JPH03242236A - 立方晶窒化ほう素の製造方法 - Google Patents

立方晶窒化ほう素の製造方法

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JPH03242236A
JPH03242236A JP2037153A JP3715390A JPH03242236A JP H03242236 A JPH03242236 A JP H03242236A JP 2037153 A JP2037153 A JP 2037153A JP 3715390 A JP3715390 A JP 3715390A JP H03242236 A JPH03242236 A JP H03242236A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は触媒を使用せずに原料である低圧相窒化ほう素
から静的超高温高圧法によって立方晶窒化ほう素(cB
N)を製造する方法に関するものである。
(従来の技術) 窒化ほう素の高圧相であるcBNはダイヤモンドに次ぐ
硬さと熱伝導率を有し、また化学的に安定であることか
ら、鉄系金属の機械加工用工具および半導体デバイス用
放熱基板としての利用が進められている。
一般にcBNは窒化ほう素の低圧相である六方晶BN 
(hBN)もしくは乱層構造BN (tBN)をcBN
の熱力学的安定条件下に保持することによって得られる
cBNの熱力学的安定条件を得る方法として静的超高圧
高温処理を用いる場合には、転換圧力と温度条件として
例えば6.5万気圧、2100°C以上という非常に厳
しい条件が必要である。そのため、工業的には触媒を用
いて転換条件を4〜5万気圧、1500°C程度の比較
的穏やかな条件にすることが行われている。この方法に
より単結晶型cBN粒子が生成し、そのまま砥石などの
研削工具の砥粒として用いられている。
一方、微細なcBN粒子を高圧、高温下に焼結すると切
削工具用焼結体が得られるが、cBNは単体では焼結し
にくいため、金属、セラミンクスなどの結合助剤と混合
して焼結する必要がある。現在工業的に利用されている
cBNはそのほとんどが上述の方法で製造されているが
、触媒の取り込みおよび焼結助剤の存在がcBN本来の
特性を低下させるという欠点があり、このため触媒およ
び焼結助剤を用いない無触媒直接転換法により、cBN
粒子およびその焼結体の製造をより穏やかな条件下に実
現することが望まれている。直接法によるcBNは微細
粒子から構成された多結晶体であり、高硬度、高純度、
高熱伝導性、高靭性などの特長を有するので、工具材料
、放熱基板として優れた性能を発揮するものと期待され
ている。
従来、直接法によるcBNの製造法として次の文献:文
献1)「マテリアルズ・リサーチ・プルチン(Mate
rials Re5earch Bulletin) 
」7 + 999〜1004 (1972)及び文献2
)特開昭54−33510号公報がある。
文献1には、低結晶性窒化ほう素を出発原料として12
50°C以上の温度および60 kbar以上の圧力で
処理することにより「ランプ(Iumb) J状cBN
が得られたことが示されている。文献2の実施例には、
熱分解窒化ほう素成型体を2100°C以上の温度およ
び65 kbar以上の圧力で高温高圧処理して、cB
N焼結体を製造することが示されている。
(発明が解決しようとする課題) しかし、上述の文献1にはH2Oが触媒として作用した
可能性が指摘され(福長脩「立方晶窒化ほう素の合成と
応用」、セラミックデータブック”85、431−43
6 (1985)参照)、また追試例もなく、不明な点
が多い。また、上述の文献2に示されているように2工
00°C以上の温度および65 kbar以上の圧力と
いった厳しい条件下の高温高圧処理を工業的規模で行う
ことは容易ではない。
本発明の目的は、直接転換法によるcBNの合成を従来
より低温かつ低圧の条件下に可能ならしめ、従来では工
業的生産性が低いために実用化されていなかった高純度
cBNの粒子またはその焼結体を得ることにある。
(課題を解決するための手段) 本発明者らは直接転換法による製造方法、特に原料と加
圧方法との組合せについて種々検討を重ねた結果、原料
として結晶軸の−っであるC軸方向が選択配向した低圧
相窒化ほう素を用いかつ低圧相窒化ほう素の六角網面層
の層間に剪断力が作用するように圧力を加えることによ
り、従来よりも著しく穏やかな高温高圧条件下にcBN
への転換が可能になることを見いだし、本発明に至った
ものである。
すなわち、本発明は、触媒を使用せずに原料である低圧
相窒化ほう素を静的超高圧高温で処理して立方晶窒化ほ
う素を製造するにあたり、原料としてC軸方向が選択配
向した低圧相窒化ほう素を用いかつ低圧相窒化ほう素の
六角網面層の層間に剪断力が作用するように圧力を加え
ることを特徴とする立方晶窒化ほう素の製造方法である
以下に、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明において原料として使用する低圧相窒化ほう素と
は、ほう素および窒素原子が六角形の頂点を交互に占め
る平面状融合六角形からなる六角網目層がファンデアヮ
ールス力により結合して積み重なることにより形成され
た層状構造を有する窒化ほう素、すなわち六方晶系のh
BN及び/又は乱層構造のtBNなどから構成される窒
化ほう素である。
これらのhBNおよびtBNは工業的に広く製造されて
いる物質であり、粒子、板などのような所望の形状で容
易に入手することができる。
原料として結晶軸の一つであるC軸方向が選択配向した
低圧相窒化ほう素を用いるのは、後述するように剪断力
を六角網面層の層間により有効に作用させるためである
。従って、本発明を実施するにあたっては、より選択配
向した低圧相窒化ほう素を用いた方が好ましいが、後述
する実施例に示すように選択配向度120度以下のもの
で充分な効果が達成される。
また、選択配向度については米国特許第3578403
号公報の中で定義されていおり、X線回折法により測定
される値で、この値が小さいほど良く配向していること
を示す。
C軸方向が選択配向した低圧相窒化ほう素としては、例
えば、熱分解窒化ほう素のようにすでにhBN及び/又
はtBN粒子が一定方向に良く配向したもの、あるいは
鱗片状のhBN及び/又はtBN粒子を型にいれて一定
方向に粒子が配向するように一軸加圧成形したもの等が
挙げられる。この中で、特に、通常市販されている熱分
解窒化ほう素は選択配向度が薄板の主平面に対して12
0度以下の角度であり、また選択配向度が2度以下とい
うような米国特許第3578403号公報に示される非
常に良く配向したものもあるため、このような薄板から
所望の形状のものを切り出すことにより原料を容易に用
意することが可能である。また原料として熱分解窒化ほ
う素を用いれば、単に成形加工という煩雑な工程を省略
できるばかりでなく、熱分解窒化ほう素それ自身の純度
が高いという特長を活かして高純度cBN生成物を得る
こともできる。
低圧相窒化ほう素の六角網面層の層間に剪断力を加える
ように圧力を加えるには、種々の方法が提案されるが、
例えば、次のような方法が挙げられる。
前述のC軸方向が選択配向した低圧相窒化ほう素を原料
とし、この原料に圧力を作用させる際に、配向した粒子
のC軸方向に対して傾いた角度で加圧されるように加圧
方向を決める。例えば、熱分解窒化ほう素の薄板から円
板状の原料を切り出す際に、その主平面に対して斜めに
切り出し、この円板状原料の円板軸方向に加圧を行う方
法がある。
このような方法によれば、原料中のhBN及び/又はt
BN粒子には、C軸に垂直な六角網面の層間を圧縮する
ような方向及びそれに垂直な六角網面層の層間に剪断力
を生じさせるような方向の二つの方向に圧力が加わる。
この際、低圧相窒化ほう素のC軸方向と加圧方向とのな
す角度は2度から30度程度の範囲が好ましい。これは
、あまり角度が小さいと六角網面層の層間に充分な剪断
力が加わらず、また角度が大きすぎると後述するように
六角網面層間を圧縮する方向に充分な力が加わらないた
めに逆にcBNへの転換が起こりにくくなるからである
別法として、前述した原料としてC軸方向が選択配向し
た低圧相窒化ほう素を用い、配向した粒子のC軸方向に
平行に加圧方向を配置し、圧力を作用させると同時に加
圧軸方向に対し垂直な方向にねじり剪断力を加えるよう
な構造を有する加圧装置を用いる方法が考えられる。圧
力と同時に加圧軸方向に対し垂直な方向に剪断力を加え
る装置としては、たとえば加圧ピストンにらせん状のネ
ジを切って加圧と同時に加圧装置のステージが回転させ
ることにより試料に剪断力が加えられるようにした装置
を使用することができる。
本発明方法では上述の原料を超高温高圧発生装置に充填
する。その後に、圧力及び温度を加え、所望の温度・圧
力において一定時間保持して高温高圧処理を行う。この
際、保持する温度、圧力および時間は、好ましくはそれ
ぞれ1700〜2050°C15〜6.5万気圧および
5分〜3時間である。処理後に先ず温度を、続いて圧力
をそれぞれ室温および1気圧まで戻し、装置内から高温
高圧処理により製造されたcBNを取り出す。得られた
cBNは従来の触媒を使用せずに製造されたcBNと同
様な優れた特性を有し、本発明方法により、従来方法に
較べて穏やかな高温高圧条件下に優れた特性を有するc
BNを高い生産性で製造することができる。
(作 用) 従来の製造方法は、例えば文献2の実施例に記載されて
いるように、温度2100°C以上および圧力65 k
bar以上の圧力という厳しい高温高圧処理が必要であ
るので、工業生産に適さない。しかし、本発明の低圧相
窒化ほう素の六角網面層の層間に剪断力を加えるように
加圧を行う製造方法では、例えば1700〜2050°
Cおよび5〜6.5万気圧という穏やかな温度圧力条件
下に触媒を使用せずにcBNを高い生産性で製造するこ
とが可能になる。
このような穏やかな条件下にcBNへの直接転換が可能
になるのは次のような理由によると思われる。すなわち
、hBNでは、ほう素と窒素とが交互に結合して形成さ
れる六角網面層の積み重なりの周期がABABAB・・
・の二層周期である。また、tBNでは層の積み重なり
が不規則で周期性がない。これらのhBNあるいはtB
Nに対し、cBNでは< 111 >方向から見ると積
層の周期がAB CABCABC・・・の三層周期であ
る。一般にBNにおける低圧相から高圧相への相転移は
、六角網面層間が圧縮され、この間に新たな共有結合が
形成することによって起こると考えられている。そのた
め、hBNあるいはtBNをcBNに転換しようとすれ
ば、二層周期の積層構造を層相圧の回転・並進などによ
り三層周期の積層構造に変える過程が必要である。本発
明方法によれば1700〜2050°Cおよび5〜6.
5万気圧の条件で高温高圧処理した場合に、原料である
hBN及び/又はtBNの粒子に六角網面層の層間を圧
縮する方向以外に積み重なりの周期を崩すような方向に
剪断力が加わるため、低圧相BNとは異なる三層周期を
有するcBNへの構造転換が促進されるものと思われる
(実施例) 次に、本発明を実施例および比較例についてさらに詳細
に説明する。なお、高温高圧処理時間は実施例および比
較例のいずれにおいても30分間とした。
ハiL=劉↓ 市販の熱分解窒化ほう素薄板から、その主平面に対して
所望の角度で円板を切り出して原料とし、第1図に示す
反応セルに充填し、フラットベルト型超高温高圧発生装
置を用いて静的超高圧法によりcBNの合成を行った。
表1には、処理温度、圧力、X線回折法により測定した
原料におけるhBN及び/又はtBNの粒子のC軸の選
択配向度、および原料円板におけるC軸の選択配向方向
に対する加圧方向の角度を示した。試料中のcBNの重
量%は、処理後の試料について粉末X線回折測定を行い
、あらかじめ作製しておいた検量線から求めた(表1)
止較圀1〜21 原料におけるC軸の選択配向方向と加圧方向とを一致さ
せた以外は、実施例1〜21と同様な条件で実施した。
裏庭桝η二君 市販の大方晶系窒化ほう素粉束を成形型に充填し、一定
方向に粒子が配向するように一軸加圧成形を行った。成
形体の配向面に対して所望の角度で円板を切り出して原
料とし、第1図に示す反応セルに充填し、フラットベル
ト型超高温高圧発生装置を用いて静的超高圧高温法によ
りcBNの合成を行った。表1には、超高圧処理温度、
圧力、X線回折法により測定した原料におけるhBN及
び/又はtBNの粒子のC軸の選択配向度、および原料
円板におけるC軸の選択配向方向に対する加圧方向の角
度を示した。試料中のcBNの重量%は、処理後の試料
について粉末Xia回折測定を行い、あらかじめ作製し
ておいた検量線から求めた(表1)。
ル較拠22〜24 原料におけるC軸の選択配向方向と加圧方向とを一致さ
せた以外は、実施例22〜24と同様な条件で実施した
表1 (発明の効果) 本発明によれば、触媒を用いない直接転換法によるcB
Nの合成を、原料としてC軸方向が選択配向している低
圧相窒化ほう素を用いかつ低圧相窒化ほう素の六角網面
層の層間に剪断力が作用するように圧力を加えることに
より、従来よりも著しく穏やかな高温高圧条件下で行え
るため、今までは工業的生産性が低いために実用化され
ていなかった高純度cBN粒子またはその焼結体を高い
生産性で得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法において使用する反応セルの一例の
断面図である。 1・・・黒鉛円板     2・・・黒鉛抵抗発熱体3
・・・ホットプレスhBN成形型から切り出したhBN
円筒 4・・・NaC1刊板 5・・・ホットプレスhBN成型体がら切り出したhB
N円板 6・・・円板状原料

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.触媒を使用せずに原料である低圧相窒化ほう素を静
    的超高圧高温で処理して立方晶窒化ほう素を製造するに
    あたり、 原料としてC軸方向が選択配向している低 圧相窒化ほう素を用いかつ低圧相窒化ほう素の六角網面
    層の層間に剪断力が作用するように圧力を加えることを
    特徴とする立方晶窒化ほう素の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003513787A (ja) * 1999-11-19 2003-04-15 デ ビアス インダストリアル ダイアモンズ (プロプライエタリイ)リミテッド 立方晶窒化ホウ素クラスター

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