ素(B4C)、
ケイ化ホウ素(B4Si)、サフアイア等のコランダ
ム、アルミナ、ポリイミド、架橋ポリエチレン、
等々の単一膜又はそれ等の複合膜を用いても十分
その効果を発揮でき、ベリリウム窓のピンホール
の発生を防止し、その寿命を大幅に改善すると共
に、取扱者をベリリウム中毒から防護することが
できる。
示したものであり、11は両表面を研磨した数μ
mないし数十μmの厚さを有する平行平板状のベ
リリウム箔の一部であり、12は該ベリリウム箔
の両表面上にCVD法又はプラズマCVD法等の方
法で数百Åないし数千Åの厚さになるように堆積
させたシリコン窒化物層である。シリコン窒化物
は通気性が小さく、空気中の酸素とベリリウム箔
中の不純物との反応を妨げ、ピンホールの発生を
防止する。また、数百Åないし数千Åの膜厚の該
シリコン窒化物層によるX線の吸収は、通常数十
μmの厚さを有する該ベリリウム箔による吸収に
比べて殆んど無視でき、支障にならない。尚、該
シリコン窒化物層12は、該ベリリウム板11を
所定のX線装置に装填した時に、空気に晒される
側のみ堆積しても良い。したがつて、本発明は第
2図に示す様にベリリウム箔21のいずれか一方
の表面上にシリコン窒化物層22を堆積した構造
によつても、その効果を十分に発揮し得る。尚、
上記の実施例では保護膜としてシリコン窒化物膜
を用いた場合について説明したが、本発明は、上
記の実施例のシリコン窒化物(Si3N4)に換え
て、通気性が小さく、且つX線の透過率が大きい
シリコン酸化物(SiO2)、シリコン炭化物
(SiC)、窒化ホウ素(BN)、炭化ホウ素(B4C)、
ケイ化ホウ素(B4Si)、サフアイア等のコランダ
ム、アルミナ、ポリイミド、架橋ポリエチレン、
等々の単一膜又はそれ等の複合膜を用いても十分
その効果を発揮でき、ベリリウム窓のピンホール
の発生を防止し、その寿命を大幅に改善すると共
に、取扱者をベリリウム中毒から防護することが
できる。
第1図及び第2図は本発明の実施例を模式的に
示した概略断面図である。図中、11及び21は
ベリリウム箔、12及び22はシリコン窒化物等
からなる保護膜をそれぞれ示す。
示した概略断面図である。図中、11及び21は
ベリリウム箔、12及び22はシリコン窒化物等
からなる保護膜をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 1 ベリリウム箔の一表面上若しくは両表面上に
シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン炭化
物、ホウ素化合物、アルミニウム酸化物、プラス
チツクの中のいずれか一つからなる単層膜あるい
はいずれか2つ若しくはそれ以上からなる複合膜
を保護膜として厚さ数百〜数千Å形成したことを
特徴とするX線窓。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55158728A JPS5782954A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | X-ray window |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55158728A JPS5782954A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | X-ray window |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5782954A JPS5782954A (en) | 1982-05-24 |
JPH0335774B2 true JPH0335774B2 (ja) | 1991-05-29 |
Family
ID=15678030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55158728A Granted JPS5782954A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | X-ray window |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5782954A (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61163547A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線取り出し窓 |
JPH0350606Y2 (ja) * | 1985-03-28 | 1991-10-29 | ||
JPS6391944A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-22 | Nec Corp | X線用ベリリウム窓 |
JP2814595B2 (ja) * | 1989-08-18 | 1998-10-22 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡 |
DE19528329B4 (de) * | 1995-08-02 | 2009-12-10 | INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH | Maskenblank und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2005539351A (ja) * | 2002-09-13 | 2005-12-22 | モックステック・インコーポレーテッド | 放射窓及びその製造方法 |
US7456932B2 (en) * | 2003-07-25 | 2008-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7428298B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-09-23 | Moxtek, Inc. | Magnetic head for X-ray source |
US7382862B2 (en) | 2005-09-30 | 2008-06-03 | Moxtek, Inc. | X-ray tube cathode with reduced unintended electrical field emission |
US8995621B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-03-31 | Moxtek, Inc. | Compact X-ray source |
US9076628B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-07-07 | Brigham Young University | Variable radius taper x-ray window support structure |
US20180061608A1 (en) * | 2017-09-28 | 2018-03-01 | Oxford Instruments X-ray Technology Inc. | Window member for an x-ray device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53133386A (en) * | 1977-04-25 | 1978-11-21 | Philips Nv | Xxray tube |
-
1980
- 1980-11-11 JP JP55158728A patent/JPS5782954A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53133386A (en) * | 1977-04-25 | 1978-11-21 | Philips Nv | Xxray tube |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5782954A (en) | 1982-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0335774B2 (ja) | ||
JP3022014B2 (ja) | 光透過型真空分離窓及び軟x線透過窓 | |
EP0269111A2 (en) | Method of forming a thin aluminium film | |
JP3932181B2 (ja) | 基板の表面処理方法および装置 | |
US3981687A (en) | Method of treating quartz crystal resonators | |
US6822249B2 (en) | Radioactive electron emitting microchannel plate | |
JPS5990930A (ja) | ドライエツチング方法及び装置 | |
US20060245044A1 (en) | Filter for retaining a substance originating from a radiation source and method for the manufacture of the same | |
WO1996021235A1 (en) | Method of manufacturing a thin, radiotransparent window | |
Lindgren et al. | Ba adsorption on Cu (111) studied by photoemission | |
US20230305192A1 (en) | Euv transmissive film | |
Male et al. | Intrinsic Recombination Radiation in Diamond | |
JPS5913336A (ja) | X線露光装置 | |
Harada et al. | Electron spectroscopy of semiconductor surface by impact of metastable rare gas atoms: Selenium | |
JPS6175521A (ja) | 露光装置 | |
JPH0130293B2 (ja) | ||
JP3278706B2 (ja) | シンクロトロン放射光利用装置 | |
JP3176216B2 (ja) | X線取り出し窓 | |
JPH03266399A (ja) | X線照射装置 | |
JPH01211920A (ja) | 光化学反応装置 | |
JPH01225118A (ja) | X線露光装置 | |
JPH1082900A (ja) | X線取り出し窓およびその製造方法ならびに前記x線取り出し窓を用いたx線露光装置 | |
JPH0587013B2 (ja) | ||
JPH01181521A (ja) | X線露光装置用ヘリウムチャンバ | |
JPS5858545A (ja) | X線露光用マスクおよびその製造法 |