JPH0325922A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0325922A JPH0325922A JP16153689A JP16153689A JPH0325922A JP H0325922 A JPH0325922 A JP H0325922A JP 16153689 A JP16153689 A JP 16153689A JP 16153689 A JP16153689 A JP 16153689A JP H0325922 A JPH0325922 A JP H0325922A
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- Japan
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- thin
- film
- semiconductor substrate
- reaction chamber
- thin film
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に高温壁型の熱処理
用密閉反応室を右する半導体製造装置に関する。
用密閉反応室を右する半導体製造装置に関する。
従来、この種の半導体製造装置は、高温壁型密閉反応室
を有し、この反応室内において、半導体基板表面に薄膜
を堆積するＣＶＤ装置と、拡敗炉型反応室を有し、この
反応室内において、半導体基板表面に堆積したＣＶＤ薄
膜の熱処理，リフロー，あるいはこの薄膜への不純物拡
散等を行う熱処理装置とがそれぞれ独立した装置となっ
ていた。
を有し、この反応室内において、半導体基板表面に薄膜
を堆積するＣＶＤ装置と、拡敗炉型反応室を有し、この
反応室内において、半導体基板表面に堆積したＣＶＤ薄
膜の熱処理，リフロー，あるいはこの薄膜への不純物拡
散等を行う熱処理装置とがそれぞれ独立した装置となっ
ていた。
上述した従来の半導体製造装置は、半導体基板表面に薄
膜を堆積するＣＶＤ装置と、この薄膜の熱処理を行う拡
散炉型熱処理装置とが、それぞれ独立した装置となって
いるので装置が２台必要となり、半導体基板を反応室内
に人出する際のパーティクルの発生、作業室（クリーン
ルーム）のスペースを広く使用する、両装置に関わるオ
ペレーターの人数が多い、両装置間の搬送，待機の時間
がかかるなどという欠点がある。
膜を堆積するＣＶＤ装置と、この薄膜の熱処理を行う拡
散炉型熱処理装置とが、それぞれ独立した装置となって
いるので装置が２台必要となり、半導体基板を反応室内
に人出する際のパーティクルの発生、作業室（クリーン
ルーム）のスペースを広く使用する、両装置に関わるオ
ペレーターの人数が多い、両装置間の搬送，待機の時間
がかかるなどという欠点がある。
本発明は、真空排気機構と加熱機構及び反応ガス導入口
を有し内部に半導体基板をセットして熱処理を行う密閉
反応室を備えた半導体製造装置において、前期密閉反応
室内で半導体基板に薄膜形成と薄膜熱処理とを連続して
行うための温度制御手段及び反応ガス導入制御手段を備
えた半導体製造装置である。
を有し内部に半導体基板をセットして熱処理を行う密閉
反応室を備えた半導体製造装置において、前期密閉反応
室内で半導体基板に薄膜形成と薄膜熱処理とを連続して
行うための温度制御手段及び反応ガス導入制御手段を備
えた半導体製造装置である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。
密閉反応室５は炉芯管２によって大気と遮断されており
、図示していない真空排気機構を備え、密閉反応室５内
に薄膜゛形戊用反応ガス導入口７及び８から反応ガスを
導入し、外部からヒーターｌによって加熱することによ
り、半導体基板支持台３によって支持された半導体基板
４の表面に薄膜を形成し、未反応ガスは排気口１１より
排気される。
、図示していない真空排気機構を備え、密閉反応室５内
に薄膜゛形戊用反応ガス導入口７及び８から反応ガスを
導入し、外部からヒーターｌによって加熱することによ
り、半導体基板支持台３によって支持された半導体基板
４の表面に薄膜を形成し、未反応ガスは排気口１１より
排気される。
上記薄膜形成工程を終了した後、膜質改善用反応ガス導
入口９及び１０から窒素，酸素，水素或いはその他のガ
スを導入し、密閉反応室５内は、ヒーター１によって上
記薄膜形成工程以上の高温ランビングを行って加熱され
、半導体基板４表面の薄膜の膜質改善を行う。
入口９及び１０から窒素，酸素，水素或いはその他のガ
スを導入し、密閉反応室５内は、ヒーター１によって上
記薄膜形成工程以上の高温ランビングを行って加熱され
、半導体基板４表面の薄膜の膜質改善を行う。
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。密閉
反応質５の中にある半導体基板４はヒーター１により加
熱され、薄膜形成用反応ガス導入口７より導入された反
応ガスによって、半導体基板４表面に薄膜を堆積し、未
反応ガスは排気口１１より排気される。
反応質５の中にある半導体基板４はヒーター１により加
熱され、薄膜形成用反応ガス導入口７より導入された反
応ガスによって、半導体基板４表面に薄膜を堆積し、未
反応ガスは排気口１１より排気される。
上記薄膜形成工程終了後、薄膜形成用反応ガスとは異な
るガスを膜質改善用ガス導入口９より密閉反応質５内へ
導入し、半導体基板４は、ヒーター１で加熱されると同
時に赤外線ランプ６によって光を照射されることで、半
導体基板４に堆積した薄膜の膜質改善を行う。
るガスを膜質改善用ガス導入口９より密閉反応質５内へ
導入し、半導体基板４は、ヒーター１で加熱されると同
時に赤外線ランプ６によって光を照射されることで、半
導体基板４に堆積した薄膜の膜質改善を行う。
この実施例では、膜質改善のために赤外線ランプを併用
して用いることで、反応室内壁が高温となることを避け
ることが可能であるため、ヒーターの負担，制御が複雑
でなく、反応室内壁の材質の選択も広くなるという利点
がある。
して用いることで、反応室内壁が高温となることを避け
ることが可能であるため、ヒーターの負担，制御が複雑
でなく、反応室内壁の材質の選択も広くなるという利点
がある。
以上説明したように本発明は、半導体基板表面に薄膜を
堆積する工程と、この薄膜の熱処理を行う工程とを同一
反応室内で連続して行うことを可能としたことにより、
装置の省スペース化．工程の時間短縮化，また、パーテ
ィクルの発生低減等が可能となる効果がある。
堆積する工程と、この薄膜の熱処理を行う工程とを同一
反応室内で連続して行うことを可能としたことにより、
装置の省スペース化．工程の時間短縮化，また、パーテ
ィクルの発生低減等が可能となる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は本
発明の第２の実施例の縦断面図である。 １・・・ヒーター ２・・・炉芯管、３・・・半導体基
板支持台、４・・・半導体基板、５・・・密閉反応室、
６・・・赤外線ランプ、７，８・・・薄膜形戒用反応ガ
ス導入口、９，１０・・・膜質改善用反応ガス導入口、
１１・・・排気口。
発明の第２の実施例の縦断面図である。 １・・・ヒーター ２・・・炉芯管、３・・・半導体基
板支持台、４・・・半導体基板、５・・・密閉反応室、
６・・・赤外線ランプ、７，８・・・薄膜形戒用反応ガ
ス導入口、９，１０・・・膜質改善用反応ガス導入口、
１１・・・排気口。
Claims (1)
- 真空排気機構と加熱機構及び反応ガス導入口を有し内部
に半導体基板をセットして熱処理を行う密閉反応室を備
えた半導体製造装置において、前期密閉反応室内で半導
体基板に薄膜形成と薄膜熱処理とを連続して行うための
温度制御手段及び反応ガス導入制御手段を備えたことを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16153689A JPH0325922A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16153689A JPH0325922A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325922A true JPH0325922A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15736966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16153689A Pending JPH0325922A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0325922A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007119439A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP16153689A patent/JPH0325922A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007119439A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体およびその製造方法 |
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