JPH03286565A - 光センサ付icのボンデイングパツド - Google Patents

光センサ付icのボンデイングパツド

Info

Publication number
JPH03286565A
JPH03286565A JP2088611A JP8861190A JPH03286565A JP H03286565 A JPH03286565 A JP H03286565A JP 2088611 A JP2088611 A JP 2088611A JP 8861190 A JP8861190 A JP 8861190A JP H03286565 A JPH03286565 A JP H03286565A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
bonding pad
light
intercepting
metallic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2088611A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoyuki Takanabe
高鍋 智行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2088611A priority Critical patent/JPH03286565A/ja
Publication of JPH03286565A publication Critical patent/JPH03286565A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02163Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
    • H01L2224/02165Reinforcing structures
    • H01L2224/02166Collar structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は受光素子を有する半導体チップ上に形成され
るボンディングパッドに関するものである○ 〔従来の技術〕 第3図は従来の半導体チップ上に形成されたボンディン
グパッドの構造を示す断面図である。図に訃いて、C1
)はP型拡散層で形成される基板層で。
この基板層(1)上に素子領域として例えばN型拡散層
(2)音形成し、・この拡散層(2)間を分離層(3)
で素子間の分離を行なっている。そして、下敷絶縁層(
4)上にボンディングバンド(5)を形成し、さらに素
子領域である拡散層(2)間を配線用金属層(6)で接
続している。そして1例えばSiNで形成された層間絶
縁層(7)を挾んで金属遮光膜(8)が形成された後、
保護膜aOで覆って構成されている。
次に動作について説明する。半導体内部にはいたるとこ
ろにPN接合が形成されているため、光が入射した場合
、光の吸収されたN型及びP型頭域で電子−ホール対が
発生する。このうちのいくつかの電子Cホール)ri、
空乏層内上ドリフトしてN型(P型)領域へ達し、すな
わちN型からP型頭域へ逆方向を流が発生することにな
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の光センサ付ICのボンディングパッドは以上の様
に構成されていたので、受光素子を有するため当然半導
体チップ上に光が入射するのに対し、受光素子領域外チ
ップ内部に光が侵入した場合、内部のPN接合に訃いて
寄生電流が発生し、この電流が内部回路に流れ込むと、
誤動作を生じてし筐う。そのため、受光素子以外は金属
遮光膜に工II光が行なわれているわけであるが、従来
の光センサ付ICのボンディングパッドに訃いてri、
ボンディングパッド周辺にri遮光が及ばないため、こ
の領域から侵入した光にニジ誤動作してしまうという問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ボンディングパッド周辺から光が侵入するこ
とを防止することにニジ、寄生電流の発生を無くし、内
部回路の誤動作を防ぐことのできる光センサ付ICのボ
ンディングパッドを得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る光センサ付ICのボンディングパッドは
、ボンディングパッドの周囲にスルーホールを設け1.
金属遮光層とポンディングバンドを接続し、このポンデ
ィングバンドに接続した金属遮光層と、他の金属遮光層
との間隔は金属配線層上で、この金属配線層と金属S光
層とのオーバーラングを大きく取ることに工や、極力小
ざくする工う構成したものである。
〔作用〕
この発明にかける光センサ付ICのボンディングパッド
は、ボンディングパッドの周囲にスルーホールを形成し
、金属遮光層と接続することに1勺ボンディングバンド
と金属遮光層との間隙から光が侵入するのを防き゛、か
つ金属遮光層と金属配線層のオーバラップを大きくとる
ことに工や、光の廻り込みを抑制することが可能となり
、光の侵入による寄生電流の発生を防止することができ
、その寄生電流による内部回路の誤動作を防止する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図にかいて、 (1)はP型拡散層で形成される基板層
、(2)ri基板層(1)の上に素子領域として形成さ
れる拡散層で、この素子領域を分離するためP型の拡散
層で分離層(3)ヲ形成している。そして下敷絶縁層(
4)上にボンディングパッド(5)ヲ構成し、iた、素
子領域である拡散層(2)間を配線用金属層(6)で接
続している。さらに例えばSiNで層間絶縁層(7)を
形成した上に、金属遮光膜(8)を構成している。そし
て、この金属遮光膜(8) Fiポンディングバンド(
5)の周囲に設けられたスルーホールf9) K工りボ
ンディングパッド(5)と接続されて構成され、かつ、
配線用金属層(6)上でオーバラップを大きく取り、素
子領域にkける金属遮光膜(8)と分離されている。第
2図はボンディングパッド上面図であり、スルーホール
(9) riボンディングパソドの周囲’に囲む様に形
成されている。
〔発明の効果〕
以上の様にこの発明に工れば、金M&遮光膜とボンディ
ングパッドを、ボンディングパッドの周囲に設けたスル
ーホールにニジ接続することにより。
金属遮光膜とポンディングバンドの間隙は金R遮光膜で
ふさがれることになυ、九の侵入径路がなくなるため、
光の廻り込みにニジ、内部のPN接合で発生する寄生電
流が抑えられるため、内部回路にpける誤動作の発生を
防止することかで@2さらに、ボンディングパッドの周
囲にも素子領域を形成することが可能になるため、チン
ブサイズの縮小も期待できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による光センサ付ICのポ
ンディングバンドを示す断面図、第2図は第1図の平面
図、第3図は従来の光センサ付ICのボンディングパッ
ドを示す断面図である。 図にかいて、(1)は基板層、+2+ id拡散層、(
3)は分離層、(4)は下敷絶縁層、(5)はポンディ
ングバンド、(6)は配線用金属層、(7)は層間絶縁
層、(8)は金属遮光膜、(9)はスルーホールを示す
。 な訃、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  受光素子に有する半導体チップ上に形成されたボンデ
    ィングパッドにおいて、前記ボンディングパッドの周囲
    にスルーホールを設け、金属遮光膜と接続したことを特
    徴とする光センサ付ICのボンディングパッド。
JP2088611A 1990-04-02 1990-04-02 光センサ付icのボンデイングパツド Pending JPH03286565A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2088611A JPH03286565A (ja) 1990-04-02 1990-04-02 光センサ付icのボンデイングパツド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2088611A JPH03286565A (ja) 1990-04-02 1990-04-02 光センサ付icのボンデイングパツド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03286565A true JPH03286565A (ja) 1991-12-17

Family

ID=13947611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2088611A Pending JPH03286565A (ja) 1990-04-02 1990-04-02 光センサ付icのボンデイングパツド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03286565A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0817280A2 (en) * 1996-06-26 1998-01-07 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical sensor for reading a pattern

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0817280A2 (en) * 1996-06-26 1998-01-07 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical sensor for reading a pattern
EP0817280A3 (en) * 1996-06-26 1998-12-16 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical sensor for reading a pattern

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0669040B2 (ja) 光半導体装置
KR100208633B1 (ko) 포토 다이오드 내장 반도체 장치
JPH03286565A (ja) 光センサ付icのボンデイングパツド
EP0590598A1 (en) Semiconductor photodiode comprising a light shielding layer
JP3342291B2 (ja) ホトダイオード内蔵集積回路
JPH10289994A (ja) 光センサ集積回路装置
US5148249A (en) Semiconductor protection device
JP2852222B2 (ja) 光半導体集積回路装置
JP2002184987A (ja) 半導体装置
JP3172253B2 (ja) 光半導体装置
JP3157274B2 (ja) 光半導体装置
JP2000200892A (ja) ホトダイオード内蔵半導体装置
JPH0527990B2 (ja)
JP3748946B2 (ja) ホトダイオード内蔵半導体装置
JP2008311278A (ja) 光半導体装置
JPH04206768A (ja) 半導体装置の保護回路
JP3384690B2 (ja) 光半導体集積回路
JP2003007703A (ja) 半導体装置
JP3138057B2 (ja) 光半導体装置
WO1997023909A1 (fr) Circuit integre incorporant une photodiode
JPH09181290A (ja) 受光素子内蔵半導体装置
JPS6244826B2 (ja)
JPH09321271A (ja) ホトダイオード内蔵集積回路
JPH1050966A (ja) 光半導体集積回路
JPH02376A (ja) 半導体集積回路装置