JPH03270042A - 検査方法 - Google Patents
検査方法Info
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- JPH03270042A JPH03270042A JP6922490A JP6922490A JPH03270042A JP H03270042 A JPH03270042 A JP H03270042A JP 6922490 A JP6922490 A JP 6922490A JP 6922490 A JP6922490 A JP 6922490A JP H03270042 A JPH03270042 A JP H03270042A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は処理装置に関する。
(従来の技術)
最近のLSIチップ等は、高集積化や処理速度の高速化
等に伴って、通電時の動作発熱量が上昇する傾向にある
。そこで、数十μmオーダーの精度で電気的な接触を必
要とする半導体モジュールの検査においては、発熱によ
る電極パッドの位置すれを防止することが検査精度を向
上させる上で非常に重要となる。例えば、半導体ウニI
\上に形成されたチップの検査を行うプローバ等におい
ては、被検査体となる半導体ウエノ\の保持部内に冷却
ジャケットを設ける等して、チップの使用環境に対応さ
せた温度で検査を実施することも行われている。しかし
、このような冷却方法では動作発熱を神える程の冷却効
果は得られない。特に上述の半導体モジュールのように
セラミックス基板等に塔載されたチップに対しては、検
査精度を維持する上での冷却効果は期待できない。
等に伴って、通電時の動作発熱量が上昇する傾向にある
。そこで、数十μmオーダーの精度で電気的な接触を必
要とする半導体モジュールの検査においては、発熱によ
る電極パッドの位置すれを防止することが検査精度を向
上させる上で非常に重要となる。例えば、半導体ウニI
\上に形成されたチップの検査を行うプローバ等におい
ては、被検査体となる半導体ウエノ\の保持部内に冷却
ジャケットを設ける等して、チップの使用環境に対応さ
せた温度で検査を実施することも行われている。しかし
、このような冷却方法では動作発熱を神える程の冷却効
果は得られない。特に上述の半導体モジュールのように
セラミックス基板等に塔載されたチップに対しては、検
査精度を維持する上での冷却効果は期待できない。
そこで、本出願人は、半導体モジュールを冷却液に浸漬
しながら検査を行うことにより冷却効果を高め、検査精
度の向上を図る方法を開発している。
しながら検査を行うことにより冷却効果を高め、検査精
度の向上を図る方法を開発している。
(発明が角竿決しようとする課題)
ところで、この検査方法においては、半導体モジュール
の下方に何らの目的で空間を確保する場合に、半導体モ
ジュールの表面か冷却液を収容する液槽の底に相当する
部分になるため、半導体モジュールの周囲を液密封止す
る必要が生じる。
の下方に何らの目的で空間を確保する場合に、半導体モ
ジュールの表面か冷却液を収容する液槽の底に相当する
部分になるため、半導体モジュールの周囲を液密封止す
る必要が生じる。
この半導体モジュールの周囲を液密封止する方法として
は、一般に半導体モジュールを押え板で囲むようにして
、その隙間を封止する方法等が考えられる。
は、一般に半導体モジュールを押え板で囲むようにして
、その隙間を封止する方法等が考えられる。
しかしながら、このような封止方法では、押え板と半導
体モジュールとの隙間を完全に封止することが困難であ
る。特に、四角形基板の角部ての密着度の低下は著しく
、この結果、良好な液密封止度が得られないという問題
がある。
体モジュールとの隙間を完全に封止することが困難であ
る。特に、四角形基板の角部ての密着度の低下は著しく
、この結果、良好な液密封止度が得られないという問題
がある。
本発明は、このような課題を解決するためのもので、被
処理体を支持する支持体の外周にパツキンを挟んで押え
部材を簡単にセットすることができ、しかも方形状基板
でも押え部材との間の高い液密性を実現することのでき
る処理装置の提供を目的としている。
処理体を支持する支持体の外周にパツキンを挟んで押え
部材を簡単にセットすることができ、しかも方形状基板
でも押え部材との間の高い液密性を実現することのでき
る処理装置の提供を目的としている。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明の処理装置は上記した目的を達成するために、被
処理体を液体に漬けて処理する装置において、液体か収
容される液槽の一部を、被処理体を支持する支持体とこ
の支持体の側壁をパツキンを挟んて仲える押え部材とで
構成し、この押え部材の支持体とのχ1向面でパツキン
と当接するエツジ面を下向きの傾斜面に設けたものであ
る。
処理体を液体に漬けて処理する装置において、液体か収
容される液槽の一部を、被処理体を支持する支持体とこ
の支持体の側壁をパツキンを挟んて仲える押え部材とで
構成し、この押え部材の支持体とのχ1向面でパツキン
と当接するエツジ面を下向きの傾斜面に設けたものであ
る。
(作 用)
本発明の処理装置では、液体が収容される液冷の一部を
、被処理体を支持する支持体とこの支持体の側壁をパツ
キンを挟んで押える押え部材とで構成し、この押え部材
の支持体との対向面でパツキンと当接するエツジ面を下
向きの傾斜面に設けたので、支持体外周にパツキンを挟
んで抑え部材を簡単にセットすることができる。また、
支持体と抑え部材との密着度を高めることができる。
、被処理体を支持する支持体とこの支持体の側壁をパツ
キンを挟んで押える押え部材とで構成し、この押え部材
の支持体との対向面でパツキンと当接するエツジ面を下
向きの傾斜面に設けたので、支持体外周にパツキンを挟
んで抑え部材を簡単にセットすることができる。また、
支持体と抑え部材との密着度を高めることができる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図および第2図は基板上に設けられた複数品種の被
検査体例えば半導体素子の電気的特性を自動的に検査す
る装置の構成を示す図である。
検査体例えば半導体素子の電気的特性を自動的に検査す
る装置の構成を示す図である。
装置本体1は、基板上に論けられた半導体チップ等から
なる半導体モジュール2を搬送および検査可能な状態と
したワーク3に対して所定の検査を大行する検査部10
と、半導体モジュール2上に塔載され例えば樹脂等でパ
ッケージされた複数の半導体素子(以下、チップと記す
)に対応した複数の検査用接触端子が収容され、これら
の交換および位置合せを行う接触端子供給部20とから
構成されている。
なる半導体モジュール2を搬送および検査可能な状態と
したワーク3に対して所定の検査を大行する検査部10
と、半導体モジュール2上に塔載され例えば樹脂等でパ
ッケージされた複数の半導体素子(以下、チップと記す
)に対応した複数の検査用接触端子が収容され、これら
の交換および位置合せを行う接触端子供給部20とから
構成されている。
装置本体1の検査部10側の端部には、上記ワーク3を
ロード・アンロードするためのワークローダ一部30か
設置されている。装置本体1およびワークローダ一部3
0上には、それぞれワークローダ一部30.検査部10
.接触端子供給部20の並列方向(以下、X方向とよぶ
。)に沿って移動可能とされたワーク搬送機構40と接
触端子移動機構50とが塔載されている。
ロード・アンロードするためのワークローダ一部30か
設置されている。装置本体1およびワークローダ一部3
0上には、それぞれワークローダ一部30.検査部10
.接触端子供給部20の並列方向(以下、X方向とよぶ
。)に沿って移動可能とされたワーク搬送機構40と接
触端子移動機構50とが塔載されている。
第3図および第4図は上記したワーク3の構成を示して
いる。
いる。
゛1′導体モジュール2には、上述した複数のチップ2
aか、セラミックス基板2bの検査用電極端子と接続さ
れた配線パターンと電気的に導通させて搭載されている
。ワーク3は、ソケットボード4上に、半導体モジュー
ル2の図示を省略した各人出力ピンと電気的に接触して
これにテスト電圧を供給するためのソケット5と、半導
体モジュール2を水平方向から押える押え板6と、押え
板6を支持するとともに半導体モジュール2を支持する
ためのブラケット7を水平方向に複数突出してなるサポ
ートボード8とから主体部が構成されている。またセラ
ミックス基板2bの側壁と押え板6の側壁との対向面間
には、この間を液密封止するための伸性がある例えばゴ
ム性例えば合成樹脂であるネオプレーン製の例えばOリ
ング等のリング状パツキン9が挟持されている。そして
押え板6のセラミックス基板2bとの対向面には、リン
グ状パツキン9を押圧する部分であるエツジ6aが下向
きに設けられている。すなわち、このエッヂ6aは、押
え板6の内側壁面の下方部が環状に下向きのテーパに形
成されている。なお、リング状パツキン9は、押圧によ
りその全体の約30%が変形し、これにより液密封止が
なされる。
aか、セラミックス基板2bの検査用電極端子と接続さ
れた配線パターンと電気的に導通させて搭載されている
。ワーク3は、ソケットボード4上に、半導体モジュー
ル2の図示を省略した各人出力ピンと電気的に接触して
これにテスト電圧を供給するためのソケット5と、半導
体モジュール2を水平方向から押える押え板6と、押え
板6を支持するとともに半導体モジュール2を支持する
ためのブラケット7を水平方向に複数突出してなるサポ
ートボード8とから主体部が構成されている。またセラ
ミックス基板2bの側壁と押え板6の側壁との対向面間
には、この間を液密封止するための伸性がある例えばゴ
ム性例えば合成樹脂であるネオプレーン製の例えばOリ
ング等のリング状パツキン9が挟持されている。そして
押え板6のセラミックス基板2bとの対向面には、リン
グ状パツキン9を押圧する部分であるエツジ6aが下向
きに設けられている。すなわち、このエッヂ6aは、押
え板6の内側壁面の下方部が環状に下向きのテーパに形
成されている。なお、リング状パツキン9は、押圧によ
りその全体の約30%が変形し、これにより液密封止が
なされる。
第5図はエツジ6aを設けた神え板6を裏側よりみた場
合の斜視図を示している。同図に示すように、エツジ6
aは押え板6の内周を周回させて設けられている。また
、卯え板6の内角部には、リング状パツキン9の密着性
を向上させるために同部分でのリング状パツキン9の曲
りに沿う曲率面6bが設けられている。なお、図示は省
略したが、各チップ2aの周囲には測定用電極パッドが
、多層セラミックス基板2bの上面の3方の角部にはア
ライメント用ターゲットが、下面には対角線上の2方の
角部に熱膨脹補正用ターゲットが設けられている。また
、サポートボード8の4方の角部には位置決め孔が設け
られている。また、押え板6とサポートボード8との間
、さらに押え板6をサポートボード8に固定するための
ねじ止め部分も前記同様のリング状パツキン(図示せず
)を用いて液蜜封止されている。
合の斜視図を示している。同図に示すように、エツジ6
aは押え板6の内周を周回させて設けられている。また
、卯え板6の内角部には、リング状パツキン9の密着性
を向上させるために同部分でのリング状パツキン9の曲
りに沿う曲率面6bが設けられている。なお、図示は省
略したが、各チップ2aの周囲には測定用電極パッドが
、多層セラミックス基板2bの上面の3方の角部にはア
ライメント用ターゲットが、下面には対角線上の2方の
角部に熱膨脹補正用ターゲットが設けられている。また
、サポートボード8の4方の角部には位置決め孔が設け
られている。また、押え板6とサポートボード8との間
、さらに押え板6をサポートボード8に固定するための
ねじ止め部分も前記同様のリング状パツキン(図示せず
)を用いて液蜜封止されている。
上記検査部10は、檜外壁11a、冶内壁11b、例え
ばネオプレンゴム等によって形成された口字状のシール
部を有するワーク載置台12およびワーク3とによって
形成される液冷13を有している。また、上記口字状の
ワーク載置台12の開口部下方には、ワーク3のソケッ
トボード4に接続して電気的な接続を行う図示を省略し
た多数のポゴピンが突設されたワークセットベースユニ
ット17が設けられている。またワーク3のセラミック
ス基板2bの下面に設けられた一対の熱膨脹補正用ター
ゲットの位置と対向する位置には、下アライメントカメ
ラ18a118bとワーク移載ピン19がそれぞれ配設
されている。
ばネオプレンゴム等によって形成された口字状のシール
部を有するワーク載置台12およびワーク3とによって
形成される液冷13を有している。また、上記口字状の
ワーク載置台12の開口部下方には、ワーク3のソケッ
トボード4に接続して電気的な接続を行う図示を省略し
た多数のポゴピンが突設されたワークセットベースユニ
ット17が設けられている。またワーク3のセラミック
ス基板2bの下面に設けられた一対の熱膨脹補正用ター
ゲットの位置と対向する位置には、下アライメントカメ
ラ18a118bとワーク移載ピン19がそれぞれ配設
されている。
接触端子供給部20は、プローブピンを有する複数のピ
ンブロック21を個々に保持する複数例えば9個のピン
ブロックチェンジャ22と、接触端子移動機構50側に
受は渡されたピンブロック21の位置確認を行うピンブ
ロック補正用カメラ23とによって構成されている。
ンブロック21を個々に保持する複数例えば9個のピン
ブロックチェンジャ22と、接触端子移動機構50側に
受は渡されたピンブロック21の位置確認を行うピンブ
ロック補正用カメラ23とによって構成されている。
ワークローダ一部30は、ローダ一部基台31と、ワー
クセットテーブル32と、ワーク3をワーク搬送機構4
0へと受渡すワーク昇降機構33とにより構成されてい
る。
クセットテーブル32と、ワーク3をワーク搬送機構4
0へと受渡すワーク昇降機構33とにより構成されてい
る。
ワーク搬送機構40は、ワーク昇降機構33によって上
昇したワーク3を保持する保持部41を有している。こ
の保持部41は、ワーク3の下面を支持するX方向に進
退自刃−の一対のつめ42によって構成されている。
昇したワーク3を保持する保持部41を有している。こ
の保持部41は、ワーク3の下面を支持するX方向に進
退自刃−の一対のつめ42によって構成されている。
また、接触端子移動機構50は、Xステージ51、Yス
テージ52、Zステージ53によって構成されている。
テージ52、Zステージ53によって構成されている。
そして、Zステージ53には、ピンブロック21のチャ
ック部54と上アライメント用カメラ55とが設置され
た測定部56が固定され、x−y−z方向に移動可能と
されている。
ック部54と上アライメント用カメラ55とが設置され
た測定部56が固定され、x−y−z方向に移動可能と
されている。
またチャック部54は図示を省略したθ駆動機構によっ
て回転自在とされている。
て回転自在とされている。
測定部56には、非導電性不活性液体導入管57が配設
されている。またチャック部54の上部にはピンブロッ
ク21と図示を省略したテスタに接続されたタッチプレ
ートが配置されており、このタッチプレートによってピ
ンブロック21とテスタとの電気的な接続が行われてい
る。
されている。またチャック部54の上部にはピンブロッ
ク21と図示を省略したテスタに接続されたタッチプレ
ートが配置されており、このタッチプレートによってピ
ンブロック21とテスタとの電気的な接続が行われてい
る。
次にこの半導体検査装置における検査手順について第6
図を参照しながら説明する。
図を参照しながら説明する。
ます、第6図−aの状態から、ワークセットテブル32
の収容部内に裁置されたワーク3をワク搬送機構40に
より検査部10のワーク載置台12上に搬送し、ワ−り
載置台12上に位置決めされて裁置される。この陛、接
触端子移動機構50は、接触端子供給部側へと移動する
。
の収容部内に裁置されたワーク3をワク搬送機構40に
より検査部10のワーク載置台12上に搬送し、ワ−り
載置台12上に位置決めされて裁置される。この陛、接
触端子移動機構50は、接触端子供給部側へと移動する
。
この後、ワーク載置台12上に載置されたワーク3は、
クランプ14によってワーク裁置台12に対して液密に
固定されるとともに、ワーク3のソケットボード4かワ
ークセットベースユニット17との接続が行われる(第
6図−b)。
クランプ14によってワーク裁置台12に対して液密に
固定されるとともに、ワーク3のソケットボード4かワ
ークセットベースユニット17との接続が行われる(第
6図−b)。
またこの際に、下アライメントカメラ18a11.8b
によって、ワーク3の多層セラミック基板2bの下面に
設けられた熱膨脹捕正用ターゲットの初期位置が認識さ
れる。
によって、ワーク3の多層セラミック基板2bの下面に
設けられた熱膨脹捕正用ターゲットの初期位置が認識さ
れる。
そしてワーク3のセツティングと相前後してピンブロッ
ク21の装着が行われる。
ク21の装着が行われる。
この後、ピンブロック補正用カメラ23によって、ピン
ブロック21の保持状態を撮像し、上アライメントカメ
ラ55との位置確認を行った後、検査部10上方へ接触
端子移動機構50が移動する。
ブロック21の保持状態を撮像し、上アライメントカメ
ラ55との位置確認を行った後、検査部10上方へ接触
端子移動機構50が移動する。
次に、検査部10上方へと移動した上アライメントカメ
ラ55によって、ワーク3とピンブロック21とのアラ
イメントを行う。
ラ55によって、ワーク3とピンブロック21とのアラ
イメントを行う。
そして、チップ2aの位置座標に従ってピンブロック2
1の位置を決定し、Xステージ51、Yステージ52お
よび図示を省略したθ駆動機構を駆動してチップ2aの
周囲に形成された測定用電極パッドとピンブロック21
に植設されたプロブピンとのアライメントを行う。
1の位置を決定し、Xステージ51、Yステージ52お
よび図示を省略したθ駆動機構を駆動してチップ2aの
周囲に形成された測定用電極パッドとピンブロック21
に植設されたプロブピンとのアライメントを行う。
また、このアライメントと同時に、液槽13内にフッ素
系不活性液が供給され、ワーク3は非導電性不活性液体
15内に浸漬された状態となる。
系不活性液が供給され、ワーク3は非導電性不活性液体
15内に浸漬された状態となる。
この状態を確認した後、Zステージ53を駆動して11
111定部56を下降させ、ピンプロ・ツク21のプロ
ーブピンを測定用電極バ・ソドに当接させる。
111定部56を下降させ、ピンプロ・ツク21のプロ
ーブピンを測定用電極バ・ソドに当接させる。
そして、半導体モジュール2にテスト電圧を供給し当該
チップ2aの検査を行う(第6図−C)。
チップ2aの検査を行う(第6図−C)。
以上の動作によりチップ2aに対する検査が終了する。
さて、この実施例の半導体検査装置では、ワーク3にお
いて、押え板6のセラミ・ソクス基板2bとの対向面に
リング状パツキン9を押圧する部分であるエツジ6aが
下向きに設けられているので、セラミックス基板2b外
周にリング状パツキン9を挟んで押え板6をセットする
作業を簡1itにしかも確実に行うことが可能となる。
いて、押え板6のセラミ・ソクス基板2bとの対向面に
リング状パツキン9を押圧する部分であるエツジ6aが
下向きに設けられているので、セラミックス基板2b外
周にリング状パツキン9を挟んで押え板6をセットする
作業を簡1itにしかも確実に行うことが可能となる。
さらに押え板6の内角部にはリング状パツキン9の曲り
に沿う曲率面6bが設けられているので、当該角部での
リング状パツキンつと押え板6との密着度を高めること
ができる。
に沿う曲率面6bが設けられているので、当該角部での
リング状パツキンつと押え板6との密着度を高めること
ができる。
したがって、この実施例装置により、ワーク3における
一層確実な液密封止を実現することが可能となり、検査
精度の向上、検査効率の向上に寄与することができる。
一層確実な液密封止を実現することが可能となり、検査
精度の向上、検査効率の向上に寄与することができる。
また、上記実施例では、検査対象としてパ・ソケジされ
た複数種の半導体素子をセラミック基板に設けた半導体
モジュールとして説明したが、本発明はこれに限定され
るものではない。例えば、被検査体としては、パッケー
ジされた半導体素子でなくとも、チップ状態のものであ
ってもよい。
た複数種の半導体素子をセラミック基板に設けた半導体
モジュールとして説明したが、本発明はこれに限定され
るものではない。例えば、被検査体としては、パッケー
ジされた半導体素子でなくとも、チップ状態のものであ
ってもよい。
また、半導体ウェハにy4品種のチップが構成されたも
のでもよく。さらに、半導体でなくともLCDやプリン
ト基板が搭載されたものでもよい。また、被検査体の基
板への実装は、片面たけてなくて、両面でもよい。
のでもよく。さらに、半導体でなくともLCDやプリン
ト基板が搭載されたものでもよい。また、被検査体の基
板への実装は、片面たけてなくて、両面でもよい。
また、上記実施例では、液中て半導体モジュルを検査す
る場合について説明したが、液密にして処理を行う工程
を要するものであれば、何の処理装置においても適用で
きる。例えばレジスト塗イ11露光後の現像処理等にも
適用できる。
る場合について説明したが、液密にして処理を行う工程
を要するものであれば、何の処理装置においても適用で
きる。例えばレジスト塗イ11露光後の現像処理等にも
適用できる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、被処理体の支持体
側壁面と押え部材の側壁面との間の液密性の優れた処理
装置を実現することができ、液中処理の性能を高めるこ
とができる。
側壁面と押え部材の側壁面との間の液密性の優れた処理
装置を実現することができ、液中処理の性能を高めるこ
とができる。
第1図は本発明に係る一実施例の検査装置を示す斜祖図
、第2図は第1図の断面図、第3図は第1図におけるワ
ークの構成を説明するための断面図、第4図は第3図の
一部を拡大して示す断面図、第5図は第3図における抑
え板を示す斜視図、第6図(a−c)は第1図の検査装
置における検査手順を説明するための断面図である。 2・・半導体モジュール、2a・・・チップ、2b・・
セラミックス基板、3・・・ワーク、6・・・押え板、
6a・・エツジ、6b・・曲率面、9・・・リング状パ
ツキン、13・・液槽。
、第2図は第1図の断面図、第3図は第1図におけるワ
ークの構成を説明するための断面図、第4図は第3図の
一部を拡大して示す断面図、第5図は第3図における抑
え板を示す斜視図、第6図(a−c)は第1図の検査装
置における検査手順を説明するための断面図である。 2・・半導体モジュール、2a・・・チップ、2b・・
セラミックス基板、3・・・ワーク、6・・・押え板、
6a・・エツジ、6b・・曲率面、9・・・リング状パ
ツキン、13・・液槽。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理体を液体に漬けて処理する装置において、 前記液体が収容される液槽の一部を、前記被処理体を支
持する支持体とこの支持体の側壁をパッキンを挟んで押
える押え部材とで構成し、この押え部材の前記支持体と
の対向面で前記パッキンと当接するエッジ面を下向きの
傾斜面に設けたことを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2069224A JP2775506B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2069224A JP2775506B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03270042A true JPH03270042A (ja) | 1991-12-02 |
JP2775506B2 JP2775506B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=13396545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2069224A Expired - Fee Related JP2775506B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2775506B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH023299A (ja) * | 1988-06-18 | 1990-01-08 | Teru Kyushu Kk | レーザーリペア装置 |
JPH0228344A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 半導体検査装置 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2069224A patent/JP2775506B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH023299A (ja) * | 1988-06-18 | 1990-01-08 | Teru Kyushu Kk | レーザーリペア装置 |
JPH0228344A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 半導体検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2775506B2 (ja) | 1998-07-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |