JPH0324783A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0324783A JPH0324783A JP16008989A JP16008989A JPH0324783A JP H0324783 A JPH0324783 A JP H0324783A JP 16008989 A JP16008989 A JP 16008989A JP 16008989 A JP16008989 A JP 16008989A JP H0324783 A JPH0324783 A JP H0324783A
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- Japan
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- optical path
- laser beam
- light
- laser
- semiconductor laser
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 230000010365 information processing Effects 0.000 abstract description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザ素子及びそのパワーモニタが同
一パッケージ内に配設された半導体レーザ装置に関する
。
一パッケージ内に配設された半導体レーザ装置に関する
。
従来の技術
半導体レーザ素子は、その出力の直接変調が可能なため
、近年、様々な機器に用いられている。
、近年、様々な機器に用いられている。
しかし、半導体レーザ素子の出力は、温度等の外部条件
等によって大きく変動する特性を持っている。したがっ
て、半導体レーザ素子の出力を一定に保つためには、モ
ニタ手段を設けてその出力を制御することが必要である
。さらに、外部光学系を簡素化するために、モニタ手段
を半導体レーザのパッケージ内に配設した半導体レーザ
装置があり、このような装置の一従来例が、特開昭５５
１ ２７０９０号公報に開示されている。この技術を、
第３図に基づいて説明する。前方及び後方にレーザ光を
発する半導体レーザ素子ｌが配設され、この半導体レー
ザ素子ｌから後方に発せられたレーザ光（以下、「後方
出射レーザ光Ｊと略す）の光路上に受光素子２が設けら
れている。
等によって大きく変動する特性を持っている。したがっ
て、半導体レーザ素子の出力を一定に保つためには、モ
ニタ手段を設けてその出力を制御することが必要である
。さらに、外部光学系を簡素化するために、モニタ手段
を半導体レーザのパッケージ内に配設した半導体レーザ
装置があり、このような装置の一従来例が、特開昭５５
１ ２７０９０号公報に開示されている。この技術を、
第３図に基づいて説明する。前方及び後方にレーザ光を
発する半導体レーザ素子ｌが配設され、この半導体レー
ザ素子ｌから後方に発せられたレーザ光（以下、「後方
出射レーザ光Ｊと略す）の光路上に受光素子２が設けら
れている。
この装置において、半導体レーザ素子ｌから前方に発せ
られたレーザ光（以下、「前方出射レーザ光」と略す）
は情報処理等に使用され、後方出射レ一ザ光は受光素子
２に入射してその出力（以下、「後方出力」と略す）が
検出される。この検出値が、出力制御手段（図示せず）
に出力されて、半導体レーザ素子の出力制御が行なわれ
る。
られたレーザ光（以下、「前方出射レーザ光」と略す）
は情報処理等に使用され、後方出射レ一ザ光は受光素子
２に入射してその出力（以下、「後方出力」と略す）が
検出される。この検出値が、出力制御手段（図示せず）
に出力されて、半導体レーザ素子の出力制御が行なわれ
る。
このように、本従来例は、後方出力の僅が、前方出射レ
ーザ光の出力（以下、「が１方出力ｊと略す）の値に対
応した値になるという特住を利用し、１）；ｊ方出力を
制御するために後方出力の変動を検出しているものであ
る。
ーザ光の出力（以下、「が１方出力ｊと略す）の値に対
応した値になるという特住を利用し、１）；ｊ方出力を
制御するために後方出力の変動を検出しているものであ
る。
発明が解決しようとする課題
前述の従来例では、戻り光が生じた場合、前方出力の値
と後方出力の値とは必ずしも一致しない。
と後方出力の値とは必ずしも一致しない。
したがって、受光素子２の検出値では前方出力の変動を
正確に検出することが出来ないという問題がある。その
ため、この検出値を出力制御手段に出力して前方出力の
制御を行なった場合、その制御が正確性にかけるという
問題がある。また、戻り光が受光素子２に直接入射した
場合にも、前方出力の値と受光素子２による検出値とは
一致せず、上記と同様の問題がある。
正確に検出することが出来ないという問題がある。その
ため、この検出値を出力制御手段に出力して前方出力の
制御を行なった場合、その制御が正確性にかけるという
問題がある。また、戻り光が受光素子２に直接入射した
場合にも、前方出力の値と受光素子２による検出値とは
一致せず、上記と同様の問題がある。
課題を解決するための手段
半導体レーザ素子から発せられたレーザ光の光路上に光
路分離部材を配設し、この光路分離部材によって分離さ
れパッケージの発光面から出射されるレーザ光の光路と
略直交する光路上に出力制御手段に接続された光検出素
子を設けた。
路分離部材を配設し、この光路分離部材によって分離さ
れパッケージの発光面から出射されるレーザ光の光路と
略直交する光路上に出力制御手段に接続された光検出素
子を設けた。
作用
半導体レーザ素子から発せられて情報処理等に用いられ
るレーザ光が、光路分離部材によって反射レーザ光と透
過レーザ光とに分離され、反射レーザ光または透過レー
ザ光の出力が光検出素子によってモニタされるため、光
検出素子は半導体レーザ素子の出力変化を正確に検出す
ることができ、さらに、光検出素子は、発光面から出射
されるレーザ光の光路と略直交する光路上に設けられて
いるため、戻り光が光検出素子に入射することがないの
で、光検出素子が戻り光から受ける影響をなくすことが
でき、したがって、光検出素子の検出値を用いることに
より、出力制御手段にて半導体レーザ素子の正確な出力
制御を行なうことができる。
るレーザ光が、光路分離部材によって反射レーザ光と透
過レーザ光とに分離され、反射レーザ光または透過レー
ザ光の出力が光検出素子によってモニタされるため、光
検出素子は半導体レーザ素子の出力変化を正確に検出す
ることができ、さらに、光検出素子は、発光面から出射
されるレーザ光の光路と略直交する光路上に設けられて
いるため、戻り光が光検出素子に入射することがないの
で、光検出素子が戻り光から受ける影響をなくすことが
でき、したがって、光検出素子の検出値を用いることに
より、出力制御手段にて半導体レーザ素子の正確な出力
制御を行なうことができる。
実施例
本発明の第一の実施例を第１図に基づいて説明する。発
光面３が形成されたパッケージ４の内部の底面にヒート
シンク５が取付けられ、このヒートシンク５の上面には
、前記発光而３に垂直な方向に略直交する方向にレーザ
光を発する半導体レーザ素子６と、この半導体レーザ素
子６からのレーザ光の光路上に位置決めされた光路分離
部材としての部分透過ミラー７と、この部分透過ミラー
７を透過したレーザ光の光路上に位置決めされた光検出
素子としての受光素子８とが取付けられている。ここで
、前記部分透過ミラー７は前記半導体レーザ素子６から
のレーザ光を前記受光面３に垂直な方向に反射させるよ
うに配設されている。
光面３が形成されたパッケージ４の内部の底面にヒート
シンク５が取付けられ、このヒートシンク５の上面には
、前記発光而３に垂直な方向に略直交する方向にレーザ
光を発する半導体レーザ素子６と、この半導体レーザ素
子６からのレーザ光の光路上に位置決めされた光路分離
部材としての部分透過ミラー７と、この部分透過ミラー
７を透過したレーザ光の光路上に位置決めされた光検出
素子としての受光素子８とが取付けられている。ここで
、前記部分透過ミラー７は前記半導体レーザ素子６から
のレーザ光を前記受光面３に垂直な方向に反射させるよ
うに配設されている。
このような構成において、半導体レーザ素子６からのレ
ーザ光は、部分透過ミラー７によって透過レーザ光Ａと
反射レーザ光Ｂに分離される。このとき、透過レーザ光
Ａは、受光素子８に入射してその出力が検出され、反射
レーザ光Ｂは、発光面３を通過し、パッケージ４の外部
に設けられた光悄報記録媒体等（図示せず）に対する情
報の記録及び再生のために使用される。
ーザ光は、部分透過ミラー７によって透過レーザ光Ａと
反射レーザ光Ｂに分離される。このとき、透過レーザ光
Ａは、受光素子８に入射してその出力が検出され、反射
レーザ光Ｂは、発光面３を通過し、パッケージ４の外部
に設けられた光悄報記録媒体等（図示せず）に対する情
報の記録及び再生のために使用される。
このように、本実施例では、情報処理用の反射レーザ光
Ｂとモニタ用の透過レーザ光Ａを同一のレーザ光から得
ているため、光検出素子８は半導体レーザ素子６の出力
変化を正確に検出することができる。さらに、受光素子
８の受光而が発光面３から出射される反射レーザ光Ｂの
光路と略直交する光路上に配設されているため、戻り光
が受光素子８に入射することがないので、受光素子８が
戻り光から受ける影響をなくすことができる。
Ｂとモニタ用の透過レーザ光Ａを同一のレーザ光から得
ているため、光検出素子８は半導体レーザ素子６の出力
変化を正確に検出することができる。さらに、受光素子
８の受光而が発光面３から出射される反射レーザ光Ｂの
光路と略直交する光路上に配設されているため、戻り光
が受光素子８に入射することがないので、受光素子８が
戻り光から受ける影響をなくすことができる。
したがって、受光素子８の検出値を用いれば、出力制御
手段によって半導体レーザ素子の正確な出力制御を行な
うことができる。
手段によって半導体レーザ素子の正確な出力制御を行な
うことができる。
次に、本発明の第二の実施例を第２図に基づいて説明す
る。第１図と同一部分については同一符号を用いる。発
光面３が形成されたパッケージ４の内部の底面にヒート
シンク５が取付けられ、このヒートシンク５の側面に、
前記発光而３に対して垂直な方向にレーザ光を発する半
導体レーザ素子６と、この半導体レーザ素子６からのレ
ーザ光の光路上に位置決めされた光路分離部材としての
部分透過ミラー７とが取付けられている。そして、前記
部分透過ミラー７によって前記半導体レーザ素子６から
のレーザ允の光路に直交する方向に反射されたレーザ光
の光路上に位置決めされた光検出素子としての受光素子
８が前記パッケージ４の内部の底面に配設されている。
る。第１図と同一部分については同一符号を用いる。発
光面３が形成されたパッケージ４の内部の底面にヒート
シンク５が取付けられ、このヒートシンク５の側面に、
前記発光而３に対して垂直な方向にレーザ光を発する半
導体レーザ素子６と、この半導体レーザ素子６からのレ
ーザ光の光路上に位置決めされた光路分離部材としての
部分透過ミラー７とが取付けられている。そして、前記
部分透過ミラー７によって前記半導体レーザ素子６から
のレーザ允の光路に直交する方向に反射されたレーザ光
の光路上に位置決めされた光検出素子としての受光素子
８が前記パッケージ４の内部の底面に配設されている。
このような構成において、半導体レーザ素子６からのレ
ーザ光は、部分透過ミラー７によって透過レーザ光Ａと
反射レーザ光Ｂに分離される。このとき、透過レーザ光
Ａは、発光面３を通過し、パッケージ４の外部に設けら
れた光情報記録媒体等（図示せず）に対する情報の記録
及び再生のために使用され、反射レーザ光Ｂは、受光素
子８に入射してその出力が検出される。
ーザ光は、部分透過ミラー７によって透過レーザ光Ａと
反射レーザ光Ｂに分離される。このとき、透過レーザ光
Ａは、発光面３を通過し、パッケージ４の外部に設けら
れた光情報記録媒体等（図示せず）に対する情報の記録
及び再生のために使用され、反射レーザ光Ｂは、受光素
子８に入射してその出力が検出される。
本実施例の場合も、情報処理用の透過レーザ光Ａとモニ
タ用の反射レーザ光Ｂを同一のレーザ光から得ており、
さらに、受光素子８は戻り光の影響を受けない。このた
め、第一の実施例の場合と同様の結果を得ることが出来
る。
タ用の反射レーザ光Ｂを同一のレーザ光から得ており、
さらに、受光素子８は戻り光の影響を受けない。このた
め、第一の実施例の場合と同様の結果を得ることが出来
る。
発明の効果
本発明は上述のように、半導体レーザ素子から発せられ
たレーザ光の光路上に光路分離部材を配設し、この光路
分離部材によって分離されパッケージの発光面から出射
されるレーザ光の光路と略直交する光路上に出力制御手
段に接続された光検出素子を設けたので、半導体レーザ
素子から発せられて情報処理等に用いられるレーザ光が
、光路分離部材によって反射レーザ光と透過レーザ光と
に分離され、反射レーザ光または透過レーザ光の出力が
光検出素子によってモニタされるため、光検出素子は半
導体レーザ素子の出力変化を正確に検出することができ
、さらに、光検出素子は、発光面から出射されるレーザ
光の光路と略直交する光路上に設けられているため、戻
り光が光検出素子に入射することがないので、光検出素
子が戻り光から受ける影響をなくすことができ、したが
って、光検出素子の検出値を用いることにより、出力制
御手段にて半導体レーザ素子の正確な出力制御を行なう
ことができるという効果を有する。
たレーザ光の光路上に光路分離部材を配設し、この光路
分離部材によって分離されパッケージの発光面から出射
されるレーザ光の光路と略直交する光路上に出力制御手
段に接続された光検出素子を設けたので、半導体レーザ
素子から発せられて情報処理等に用いられるレーザ光が
、光路分離部材によって反射レーザ光と透過レーザ光と
に分離され、反射レーザ光または透過レーザ光の出力が
光検出素子によってモニタされるため、光検出素子は半
導体レーザ素子の出力変化を正確に検出することができ
、さらに、光検出素子は、発光面から出射されるレーザ
光の光路と略直交する光路上に設けられているため、戻
り光が光検出素子に入射することがないので、光検出素
子が戻り光から受ける影響をなくすことができ、したが
って、光検出素子の検出値を用いることにより、出力制
御手段にて半導体レーザ素子の正確な出力制御を行なう
ことができるという効果を有する。
３図は従来例を示す側面図である。
Claims (1)
- 半導体レーザ素子から発せられたレーザ光の光路上に光
路分離部材を配設し、この光路分離部材によって分離さ
れパッケージの発光面から出射されるレーザ光の光路と
略直交する光路上に出力制御手段に接続された光検出素
子を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16008989A JPH0324783A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16008989A JPH0324783A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0324783A true JPH0324783A (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=15707623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16008989A Pending JPH0324783A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0324783A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0786837A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Integrated laser-based light source |
| EP0786838A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Laser based light source using diffraction, scattering or transmission |
| US5675597A (en) * | 1994-11-16 | 1997-10-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5751748A (en) * | 1995-06-05 | 1998-05-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | System for monitoring amount of light emitted from surface emitting laser |
| JP2007077608A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Takenaka Komuten Co Ltd | ルーバ |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP16008989A patent/JPH0324783A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5675597A (en) * | 1994-11-16 | 1997-10-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5751748A (en) * | 1995-06-05 | 1998-05-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | System for monitoring amount of light emitted from surface emitting laser |
| EP0786837A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Integrated laser-based light source |
| EP0786838A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Laser based light source using diffraction, scattering or transmission |
| EP0786838A3 (en) * | 1996-01-25 | 1997-10-08 | Hewlett Packard Co | Laser light source with a diffractive, scattering or transmissive element |
| EP0786837A3 (en) * | 1996-01-25 | 1997-10-15 | Hewlett Packard Co | Integrated laser light source |
| US5771254A (en) * | 1996-01-25 | 1998-06-23 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source |
| US5809050A (en) * | 1996-01-25 | 1998-09-15 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source using diffraction, scattering and transmission |
| JP2007077608A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Takenaka Komuten Co Ltd | ルーバ |
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