JPH03280014A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH03280014A JPH03280014A JP2082429A JP8242990A JPH03280014A JP H03280014 A JPH03280014 A JP H03280014A JP 2082429 A JP2082429 A JP 2082429A JP 8242990 A JP8242990 A JP 8242990A JP H03280014 A JPH03280014 A JP H03280014A
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- polysilicon
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
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- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プロジェクションテレビジョン受像機、テレ
ビジョンカメラ用ビューファインダーＯＡ機器等のデイ
スプレィ装置に用いることができる液晶表示装置に関す
る。
ビジョンカメラ用ビューファインダーＯＡ機器等のデイ
スプレィ装置に用いることができる液晶表示装置に関す
る。
従来の技術
近年、液晶表示装置は、ポケットサイズのテレビ受像機
、プロジェクションテレビジョン受像機、テレビジョン
カメラ用ビューファインダーＯＡ機器等のデイスプレィ
装置に用いられるなど、すでに実用段階にある。特に、
画質の点から考えると、画素の一つ一つに薄膜トランジ
スタ（ＴＰＴ）スイッチを設けたアクティブマトリック
ス型が液晶の駆動技術として優れており、その画素構造
の研究がさかんに行われている。
、プロジェクションテレビジョン受像機、テレビジョン
カメラ用ビューファインダーＯＡ機器等のデイスプレィ
装置に用いられるなど、すでに実用段階にある。特に、
画質の点から考えると、画素の一つ一つに薄膜トランジ
スタ（ＴＰＴ）スイッチを設けたアクティブマトリック
ス型が液晶の駆動技術として優れており、その画素構造
の研究がさかんに行われている。
以下、第４図、第５図を用いて、従来のポリシリコン画
素構造の液晶表示装置について説明する。第４図は液晶
表示装置の画素部の構造を示す平面図で、第５図は同図
Ｂ−Ｂ’線における図である。図において２１は石英基
板、２２はポリシリコンよりなる画素電極、２３はゲー
ト酸化膜、２４はゲート信号線、２５は眉間絶縁膜、２
６はコンタクトホール、２７はＡｅ等からなる信号線、
２８はパッシベーション膜、２９は薄膜トランジスタ、
３０は液晶層である。薄膜トランジスタ２９を形成する
画素電極２２はその一端をコンタクトホール２６を介し
て信号１２７に接続し、画素電極２２と液晶層３０の間
には眉間絶縁膜２５とパッシベーション膜２８が介在し
ている。
素構造の液晶表示装置について説明する。第４図は液晶
表示装置の画素部の構造を示す平面図で、第５図は同図
Ｂ−Ｂ’線における図である。図において２１は石英基
板、２２はポリシリコンよりなる画素電極、２３はゲー
ト酸化膜、２４はゲート信号線、２５は眉間絶縁膜、２
６はコンタクトホール、２７はＡｅ等からなる信号線、
２８はパッシベーション膜、２９は薄膜トランジスタ、
３０は液晶層である。薄膜トランジスタ２９を形成する
画素電極２２はその一端をコンタクトホール２６を介し
て信号１２７に接続し、画素電極２２と液晶層３０の間
には眉間絶縁膜２５とパッシベーション膜２８が介在し
ている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の液晶表示装置では、ポリシリ
コンで形成された画素電極２２上には８００ｎｍ程度の
眉間絶縁膜２５が存在するため画素電極２２に印加した
電圧が液晶層３０と層間絶縁１１２５に分配して消費さ
れてしまい、そのため画素電極２２に高電圧を印加して
薄膜トランジスタ２９を駆動しなければならず、眉間絶
縁膜２５によって消費される分だけ消費電力が大きく、
また薄膜トランジスタ２９の寿命も短かいという課題が
ある。
コンで形成された画素電極２２上には８００ｎｍ程度の
眉間絶縁膜２５が存在するため画素電極２２に印加した
電圧が液晶層３０と層間絶縁１１２５に分配して消費さ
れてしまい、そのため画素電極２２に高電圧を印加して
薄膜トランジスタ２９を駆動しなければならず、眉間絶
縁膜２５によって消費される分だけ消費電力が大きく、
また薄膜トランジスタ２９の寿命も短かいという課題が
ある。
本発明は上記課題を解決するもので、駆動電圧を低くで
きる液晶表示装置を提供することを目的とするものであ
る。
きる液晶表示装置を提供することを目的とするものであ
る。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、透明基板上にポリ
シリコンで形成された画素電極が行列状に配置され、画
素電極には画素スイッチ用の薄膜トランジスタが接続さ
れ、各列の画素電極に共通して接続され、信号を転送す
るためのポリシリコンで形成された信号線と、各行の薄
膜トランジスタのゲートを接続するポリシリコンで形成
されたゲート信号線とからなり、信号線９画素電極、ゲ
ート信号線の順に形成して構成され、画素電極とにパッ
シベーション膜を介して液晶層が形成された構造を備え
たものである。
シリコンで形成された画素電極が行列状に配置され、画
素電極には画素スイッチ用の薄膜トランジスタが接続さ
れ、各列の画素電極に共通して接続され、信号を転送す
るためのポリシリコンで形成された信号線と、各行の薄
膜トランジスタのゲートを接続するポリシリコンで形成
されたゲート信号線とからなり、信号線９画素電極、ゲ
ート信号線の順に形成して構成され、画素電極とにパッ
シベーション膜を介して液晶層が形成された構造を備え
たものである。
作用
本発明は上記構造により、画素電極に印加した電圧を全
て液晶層にかけることができるため、液晶表示を低電圧
で駆動することができる。さらに、液晶表示装置の構造
が簡単であるため製造方法および工程を簡略化すること
ができる。
て液晶層にかけることができるため、液晶表示を低電圧
で駆動することができる。さらに、液晶表示装置の構造
が簡単であるため製造方法および工程を簡略化すること
ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第１図は本実施例の画素部の構造を示す平面
図、第２図は同図Ａ−Ａ’線における断面図であり、図
において、ｌは石英等よりなる透明基板、２は信号線、
３は薄膜トランジスタ、３゛は画素電極、４はゲート酸
化膜、５はゲート信号線、６はパッシベーション膜、７
は液晶層層である。薄膜トランジスタ３形成用のポリシ
リコンはその一端を信号線２に交叉して接続し、他端は
連続して画素電極３゛を構成している。
説明する。第１図は本実施例の画素部の構造を示す平面
図、第２図は同図Ａ−Ａ’線における断面図であり、図
において、ｌは石英等よりなる透明基板、２は信号線、
３は薄膜トランジスタ、３゛は画素電極、４はゲート酸
化膜、５はゲート信号線、６はパッシベーション膜、７
は液晶層層である。薄膜トランジスタ３形成用のポリシ
リコンはその一端を信号線２に交叉して接続し、他端は
連続して画素電極３゛を構成している。
第３図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）に画素部の作製
工程を示す。
工程を示す。
同図（ａ）に示すように透明基板１上に信号線としての
導電性をもたせるために燐をドープしたポリシリコンを
減圧ＣＶＤ法で４００ｎｍ堆積し、エツチングにより信
号線となる領域のみ残して信号線２を形成する。次に同
図（ｂ）に示すように減圧ＣＶＤ法でポリシリコンを１
５０ｎｍ堆積し、エツチングにより画素面およびトラン
ジスタ領域にのみポリシリコンを残す。次に同図（Ｃ）
に示すように熱酸化により１３０ｎｍのゲート酸化膜４
を形成し、さらにその上面に連続してポリシリコンを堆
積し、ゲート信号線５を設けて薄膜トランジスタ３を形
成することによって眉間絶縁膜を必要としない画素部を
構成できる。その後、通常用いられている工程すなわち
燐をドープした後、ゲート信号線５をバターニングし、
ゲート信号線５領域以外のゲート酸化膜４をエツチング
により除去する。その後、燐をセルファラインでイオン
注入し、画素部および薄膜トランジスタ３のソース、ド
レインに導、電性をもたせる。次にパッシベーション膜
６を堆積し、第２図に示すような画素部を形成する。
導電性をもたせるために燐をドープしたポリシリコンを
減圧ＣＶＤ法で４００ｎｍ堆積し、エツチングにより信
号線となる領域のみ残して信号線２を形成する。次に同
図（ｂ）に示すように減圧ＣＶＤ法でポリシリコンを１
５０ｎｍ堆積し、エツチングにより画素面およびトラン
ジスタ領域にのみポリシリコンを残す。次に同図（Ｃ）
に示すように熱酸化により１３０ｎｍのゲート酸化膜４
を形成し、さらにその上面に連続してポリシリコンを堆
積し、ゲート信号線５を設けて薄膜トランジスタ３を形
成することによって眉間絶縁膜を必要としない画素部を
構成できる。その後、通常用いられている工程すなわち
燐をドープした後、ゲート信号線５をバターニングし、
ゲート信号線５領域以外のゲート酸化膜４をエツチング
により除去する。その後、燐をセルファラインでイオン
注入し、画素部および薄膜トランジスタ３のソース、ド
レインに導、電性をもたせる。次にパッシベーション膜
６を堆積し、第２図に示すような画素部を形成する。
上記実施例によれば、画素電極３′に印加した電圧が全
て液晶層７にかかり（パッシベーション膜６にかかる電
圧は無視できる〉、液晶表示を低電圧で駆動することが
できる。さらに、液晶表示装置の構造が簡単であるため
、製造工程を簡略化することができる。
て液晶層７にかかり（パッシベーション膜６にかかる電
圧は無視できる〉、液晶表示を低電圧で駆動することが
できる。さらに、液晶表示装置の構造が簡単であるため
、製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施例では信号線２およびゲート信号線５とし
てポリシリコンを用いたが、高温プロセスに耐え、ポリ
シリコンと良好な接合を形成するＡＩ、Ｃｒ、Ｔｉまた
はＡｕなどからなる他の導電材を用いることもできる。
てポリシリコンを用いたが、高温プロセスに耐え、ポリ
シリコンと良好な接合を形成するＡＩ、Ｃｒ、Ｔｉまた
はＡｕなどからなる他の導電材を用いることもできる。
発明の効果
本発明は上記実施例より明らかなように、透明基板の上
面に信号線を設け、その上面の一部に交叉して重なるよ
うに薄膜トランジスタおよび画素電極用のポリシリコン
を形成しているため、画素電極上に眉間絶縁膜が存在し
ない構造とすることができ、画素電極に印加した電圧が
全て液晶層にかかり、したがって低電圧で液晶を駆動す
ることが可能となり、消費電力を低減できるとともに薄
膜トランジスタの寿命を伸ばすことができる。さらに眉
間絶縁膜を形成する工程を除（ことができるため、液晶
表示装置の構造が簡単になり、製造方法および工程を簡
略化することができるなどの効果が得られる。
面に信号線を設け、その上面の一部に交叉して重なるよ
うに薄膜トランジスタおよび画素電極用のポリシリコン
を形成しているため、画素電極上に眉間絶縁膜が存在し
ない構造とすることができ、画素電極に印加した電圧が
全て液晶層にかかり、したがって低電圧で液晶を駆動す
ることが可能となり、消費電力を低減できるとともに薄
膜トランジスタの寿命を伸ばすことができる。さらに眉
間絶縁膜を形成する工程を除（ことができるため、液晶
表示装置の構造が簡単になり、製造方法および工程を簡
略化することができるなどの効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例における液晶表示装置の要部
平面図、第２図は同図Ａ−Ａ’線における断面図、第３
図（ａ） 、 （ｂ） 、 、 （ｃ）は本実施例の液
晶表示装置の作製工程の一部を示す要部断面図、第４図
は従来の液晶表示装置の要部平面図、第５図は同図Ｂ−
Ｂ’線における断面図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・信号線、３・
・・・・・薄膜トランジスタ、３−・・・・・画素電極
、５・・・・・・ゲート信号線、６・・・・・・パッシ
ベーション膜、７・・・・・・液晶層。
平面図、第２図は同図Ａ−Ａ’線における断面図、第３
図（ａ） 、 （ｂ） 、 、 （ｃ）は本実施例の液
晶表示装置の作製工程の一部を示す要部断面図、第４図
は従来の液晶表示装置の要部平面図、第５図は同図Ｂ−
Ｂ’線における断面図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・信号線、３・
・・・・・薄膜トランジスタ、３−・・・・・画素電極
、５・・・・・・ゲート信号線、６・・・・・・パッシ
ベーション膜、７・・・・・・液晶層。
Claims (1)
- 透明基板上にポリシリコンで形成された画素電極が行列
状に配置され、前記画素電極には画素スイッチ用の薄膜
トランジスタが接続され、各列の前記画素電極に共通し
て接続され信号を転送するためのポリシリコンで形成さ
れた信号線と、各行の前記薄膜トランジスタのゲートを
接続するポリシリコンで形成されたゲート信号線とから
なり、信号線、画素電極、ゲート信号線の順に形成して
構成され、前記画素電極上にパッシベーション膜を介し
て液晶層が形成されている液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8242990A JP2661320B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8242990A JP2661320B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280014A true JPH03280014A (ja) | 1991-12-11 |
| JP2661320B2 JP2661320B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=13774335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8242990A Expired - Fee Related JP2661320B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661320B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09501509A (ja) * | 1993-07-29 | 1997-02-10 | ハネウエル・インコーポレーテッド | シリコン・ピクセル電極 |
| US5646705A (en) * | 1991-09-26 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrode structure of liquid crystal display device and method of manufacturing the liquid crystal display device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102628A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-21 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JPS6269238A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JPH01223430A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-06 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP8242990A patent/JP2661320B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102628A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-21 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JPS6269238A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JPH01223430A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-06 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646705A (en) * | 1991-09-26 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrode structure of liquid crystal display device and method of manufacturing the liquid crystal display device |
| JPH09501509A (ja) * | 1993-07-29 | 1997-02-10 | ハネウエル・インコーポレーテッド | シリコン・ピクセル電極 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2661320B2 (ja) | 1997-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |