JPH03261145A - 半導体装置の表面平坦化方法 - Google Patents
半導体装置の表面平坦化方法Info
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- JPH03261145A JPH03261145A JP6053490A JP6053490A JPH03261145A JP H03261145 A JPH03261145 A JP H03261145A JP 6053490 A JP6053490 A JP 6053490A JP 6053490 A JP6053490 A JP 6053490A JP H03261145 A JPH03261145 A JP H03261145A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、高集積半導体装置の多層配線の製造方法に関
する関し。
する関し。
多層配線の層間絶縁層の表面の平坦化を目的とし
絶縁膜で被覆された基板上に、第1のSOG膜を塗布す
る工程と、該第1のSOG膜の溶剤を揮発させて、該第
1のSOG膜を乾燥した第1の5ockに変換する工程
と、該乾燥した第1のSOG膜上に第2のSOG膜或い
は溶剤を塗布する工程と、該乾燥した第1のSOG膜に
第2のSOG膜或いは溶剤を浸透させて、第1のSOG
膜と第2のSOG膜との反応物を生成する工程と、該反
応物を除去し、残った該乾燥した第1のsocgを熱処
理して、 5in2膜に変換する工程とを含むように構
成する。
る工程と、該第1のSOG膜の溶剤を揮発させて、該第
1のSOG膜を乾燥した第1の5ockに変換する工程
と、該乾燥した第1のSOG膜上に第2のSOG膜或い
は溶剤を塗布する工程と、該乾燥した第1のSOG膜に
第2のSOG膜或いは溶剤を浸透させて、第1のSOG
膜と第2のSOG膜との反応物を生成する工程と、該反
応物を除去し、残った該乾燥した第1のsocgを熱処
理して、 5in2膜に変換する工程とを含むように構
成する。
本発明は、高集積半導体装置の多層配線の製造方法に関
する関する。
する関する。
近年、半導体装置の高集積化に伴い、多層配線の構造も
益々複雑化、高層化している。
益々複雑化、高層化している。
このため、配線層、絶縁層の平坦化がより重要な技術と
して必要になってきた。
して必要になってきた。
第3図は従来例の説明図である。
図において、11はSingM!、 12はso+4で
ある。
ある。
従来、眉間絶縁膜の表面の平坦化の一方法として、 S
OG膜を用いる方法がある。
OG膜を用いる方法がある。
これは、シリコン(St)の有機化合物を溶剤に溶解し
たものを、スピナー等により半導体等の基板上に形成し
た二酸化シリコン(Sing)膜等の絶縁物上に塗布し
、熱乾燥して2表面にSi0g膜を形成するもので、塗
布した時には粘性の比較的低い溶液のため2表面が滑ら
かに、凹凸のない比較的平坦な面が得られる効果がある
。
たものを、スピナー等により半導体等の基板上に形成し
た二酸化シリコン(Sing)膜等の絶縁物上に塗布し
、熱乾燥して2表面にSi0g膜を形成するもので、塗
布した時には粘性の比較的低い溶液のため2表面が滑ら
かに、凹凸のない比較的平坦な面が得られる効果がある
。
このSOG膜を塗布する方式は、大小の凹みを埋め込む
方法としては、優れた方法ではあるが、凹部の膜の厚さ
が所望の厚さ以上に厚くなって、その部分にスルーホー
ル等を開口する場合に大きな障害となる場合がある。
方法としては、優れた方法ではあるが、凹部の膜の厚さ
が所望の厚さ以上に厚くなって、その部分にスルーホー
ル等を開口する場合に大きな障害となる場合がある。
本発明は、この埋め込み部分の平坦化がR調に所望の厚
さに行われることを目的として提供されるものである。
さに行われることを目的として提供されるものである。
(課題を解決するための手段〕
第1図は本発明の原理説明図である。
図において、1は基板、2は絶縁膜、3は第1のSOG
膜、3゛は乾燥した第1のSaC膜、4は第2のSOG
膜、4゛は第1のSOG膜と第2のSOG膜。
膜、3゛は乾燥した第1のSaC膜、4は第2のSOG
膜、4゛は第1のSOG膜と第2のSOG膜。
或いは溶剤の反応物、5は5i(h膜である。
本発明の目的は、第1図(a)に示すように。
埋め込みしたい凹みが1μm以下と小さい場合には、
5OGII!!!は数μmの凹みも問題になる。
5OGII!!!は数μmの凹みも問題になる。
第1回目のSOG膜を塗布した後、軽いベーキングを行
い溶剤を揮発させた後、 SOG膜またはその溶剤を
再び塗布する。
い溶剤を揮発させた後、 SOG膜またはその溶剤を
再び塗布する。
始めに塗布した1回目のSOG膜の表面は第2のSOG
膜に含まれる溶剤と反応して、溶剤により除去されて、
狭い凹みのところだけが、残ることになる。
膜に含まれる溶剤と反応して、溶剤により除去されて、
狭い凹みのところだけが、残ることになる。
即ち1本発明の目的は、第1図(a)に示すように、絶
縁膜2で被覆された基板1上に、第1の5OGII3を
塗布する工程と。
縁膜2で被覆された基板1上に、第1の5OGII3を
塗布する工程と。
第1図(b)に示すように、該5OGII13の溶剤を
揮発させて、乾燥した第1の5OGl13 ’ とする
工程と。
揮発させて、乾燥した第1の5OGl13 ’ とする
工程と。
第1図(C)に示すように、該乾燥した第1のSOG膜
3゛上に第2のSOG膜或いは溶剤4を塗布する工程と
。
3゛上に第2のSOG膜或いは溶剤4を塗布する工程と
。
第1図(d)に示すように、該乾燥した第1のSOG膜
3゛に第2のSOG膜、或いは溶剤を浸透させて1反応
物4°にする工程と。
3゛に第2のSOG膜、或いは溶剤を浸透させて1反応
物4°にする工程と。
第1図(e)に示すように、該反応物4.を除去し、残
った該乾燥した第1のSOG膜3′を熱処理して、 S
i0g膜5を形成する工程とを含むことにより遠戚され
る。
った該乾燥した第1のSOG膜3′を熱処理して、 S
i0g膜5を形成する工程とを含むことにより遠戚され
る。
本発明の手段により、狭い凹みのみが、2回目のSOG
膜塗布、または溶剤の塗布により残るので全体として平
坦化される。
膜塗布、または溶剤の塗布により残るので全体として平
坦化される。
第2図は本発明の一実施例の工程順模式断面図である。
図において、6はSi基板、7は第1のSiO□膜8は
第1のSOG膜、8′は乾燥した第1のSOG膜9は第
2のSOG膜、9゛ は第1のSOG膜と第2のSOG
膜の反応物、10は第2の5in2膜である。
第1のSOG膜、8′は乾燥した第1のSOG膜9は第
2のSOG膜、9゛ は第1のSOG膜と第2のSOG
膜の反応物、10は第2の5in2膜である。
第2図(a)〜(e)の図面にもとすいて9本発明の一
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第2図(a)に示すように、 5iOz膜上に第1のS
OG膜8をスピナーにより、1.5μmの厚さにSi基
板6上に被覆した傾斜面やピンホールを有する第1の5
in2膜上に塗布する。この時、広い凹み部分には厚く
塗布される。
OG膜8をスピナーにより、1.5μmの厚さにSi基
板6上に被覆した傾斜面やピンホールを有する第1の5
in2膜上に塗布する。この時、広い凹み部分には厚く
塗布される。
次いで、第2図(b)に示すように、 SOG膜の溶剤
であるエニルセロゾルブ等の溶剤の揮発する温度1例え
ば100″Cで20分間の乾燥を行い、溶剤を除去して
、乾燥した第1のSOG膜8゛とする。
であるエニルセロゾルブ等の溶剤の揮発する温度1例え
ば100″Cで20分間の乾燥を行い、溶剤を除去して
、乾燥した第1のSOG膜8゛とする。
第1のSi0g膜7のピンホールの上にも厚く第1のS
OG膜8′が形成されている。
OG膜8′が形成されている。
第2図(C)に示すように、第2のSOG膜9をスピナ
ーを用いて、1.5μmの厚さに塗布する。
ーを用いて、1.5μmの厚さに塗布する。
続いて、第2図(d)に示すように、乾燥した第1のS
OG膜8゛に第2のSOG膜9を常温で30分馴染ませ
る。すると、第2のSOG膜9の溶剤が乾燥した第1の
SOG膜8′に徐々に浸透して1表面から軟らかい反応
物を生成していく。
OG膜8゛に第2のSOG膜9を常温で30分馴染ませ
る。すると、第2のSOG膜9の溶剤が乾燥した第1の
SOG膜8′に徐々に浸透して1表面から軟らかい反応
物を生成していく。
この時、広い凹み部分には、第2の5OGWI9が厚く
塗布され、従って、乾燥した第1のSOG膜8゛との反
応量が多くなり、残る第1のSOG膜8゛が薄くなるの
が1本発明のポイントである。
塗布され、従って、乾燥した第1のSOG膜8゛との反
応量が多くなり、残る第1のSOG膜8゛が薄くなるの
が1本発明のポイントである。
第2図(e)に示すように、溶剤に浸漬するか溶剤をス
ピナーにより塗布することにより9反応したSOG膜の
反応物9を完全に除去したあと、400°Cで30分間
のベーキングを行い、焼結して、残ったSOG膜8°を
第2のSing膜10に変質させて、滑らかな表面の絶
縁物層を形成する。
ピナーにより塗布することにより9反応したSOG膜の
反応物9を完全に除去したあと、400°Cで30分間
のベーキングを行い、焼結して、残ったSOG膜8°を
第2のSing膜10に変質させて、滑らかな表面の絶
縁物層を形成する。
こうして出来た表面は、狭い凹みは5iozWAで埋め
られ、広い凹みの部分は5iO1膜の膜厚が厚くならず
、所望の平坦化形状が得られる。
られ、広い凹みの部分は5iO1膜の膜厚が厚くならず
、所望の平坦化形状が得られる。
以上説明したように1本発明によれば、 SOG膜を2
度塗布するか、または、 SOG膜を塗布後、更に溶剤
のみを塗布することにより、埋め込みたいピンホール等
の狭い凹みは埋め込んで平坦化し。
度塗布するか、または、 SOG膜を塗布後、更に溶剤
のみを塗布することにより、埋め込みたいピンホール等
の狭い凹みは埋め込んで平坦化し。
更にlei!厚を厚くしたくない素子形成部の凹みは薄
く平坦化したような形状を得ることができる。
く平坦化したような形状を得ることができる。
第1図は本発明の原理説明図。
第2図は本発明の一実施例の工程順模式断面図第3図は
従来例の説明図 である。 図において。 1は基板、 2は絶縁膜。 3は第1のSOG膜 3′は乾燥した第1のSOG膜。 4は第2のSOG膜。 4゛ は第1のSOG膜と第2のSOG膜或いは溶剤の
反応物。 5はSiO2膜 6はSi基板。 7は第1のSi0g膜、 8は第1のSOG膜。 8゛ は乾燥した第1のSOG膜。 9は第2のSOG膜 9゛は第1のSOG膜と第2のSOG膜の反応物。 10は第2のSiO□膜 Aイを日月n肩理言脣−8月B町 第 1 図 ネ足釆仲1の説明図 第 3 団
従来例の説明図 である。 図において。 1は基板、 2は絶縁膜。 3は第1のSOG膜 3′は乾燥した第1のSOG膜。 4は第2のSOG膜。 4゛ は第1のSOG膜と第2のSOG膜或いは溶剤の
反応物。 5はSiO2膜 6はSi基板。 7は第1のSi0g膜、 8は第1のSOG膜。 8゛ は乾燥した第1のSOG膜。 9は第2のSOG膜 9゛は第1のSOG膜と第2のSOG膜の反応物。 10は第2のSiO□膜 Aイを日月n肩理言脣−8月B町 第 1 図 ネ足釆仲1の説明図 第 3 団
Claims (1)
- 絶縁膜(2)で被覆された基板(1)上に、第1のス
ピン・オン・グラス(SOG)膜(3)を塗布する工程
と、該第1のSOG膜(3)の溶剤を揮発させて、該第
1のSOG膜を乾燥した第1のSOG膜(3′)に変換
する工程と、該乾燥した第1のSOG膜(3′)上に第
2のSOG膜或いは溶剤(4)を塗布する工程と、該乾
燥した第1のSOG膜(3′)に第2のSOG膜或いは
溶剤を浸透させて、第1のSOG膜と第2のSOG膜と
の反応物を生成する工程と、該反応物(4′)を除去し
、残った該乾燥した第1のSOG膜(3′)を熱処理し
て、二酸化シリコン膜(5)に変換する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の表面平坦化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6053490A JPH03261145A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体装置の表面平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6053490A JPH03261145A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体装置の表面平坦化方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03261145A true JPH03261145A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13145067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6053490A Pending JPH03261145A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体装置の表面平坦化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03261145A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6313044B1 (en) | 1998-10-29 | 2001-11-06 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Methods for forming a spin-on-glass layer |
JP2005142527A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Lucent Technol Inc | 基体上の誘電体層とその作製方法 |
JP2007173765A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP6053490A patent/JPH03261145A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6313044B1 (en) | 1998-10-29 | 2001-11-06 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Methods for forming a spin-on-glass layer |
JP2005142527A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Lucent Technol Inc | 基体上の誘電体層とその作製方法 |
JP2011119762A (ja) * | 2003-11-04 | 2011-06-16 | Alcatel-Lucent Usa Inc | 基体上の誘電体層とその作製方法 |
JP2007173765A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
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