JPH03231987A - 螢光体及びその製造方法 - Google Patents

螢光体及びその製造方法

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JPH03231987A
JPH03231987A JP11647390A JP11647390A JPH03231987A JP H03231987 A JPH03231987 A JP H03231987A JP 11647390 A JP11647390 A JP 11647390A JP 11647390 A JP11647390 A JP 11647390A JP H03231987 A JPH03231987 A JP H03231987A
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柿田 修作
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田川 徹
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はカラー受像管の螢光膜用等に使用される螢光体
及びその製造方法に関し、更に詳しくは、成膜性に優れ
、かつ、顔料や無機物の表面処理剤等の付着力を向上さ
せた螢光体及びその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
周知のようにカラー受像管の螢光膜を形成する場合、例
えばポリビニルアルコール(PVA)と重クロム酸アン
モニウム(ADC)と界面活性剤(SAA)を含む水溶
液に特定の螢光体を分散させた螢光体スラリーを調製し
、これを受像管のフエースプレート(ガラスパネル)面
に全面塗布した後、シャドウマスクを介して所定のパタ
ーン(ドツト又はストライプ)に紫外線を照射して、照
射された部位を硬化させて水不溶化する(露光工程)。
次に非露光部の水溶性の螢光膜を水洗し、除去して所望
のパターンの螢光膜を得る(現像工程)。この工程を3
回繰返して緑色発光螢光膜、青色発光螢光膜及び赤色発
光螢光膜を順次形成する。
そして、上述のような工程でカラー受像管の螢光膜を形
成する場合、 ■螢光膜のフェースプレート(ガラスパネル)面との接
着力が強いこと、 ■現像後の螢光膜ストライブ又はドツトが所定の寸法精
度に仕上がり、ピンホールやツブ(凝集粒子)が少ない
こと、 ■螢光膜形成工程において1つの発光成分の螢光体が他
の発光成分の螢光膜上又はガラスパネル面上に混入、付
着(クロスコンタミネーション)しないこと 等が要求されるところから、これらの要求を満たし得る
螢光体、即ち、スラリー中での分散性が優れ、成膜性の
良好な螢光体の開発が望まれている。
また、螢光膜形成時、現像工程で水洗、除去された、非
露光部の螢光体は回収して再使用されるが、表面に顔料
粒子を付着させた顔料イ1螢光体や無機物質で表面コー
トされた螢光体を回収再生する場合、表面に付着した顔
料や表面処理剤が−」1記回収工程において剥離するた
め、再使用にあたって再度顔料付けや表面処理を行う必
要があり、コスト的にも不満足であるという問題点があ
った。
そこで上記各問題点解決のため、種々改良が試みられて
おり、例えばガラスパネルへの接着力アップとクロスコ
ンタミネーションを防止する目的で螢光体粒子表面にS
in、とアルミニウム化合物と亜鉛の化合物からなる表
面物質をコートする方法(特公昭6146512号)、
螢光体の分散性、撥水性を高めるため、螢光体粒子の表
面にシラン膜を形成する方法(特公昭51−17555
号)、螢光体と顔料の付着力を向上させるため、螢光体
粒子の表面をシリカの連続皮膜で被覆する方法(特公昭
59−10709号)等をはじめ、珪素系の化合物によ
る表面処理方法が多数提案されている。
しかしながら、用いられる螢光体の親水度、表面動電位
等のいわゆる表面性状が螢光体の焼成条件や、その後に
実施されるボールミル分散条件等の違いによって変化し
、所定の範囲に管理することが困難なため、従来の表面
処理法によって得られた螢光体は必ずしも成膜性が十分
ではなかった。
また螢光体と顔料粒子や種々の表面処理剤との接着が未
だ不充分なためにこの螢光体の回収再生時に顔料粒子や
表面処理剤が部分的に剥離し、再使用に際して再び顔料
付けや表面処理を施す必要があったりする場合が多く、
従って、その改良が望まれていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は上述のような状況に鑑みてなされたものであり
、螢光体粒子の表面性状を安定化させることによって、
この螢光体を用いて螢光膜を形成する際に、螢光体スラ
リー組成の変化に影響されることなく良好な螢光膜が得
られると共に、従来の螢光体に比べて螢光体と顔料や表
面処理剤との接着力が大である螢光体及びその製造方法
を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
そこで本発明者等は上記目的達成のため螢光体の表面処
理方法について鋭意研究の結果、螢光体の表面に顔料や
無機物の表面処理剤を付着させる前もしくはこれらを付
着させた後にこの螢光体粒子を懸濁させた溶媒中で珪素
のアルコキサイドもしくはその誘導体を加水分解させる
ことによって得られた、少なくとも一部が珪素原子に結
合した水酸基を含有する珪素化合物の皮膜を螢光体粒子
表面に所定量付着させる処理を施して、該螢光体のメタ
ノールウェツタビリテイ−(MW値)が所定の値を示す
ように調整することにより上記目的が達成され得ること
を見出し、本発明に至った。
即ち、本発明の螢光体は珪素の量に換算して0゜1〜2
5mg/m”の、少なくとも一部が珪素原子に結合しま
た水酸基を含有する珪素系化合物の皮膜と、顔料粒子お
よび/又は前記珪素系化合物以外の無機物の表面処理剤
とが表面に付着しており、メタノールウェツタビリテイ
−(MW値)が0〜20%であることを特徴とする。
更に、本発明の螢光体の製造方法は表面に顔料粒子およ
び/又は無機物の表面処理剤を付着させる前の螢光体も
しくはこれらを付着させた螢光体と、珪素のアルコキサ
イドまたはその誘導体とを含む溶媒中に触媒を添加して
上記珪素のアルコキサイド又はその誘導体を加水分解し
た後、重縮合させ、次いで溶媒を除去することを特徴と
する。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明で使用されるシリコンアルコキサイFは一般式S
 i  (OR) 4  (R:アルキル基)で表わさ
れ、通常アルキル基の炭素数は1〜5程度であるが、反
応性や工業規模での入手の容易さなどから炭素数1〜3
すなわち、テトラメトキシシラン、テトラメトキシシラ
ン、テトラプロポキシシランなどが好適に用いられる。
また、シリコンアルコキサイドの誘導体、例えば上記シ
リコンアルコキサイドを部分的に加水分解して得られる
低縮合物誘導体を用いても良い。
更にこれらSiアルコキサイド又はその誘導体と共に一
般式M20・xsich(但し、Mはり、1゜Na、に
およびNH,の中の少なくとも1種であり、Xはその化
合物中のSiO,7M20のモル比)で表わされる珪酸
塩化合物を併用しても良い。
次に、本発明で使用される触媒としては、アンモニア、
アンモニウム塩、NaOH,KOH,LiOHなどの塩
基性触媒や、Has 04. HCeなどの酸性触媒が
使用可能であるが、反応処理後の触媒除去の容易さなど
から塩基性触媒が好ましく、特にアンモニアが好適に用
いられる。
さらに、本発明で使用される反応溶媒としては、シリコ
ンアルコキサイド、上記の触媒および加水分解の原料と
して加えられる水を溶解し、かつ、螢光体粒子を良く分
散させるものであれば特に限定されないが、例えば、メ
タノール、エタノール、イソプロパツールなどの種々の
アルコールが好適に用いられる。また、本発明において
は、粒子の凝集を防止する目的でアルコールに炭化水素
を混合してもよい。この炭化水素はアルコールと相溶性
があるものであれば特に限定されないが、溶媒回収の容
易さなどから炭素数5〜12の脂肪族、脂環族、芳香族
炭化水素、より好ましくは、炭素数6〜9の炭化水素が
良い。例えば、n−ヘキサン、n−ヘプタン、シクロヘ
キサン、メチル−シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン
、キシレン、アセトンなどである。
まず、本発明では、反応溶媒に水および触媒をそれぞれ
溶解し、これに螢光体粒子を分散させ、次いでシリコン
アルコキサイド又はその誘導体を添加して加水分解・重
縮合反応を行なわせる。反応溶液中に加える螢光体粒子
添加量は、撹拌状態で粒子の分散状態が維持されるかぎ
り特に限定されないが、通常は反応溶液11に対し、5
00〜1000gの範囲から選ばれる。
シリコンアルコキサイド又はその誘導体の加水分解・重
縮合反応を行わせ、その生成物からなる皮膜を螢光体粒
子表面に付着させるための条件は螢光体粒子の大きさな
どにより異なるため、−概には決定できないが、例えば
反応溶媒系中の水の濃度は0.5〜50n+oI!、/
ff、触媒の濃度は0.1〜10moj2//2、Si
アルコキサイド又はその誘導体の濃度は通常0.01〜
0.1 mof / p、の範囲から選ばれる。
また、反応溶媒、水、触媒および螢光体粒子からなる系
に対しシリコンアルコキサイドを添加する方法は、−度
に全量を添加してもよいし、滴下などにより分割添加し
てもよい。反応は、撹拌下で、通常ば0〜50°Cの温
度範囲で行なわれるが、反応時間を短縮するなどの目的
で、還流条件下でさらに高温で反応させてもよい。
次に、反応終了後の粒子は、沈降分離または濾過などの
方法により反応溶液から分離した後、乾燥される。
このようにして得られた螢光体粒子表面の一部分もしく
は全面には反応溶媒中に添加されたシリコンアルコキサ
イド又はその誘導体の加水分解・0 重縮合によって生成した珪素系化合物の皮膜が形成され
る。この珪素系化合物は、通常、−3iO−の繰返し結
合鎖を有し、珪素原子には水酸基と一部にアルコキシ基
が結合しているが、それらの基のほか、シリコンアルコ
キサイドの不純物もしくは何らかの目的で添加された、
他の珪素化合物に由来するアルカリ金属、水素原子、ハ
ロゲン、アルキル基等を含有していても良い。
かかる珪素系化合物は本発明の目的を充足する限りその
他の珪素化合物、例えば一般弐M 20・xsiOz 
 (但し、MおよびXは前記と同様である)で表わされ
る珪酸塩化合物を含んでいても良い。(以下、これらの
珪素系化合物を総称して、[Siの無機水酸化物」とい
うことにする)。本発明では簡便にはシリコンアルコキ
サイドの加水分解によりかかるSiの無機水酸化物から
成る連続皮膜を、凝集させずして均一に付着させること
が可能となる。その結果、螢光体表面性状が安定化する
ため、この螢光体を用いて螢光膜とした時の螢光膜特性
の再現性が良好となる。
1 ところで、水濡れ性の良好な螢光体はどスラリー中での
分散性が良く、しかも顔料等との接着力は強いが、得ら
れる螢光体の水濡れ性は簡易的には例えば特開昭61−
23987号公報に記載されているMW値(メタノール
ウェツタビリテイ法、即ち、粒子が完全に濡れるメタノ
ールの容量%の値)で評価が可能である。
そして、本発明の螢光体においては得られる螢光体の水
濡れ性の点でこの螢光体のMW値が0〜20%の範囲の
ものが好ましく、特に0〜10%の範囲にあるものがよ
り好ましい。そのために、用いられる螢光体の表面性状
に応じて表面処理に使用される原料としてのSiアルコ
キサイド又はその誘導体の量がコントロールされるが、
最終的に螢光体表面に付着したSiの無機水酸化物から
なる皮膜の重量が、Siの重量に換算しておよそQ、1
mg/m2より少ない場合はSiの無機水酸化物からな
る皮膜を設けない、もとの螢光体の表面性状に左右され
るため、その成膜性に再現性がなく、また顔料や無機物
の表面処理剤との接着力が十分2 ではない。また、逆にSiの無機水酸化物からなる皮膜
の量を25mg/m2よりも多くすると得られる螢光体
の発光輝度の経時的な低下が著しく、しかもこれを加熱
、乾燥処理した時、螢光体粒子同士が接着、凝集し、成
膜性が極めて悪くなる。従って本発明によって得られた
螢光体の粒子表面に付着させる、Siの無機水酸化物か
らなる皮膜の付着量はSiの重量に換算しておよそ0.
1〜251I1g/ll12とするのが好ましく、特に
およそ1〜8mg/l112とするのがより好ましい。
次いで、上述のようにして得た螢光体の表面に従来公知
の方法により、出来るだけその螢光体の発光光は透過し
てそれ以外の光も吸収し得る顔料粒子および/又はA2
□Ch、Ti0z等の、Siの無機水酸化物以外の無機
物の表面処理剤を付着させて、本発明の螢光体を得る。
なお、本発明の螢光体の製造に際してはSiの無機水酸
化物を付着させる順序は上記の順序とは逆に、予じめ顔
料および/又は無機物の表面処理剤を表面に付着させた
螢光体を用い、これに上記と同様にしてSiI2 の無機水酸化物を付着させても良い。
また、本発明によってStの無機水酸化物から成る皮膜
を付着させる螢光体は、種々の用途のものを選択できる
が、好適例としてはカラーブラウン管用螢光体を挙げる
ことができ、より具体的にはZnS:Ag、Cfl、Z
nS:Cu、Aj2、Zns:cu、Au、A42等の
、硫化物を母体とする螢光体を用いた場合、特に良好な
結果が得られる。
上述のようにして特定量のSiの無機水酸化物から成る
皮膜を表面に付着させ、MW値が所定の値を示すように
調整された本発明の螢光体は成膜性が良好であり、しか
もこの螢光体に付着させた顔料やA/2zO,、Ti 
Oz等の無機物の表面処理剤の接着力が著しく向上する
ため、螢光膜作成後に螢光体スラリーを回収し、再使用
する場合も顔料や表面処理剤の剥離が少ない。
このように本発明によって得られた螢光体が成膜性に優
れ、顔料や無機物の表面処理剤との接着力が向上する理
由は、螢光体粒子表面に付着した4 Siの無機水酸化物が有する水酸基のため、水との親和
力が増し、従って螢光体表面の水濡れ性が良好となって
、螢光体スラリー中での螢光体の分散性がより向上する
ことと、顔料や無機物の表面処理剤の表面に存在する水
酸基と、螢光体粒子表面の水酸基との水素結合により、
相互の結合力が増すためであろうと推測される。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を説明するが本発明はこれに
限定されるものではなく、本実施例以外の上述した原料
を用いた場合も同様の結果が得られる。
(実施例1〜6) エタノール200gに蒸留水17.4 gと28%アン
モニア水22.4 gを溶解混合した溶液(いずれも螢
光体150g当り)に、表1に記載の通り、平均粒径7
μm、比表面積0.30m2/gの各螢光体粒子(未処
理品)を種々の割合で添加、撹拌分散させた後、300
rpmで回転する撹拌機で撹拌しなから20°Cの恒温
槽中に保持した。なお、用5 いられる螢光体量の増減割合に応じてエタノール、蒸留
水及び28%アンモニア水の量も増減した。
次に、20°Cに調整したテトラエトキシシラン((S
 i O(C2H5)、 ) )を表1に記載の通り、
種々の割合で前記反応溶液に添加した後、20°Cで2
時間保持した。次いで、所定時間経過した反応溶液を濾
過して螢光体粒子と溶液を分離し、さらに、得られた螢
光体粒子を100°Cで24時間乾燥し、螢光体粒子の
表面乙こSiの無機水酸化物から成る皮膜を付着させた
次にこの螢光体を純水に分散させてスラリー化し、アク
リルエマルジョンをバインダーとして公知の方法で更に
該螢光体に対しておよそ1.4重量%の割合のアルミン
酸コバルト(青色顔料)を付着させた。
(実施例7) 実施例2と同様にして螢光体粒子の表面にSiの無機水
酸化物から成る皮膜を付着させた後、その表面にアルミ
ン酸コバルト(青色顔料)に代えて該螢光体に対してお
よそ0.1重量%のアルミナ6 ゾルとチタニア(無機物の表面処理剤)を公知の方法で
付着させた。
(実施例8) 未処理のZnS:Ag、AI!、に代えて平均粒径1p
m、比表面積0.3On+2/gのZnS:Ag。
A2螢光体粒子に公知の方法で該螢光体に対し、それぞ
れおよそ1.4重量%のアルミン酸コバルト(青色顔料
)およびおよそ0.1重量%のアルミナゾルを付着させ
た螢光体を用いる以外は実施例2と同様にしてアルミン
酸コバルト(青色顔料)及びアルミナゾル(無機物の表
面処理剤)を付着させた螢光体粒子の表面にSi無機水
酸化物から成る皮膜を付着させた。
(実施例9) 8、Ogのテトラエトキシシランに代えて3.Ogのテ
トラエトキシシランとSiO□/に20のモル比がおよ
そ3である、3.0gのカリ水ガラスを用いる以外は実
施例1と同様にしてZnS:AgCl!、螢光体粒子の
表面にSiの無機水酸化物から成る皮膜を付着させ、更
にその上にこの螢光体に7 対しておよそ1.4重量%の割合のアルミン酸コバルト
(青色顔料)を付着させた。
(比較例1) ZnS:Ag、Affi螢光体粒子表面に無機水酸化物
から成る皮膜を付着させない以外は実施例1と同様にし
て該螢光体に対しておよそ1.4重量%の割合のアルミ
ン酸コバルト(青色顔料)を付着させた。
(比較例2) 2.0gのテトラエトキシシランに代えて、2.0gの
シランカップリング剤(CH3S i (OCR,l)
3〕を用いる以外は実施例3と同様にしてZnS:Ag
、Af螢光体粒子表面にSi系化合物から成る皮膜と該
螢光体に対して約1.4重量%のアルミン酸コバルト(
青色顔料)を付着させた。
(比較例3) 8.0gのテトラエトキシシランに代えて8.0gの5
i02/に20モル比が約3であるカリ水ガラスを用い
る以外は実施例1と同様にしてZnS:Ag、Aj2螢
光体粒子表面にSi系化合物から成8 る皮膜と該螢光体に対して約1.4重量%のアルミン酸
コバルト(青色顔料)を付着させた。
(比較例4) 6.0gのテトラエトキシシランに代えて15gのテト
ラエトキシシランを用いる以外は実施例1と同様にして
ZnS:Ag、Af螢光体粒子表面にSiの無機水酸化
物を含むSi系化合物から成る皮膜と、該螢光体に対し
ておよそ0.1重量%のアルミナゾルとチタニア(無機
物の表面処理剤)を付着させた。
次に上記各実施例及び比較例によって得られた夫々の螢
光体について、螢光体に付着したSi系化合物からなる
皮膜の付着量(Siの重量に換算した値)、MW値、こ
の螢光体を用いて螢光膜を作成した時の螢光膜特性並び
に耐回収再生性を調べたところ、第1表に示した通りの
結果が得られた。
なお、第1表に示した各評価項目はそれぞれ下記の評価
方法により判定した。
9 1)皮膜の付着量 皮膜が形成された各螢光体の表面を酸で溶解して皮膜を
剥離し、原子吸光法によりSiの量を定量し、その螢光
体粒子表面に付着した単位面積当りのSjの重量をもっ
て付着したSi系化合物からなる皮膜の重量とした。
皮膜中におけるSiの無機水酸化物の有無は別途調整さ
れたこれらの化合物からなる標準試料と各螢光体につい
てFT−IR(フーリエ交換赤外吸収分光法)によって
求めた吸収ピークを比較対称することによって定性的に
確認した。
2)MW値 メタノールの濃度を5容量%の間隔で変化させた水との
混合溶液を調製し、これを容積10mp。
の試験管に5+Llr入れる。次いで螢光体粒子を0゜
1〜0.2g入れ、激しく振り混ぜてから静置した後観
察し、粒子全体が湿潤する最低のメタノール濃度を知り
、これをMW値として表わす。例えば、” M W値2
0パとはメタノール20容量%の混合溶液には粒子全体
が湿潤するが、メタノール250 容量%では粒子の一部が湿潤しないで溶液面」二に残り
浮遊する。また、“”MW値O°゛とは粒子が水のみに
対し完全に湿潤、分散することを示す。したがって、M
W値が低いほど親水性が高く水にたいし分散しやすいこ
とを示す。
3)螢光膜の特性 各螢光体を用いてブラウン管のフェースプレート上に螢
光膜を作成してこれを目視観察し、全面がほぼ均一であ
ると認められたものを「良」と評価し、部分的にピンホ
ールやツブ(凝集粒子)が認められ、均一な膜面が得ら
れなかったものを「不良」と評価した。
4)耐回収再生性 各螢光体を75°Cの1%NaOH水溶液中で、1時間
撹拌後、デカンテーションにより水洗を繰返して、その
時の廃液中に含まれる顔料又は無機物の表面処理剤の量
を定量することによって剥離した顔料又は無機物の表面
処理剤の量を求め、顔料の場合は剥離した顔料の量が最
初の付着量の10%より少なく、無機物の表面処理剤の
場合は剥1 離した無機物の表面処理剤の量が最初の41着量の30
%より少ない場合はそれぞれ、この螢光体を含むスラリ
ーから螢光体を回収する工程においても顔料や表面処理
剤の剥離は少ないと考えて耐回収再生性「良」と評価し
、上記方法で求めた顔料又は無機物の表面処理剤の剥離
量が上記値より大の場合は耐回収再生性「不良」と評価
した。
2 〔発明の効果〕 本発明の螢光体はこれを螢光膜とした場合、成膜性に優
れ、しかも顔料および/又は無機物の表面処理剤との接
着力が強いため、この螢光体に顔料および/又は無機物
の表面処理剤を付着させ、スラリー化したものを回収再
生した場合にも顔料および/又は無機物の表面処理剤の
剥離が少ない。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)珪素の量に換算して0.1〜25mg/m^2の
    、少なくとも一部が珪素原子に結合した水酸基を含有す
    る珪素系化合物の皮膜と、顔料粒子および/又は前記珪
    素系化合物以外の無機物の表面処理剤とが表面に付着し
    ており、メタノールウエッタビリティー(MW値)が0
    〜20%であることを特徴とする螢光体。
  2. (2)前記珪素系化合物の少なくとも一部が、珪素原子
    に結合したアルコキシ基を含むことを特徴とする請求項
    1に記載の螢光体。
  3. (3)螢光体と珪素のアルコキサイドもしくはその誘導
    体とを含む溶媒中に触媒を添加して上記珪素のアルコキ
    サイド又はその誘導体を加水分解した後、重縮合させ、
    次いで上記溶媒を除去することによって得られた螢光体
    粒子の表面に顔料および/又は無機物の表面処理剤を付
    着させることを特徴とする螢光体の製造方法。
  4. (4)表面に顔料および/又は無機物の表面処理剤を付
    着させた螢光体と珪素のアルコキサイドもしくはその誘
    導体とを含む溶媒中に触媒を添加して上記珪素のアルコ
    キサイド又はその誘導体を加水分解した後、重縮合させ
    、次いで上記溶媒を除去することを特徴とする螢光体の
    製造方法。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1030090A (ja) * 1996-03-28 1998-02-03 Lucent Technol Inc 発光装置とその製法
WO2007091687A1 (ja) 2006-02-10 2007-08-16 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
WO2008018548A1 (en) 2006-08-11 2008-02-14 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating apparatus
WO2008023746A1 (en) 2006-08-22 2008-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus
WO2008032812A1 (en) 2006-09-15 2008-03-20 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display and illuminating device
WO2008133077A1 (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Mitsubishi Chemical Corporation 無機化合物の製造方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
WO2008132954A1 (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、並びに窒素含有化合物
WO2009005035A1 (ja) 2007-06-29 2009-01-08 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、並びに発光装置
WO2009017206A1 (ja) 2007-08-01 2009-02-05 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、結晶性窒化珪素及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
WO2009063915A1 (ja) 2007-11-12 2009-05-22 Mitsubishi Chemical Corporation 照明装置
WO2009119841A1 (ja) 2008-03-28 2009-10-01 三菱化学株式会社 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置
WO2010114061A1 (ja) 2009-03-31 2010-10-07 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP2014141684A (ja) * 2012-12-28 2014-08-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 蛍光体の表面処理方法
US10113111B2 (en) 2015-02-06 2018-10-30 Dow Silicones Corporation Treated fillers and uses thereof

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008111080A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体表面処理方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、および照明装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1030090A (ja) * 1996-03-28 1998-02-03 Lucent Technol Inc 発光装置とその製法
WO2007091687A1 (ja) 2006-02-10 2007-08-16 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
WO2008018548A1 (en) 2006-08-11 2008-02-14 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating apparatus
WO2008023746A1 (en) 2006-08-22 2008-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus
WO2008032812A1 (en) 2006-09-15 2008-03-20 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display and illuminating device
WO2008133077A1 (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Mitsubishi Chemical Corporation 無機化合物の製造方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
WO2008132954A1 (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、並びに窒素含有化合物
WO2009005035A1 (ja) 2007-06-29 2009-01-08 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、並びに発光装置
WO2009017206A1 (ja) 2007-08-01 2009-02-05 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、結晶性窒化珪素及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
WO2009063915A1 (ja) 2007-11-12 2009-05-22 Mitsubishi Chemical Corporation 照明装置
WO2009119841A1 (ja) 2008-03-28 2009-10-01 三菱化学株式会社 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置
WO2010114061A1 (ja) 2009-03-31 2010-10-07 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP2014141684A (ja) * 2012-12-28 2014-08-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 蛍光体の表面処理方法
KR20150100487A (ko) * 2012-12-28 2015-09-02 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 형광체의 표면 처리 방법
KR101878318B1 (ko) * 2012-12-28 2018-07-16 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 형광체의 표면 처리 방법
US10113111B2 (en) 2015-02-06 2018-10-30 Dow Silicones Corporation Treated fillers and uses thereof

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