JPH03291654A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH03291654A JPH03291654A JP2094643A JP9464390A JPH03291654A JP H03291654 A JPH03291654 A JP H03291654A JP 2094643 A JP2094643 A JP 2094643A JP 9464390 A JP9464390 A JP 9464390A JP H03291654 A JPH03291654 A JP H03291654A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は三層構造を有する電子線レジスト膜を用いたフ
ォトマスクの製造方法に関するものであり、レジスト膜
を三層構造にすることによる工程数の増加を抑えるため
のものである。
ォトマスクの製造方法に関するものであり、レジスト膜
を三層構造にすることによる工程数の増加を抑えるため
のものである。
従来、電子線リソグラフィーによるフォトマスクの製造
に用いられる電子線レジスト（例えばポリブテン−１−
スルフォン：ＰＢＳ（チッソ■社製））は、耐ドライエ
ツチング性が低いためにレジスト膜を４０００人程度と
かな、り厚くして用いられている。しかし、レジスト膜
を厚くすると、電子線の散乱が大きくなり、パターン精
度が低下してしまう。この問題を解決する方法の一つに
三層構造のレジスト膜を用いる方法がある（特開昭５４
−３０８２７号公報参照）。すなわち、第１図（ａ）に
示すように、透光性基板２０上に形成した遮光性膜１２
の上に下層レジス）１４、中間層１６、上層レジス１−
１８の各層を形成するものである。下層レジスト１４は
厚くすることにより耐ドライエツチング性を持たせる。
に用いられる電子線レジスト（例えばポリブテン−１−
スルフォン：ＰＢＳ（チッソ■社製））は、耐ドライエ
ツチング性が低いためにレジスト膜を４０００人程度と
かな、り厚くして用いられている。しかし、レジスト膜
を厚くすると、電子線の散乱が大きくなり、パターン精
度が低下してしまう。この問題を解決する方法の一つに
三層構造のレジスト膜を用いる方法がある（特開昭５４
−３０８２７号公報参照）。すなわち、第１図（ａ）に
示すように、透光性基板２０上に形成した遮光性膜１２
の上に下層レジス）１４、中間層１６、上層レジス１−
１８の各層を形成するものである。下層レジスト１４は
厚くすることにより耐ドライエツチング性を持たせる。
中間層１６は上層レジストに形成されたパターンをプラ
ズマエツチング等により下層レジストに転写するための
ものである。中間層と下層レジストのエツチング条件は
通常かなり異なっているため、中間層は薄くても下層レ
ジストをエツチングすることが可能である。上層レジス
トは薄い中間層をエツチングするだけの耐ドライエツチ
ング性を持っていればよいため、薄膜化が可能である。
ズマエツチング等により下層レジストに転写するための
ものである。中間層と下層レジストのエツチング条件は
通常かなり異なっているため、中間層は薄くても下層レ
ジストをエツチングすることが可能である。上層レジス
トは薄い中間層をエツチングするだけの耐ドライエツチ
ング性を持っていればよいため、薄膜化が可能である。
以上の方法により、電子線による描画は薄い上層レジス
トに対して行なえばよいため、電子線のレジスト膜内で
の散乱による解像力の低下を防止することができる。
トに対して行なえばよいため、電子線のレジスト膜内で
の散乱による解像力の低下を防止することができる。
上記した三層構造のレジスト膜を用いたフォトマスクの
製造方法により、高解像度のパターン形成が可能となる
が、レジスト膜の形成および剥離のための工程が多くな
ってしまうという問題がある。但し、剥離に関して言え
ば、上層レジストは薄いために下層レジストのドライエ
ツチング時に通常は消滅する。したがってレジスト膜の
剥離工程に関して言えば、中間層の剥離工程が必要にな
るという問題がある。また、中間層の剥離工程時に遮光
性膜が損傷を受け、パターン精度の低下につながる。
製造方法により、高解像度のパターン形成が可能となる
が、レジスト膜の形成および剥離のための工程が多くな
ってしまうという問題がある。但し、剥離に関して言え
ば、上層レジストは薄いために下層レジストのドライエ
ツチング時に通常は消滅する。したがってレジスト膜の
剥離工程に関して言えば、中間層の剥離工程が必要にな
るという問題がある。また、中間層の剥離工程時に遮光
性膜が損傷を受け、パターン精度の低下につながる。
本発明は、三層構造のレジスト膜を用いて電子線リソグ
ラフィーによりフォトマスクを製造する方法において、
中間層としてフォトマスクの遮光性膜と同一の材料を用
いることを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
ラフィーによりフォトマスクを製造する方法において、
中間層としてフォトマスクの遮光性膜と同一の材料を用
いることを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
以下さらに、本発明を図面に基いて詳細に説明する。ま
ず第１図（ａ）に示すように、透光性基板２０上に形成
した遮光性膜１２の上に下層レジスト１４、中間層１６
、上層レジスト１８の各層を積層する。
ず第１図（ａ）に示すように、透光性基板２０上に形成
した遮光性膜１２の上に下層レジスト１４、中間層１６
、上層レジスト１８の各層を積層する。
フォトマスクの遮光性膜１２の材料としては、クロム、
クロム酸化物、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム弗
化物のうちから選択される少なくとも一種を用いるか、
またはモリブデンシリサイドもしくはタンタルを用いる
。当然ながら、中間層１６に用いる材料も、遮光性膜１
２の材料と同じものを用いる。
クロム酸化物、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム弗
化物のうちから選択される少なくとも一種を用いるか、
またはモリブデンシリサイドもしくはタンタルを用いる
。当然ながら、中間層１６に用いる材料も、遮光性膜１
２の材料と同じものを用いる。
次に電子線描画装置によりフォトマスクパターンを描画
し、現像することにより第１図（ｂ）に示すように、上
層レジスト１８のパターンを形成する。次に上層レジス
ト１８をマスクとして中間層１６のドライエツチングを
行ない、第１図（Ｃ）に示すように、上層レジスト１８
のパターンを中間層１６に転写する。次に上層レジスト
１８および中間層１６をマスクとして下層レジスト１２
をエツチングし、第１図（ｄ）に示すように下層レジス
ト１４のパターンを形成する。この際、上層レジスト１
８は薄いために消滅してしまう。次に中間層１６および
下層レジスト１４をマスクとしてフォトマスクの遮光性
膜１２をエツチングし、第１図（ｅ）に示すように遮光
性膜１２のパターンを形成する。この際、中間層１６は
遮光性膜１２より薄いため、遮光性膜１２のエツチング
終了時には消滅する。次に、下層レジスト１４を除去し
、第１図（ｆ）に示すように、透光性基板２０上に遮光
性膜１２のパターンを有するフォトマスクとする。
し、現像することにより第１図（ｂ）に示すように、上
層レジスト１８のパターンを形成する。次に上層レジス
ト１８をマスクとして中間層１６のドライエツチングを
行ない、第１図（Ｃ）に示すように、上層レジスト１８
のパターンを中間層１６に転写する。次に上層レジスト
１８および中間層１６をマスクとして下層レジスト１２
をエツチングし、第１図（ｄ）に示すように下層レジス
ト１４のパターンを形成する。この際、上層レジスト１
８は薄いために消滅してしまう。次に中間層１６および
下層レジスト１４をマスクとしてフォトマスクの遮光性
膜１２をエツチングし、第１図（ｅ）に示すように遮光
性膜１２のパターンを形成する。この際、中間層１６は
遮光性膜１２より薄いため、遮光性膜１２のエツチング
終了時には消滅する。次に、下層レジスト１４を除去し
、第１図（ｆ）に示すように、透光性基板２０上に遮光
性膜１２のパターンを有するフォトマスクとする。
上記したように、本発明のフォトマスクの製造方法によ
れば、中間層と遮光性膜は同一の物質なので、中間層は
遮光性膜のエツチング時に消滅し、工程が簡便となる。
れば、中間層と遮光性膜は同一の物質なので、中間層は
遮光性膜のエツチング時に消滅し、工程が簡便となる。
以下に本発明を使用した一実施例を示す。
まず、透光性基板である石英基板上に遮光性膜として厚
さ１２００人のクロム膜、下層レジスト膜として厚さ６
０００人のＭＰ−１４００（シブレイ社製）膜、中間層
として厚さ５００大のクロム膜、上層レジストとして厚
さ３０００人の０ＥＢＲ−１０１０（東京応化■社製）
膜を順次形成する。クロム膜はスパッタリングにより、
またレジスト膜はスピンコードにより作成する。
さ１２００人のクロム膜、下層レジスト膜として厚さ６
０００人のＭＰ−１４００（シブレイ社製）膜、中間層
として厚さ５００大のクロム膜、上層レジストとして厚
さ３０００人の０ＥＢＲ−１０１０（東京応化■社製）
膜を順次形成する。クロム膜はスパッタリングにより、
またレジスト膜はスピンコードにより作成する。
次に電子線描画装置により電子線レジスト上にフォトマ
スクパターンを描画し、現像処理を行ない、電子線レジ
ストのパターンを作成する。次に四塩化炭素および酸素
ガスを用いたＲＩＢ（反応性イオンエツチング）により
、中間層であるクロム層をエツチングする。次いで酸素
ガスを用いたＲＩＢにより下層レジストをエツチングす
る。次に上記した中間層クロムのエツチングと同様の条
件で遮光性膜をエツチングし、最後に酸素ガスを用いた
ＲＩＢにより、下層レジストを除去する。
スクパターンを描画し、現像処理を行ない、電子線レジ
ストのパターンを作成する。次に四塩化炭素および酸素
ガスを用いたＲＩＢ（反応性イオンエツチング）により
、中間層であるクロム層をエツチングする。次いで酸素
ガスを用いたＲＩＢにより下層レジストをエツチングす
る。次に上記した中間層クロムのエツチングと同様の条
件で遮光性膜をエツチングし、最後に酸素ガスを用いた
ＲＩＢにより、下層レジストを除去する。
上記した方法により、中間層の剥離のための工程を行な
うことなく、フォトマスクを作成することができる。
うことなく、フォトマスクを作成することができる。
本発明を用いることにより、フォトマスクパターンのド
ライエツチング後のレジスト剥離工程のうち、レジスト
中間層の剥離工程は不必要となり、下層レジストの剥離
だけで済む。これにより、製造時間の短縮およびコスト
の低減が可能となる。
ライエツチング後のレジスト剥離工程のうち、レジスト
中間層の剥離工程は不必要となり、下層レジストの剥離
だけで済む。これにより、製造時間の短縮およびコスト
の低減が可能となる。
またフォトマスクパターンのエツチング時にレジスト中
間層物質が飛散してフォトマスクのエツチング面に付着
した場合にもエツチング時に除去されるために、欠陥の
発生を防止する効果もある。
間層物質が飛散してフォトマスクのエツチング面に付着
した場合にもエツチング時に除去されるために、欠陥の
発生を防止する効果もある。
図面は本発明の製造方法の実施例を示すものであって、
第１図（ａ）は透光性基板上の遮光性膜の上に下層レジ
スト、中間層、上層レジストを順次積層した状態を示す
断面図、第１図（ｂ）は上層レジストに電子ビームで描
画し、現像処理を施した後の状態を示す断面図、第１図
（Ｃ）は中間層をエツチングした後の状態を示す断面図
、第１図（ｄ）は下層レジストをエツチングした後の状
態を示す断面図、第１図（ｅ）はフォトマスクの遮光性
膜をエツチングした後の状態を示す断面図、第１図（ｆ
）は下層レジストを剥離した後、生成したフォトマスク
を示す断面図である。 １２・・・・・・遮光性膜 １４・・・・・・下層レジスト １６・・・・・・中層レジスト １８・・・・・・上層レジスト ２０・・・・・・透光性基板 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫
第１図（ａ）は透光性基板上の遮光性膜の上に下層レジ
スト、中間層、上層レジストを順次積層した状態を示す
断面図、第１図（ｂ）は上層レジストに電子ビームで描
画し、現像処理を施した後の状態を示す断面図、第１図
（Ｃ）は中間層をエツチングした後の状態を示す断面図
、第１図（ｄ）は下層レジストをエツチングした後の状
態を示す断面図、第１図（ｅ）はフォトマスクの遮光性
膜をエツチングした後の状態を示す断面図、第１図（ｆ
）は下層レジストを剥離した後、生成したフォトマスク
を示す断面図である。 １２・・・・・・遮光性膜 １４・・・・・・下層レジスト １６・・・・・・中層レジスト １８・・・・・・上層レジスト ２０・・・・・・透光性基板 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫
Claims (3)
- （１）三層構造のレジスト膜を用いて電子線リソグラフ
ィーによりフォトマスクを製造する方法において、中間
層としてフォトマスクの遮光性膜と同一の材料を用いる
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - （２）前記フォトマスクの遮光性膜の材料として、クロ
ム、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム炭化物、クロ
ム弗化物のうちから選択される少なくとも一種を用いる
請求項（１）記載のフォトマスクの製造方法。 - （３）前記フォトマスクの遮光性膜の材料として、モリ
ブデンシリサイドまたはタンタルを用いる請求項（１）
記載のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094643A JPH03291654A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094643A JPH03291654A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291654A true JPH03291654A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14115945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2094643A Pending JPH03291654A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03291654A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004518990A (ja) * | 2000-09-18 | 2004-06-24 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 二重層レティクル素材及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP2094643A patent/JPH03291654A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004518990A (ja) * | 2000-09-18 | 2004-06-24 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 二重層レティクル素材及びその製造方法 |
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