JPH0332061A - 半導体集積回路装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置及びその製造方法Info
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- JPH0332061A JPH0332061A JP16821489A JP16821489A JPH0332061A JP H0332061 A JPH0332061 A JP H0332061A JP 16821489 A JP16821489 A JP 16821489A JP 16821489 A JP16821489 A JP 16821489A JP H0332061 A JPH0332061 A JP H0332061A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、アルミニ
ウム配線構造を採用した半導体集積回路装置に関する。
ウム配線構造を採用した半導体集積回路装置に関する。
従来の技術
従来、この種の半導体集積回路装置において。
配線材量としてアルミニウム・シリコン合金が採用され
ていたが、配線形成後の熱処理によりアルミニウム・シ
リコン合金中のシリコンが拡散層との接続部に析出し、
シリコン基板とアルミニウム・シリコン合金との接続抵
抗を増大させたり、浅い拡散層中にアルミニウムが拡散
し、拡散層を突き抜けてしまうという課題があった。
ていたが、配線形成後の熱処理によりアルミニウム・シ
リコン合金中のシリコンが拡散層との接続部に析出し、
シリコン基板とアルミニウム・シリコン合金との接続抵
抗を増大させたり、浅い拡散層中にアルミニウムが拡散
し、拡散層を突き抜けてしまうという課題があった。
そこで、これらの課題を解決する為に、シリコン基板と
アルミニウム合金との間にアルミニウムとシリコンの相
互拡散を防止するバリアメタル層を設けることが行われ
ており、このバリアメタル層として、窒化タングステン
層が用いられることがある。
アルミニウム合金との間にアルミニウムとシリコンの相
互拡散を防止するバリアメタル層を設けることが行われ
ており、このバリアメタル層として、窒化タングステン
層が用いられることがある。
発明が解決しようとする課題
上述した従来の半導体集積回路装置では、窒化タングス
テンとシリコン基板が直接接触している為に、拡散層と
の接続抵抗が高い特にＰ型拡散層に対する接続抵抗が高
いという欠点を有している。
テンとシリコン基板が直接接触している為に、拡散層と
の接続抵抗が高い特にＰ型拡散層に対する接続抵抗が高
いという欠点を有している。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした新規な半導体集積回路装置
を提供することにある。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした新規な半導体集積回路装置
を提供することにある。
発明の従来技術に対する相違点
上述した従来の半導体集積回路装置に対し、本発明に係
る半導体集積回路装置は、第１のアルミニウム配線の半
導体基板との接続部が下から第１のアルミニウム、窒化
タングステン、第２のアルミニウムの積層構造により構
成され、シリコン基板と窒化タングステンとの間にアル
ミニウム層が設けられ、シリコン基板と窒化タングステ
ンとが接触しないという相違点を有する。
る半導体集積回路装置は、第１のアルミニウム配線の半
導体基板との接続部が下から第１のアルミニウム、窒化
タングステン、第２のアルミニウムの積層構造により構
成され、シリコン基板と窒化タングステンとの間にアル
ミニウム層が設けられ、シリコン基板と窒化タングステ
ンとが接触しないという相違点を有する。
課題を解決するための手段
上記目的を達成する為に、本発明に係る半導体集積回路
装置は、第１のアルミニウム配線の半導体基板との接続
部が下から第１のアルミニウム、窒化タングステン、第
２のアルミニウムの積層構造より構成されているという
特徴を有している。
装置は、第１のアルミニウム配線の半導体基板との接続
部が下から第１のアルミニウム、窒化タングステン、第
２のアルミニウムの積層構造より構成されているという
特徴を有している。
実施例
次に本発明をその好ましい各実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
して具体的に説明する。
第１図はアルミニウムの１層配線を採用した本発明に係
る半導体集積回路装置の第１の実施例を示す断面図であ
る。
る半導体集積回路装置の第１の実施例を示す断面図であ
る。
第１図を参照するに、表面がシリコン酸化膜２で覆われ
所定の位置に開口部を設けたシリコン基板１上にスパッ
タリング法により、アルミニウムにシリコンを１％添加
したアルミニウム・シリコン合金３を５〜５０ｒ＋＋ａ
の厚さに形成した後に、アルゴンに窒素を添加した雰囲
気でタングステンターゲットをスパッタリングし、窒化
タングステン４を５０〜２００ｎｍの厚さに形成し、更
にアルミニウムに銅を１％程度添加したアルミニウム・
銅合金５を０．５〜１．５μｍの厚さに連続して被着し
た後に、通常のフォトリングラフィ技術を用いフォトレ
ジスト膜をマスクとして、アルミニウム・銅合金５、窒
化タングステン４、アルミニウム・シリコン合金３を順
次ドライエツチング法によりエツチングし、所望のパタ
ーンを形成した後に、フォトレジスト膜を除去してアル
ミニウム配線を完成する。
所定の位置に開口部を設けたシリコン基板１上にスパッ
タリング法により、アルミニウムにシリコンを１％添加
したアルミニウム・シリコン合金３を５〜５０ｒ＋＋ａ
の厚さに形成した後に、アルゴンに窒素を添加した雰囲
気でタングステンターゲットをスパッタリングし、窒化
タングステン４を５０〜２００ｎｍの厚さに形成し、更
にアルミニウムに銅を１％程度添加したアルミニウム・
銅合金５を０．５〜１．５μｍの厚さに連続して被着し
た後に、通常のフォトリングラフィ技術を用いフォトレ
ジスト膜をマスクとして、アルミニウム・銅合金５、窒
化タングステン４、アルミニウム・シリコン合金３を順
次ドライエツチング法によりエツチングし、所望のパタ
ーンを形成した後に、フォトレジスト膜を除去してアル
ミニウム配線を完成する。
第２図は本発明による第２の実施例を示す断面図である
。
。
第２図を参照するに、シリコン基板１１を覆うシリコン
酸化膜１２の所望の位置に設けたシリコン基板１１に達
する開口部にトリイソブチルアルミニウムを用いた減圧
ＣＶＤ法により純アルミニウム１３を選択的に５〜５０
ｒ＋ｓ＋の厚さに形成する。
酸化膜１２の所望の位置に設けたシリコン基板１１に達
する開口部にトリイソブチルアルミニウムを用いた減圧
ＣＶＤ法により純アルミニウム１３を選択的に５〜５０
ｒ＋ｓ＋の厚さに形成する。
次に六弗化タングステンとアンモニアを用いた減圧ＣＶ
Ｄ法により窒化タングステンｆｉ１４を５０〜２００ｎ
ｍの厚さに形成した後に、スパッタリング法により純ア
ルミニウム１５を０．５〜２．Ｏｎ＋の厚さに形成する
。
Ｄ法により窒化タングステンｆｉ１４を５０〜２００ｎ
ｍの厚さに形成した後に、スパッタリング法により純ア
ルミニウム１５を０．５〜２．Ｏｎ＋の厚さに形成する
。
次に通常のりソグラフィ技術を用い純アルミニウム１５
と窒化タングステン１４を順次ドライエツチング法によ
りエツチングし、所定の形状にパターンニングし、アル
ミニウム配線を完成する。
と窒化タングステン１４を順次ドライエツチング法によ
りエツチングし、所定の形状にパターンニングし、アル
ミニウム配線を完成する。
この第２の実施例では第１の純アルミニウム１３と窒化
タングステン膜１４を減圧ＣＶＤ法により形成している
為に、シリコン基板１１に達するシリコン酸化１ｇ１１
２に設けた開口部がｌｕｍ口以下と微細な場合でも開口
部内に所望の膜圧に純アルミニウム１３と窒化タングス
テン１４を形成でき、微細な開口部でも、低接続抵抗で
、耐熱性の良好なアルミニウム配線が形成できるという
利点を有している。
タングステン膜１４を減圧ＣＶＤ法により形成している
為に、シリコン基板１１に達するシリコン酸化１ｇ１１
２に設けた開口部がｌｕｍ口以下と微細な場合でも開口
部内に所望の膜圧に純アルミニウム１３と窒化タングス
テン１４を形成でき、微細な開口部でも、低接続抵抗で
、耐熱性の良好なアルミニウム配線が形成できるという
利点を有している。
発明の詳細
な説明したように、本発明の半導体集積回路装置によれ
ば、第１のアルミニウム配線の半導体基板との接続部が
下から第１のアルミニウム、窒化タングステン、第２の
アルミニウムの積層ｎ４遣により形成されており、シリ
コン基板と窒化タングステンの間にアルミニウム層があ
る為に、Ｎ型拡散層、Ｐ型拡散層のいずれに対しても低
接続抵抗が実現できるという効果が得られる。
ば、第１のアルミニウム配線の半導体基板との接続部が
下から第１のアルミニウム、窒化タングステン、第２の
アルミニウムの積層ｎ４遣により形成されており、シリ
コン基板と窒化タングステンの間にアルミニウム層があ
る為に、Ｎ型拡散層、Ｐ型拡散層のいずれに対しても低
接続抵抗が実現できるという効果が得られる。
更に第１のアルミニウムの膜圧を５〜５０ｒｖと必常に
薄くすることで、４５０℃以上の高温の熱処理を加えて
も接合が破壊されることがなく、また第１のアルミニウ
ムにアルミニウム・シリコン合金を採用しても、膜圧が
薄い為にシリコンの析出は小さく、開口部をふさぐこと
はなく、接続抵抗は熱的に安定しているという効果も得
られる。
薄くすることで、４５０℃以上の高温の熱処理を加えて
も接合が破壊されることがなく、また第１のアルミニウ
ムにアルミニウム・シリコン合金を採用しても、膜圧が
薄い為にシリコンの析出は小さく、開口部をふさぐこと
はなく、接続抵抗は熱的に安定しているという効果も得
られる。
また、窒化タングステンとその上の第２のアルミニウム
は４５０℃以上の高温でも相互に拡散することはなく、
第２のアルミニウムにシリコンを含有させる必要がない
為に、シリコンの析出により接続口がふさがれる等のシ
リコン析出による弊害を防ぐことができ、更に、シリコ
ンを含まない為に、アルミニウム合金のドライエッチが
容易になるという利点も得られる。
は４５０℃以上の高温でも相互に拡散することはなく、
第２のアルミニウムにシリコンを含有させる必要がない
為に、シリコンの析出により接続口がふさがれる等のシ
リコン析出による弊害を防ぐことができ、更に、シリコ
ンを含まない為に、アルミニウム合金のドライエッチが
容易になるという利点も得られる。
第１図は本発明に係る半導体集積回路装置の第１の実施
例を示す断面図、第２図は本発明による第２の実施例を
示す断面図である。 １１１・・・シリコン基板、２．１２・・・シリコン酸
化膜、３・・・アルミニウム・シリコン合金、４，１４
・・・窒化タングステン、５・・・アルミニウム・銅合
金、１３．１５・・・純アルミニウム 笛 図 第 図
例を示す断面図、第２図は本発明による第２の実施例を
示す断面図である。 １１１・・・シリコン基板、２．１２・・・シリコン酸
化膜、３・・・アルミニウム・シリコン合金、４，１４
・・・窒化タングステン、５・・・アルミニウム・銅合
金、１３．１５・・・純アルミニウム 笛 図 第 図
Claims (3)
- （１）アルミニウム配線構造を採用した半導体集積回路
装置において、第１のアルミニウム配線の半導体基板と
の接続部が第１のアルミニウム、窒化タングステン、第
２のアルミニウムの積層構造により構成されることを特
徴とする半導体集積回路装置。 - （２）前記第１のアルミニウム或いはアルミニウム合金
の膜圧が５〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項（
１）に記載の半導体集積回路装置。 - （３）前記第２のアルミニウムがシリコンを含まないこ
とを特徴とする請求項（１）に記載の半導体集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168214A JP2985183B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168214A JP2985183B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0332061A true JPH0332061A (ja) | 1991-02-12 |
| JP2985183B2 JP2985183B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=15863905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1168214A Expired - Lifetime JP2985183B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985183B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010134415A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1168214A patent/JP2985183B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010134415A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010272766A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2985183B2 (ja) | 1999-11-29 |
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