JPH03261145A - 半導体装置の表面平坦化方法 - Google Patents
半導体装置の表面平坦化方法Info
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- JPH03261145A JPH03261145A JP6053490A JP6053490A JPH03261145A JP H03261145 A JPH03261145 A JP H03261145A JP 6053490 A JP6053490 A JP 6053490A JP 6053490 A JP6053490 A JP 6053490A JP H03261145 A JPH03261145 A JP H03261145A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、高集積半導体装置の多層配線の製造方法に関
する関し。
する関し。
多層配線の層間絶縁層の表面の平坦化を目的とし
絶縁膜で被覆された基板上に、第１のＳＯＧ膜を塗布す
る工程と、該第１のＳＯＧ膜の溶剤を揮発させて、該第
１のＳＯＧ膜を乾燥した第１の５ｏｃｋに変換する工程
と、該乾燥した第１のＳＯＧ膜上に第２のＳＯＧ膜或い
は溶剤を塗布する工程と、該乾燥した第１のＳＯＧ膜に
第２のＳＯＧ膜或いは溶剤を浸透させて、第１のＳＯＧ
膜と第２のＳＯＧ膜との反応物を生成する工程と、該反
応物を除去し、残った該乾燥した第１のｓｏｃｇを熱処
理して、 ５ｉｎ２膜に変換する工程とを含むように構
成する。
る工程と、該第１のＳＯＧ膜の溶剤を揮発させて、該第
１のＳＯＧ膜を乾燥した第１の５ｏｃｋに変換する工程
と、該乾燥した第１のＳＯＧ膜上に第２のＳＯＧ膜或い
は溶剤を塗布する工程と、該乾燥した第１のＳＯＧ膜に
第２のＳＯＧ膜或いは溶剤を浸透させて、第１のＳＯＧ
膜と第２のＳＯＧ膜との反応物を生成する工程と、該反
応物を除去し、残った該乾燥した第１のｓｏｃｇを熱処
理して、 ５ｉｎ２膜に変換する工程とを含むように構
成する。
本発明は、高集積半導体装置の多層配線の製造方法に関
する関する。
する関する。
近年、半導体装置の高集積化に伴い、多層配線の構造も
益々複雑化、高層化している。
益々複雑化、高層化している。
このため、配線層、絶縁層の平坦化がより重要な技術と
して必要になってきた。
して必要になってきた。
第３図は従来例の説明図である。
図において、１１はＳｉｎｇＭ！、 １２はｓｏ＋４で
ある。
ある。
従来、眉間絶縁膜の表面の平坦化の一方法として、 Ｓ
ＯＧ膜を用いる方法がある。
ＯＧ膜を用いる方法がある。
これは、シリコン（Ｓｔ）の有機化合物を溶剤に溶解し
たものを、スピナー等により半導体等の基板上に形成し
た二酸化シリコン（Ｓｉｎｇ）膜等の絶縁物上に塗布し
、熱乾燥して２表面にＳｉ０ｇ膜を形成するもので、塗
布した時には粘性の比較的低い溶液のため２表面が滑ら
かに、凹凸のない比較的平坦な面が得られる効果がある
。
たものを、スピナー等により半導体等の基板上に形成し
た二酸化シリコン（Ｓｉｎｇ）膜等の絶縁物上に塗布し
、熱乾燥して２表面にＳｉ０ｇ膜を形成するもので、塗
布した時には粘性の比較的低い溶液のため２表面が滑ら
かに、凹凸のない比較的平坦な面が得られる効果がある
。
このＳＯＧ膜を塗布する方式は、大小の凹みを埋め込む
方法としては、優れた方法ではあるが、凹部の膜の厚さ
が所望の厚さ以上に厚くなって、その部分にスルーホー
ル等を開口する場合に大きな障害となる場合がある。
方法としては、優れた方法ではあるが、凹部の膜の厚さ
が所望の厚さ以上に厚くなって、その部分にスルーホー
ル等を開口する場合に大きな障害となる場合がある。
本発明は、この埋め込み部分の平坦化がＲ調に所望の厚
さに行われることを目的として提供されるものである。
さに行われることを目的として提供されるものである。
（課題を解決するための手段〕
第１図は本発明の原理説明図である。
図において、１は基板、２は絶縁膜、３は第１のＳＯＧ
膜、３゛は乾燥した第１のＳａＣ膜、４は第２のＳＯＧ
膜、４゛は第１のＳＯＧ膜と第２のＳＯＧ膜。
膜、３゛は乾燥した第１のＳａＣ膜、４は第２のＳＯＧ
膜、４゛は第１のＳＯＧ膜と第２のＳＯＧ膜。
或いは溶剤の反応物、５は５ｉ（ｈ膜である。
本発明の目的は、第１図（ａ）に示すように。
埋め込みしたい凹みが１μｍ以下と小さい場合には、
５ＯＧＩＩ！！！は数μｍの凹みも問題になる。
５ＯＧＩＩ！！！は数μｍの凹みも問題になる。
第１回目のＳＯＧ膜を塗布した後、軽いベーキングを行
い溶剤を揮発させた後、 ＳＯＧ膜またはその溶剤を
再び塗布する。
い溶剤を揮発させた後、 ＳＯＧ膜またはその溶剤を
再び塗布する。
始めに塗布した１回目のＳＯＧ膜の表面は第２のＳＯＧ
膜に含まれる溶剤と反応して、溶剤により除去されて、
狭い凹みのところだけが、残ることになる。
膜に含まれる溶剤と反応して、溶剤により除去されて、
狭い凹みのところだけが、残ることになる。
即ち１本発明の目的は、第１図（ａ）に示すように、絶
縁膜２で被覆された基板１上に、第１の５ＯＧＩＩ３を
塗布する工程と。
縁膜２で被覆された基板１上に、第１の５ＯＧＩＩ３を
塗布する工程と。
第１図（ｂ）に示すように、該５ＯＧＩＩ１３の溶剤を
揮発させて、乾燥した第１の５ＯＧｌ１３ ’ とする
工程と。
揮発させて、乾燥した第１の５ＯＧｌ１３ ’ とする
工程と。
第１図（Ｃ）に示すように、該乾燥した第１のＳＯＧ膜
３゛上に第２のＳＯＧ膜或いは溶剤４を塗布する工程と
。
３゛上に第２のＳＯＧ膜或いは溶剤４を塗布する工程と
。
第１図（ｄ）に示すように、該乾燥した第１のＳＯＧ膜
３゛に第２のＳＯＧ膜、或いは溶剤を浸透させて１反応
物４°にする工程と。
３゛に第２のＳＯＧ膜、或いは溶剤を浸透させて１反応
物４°にする工程と。
第１図（ｅ）に示すように、該反応物４．を除去し、残
った該乾燥した第１のＳＯＧ膜３′を熱処理して、 Ｓ
ｉ０ｇ膜５を形成する工程とを含むことにより遠戚され
る。
った該乾燥した第１のＳＯＧ膜３′を熱処理して、 Ｓ
ｉ０ｇ膜５を形成する工程とを含むことにより遠戚され
る。
本発明の手段により、狭い凹みのみが、２回目のＳＯＧ
膜塗布、または溶剤の塗布により残るので全体として平
坦化される。
膜塗布、または溶剤の塗布により残るので全体として平
坦化される。
第２図は本発明の一実施例の工程順模式断面図である。
図において、６はＳｉ基板、７は第１のＳｉＯ□膜８は
第１のＳＯＧ膜、８′は乾燥した第１のＳＯＧ膜９は第
２のＳＯＧ膜、９゛ は第１のＳＯＧ膜と第２のＳＯＧ
膜の反応物、１０は第２の５ｉｎ２膜である。
第１のＳＯＧ膜、８′は乾燥した第１のＳＯＧ膜９は第
２のＳＯＧ膜、９゛ は第１のＳＯＧ膜と第２のＳＯＧ
膜の反応物、１０は第２の５ｉｎ２膜である。
第２図（ａ）〜（ｅ）の図面にもとすいて９本発明の一
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第２図（ａ）に示すように、 ５ｉＯｚ膜上に第１のＳ
ＯＧ膜８をスピナーにより、１．５μｍの厚さにＳｉ基
板６上に被覆した傾斜面やピンホールを有する第１の５
ｉｎ２膜上に塗布する。この時、広い凹み部分には厚く
塗布される。
ＯＧ膜８をスピナーにより、１．５μｍの厚さにＳｉ基
板６上に被覆した傾斜面やピンホールを有する第１の５
ｉｎ２膜上に塗布する。この時、広い凹み部分には厚く
塗布される。
次いで、第２図（ｂ）に示すように、 ＳＯＧ膜の溶剤
であるエニルセロゾルブ等の溶剤の揮発する温度１例え
ば１００″Ｃで２０分間の乾燥を行い、溶剤を除去して
、乾燥した第１のＳＯＧ膜８゛とする。
であるエニルセロゾルブ等の溶剤の揮発する温度１例え
ば１００″Ｃで２０分間の乾燥を行い、溶剤を除去して
、乾燥した第１のＳＯＧ膜８゛とする。
第１のＳｉ０ｇ膜７のピンホールの上にも厚く第１のＳ
ＯＧ膜８′が形成されている。
ＯＧ膜８′が形成されている。
第２図（Ｃ）に示すように、第２のＳＯＧ膜９をスピナ
ーを用いて、１．５μｍの厚さに塗布する。
ーを用いて、１．５μｍの厚さに塗布する。
続いて、第２図（ｄ）に示すように、乾燥した第１のＳ
ＯＧ膜８゛に第２のＳＯＧ膜９を常温で３０分馴染ませ
る。すると、第２のＳＯＧ膜９の溶剤が乾燥した第１の
ＳＯＧ膜８′に徐々に浸透して１表面から軟らかい反応
物を生成していく。
ＯＧ膜８゛に第２のＳＯＧ膜９を常温で３０分馴染ませ
る。すると、第２のＳＯＧ膜９の溶剤が乾燥した第１の
ＳＯＧ膜８′に徐々に浸透して１表面から軟らかい反応
物を生成していく。
この時、広い凹み部分には、第２の５ＯＧＷＩ９が厚く
塗布され、従って、乾燥した第１のＳＯＧ膜８゛との反
応量が多くなり、残る第１のＳＯＧ膜８゛が薄くなるの
が１本発明のポイントである。
塗布され、従って、乾燥した第１のＳＯＧ膜８゛との反
応量が多くなり、残る第１のＳＯＧ膜８゛が薄くなるの
が１本発明のポイントである。
第２図（ｅ）に示すように、溶剤に浸漬するか溶剤をス
ピナーにより塗布することにより９反応したＳＯＧ膜の
反応物９を完全に除去したあと、４００°Ｃで３０分間
のベーキングを行い、焼結して、残ったＳＯＧ膜８°を
第２のＳｉｎｇ膜１０に変質させて、滑らかな表面の絶
縁物層を形成する。
ピナーにより塗布することにより９反応したＳＯＧ膜の
反応物９を完全に除去したあと、４００°Ｃで３０分間
のベーキングを行い、焼結して、残ったＳＯＧ膜８°を
第２のＳｉｎｇ膜１０に変質させて、滑らかな表面の絶
縁物層を形成する。
こうして出来た表面は、狭い凹みは５ｉｏｚＷＡで埋め
られ、広い凹みの部分は５ｉＯ１膜の膜厚が厚くならず
、所望の平坦化形状が得られる。
られ、広い凹みの部分は５ｉＯ１膜の膜厚が厚くならず
、所望の平坦化形状が得られる。
以上説明したように１本発明によれば、 ＳＯＧ膜を２
度塗布するか、または、 ＳＯＧ膜を塗布後、更に溶剤
のみを塗布することにより、埋め込みたいピンホール等
の狭い凹みは埋め込んで平坦化し。
度塗布するか、または、 ＳＯＧ膜を塗布後、更に溶剤
のみを塗布することにより、埋め込みたいピンホール等
の狭い凹みは埋め込んで平坦化し。
更にｌｅｉ！厚を厚くしたくない素子形成部の凹みは薄
く平坦化したような形状を得ることができる。
く平坦化したような形状を得ることができる。
第１図は本発明の原理説明図。
第２図は本発明の一実施例の工程順模式断面図第３図は
従来例の説明図 である。 図において。 １は基板、 ２は絶縁膜。 ３は第１のＳＯＧ膜 ３′は乾燥した第１のＳＯＧ膜。 ４は第２のＳＯＧ膜。 ４゛ は第１のＳＯＧ膜と第２のＳＯＧ膜或いは溶剤の
反応物。 ５はＳｉＯ２膜 ６はＳｉ基板。 ７は第１のＳｉ０ｇ膜、 ８は第１のＳＯＧ膜。 ８゛ は乾燥した第１のＳＯＧ膜。 ９は第２のＳＯＧ膜 ９゛は第１のＳＯＧ膜と第２のＳＯＧ膜の反応物。 １０は第２のＳｉＯ□膜 Ａイを日月ｎ肩理言脣−８月Ｂ町 第 １ 図 ネ足釆仲１の説明図 第 ３ 団
従来例の説明図 である。 図において。 １は基板、 ２は絶縁膜。 ３は第１のＳＯＧ膜 ３′は乾燥した第１のＳＯＧ膜。 ４は第２のＳＯＧ膜。 ４゛ は第１のＳＯＧ膜と第２のＳＯＧ膜或いは溶剤の
反応物。 ５はＳｉＯ２膜 ６はＳｉ基板。 ７は第１のＳｉ０ｇ膜、 ８は第１のＳＯＧ膜。 ８゛ は乾燥した第１のＳＯＧ膜。 ９は第２のＳＯＧ膜 ９゛は第１のＳＯＧ膜と第２のＳＯＧ膜の反応物。 １０は第２のＳｉＯ□膜 Ａイを日月ｎ肩理言脣−８月Ｂ町 第 １ 図 ネ足釆仲１の説明図 第 ３ 団
Claims (1)
- 絶縁膜（２）で被覆された基板（１）上に、第１のス
ピン・オン・グラス（ＳＯＧ）膜（３）を塗布する工程
と、該第１のＳＯＧ膜（３）の溶剤を揮発させて、該第
１のＳＯＧ膜を乾燥した第１のＳＯＧ膜（３′）に変換
する工程と、該乾燥した第１のＳＯＧ膜（３′）上に第
２のＳＯＧ膜或いは溶剤（４）を塗布する工程と、該乾
燥した第１のＳＯＧ膜（３′）に第２のＳＯＧ膜或いは
溶剤を浸透させて、第１のＳＯＧ膜と第２のＳＯＧ膜と
の反応物を生成する工程と、該反応物（４′）を除去し
、残った該乾燥した第１のＳＯＧ膜（３′）を熱処理し
て、二酸化シリコン膜（５）に変換する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の表面平坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6053490A JPH03261145A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体装置の表面平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6053490A JPH03261145A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体装置の表面平坦化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261145A true JPH03261145A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13145067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6053490A Pending JPH03261145A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体装置の表面平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03261145A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6313044B1 (en) | 1998-10-29 | 2001-11-06 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Methods for forming a spin-on-glass layer |
| JP2005142527A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Lucent Technol Inc | 基体上の誘電体層とその作製方法 |
| JP2007173765A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP6053490A patent/JPH03261145A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6313044B1 (en) | 1998-10-29 | 2001-11-06 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Methods for forming a spin-on-glass layer |
| JP2005142527A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Lucent Technol Inc | 基体上の誘電体層とその作製方法 |
| JP2011119762A (ja) * | 2003-11-04 | 2011-06-16 | Alcatel-Lucent Usa Inc | 基体上の誘電体層とその作製方法 |
| JP2007173765A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
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