JPH03218603A - Voltage dependent nonlinear oxide resistor and manufacture thereof - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To contrive accomplishment of increase in surge withstand capability by a method wherein the title resistor is composed of the base component and a sintered material containing B(boron) and Al(aluminum). CONSTITUTION:The title resistor is composed of the sintered material consisting of the basic component of 100 pts.wt., containing ZnO(zinc oxide) of 80.0 to 97.5mol%, Bi2O3 (bismuth oxide) of 0.3 to 3.0mol%, Sb2O3 (antimony oxide) of 0.3 to 3.0mol%, CoO(cobalt oxide) of 0.3 to 3.0mol%, MgO(magnesium oxide) of 1.0 to 5.0mol%, MnO(manganese oxide) of 0.3 to 3.0mol%, NiO(nickel oxide) of 0.3 to 3.0mol%, 0.01 to 0.1 pts.wt. of B(boron) calculated in terms of B2 O3(boron oxide) which is the typical oxide of B, and 0.002 to 0.008 pts.wt. of Al(aluminum) calculated in terms of Al2O3(aluminum oxide) which is the typical oxide of Al. As a result, large resistance to surge withstand capability can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、非直線性電圧一電流特性を有する素子即ちバ
リスタに使用するための金属酸化物から成る抵抗体及び
その製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a resistor made of a metal oxide for use in an element having nonlinear voltage-current characteristics, that is, a varistor, and a method for manufacturing the same.

［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］非直線
性電圧一電流特性を有する抵抗器即ちバリスクはサージ
電圧の吸収素子として広く使用されている。このバリス
タのための抵抗体の１種として、ＺｎＯとＢｉ２Ｏ３と
ＣｏＯとＭ　ｎ　ＯとＳｂ２Ｏ３とＮｉＯとＳ　ｉ　Ｏ
２とから成る焼結体が特公昭５Ｂ−１１０７６号公報に
開示されている。[Prior Art and Problems to be Solved by the Invention] Resistors, or varisks, having non-linear voltage-current characteristics are widely used as surge voltage absorbing elements. As a type of resistor for this varistor, ZnO, Bi2O3, CoO, MnO, Sb2O3, NiO, and SiO
A sintered body consisting of 2 is disclosed in Japanese Patent Publication No. 5B-11076.

また、サージ電流を流すことによる特性劣化の少ないバ
リスタ即ちサージ耐量の大きいバリスタのための抵抗体
として、ＺｎＯとＢｉ２Ｏ３と、ＣｏＯＳＭｎＯ，Ｍｇ
ＯＳＣａｂＳＳ　ｒＯ、ＢａＯ、ＮｉＯ１ＳＩＯ２、Ｓ
ｎＯ２、ＴＩＯ２、ＧｅＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３お
よびＣｒ２Ｏ３の内の一種以上の酸化物と、 Ｙ　ｂ　２　０　３　、Ｅ　ｒ　２　０　３　、Ｙ　２
　０　３、Ｌ　ａ　２　０３、Ｐｒ２Ｏ３およびＮｄ２
Ｏ３の内の１種以上の酸化物と、 Ａｌ２Ｏ３と、 Ｌｉ２Ｏとから成る抵抗体が特開昭６１−４３４０４公
報に開示されている。In addition, ZnO, Bi2O3, CoOSMnO, Mg
OSCabSS rO, BaO, NiO1SIO2, S
One or more oxides of nO2, TIO2, GeO2, Sb2O3, B2O3 and Cr2O3, and Yb203, Er203, Y2
0 3, L a 2 03, Pr2O3 and Nd2
A resistor comprising one or more oxides of O3, Al2O3, and Li2O is disclosed in JP-A-61-43404.

ところで、電子機器を異常電圧（サージ電圧）から高い
信頼性を有して保護するために、サージ耐量が更に優れ
たバリスタが要求されている。また、バリスタ電流の小
さい領域から大きい領域の全部において電圧一電流の非
直線係数の大きいバリスタが要求されている。By the way, in order to protect electronic equipment from abnormal voltages (surge voltages) with high reliability, a varistor with even better surge resistance is required. Further, a varistor with a large voltage-current nonlinear coefficient is required in all regions from small to large varistor current.

そこで本発明の目的は、サージ耐量の大きいバリスタ用
抵抗体及びその製造方法を提供することにある。本発明
の別の目的は、サージ耐量が大きく且つ非直線係数が小
電流領域から大電流領域にわたって大きいバリスタ用抵
抗体及びその製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a resistor for a varistor having a large surge resistance and a method for manufacturing the same. Another object of the present invention is to provide a resistor for a varistor that has a large surge resistance and a large nonlinear coefficient from a small current region to a large current region, and a method for manufacturing the same.

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するための本発明は、Ｚｎ（亜鉛）、Ｂ
ｉ（ビスマス）、Ｓｂ（アンモチン）、Ｃｏ（コバルト
）　、Ｍｇ　（マグネシウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎ
ｉ（ニッケル）をそれぞれ代表的酸化物であるＺｎＯ　
（酸化亜鉛）、Ｂｉ２Ｏ３（酸化ビスマス）、Ｓｂ２Ｏ
３（酸化アンチモン）ＣｏＯ　（酸化コノくルト）　、
ＭｇＯ　（酸化マグネシウム）、ＭｎＯ（酸化マンガン
）、Ｎｉｐ（酸化ニッケル）に換算して ＺｎＯ　　　　８０．０〜９７．５モル％Ｂｉ２Ｏ３　
　０．３〜　３．０モル％Ｓｂ２Ｏ３　　　０．３〜　
３．０モル％ＣｏＯ　　　　　０．３〜　３．０モル％
ＭｇＯ　　　　　１．０〜　５，０モル％ＭｎＯ　　　
　　０．３〜　３．０モル％ＮｉＯ　　　　　０．３〜
　３．０モル％の割合で含む基礎成分１００重量部と、
Ｂ（ホウ素）をその代表的酸化物であるＢ２Ｏ３（酸化
ホウ素）に換算して０．０１〜０．１重量部と、Ａｌ（
アルミニウム）をその代表的酸化物であるＡ　ｌ　２　
０３　　（酸化アルミニウム）に換算して０，００２〜
０．００８重量部とを含む焼結体から成る酸化物電圧非
直線抵抗体に係わるものである。[Means for Solving the Problems] The present invention for achieving the above object uses Zn (zinc), B
i (bismuth), Sb (ammothine), Co (cobalt), Mg (magnesium), Mn (manganese), N
i (nickel) is a typical oxide ZnO
(zinc oxide), Bi2O3 (bismuth oxide), Sb2O
3 (antimony oxide) CoO (antimony oxide),
ZnO 80.0-97.5 mol% Bi2O3 in terms of MgO (magnesium oxide), MnO (manganese oxide), Nip (nickel oxide)
0.3-3.0 mol% Sb2O3 0.3-3.0 mol%
3.0 mol%CoO 0.3-3.0 mol%
MgO 1.0-5.0 mol%MnO
0.3-3.0 mol% NiO 0.3-3.0 mol%
100 parts by weight of a basic component contained in a proportion of 3.0 mol%;
B (boron) is converted to B2O3 (boron oxide), which is a typical oxide thereof, in an amount of 0.01 to 0.1 part by weight, and Al (
aluminum) and its typical oxide Al 2
03 (aluminum oxide) converted from 0,002 to
The present invention relates to an oxide voltage nonlinear resistor made of a sintered body containing 0.008 parts by weight.

なお、非直線係数を小電流領域から大電流領域の全部で
大きくするために、Ａｌ２Ｏ３の代りにＭｇＡｌ２Ｏ４
を使用することができる。In addition, in order to increase the nonlinear coefficient from the small current region to the large current region, MgAl2O4 is used instead of Al2O3.
can be used.

また、Ｂ２Ｏ３の代りにＨ３ＢＯ３を使用することがで
きる。Also, H3BO3 can be used instead of B2O3.

［作用］ 請求項１又は３又は５て特定された組成の金属酸化物か
ら成る非直線電圧一電流特性を有する低抗体は、大きな
サージ耐量を有する。[Function] The low antibody having non-linear voltage-current characteristics made of a metal oxide having the composition specified in claim 1, 3 or 5 has a large surge resistance.

請求項２又は４又は６て特定された組成の低抗体は、ス
ピネル構造のＭｇＡｌ２Ｏ４を含むので、小電流領域か
ら大電流領域まで大きな非直線係数を有し、且つ大きな
サージ耐量を有する。Since the low antibody having the composition specified in claim 2, 4, or 6 contains MgAl2O4 with a spinel structure, it has a large nonlinear coefficient from a small current region to a large current region, and has a large surge resistance.

［第１の実施例］ 次に本発明の実施例及び比較例を説明する。第１表に示
すように、ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ，、ＣｏＯ、
ＭｇＯ，ＭｎＯ、ＮｉＯから成る基礎成分と、Ｂ２Ｏ，
及びＡｌ２Ｏ３から成る添加成分の組成を種々変えた試
料Ｎｏ、１〜４８のバリスタを作製した。第１表におい
て、基礎成分の欄には総和が１００モル％となるように
計量されたＺｎＯ、Ｂ１２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、
ＭｇＯ、ＭｎＯ，ＮｉＯの割合がモル％で示されている
。添加成分のＢ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３の添加量は１００重
量部の基礎成分に対する重量部（重量％）で示されてい
る。[First Example] Next, Examples and Comparative Examples of the present invention will be described. As shown in Table 1, ZnO, Bi2O3, Sb2O,, CoO,
Basic components consisting of MgO, MnO, NiO, and B2O,
Varistors of samples Nos. 1 to 48 were prepared with various compositions of additive components consisting of and Al2O3. In Table 1, the basic components column contains ZnO, B12O3, Sb2O3, CoO,
The proportions of MgO, MnO, and NiO are shown in mol%. The amounts of the additive components B2O3 and Al2O3 are expressed in parts by weight (% by weight) based on 100 parts by weight of the base component.

次に、試料Ｎｏ．　１のバリスタの製造方法および特性
測定方法を説明する。まず、基礎成分としてＺｎＯを９
３．２モル％、 Ｂｉ２Ｏ３を０．３モル％、 Ｓｂ２Ｏ３を１．５モル％、 ＣｏＯを１，０モル％、 ＭｇＯを２．５モル％、 Ｍ　ｎ　Ｏを０．５モル％、 ＮｉＯを１．０モル％ の割合となるように計量し、この基礎成分１００重量部
に対して添加成分としてＢ２Ｏ３を０．０５重量部、Ａ
ｌ２Ｏ３を０．００３重量部添加し、これ等の原料粉末
に更に１００重量部の水を加えてボールミルで十分に混
合し、これを造粒した。Next, sample No. The manufacturing method and characteristic measuring method of the varistor No. 1 will be explained. First, ZnO is used as a basic component.
3.2 mol%, Bi2O3 0.3 mol%, Sb2O3 1.5 mol%, CoO 1.0 mol%, MgO 2.5 mol%, MnO 0.5 mol%, NiO 0.05 parts by weight of B2O3 and 0.05 parts by weight of A as additive components to 100 parts by weight of this basic component
0.003 parts by weight of 12O3 was added, and 100 parts by weight of water were further added to these raw material powders, thoroughly mixed in a ball mill, and granulated.

次に、造粒された原料を直径１２．０＋ｎｒ＠、厚さ１
．５　ｍに圧縮成型形してディスクに仕上げ、更にこの
成形体を大気中において１２５０℃で１時間焼成した。Next, the granulated raw material is 12.0+nr in diameter and 1 in thickness
．． The disc was compression molded to a length of 5 m, and the molded product was fired in the atmosphere at 1250°C for 1 hour.

これにより、出発原料と実質的に等しい組成の焼結体か
得られた。最後に、この焼結体の両面に銀（Ａｇ）ペー
ストを塗布して焼付けることにより一対の電極を形成し
て酸化物バリスタを完成させた。As a result, a sintered body having a composition substantially the same as that of the starting material was obtained. Finally, silver (Ag) paste was applied to both sides of this sintered body and baked to form a pair of electrodes, thereby completing an oxide varistor.

第１図はこのバリスタを示すものであり、金属酸化物の
焼結体から成る抵抗体１０と、この抵抗体１０の一対の
主面に形成された一対の電極１２、１４とから成る。な
お、抵抗体１０自身が非直線電圧一電流特性を有するの
で、銀焼付け電極１２、１４をＩｎＳＡｌ，Ｓｎなどの
蒸着による電極あるいはＮｉメッキによる電極に置き換
えることができる。FIG. 1 shows this varistor, which consists of a resistor 10 made of a sintered body of metal oxide, and a pair of electrodes 12 and 14 formed on a pair of main surfaces of this resistor 10. Note that since the resistor 10 itself has nonlinear voltage-current characteristics, the silver baked electrodes 12 and 14 can be replaced with electrodes formed by vapor deposition of InSAl, Sn, etc., or electrodes formed by Ni plating.

試料Ｎｏ．　１のバリスタの特性を調べるために、バリ
スタ電圧ｖ１、電圧非直線係数α、電圧変化率ｂ１サー
ジ電流耐量を測定したところ、Ｖ１は１３９Ｖ、αは５
０、電圧変化率ｂは−２（％）、サージ電流耐量は２５
〜３０であった。Sample No. In order to investigate the characteristics of the varistor No. 1, we measured the varistor voltage v1, voltage nonlinear coefficient α, and voltage change rate b1 surge current withstand capacity, and found that V1 was 139V and α was 5.
0, voltage change rate b is -2 (%), surge current resistance is 25
It was ~30.

なお、各特性は次の要領で求めた。In addition, each characteristic was calculated|required in the following manner.

（ａ）　　バリスタ電圧ｖｌはバリスタに１ｍＡの電流
を流した時における電極１２、１４間の電圧である。な
お、第１表のバリスタ電圧Ｖ１は１０個のバリスタの平
均値で示されている。(a) Varistor voltage vl is the voltage between electrodes 12 and 14 when a current of 1 mA is passed through the varistor. Note that the varistor voltage V1 in Table 1 is shown as an average value of 10 varistors.

（ｂ）　　電圧非直線係数αはバリスタに０．１ｍＡの
電流を流した時の電極１２、１４間の電圧Ｖ０．１と前
記のハリスタ電圧Ｖｌとに基づいて次式で求めた。(b) The voltage non-linearity coefficient α was determined by the following equation based on the voltage V0.1 between the electrodes 12 and 14 when a current of 0.1 mA was passed through the varistor and the above-mentioned haristor voltage Vl.

α＝　１　／　ｌｏｇ　（Ｖ０．ｌ　／Ｖｌ　）このα
が大きい値を有しているほど、バリスタの非直線性が優
れている。なお、第１表のαの欄には１０個のバリスタ
の平均値か示されている。α= 1/log (V0.l/Vl) This α
The larger the value, the better the nonlinearity of the varistor. Note that the column α in Table 1 shows the average value of 10 varistors.

（Ｃ）　　電圧変化率ｂはバリスタに０．１ｍＡの電流
を流した時の電極１２、１４間の電圧ｖｏ．１を求めた
後に、ハリスタを８５℃に保たれた恒温槽に入れ、直流
電流を１ｍＡ、２４時間流し続けた後に、このバリスタ
を恒温槽から取り出し、室温（２Ｏ℃）でハリスタに０
．１ｍＡの電流を流して電極１２、１４間の電圧Ｖ０．
ｌ　　−を測定し、■０．１に対するｖｏ．ｉ　　−の
電圧変化率を次式に従って求めた。(C) The voltage change rate b is the voltage vo between the electrodes 12 and 14 when a current of 0.1 mA is passed through the varistor. After determining 1, the varistor was placed in a constant temperature bath maintained at 85°C, and a direct current of 1 mA was passed through it for 24 hours.
．． A current of 1 mA is applied to increase the voltage V0 between the electrodes 12 and 14.
l − was measured, and ■ vo. The voltage change rate of i- was determined according to the following formula.

電圧変化率ｂ−　［Ｖ０．１　　−／　（Ｖ０．ｌ　−
Ｖ０．１　′）コ　ＸＩＯＯ　　（　％） この電圧変化率ｂは、課電寿命特性を表わし、小さいほ
どバリスタの課電寿命が長いことになる。Voltage change rate b- [V0.1 −/(V0.l −
V0.1') ko XIOO (%) This voltage change rate b represents the charging life characteristic, and the smaller the voltage change rate b, the longer the charging life of the varistor.

なお、第１表の電圧変化率ｂの欄には１０個のバリスタ
の平均値が示されている。Note that the column of voltage change rate b in Table 1 shows the average value of 10 varistors.

（ｄ）　　サージ耐量は、まずバリスタに１ｍＡの電流
を流した時の電極１２、１４間の電圧ｖ１を測定し、そ
の後立上り時間が８μｓ　（マイクロ秒）、立下り時間
が２Ｏμｓの波形を有し、且つピーク値が２５００Ａの
サージ電流を３０秒の間隔で５回印加し、再びバリスタ
に１ｍＡの電流を流して電極１２、１４間の電圧Ｖｔ　
−を測定し、サージ電流を流す前と後との間の電圧変化
率［　（Ｖｌ　−Ｖｌ　”）／Ｖｌ］　ＸＩＯＯ　（％
）が１０％以上低下したか否かを判定した。１回の上記
測定で電圧変化率が１０％以上低下していない場合には
、同一の測定を複数回繰返し、電圧変化率が１０９６以
上に低下するまでの測定回数ｎを求めた。第１表のｎの
欄には、この測定回数が示されている。測定回数ｎが大
きいはとバリスタのサージ耐量が大きいことを意味する
。なお、同一試料胤のバリスタを１０個用意し、これ等
のすべてについて同一方法でサージ耐量の測定を行った
。そして、第１表には最もサージ耐量の悪かったバリス
タの測定回数ｎの値と、最もサージ耐量の良かったハリ
スタの測定回数ｎの値とか示されている。(d) Surge resistance is determined by first measuring the voltage v1 between electrodes 12 and 14 when a current of 1 mA is passed through the varistor, and then having a waveform with a rise time of 8 μs (microseconds) and a fall time of 20 μs. , and a surge current with a peak value of 2500 A is applied five times at 30 second intervals, and a current of 1 mA is applied to the varistor again to reduce the voltage Vt between electrodes 12 and 14.
-, and the voltage change rate between before and after applying the surge current [(Vl −Vl '')/Vl] XIOO (%
) was reduced by 10% or more. If the voltage change rate did not decrease by 10% or more in one measurement, the same measurement was repeated multiple times, and the number of measurements n until the voltage change rate decreased to 1096 or more was determined. The column n in Table 1 shows the number of measurements. A large number of measurements n means that the surge resistance of the varistor is large. Incidentally, 10 varistors of the same sample were prepared, and the surge resistance of all of them was measured by the same method. Table 1 shows the value of the number of measurements n of the varistor with the worst surge resistance, and the value of the number of measurements n of the varistor with the best surge resistance.

第１表の試料Ｎ０．２〜４８のバリスタは、組成が第１
表に示すように変えられている他は、試料Ｎｏ．１と同
一の方法で作製され、これ等の特性が試料Ｎｏ．　１と
同一の方法で測定されている。The varistors of samples No. 2 to 48 in Table 1 have the first composition.
Except for the changes shown in the table, sample No. Sample No. 1 was prepared using the same method as Sample No. Measured using the same method as 1.

第１表の試料Ｎｏ．　１〜６及び第２図から明らかなよ
うに、ＺｎＯ及びＢｉ２Ｏ．を除く基礎成分と添加成分
とを固定し、Ｂｉ２Ｏ３のモル％を０．１〜５，０モル
％の範囲で変化させ、且つ基礎成分の総和か１００モル
％となるようにＺｎＯを変化させると、サージ耐量を示
すサージ耐量測定回数ｎが変化する。Ｂｉ２Ｏ３が３モ
ル％を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、Ｂｉ２
Ｏ，が０．３モル％より少ない範囲においてもサージ電
流耐量が低下する。したがって、優れたサージ電流耐量
を得るためのＢｉ２Ｏ３の好ましい範囲は０．３〜３．
０モル％であり、より好ましい範囲は０、５〜２．０モ
ル％である。なお、この範囲では、第１表に示すように
、電圧非直線係数αが大きく、且つ課電寿命特性を示す
電圧変化率ｂが小さい。Sample No. in Table 1. 1 to 6 and FIG. 2, ZnO and Bi2O. When the basic components and additive components except for , the number of surge withstand measurements n, which indicates the surge withstand, changes. When Bi2O3 exceeds 3 mol%, the surge current withstand capacity decreases;
Even in a range where O, is less than 0.3 mol %, the surge current withstand capacity decreases. Therefore, the preferred range of Bi2O3 to obtain excellent surge current resistance is 0.3 to 3.
It is 0 mol%, and the more preferable range is 0.5 to 2.0 mol%. Note that in this range, as shown in Table 1, the voltage nonlinear coefficient α is large and the voltage change rate b, which indicates the energization life characteristic, is small.

試料Ｎ０．７〜１２及び第３図から明らかなように、Ｚ
ｎＯ及びＳｂ２Ｏ３を除く基礎成分と添加成分とを固定
し、Ｓｂ２Ｏ３のモル％を０．１〜５．０モル％の範囲
で変化させ、且つ基礎成分の総和が１００モル％となる
ようにＺｎＯを変化させると、サージ電流耐量を示すサ
ージ耐量測定回数ｎが変化する。Ｓｂ２Ｏ３が３．０モ
ル％を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、Ｓｂ２
Ｏ３が０．３モル％より少ない範囲においてもサージ電
流耐量が低下する。したがって、優れたサージ電流耐量
を得るためのＳｂ２Ｏ３の好ましい範囲は０．３〜３．
０モル％であり、より好ましい範囲は０，５〜２．０モ
ル％である。なお、この範囲では、第１表に示すように
、電圧非直線係数αが大きく、且つ課電寿命特性を示す
電圧変化率ｂが小さい。As is clear from samples No. 7 to 12 and Fig. 3, Z
The basic components and additive components except nO and Sb2O3 are fixed, the mol% of Sb2O3 is varied in the range of 0.1 to 5.0 mol%, and ZnO is added so that the sum of the basic components is 100 mol%. When it is changed, the number of surge withstand measurements n, which indicates the surge current withstand capacity, changes. When Sb2O3 exceeds 3.0 mol%, the surge current withstand capacity decreases;
Even in a range where O3 is less than 0.3 mol %, the surge current withstand capacity decreases. Therefore, the preferred range of Sb2O3 to obtain excellent surge current resistance is 0.3 to 3.
It is 0 mol%, and the more preferable range is 0.5 to 2.0 mol%. Note that in this range, as shown in Table 1, the voltage nonlinear coefficient α is large and the voltage change rate b, which indicates the energization life characteristic, is small.

試料Ｎｏ．　１　３〜１８及び第４図から明らかなよう
に、ＺｎＯ及びＣｏＯを除く基礎成分と添加成分とを固
定し、ＣｏＯのモル％を０．１〜５．０モル％の範囲で
変化させ、且つ基礎成分の総和が１００モル％となるよ
うにＺｎＯを変化させると、サージ電流耐量を示すサー
ジ耐量測定回数ｎが変化する。ＣｏＯが３．０モル％を
越えるとサージ電流耐量か低下し、また、ＣｏＯが０．
３モル％より少ない範囲においてもサージ電流耐量が低
下する。したかって、優れたサージ電流耐量を得るため
のＣｏＯの好ましい範囲は０．３〜３．０モル％であり
、より好ましい範囲は０．５〜２．０モル％である。な
お、この範囲では、第１表に示すように、電圧非直線係
数αが大きく、且つ課電寿命特性を示す電圧変化率ｂが
小さい。Sample No. 1 As is clear from 3 to 18 and FIG. 4, the base components and additive components except ZnO and CoO are fixed, the mol% of CoO is varied in the range of 0.1 to 5.0 mol%, and When ZnO is changed so that the sum of the basic components becomes 100 mol %, the number of times n of surge resistance measurement, which indicates the surge current resistance, changes. When CoO exceeds 3.0 mol%, the surge current withstand capacity decreases, and when CoO exceeds 0.0 mol%.
Even in a range of less than 3 mol %, the surge current resistance decreases. Therefore, the preferable range of CoO to obtain excellent surge current withstand capacity is 0.3 to 3.0 mol%, and the more preferable range is 0.5 to 2.0 mol%. Note that in this range, as shown in Table 1, the voltage nonlinear coefficient α is large and the voltage change rate b, which indicates the energization life characteristic, is small.

試料Ｎｏ、１９〜２３及び第５図から明らかなように、
ＺｎＯ及びＭ　ｇ　Ｏを除く基礎成分と添加成分とを固
定し、ＭｇＯのモル％を０．５〜１０．０モル％の範囲
で変化させ、且つ基礎成分の総和が１００モル％となる
ようにＺｎＯを変化させると、サージ電流耐量を示すサ
ージ耐量測定回数ｎが変化する。Ｍ　ｇ　Ｏか５．０モ
ル％を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、ＭｇＯ
が１．０モル％より少ない範囲では電圧非直線係数αが
小さくなる。したがって、優れたサージ電流耐量が得ら
れ且つ電圧非直線係数αか大きく得られるためのＣｏＯ
の好ましい範囲は１．０〜５．０モル９６であり、より
好ましい範囲は２．０〜４．０モル％である。なお、こ
の範囲では、第１表に示すように課電寿命特性を示す電
圧変化率ｂか小さい。As is clear from sample Nos. 19 to 23 and Fig. 5,
The basic components and additive components except ZnO and MgO are fixed, and the mol% of MgO is varied in the range of 0.5 to 10.0 mol%, and the total of the basic components is 100 mol%. When ZnO is changed, the number of times n of surge resistance measurement, which indicates the surge current resistance, changes. If MgO exceeds 5.0 mol%, the surge current withstand capacity will decrease;
is less than 1.0 mol %, the voltage nonlinear coefficient α becomes small. Therefore, in order to obtain an excellent surge current withstand capacity and a large voltage nonlinear coefficient α,
The preferred range is 1.0 to 5.0 mol 96, and the more preferred range is 2.0 to 4.0 mol %. In addition, in this range, as shown in Table 1, the voltage change rate b, which indicates the charging life characteristics, is small.

試料Ｎα２４〜２９及び第６図から明らかなように、Ｚ
ｎＯ及びＭｎＯを除く基礎成分と添加成分とを固定し、
Ｍ　ｎ　Ｏのモル％を０６　１〜５．０モル％の範囲で
変化させ、且つ基礎成分の総和が１００モル％となるよ
うにＺｎＯを変化させると、サージ電流耐量を示すサー
ジ耐量測定回数ｎが変化する。Ｍ　ｎ　Ｏが３．０モル
％を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、ＭｎＯか
０．３モル％より少ない範囲においてもサージ電流耐量
が低下する。したがって、優れたサージ電流耐量を得る
ためのＭ　ｎ　Ｏの好ましい範囲は０．３〜３．０モル
％であり、より好ましい範囲は０．４〜１．０モル％で
ある。なお、この範囲では、第１表に示すように、電圧
非直線係数αが大きく、課電寿命特性を示す電圧変化率
ｂが小さい。As is clear from samples Nα24-29 and FIG.
Fixing the basic components and additive components except nO and MnO,
When the mol% of MnO is changed in the range of 06 1 to 5.0 mol% and the ZnO is changed so that the sum of the basic components is 100 mol%, the number of measurements of the surge resistance, which indicates the surge current resistance, n changes. If MnO exceeds 3.0 mol%, the surge current withstand capacity decreases, and even if the MnO content is less than 0.3 mol%, the surge current withstand capacity decreases. Therefore, the preferred range of MnO to obtain excellent surge current resistance is 0.3 to 3.0 mol%, and the more preferred range is 0.4 to 1.0 mol%. In addition, in this range, as shown in Table 1, the voltage nonlinear coefficient α is large and the voltage change rate b indicating the charging life characteristic is small.

試料Ｎｏ．　３　０〜３５及び第７図から明らかなよう
に、ＺｎＯ及びＮｉＯを除く基礎成分と添加成分とを固
定し、ＮｉＯのモル％を０．１〜５．０モル？６の範囲
で変化させ、且つ基礎成分の総和か１００モル９６とな
るようにＺｎＯを変化させると、サージ電流耐量を示す
サージ耐量測定回数ｎが変化する。ＮｉＯが３．０モル
％を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、ＮｉＯが
０．３モル％より少ない範囲においてもサージ電流耐量
が低下する。したかって、優れたサージ電流耐量を得る
ためのＮｉＯの好ましい範囲は０．３〜３．０モル％で
あり、より好ましい範囲は０．５〜２．　　０モル％で
ある。なお、この範囲では、第１表に示すように、電圧
非直線係数αが大きく、且っ課電寿命特性を示す電圧変
化率ｂか小さい。Sample No. As is clear from 30 to 35 and FIG. 7, the base components and additive components except ZnO and NiO are fixed, and the mole percent of NiO is set to 0.1 to 5.0 moles. If ZnO is varied within a range of 6 and the sum of the basic components is 100 mol96, the number of surge withstand measurements n, which indicates the surge current withstand, will change. If the NiO content exceeds 3.0 mol%, the surge current capability decreases, and even if the NiO content is less than 0.3 mol%, the surge current capability decreases. Therefore, the preferred range of NiO to obtain excellent surge current resistance is 0.3 to 3.0 mol%, and the more preferred range is 0.5 to 2.0 mol%. It is 0 mol%. Note that in this range, as shown in Table 1, the voltage nonlinear coefficient α is large and the voltage change rate b indicating the energization life characteristic is small.

試料Ｎｏ．　３　６〜４０及び第８図から明らかなよう
に、基礎成分と添加成分のうちＡｌ，Ｏ，を固定し、Ｂ
２Ｏ３を１００重量％の基礎成分に対する重量％を０．
００５重量％〜０．１５重量％の範囲で変化させると、
サージ電流耐量を示すサージ耐量測定回数ｎか変化する
。Ｂ２Ｏ，が０．１重量％より多くなると、サージ電流
耐量が低下し、また、Ｂ２Ｏ３が０．０１重量％より少
ない範囲においてもサージ電流耐量が低下する。したか
って、優れたサージ耐量特性を得るためのＢ２Ｏ．の好
ましい範囲は０．０１重量％〜０．１重量％てあり、よ
り好ましい範囲は０．０２〜０，０５重量モル％である
。なお、この範囲では、表に示すように、電圧非直線係
数αか大きく且つ課電寿命特性を示す電圧変化率ｂが小
さい。Sample No. 3 As is clear from 6 to 40 and Fig. 8, among the basic components and additive components, Al and O are fixed, and B
The weight percent of 2O3 based on 100 weight percent of the base component is 0.
When varied in the range of 0.005% by weight to 0.15% by weight,
The number of surge withstand measurements, n, which indicates the surge current withstand capacity, changes. When B2O, exceeds 0.1% by weight, the surge current withstand capacity decreases, and even in the range where B2O3 is less than 0.01% by weight, the surge current withstand capacity decreases. Therefore, in order to obtain excellent surge resistance characteristics, B2O. The preferred range is 0.01% to 0.1% by weight, and the more preferred range is 0.02% to 0.05% by weight. Note that in this range, as shown in the table, the voltage nonlinear coefficient α is large and the voltage change rate b indicating the charging life characteristic is small.

試料Ｎｏ．４１〜４８及び第９図に示すように、基礎成
分と添加成分のうちＢ２Ｏ３を固定し、Ａｌ２Ｏ，を１
００重量％の上記基礎成分に対する重量％を０．００１
重量％〜０．０１重量％の範囲で変化させると、サージ
電流耐量を示すサージ耐量測定回数ｎが変化する。Ａｌ
２Ｏ，が０．００８重量％より多くなると、サージ電流
耐量が低下し、また、Ａｌ２Ｏ３が０．００２重量％よ
り少ない範囲においてもサージ電流耐量が低下する。Sample No. As shown in 41 to 48 and FIG. 9, among the basic components and additive components, B2O3 is fixed, and Al2O,
0.001% by weight relative to the above base component
When the amount is changed within the range of 0.01% by weight, the number n of measurements of the surge resistance, which indicates the surge current resistance, changes. Al
When 2O, exceeds 0.008% by weight, the surge current withstand capacity decreases, and even in a range where Al2O3 is less than 0.002% by weight, the surge current withstand capacity decreases.

したがって、優れたサージ電流耐量を得るためのＡｌ２
Ｏ，の好ましい範囲は０．００２重量％〜０．００８重
量％であり、より好ましい範囲は０．００３重量％〜０
．００６重量％である。なお、この範囲では、第１表に
示すように、電圧非直線係数αが大きく且つ課電寿命特
性を示す電圧変化率ｂが小さい。Therefore, Al2
The preferred range of O is 0.002% to 0.008% by weight, and the more preferred range is 0.003% to 0% by weight.
．． 006% by weight. In addition, in this range, as shown in Table 1, the voltage nonlinear coefficient α is large and the voltage change rate b indicating the charging life characteristic is small.

なお、本発明は、サージ電流耐量を示すｎの値か１０以
上、課電寿命を示す電圧変化率ｂか−１０％〜＋１０％
の範囲、電圧非直線係数αの値が４０以上のバリスタを
提供することを目的としている。本願の特許請求の範囲
で特定されている組成範囲内の試料は、上記目標特性を
満たしている。In addition, in the present invention, the value of n, which indicates the surge current withstand capacity, is 10 or more, and the voltage change rate b, which indicates the charging life, is -10% to +10%.
The object of the present invention is to provide a varistor in which the voltage nonlinear coefficient α has a value of 40 or more. Samples within the composition range specified in the claims of the present application satisfy the above target properties.

しかし、試料Ｎｏ．　２、６、７、１２、１３、１８、
１９、２３、２４、２９、３０、３５、３６、４０、４
１、４８は上記目標特性を満足していないので、本発明
の範囲外のものである。However, sample no. 2, 6, 7, 12, 13, 18,
19, 23, 24, 29, 30, 35, 36, 40, 4
Nos. 1 and 48 do not satisfy the above target characteristics and are therefore outside the scope of the present invention.

［第２の実施例］ 第１の実施例における試料Ｎｏ．４１〜４８のＡｌ２Ｏ
，の代りに平均粒径０．１〜５．０μｍの範囲のＭｇＡ
　ｌ　２　０４　　（スピネル）を使用した他は、試料
Ｎｏ．４１〜４８と同一の方法で８種類のバリスタを作
り、同一の方法で特性を測定した。第２表の試料Ｎｏ．
　４　９〜５６はこれを示すものである。[Second Example] Sample No. in the first example. 41-48 Al2O
, instead of MgA with an average particle size in the range of 0.1 to 5.0 μm.
Sample No. 1204 (spinel) was used. Eight types of varistors were made in the same manner as in Examples 41 to 48, and their characteristics were measured in the same manner. Sample No. in Table 2.
49-56 show this.

第２表の試料Ｎｏ．　４　９〜５６の基礎成分及びＢ２
Ｏ，は第１表の試料Ｎｏ．４１〜４８とまったく同一て
ある。ＭｇＡｌ２Ｏ４は０．００１４重量部〜０．０１
４０重量部の範囲で添加されている。Sample No. in Table 2. 4 Basic ingredients of 9-56 and B2
O, is sample No. in Table 1. It is exactly the same as 41-48. MgAl2O4 is 0.0014 parts by weight to 0.01 parts by weight
It is added in an amount of 40 parts by weight.

第２表及び第１０図から明らかなように、基礎成分とＢ
２Ｏ３を固定し、ＭｇＡｌ２Ｏ４を変化させるとサージ
電流耐量を示すサージ耐量測定回数ｎの値が変化する。As is clear from Table 2 and Figure 10, the basic components and B
When 2O3 is fixed and MgAl2O4 is varied, the value of the number of surge withstand measurements n, which indicates the surge current withstand, changes.

ＭｇＡｌ２Ｏ４か０．０１１２重量部よりも多くなると
サージ電流耐量が低下し、Ｍ　ｇ　Ａ　１　２　０　４
か０．００２８重量部よりも少なくなってもサーシ電流
耐量が低下する。したかって、優れたサージ電流耐量を
得るためのＭｇＡｌ２Ｏ４の好ましい範囲は０．００２
８〜０．０１１２重量部であり、より好ましい範囲は０
，００４２〜０．００７０重量部である。なお、この範
囲では、電圧非直線係数αが大きく且つ課電寿命特性を
示す電圧変化率ｂが小さい。When the amount of MgAl2O4 exceeds 0.0112 parts by weight, the surge current resistance decreases, and MgA 1 2 0 4
Even if the amount is less than 0.0028 part by weight, the withstand current capacity will decrease. Therefore, the preferred range of MgAl2O4 to obtain excellent surge current resistance is 0.002
The amount is 8 to 0.0112 parts by weight, and the more preferable range is 0.
,0042 to 0.0070 parts by weight. Note that in this range, the voltage non-linearity coefficient α is large and the voltage change rate b indicating the charging life characteristic is small.

ところで、Ｍ　ｇ　Ａ　］　２　０　４はＡｌ２Ｏ３と
同様な作用効果を有する他に、低い電流領域における電
圧非直線係数αを増大させる作用効果を有する。By the way, M g A ] 2 0 4 has the same effect as Al2O3, and also has the effect of increasing the voltage nonlinear coefficient α in a low current region.

試料Ｎｏ．　４　９〜５６の各バリスタについて、０．
１ｍＡの電流を流した時の電極１２、１４間の電圧ＶＯ
，■と、０．００１ｍＡの電流を流した時の電極１２、
１４間の電圧Ｖ０．００１とを求め、低電流領域の電圧
非直線係数α一を次式で求めた。Sample No. 4 For each of the varistors 9 to 56, 0.
Voltage VO between electrodes 12 and 14 when a current of 1 mA flows
, ■, and the electrode 12 when a current of 0.001 mA is passed,
14, and the voltage nonlinear coefficient α in the low current region was determined using the following equation.

ａ　−　−　１／ｌｏｇ　　（Ｖ［ｌ．ｌ　／Ｖ０．０
０１　）この結果、試料Ｎｏ．　４　９〜５６のα′の
値は、７５、６３、５２、４２、３４、２９、２３、１
９てあった。a − − 1/log (V[l.l /V0.0
01) As a result, sample No. 4 The values of α' from 9 to 56 are 75, 63, 52, 42, 34, 29, 23, 1
There was 9.

比較のために、添加成分としてＡｌ２Ｏ３が使用されて
いる試料Ｎｏ．４１〜４８について同様にａ−を求めた
ところ、６３、４７、３５、３０、２５、１８、１２、
７であった。For comparison, sample No. 1 in which Al2O3 is used as an additive component. When a- was similarly calculated for 41 to 48, 63, 47, 35, 30, 25, 18, 12,
It was 7.

両者の比較から明らかなように、第２の実施例に従って
Ａｌ２Ｏ３の代りにＭｇＡｌ２Ｏ４を使用することによ
り低電流領域の電圧非直線係数α′を増大させることが
できる。なお、基礎成分及びＢ２Ｏ３を本願発明で特定
されている範囲で変えても、ＭｇＡｌ２Ｏ，に基づくα
′の増大効果が得られることか確認されている。As is clear from the comparison of the two, by using MgAl2O4 instead of Al2O3 according to the second embodiment, the voltage nonlinear coefficient α' in the low current region can be increased. Note that even if the basic components and B2O3 are changed within the range specified in the present invention, α based on MgAl2O,
It has been confirmed that the effect of increasing ′ can be obtained.

？第３の実施例］ 基礎成分に対するＢ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３又はＭｇＡ　
Ｉ■０４の添加量は０．０１〜０．１重量部、０．００
２〜０．００８重量部又は０．００２８〜０．０１１２
重量部のように微量である。? Third Example] B2O3 and Al2O3 or MgA for basic components
The amount of I■04 added is 0.01 to 0.1 parts by weight, 0.00
2 to 0.008 parts by weight or 0.0028 to 0.0112 parts by weight
It is a minute amount, like parts by weight.

従って、基礎成分に添加成分を均一に混合することに困
難を伴う。そこで、試料Ｎｏ．　４　４と同一の組成の
バリスタを得るために、 ＺｎＯ　　　　　　９２．５モル％ Ｂｉ２Ｏ３　　　　１．０モル％ ｓｂ２ｏ３　　　　１．５モル％ ＣｏＯ　　　　　　　１．０モル％ ＭｇＯ　　　　　　　２．５モル％ ＭｎＯ　　　　　　　０．５モル％ ＮｉＯ　　　　　　　１．０モル％ から成る基礎成分を１００重量部用意すると共に、１０
０重量部の熱水（温水）に０．０２８１重量部のＨ３Ｂ
Ｏ３　（ホウ酸）を加えて溶解させてホウ酸水溶液を作
り、このホウ酸水溶液に０．００４重量部のＡｌ２Ｏ３
及び４重量部の有機パインダを加えた液体を用意した。Therefore, it is difficult to uniformly mix the additive components with the base component. Therefore, sample No. 4 To obtain a varistor with the same composition as 4, ZnO 92.5 mol% Bi2O3 1.0 mol% sb2o3 1.5 mol% CoO 1.0 mol% MgO 2.5 mol% MnO 0.5 mol% NiO Prepare 100 parts by weight of a basic component consisting of 1.0 mol%, and
0.0281 parts by weight of H3B in 0 parts by weight of hot water (warm water)
Add and dissolve O3 (boric acid) to make a boric acid aqueous solution, and add 0.004 parts by weight of Al2O3 to this boric acid aqueous solution.
A liquid containing 4 parts by weight of organic binder was prepared.

なお、Ａｌ２Ｏ３は水に溶解しない。そして、この液体
を基礎成分に加えて混合した。これにより、基礎成分に
対して添加成分を均一性よく混在させることができた。Note that Al2O3 does not dissolve in water. This liquid was then added to the base ingredients and mixed. This made it possible to mix the additive components with the basic components with good uniformity.

この添加成分の均一性は、バリスタを量産した時の特性
の均一性で判断できる。The uniformity of this additive component can be judged by the uniformity of the characteristics when mass-producing varistors.

第２表の試料Ｎｏ．　５　２と同一組成のバリスタを作
るために、前述のホウ酸水溶液にＡｌ２Ｏ３を加える代
りにＭｇＡｌ２Ｏ４を加えて添加成分を作り、これを使
用して前述と同様に多数のバリスタを作ったところ、同
様にバリスタの特性の均一性が良かった。Sample No. in Table 2. 5 In order to make a varistor with the same composition as 2, MgAl2O4 was added to the boric acid aqueous solution instead of Al2O3 to make an additive component, and when this was used to make a large number of varistors in the same manner as described above, the same result was obtained. The uniformity of the characteristics of the varistor was good.

試料Ｎｏ．　４　４及び５２以外の組成においても勿論
ホウ酸水溶液を使用する効果が得られる。Sample No. Of course, even in compositions other than 44 and 52, the effect of using the boric acid aqueous solution can be obtained.

［変形例］ 本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。[Modifications] The present invention is not limited to the above-described embodiments, and, for example, the following modifications are possible.

（１）　各成分の出発原料として酸化物以外の水酸化物
、炭酸塩、フッ化物等を使用することができる。例えば
、ＣｏＯ、ＭｇＯ，ＭｎＯの代りに、ＣｏＣｏ３、Ｍｇ
Ｃｏ３、ＭｎＣ０３を使用することができる。(1) Hydroxides, carbonates, fluorides, etc. other than oxides can be used as starting materials for each component. For example, instead of CoO, MgO, MnO, CoCo3, Mg
Co3 and MnC03 can be used.

（２）　成形体の焼成温度を例えば１２Ｏ０℃〜１３５
０℃の範囲、焼成時間を例えば３０〜１２Ｏ分の範囲で
種々変えることができる。(2) The firing temperature of the molded body is, for example, 1200°C to 135°C.
The temperature range of 0° C. and the firing time can be varied, for example, within the range of 30 to 12 O minutes.

（３）　基礎成分と添加成分とを混合するために、基礎
成分にＡｌ２Ｏ３又はＭｇＡｌ２Ｏ４を加えたものをま
ず用意し、これ等に０．００５６〜０．０５６３重量部
のＨ３ＢＯ３を含む水溶液を添加して混合することかで
きる。(3) In order to mix the base component and the additive component, first prepare the base component plus Al2O3 or MgAl2O4, and add an aqueous solution containing 0.0056 to 0.0563 parts by weight of H3BO3 to these. Can be mixed.

（４）　基礎成分と添加成分とを混合する時の水の量を
例えば５０〜１５０重量部の範囲で種々変えることがで
きる。(4) The amount of water when mixing the base component and the additive component can be varied, for example, within the range of 50 to 150 parts by weight.

（５）　添加成分のＡｌ２Ｏ，の代りに、スピネル構造
のＣｏＡｌ２Ｏ４を使用することができる。この場合、
ＭｇＡｌ２Ｏ４と同様な効果が得られる。(5) CoAl2O4 having a spinel structure can be used instead of Al2O, which is an additive component. in this case,
The same effect as MgAl2O4 can be obtained.

［発明の効果コ 以上述べたように、本発明によれば、従来の酸化物バリ
スタに比べてサージ耐量が優れており、且つ電圧非直線
係数か大きく、また課電寿命特性も良好である酸化物バ
リスタを提供することができる。このバリスタによれば
、電子機器内で発生する異常電圧や外部からのサージ電
圧を吸収し、半導体素子などの電子部品を保護すること
が可能となる。また、ＭｇＡｌ２Ｏ４を使用することに
よって低電流領域における電圧非直線係数を大きくする
ことができる。[Effects of the Invention] As described above, the present invention provides an oxide varistor that has superior surge resistance compared to conventional oxide varistors, has a large voltage nonlinear coefficient, and has good energized life characteristics. things barista can provide. According to this varistor, it is possible to absorb abnormal voltages generated within electronic equipment and surge voltages from the outside, and protect electronic components such as semiconductor elements. Furthermore, by using MgAl2O4, the voltage nonlinear coefficient in the low current region can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図はバリスタの正面図、 第２図、第３図、第４図、第５図、第６図、第７図、第
８図、第９図及び第１０図は各成分の量を対数目盛で横
軸に示し、サージ耐量を示すｎを縦軸に示す図である。 代　　理　　人　　　高　　野　　則　　次１Ｎ２図 ＠３図 ｓｂ〆〕コ　（七ノレ゜／．） 第４図 ＣｏＯ （モミノレ６／，冫 第５図 Ｍ９０ （毛ル″１７。） 第６図 ＭｎＱ （七ノレーン 第ｒｍ ＮｉＱ （Ｌル１／．） 第８図 第９図 Ａｌ２Ｏ３　Ｃｔｉ’ｌ！４）Figure 1 is a front view of the varistor, Figures 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 and 10 show the amounts of each component. FIG. 3 is a diagram in which the horizontal axis is plotted on a logarithmic scale, and n, which indicates surge resistance, is plotted on the vertical axis. Agent Noriyoshi Takano Figure 1N2 @ Figure 3 sb〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆〆] Norene No. rm NiQ (L 1/.) Fig. 8 Fig. 9 Al2O3 Cti'l!4)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ［１］Ｚｎ（亜鉛）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｓｂ（アンモ
チン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｍ
ｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）をそれぞれ代表的酸
化物であるＺｎＯ（酸化亜鉛）、Ｂｉ＿２Ｏ＿３（酸化
ビスマス）、Ｓｂ＿２Ｏ＿３（酸化アンチモン）、Ｃｏ
Ｏ（酸化コバルト）、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、Ｍ
ｎＯ（酸化マンガン）、ＮｉＯ（酸化ニッケル）に換算
してＺｎＯ８０．０〜９７．５モル％ Ｂｉ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ Ｓｂ＿２Ｏ＿３Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ＣｏＯ０．
３〜３．０モル％ ＭｇＯ１．０〜５．０モル％ ＭｎＯ０．３〜３．０モル％ ＮｉＯ０．３〜３．０モル％ の割合で含む基礎成分１００重量部と、 Ｂ（ホウ素）をその代表的酸化物であるＢ＿２Ｏ＿３（
酸化ホウ素）に換算して０．０１〜０．１重量部と、 Ａｌ（アルミニウム）をその代表的酸化物であるＡｌ＿
２Ｏ＿３（酸化アルミニウム）に換算して０．００２〜
０．００８重量部と を含む焼結体から成る酸化物電圧非直線抵抗体。 ［２］Ｚｎ（亜鉛）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｓｂ（アンモ
チン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｍ
ｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）をそれぞれ代表的酸
化物であるＺｎＯ（酸化亜鉛）、Ｂｉ＿２Ｏ＿３（酸化
ビスマス）、Ｓｂ＿２Ｏ＿３（酸化アンチモン）、Ｃｏ
Ｏ（酸化コバルト）、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、Ｍ
ｎＯ（酸化マンガン）、ＮｉＯ（酸化ニッケル）に換算
してＺｎＯ８０．０〜９７．５モル％ Ｂｉ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ Ｓｂ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ ＣｏＯ０．３〜３．０モル％ ＭｇＯ１．０〜５．０モル％ ＭｎＯ０．３〜３．０モル％ ＮｉＯ０．３〜３．０モル％ の割合で含む基礎成分１００重量部と、 Ｂ（ホウ素）をその代表的酸化物であるＢ＿２Ｏ＿３（
酸化ホウ素）に換算して０．０１〜０．１重量部と、 ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４（四酸化二アルミニウムマグネシウ
ム）を０．００２８〜０．０１１２重量部とを含む焼結
体から成る酸化物電圧非直線抵抗体。 ［３］ＺｎＯ８０．０〜９７．５モル％ Ｂｉ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ Ｓｂ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ ＣｏＯ０．３〜３．０モル％ ＭｇＯ１．０〜５．０モル％ ＭｎＯ０．３〜３．０モル％ ＮｉＯ０．３〜３．０モル％ から成る基礎成分１００重量部と、 Ｂ＿２Ｏ＿３（酸化ホウ素）を０．０１〜０．１０重量
部と、 Ａｌ＿２Ｏ＿３を０．００２〜０．００８重量部とから
成る混合物を用意する工程と、 前記混合物を所定の形状に成形する工程と、前記混合物
の成形体を焼成する工程と から成る酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法。 ［４］ＺｎＯ８０．０〜９７．５モル％ Ｂｉ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ Ｓｂ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ ＣｏＯ０．３〜３．０モル％ ＭｇＯ１，０〜５．０モル％ ＭｎＯ０．３〜３．０モル％ ＮｉＯ０．３〜３．０モル％ から成る基礎成分１００重量部と、 Ｂ＿２Ｏ＿３を０．０１〜０．１０重量部と、ＭｇＡｌ
＿２Ｏ＿４を０．００２８〜０．０１１２重量部と から成る混合物を用意する工程と、 前記混合物を所定の形状に成形する工程と、前記混合物
の成形体を焼成する工程と から成る酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法。 ［５］ＺｎＯ８０．０〜９７．５モル％ Ｂｉ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ Ｓｂ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ ＣｏＯ０．３〜３．０モル％ ＭｇＯ１．０〜５．０モル％ ＭｎＯ０．３〜３．０モル％ ＮｉＯ０．３〜３．０モル％ から成る１００重量部の基礎成分を用意する工程と、 ０．００５６〜０．０５６３重量部のＨ＿３ＢＯ＿３と
０．００２〜０．００８重量部のＡｌ＿２Ｏ＿３とを含
む液体を用意する工程と、 前記基礎成分に前記液体を加えて混合物を得る工程と、 前記混合物を所定の形状に成形する工程と、前記混合物
の成形体を焼成する工程と から成る酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法。 ［６］ＺｎＯ８０．０〜９７．５モル％ Ｂｉ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ Ｓｂ＿２Ｏ＿３０．３〜３．０モル％ ＣｏＯ０．３〜３．０モル％ ＭｇＯ１．０〜５．０モル％ ＭｎＯ０．３〜３．０モル％ ＮｉＯ０．３〜３．０モル％ から成る１００重量部の基礎成分を用意する工程と、 ０．００５６〜０．０５６３重量部のＨ＿３ＢＯ＿３と
０．００２８〜０．０１１２重量部のＭｇＡｌ＿２Ｏ＿
４とを含む液体を用意する工程と、前記基礎成分に前記
液体を加えて混合物を得る工程と、 前記混合物を所定の形状に成形する工程と、前記混合物
の成形体を焼成する工程と から成る酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法。[Claims] [1] Zn (zinc), Bi (bismuth), Sb (ammothine), Co (cobalt), Mg (magnesium), M
n (manganese) and Ni (nickel), respectively, are representative oxides of ZnO (zinc oxide), Bi_2O_3 (bismuth oxide), Sb_2O_3 (antimony oxide), and Co.
O (cobalt oxide), MgO (magnesium oxide), M
In terms of nO (manganese oxide) and NiO (nickel oxide), ZnO80.0-97.5 mol% Bi_2O_30.3-3.0 mol% Sb_2O_3O_30.3-3.0 mol% CoO0.
100 parts by weight of the basic component containing 3 to 3.0 mol%, MgO 1.0 to 5.0 mol%, MnO 0.3 to 3.0 mol%, NiO 0.3 to 3.0 mol%, and B (boron). Its representative oxide, B_2O_3(
0.01 to 0.1 part by weight (calculated as boron oxide), and Al (aluminum) as its representative oxide, Al_
0.002~ in terms of 2O_3 (aluminum oxide)
An oxide voltage nonlinear resistor comprising a sintered body containing 0.008 parts by weight. [2] Zn (zinc), Bi (bismuth), Sb (ammothine), Co (cobalt), Mg (magnesium), M
n (manganese) and Ni (nickel), respectively, are representative oxides of ZnO (zinc oxide), Bi_2O_3 (bismuth oxide), Sb_2O_3 (antimony oxide), and Co.
O (cobalt oxide), MgO (magnesium oxide), M
In terms of nO (manganese oxide) and NiO (nickel oxide), ZnO80.0-97.5 mol% Bi_2O_30.3-3.0 mol% Sb_2O_30.3-3.0 mol% CoO0.3-3.0 mol % MgO1.0-5.0 mol% MnO 0.3-3.0 mol% NiO 0.3-3.0 mol% 100 parts by weight of the basic component and B (boron) in its representative oxide. A certain B_2O_3(
An oxide voltage nonlinear resistance consisting of a sintered body containing 0.01 to 0.1 parts by weight (calculated as boron oxide) and 0.0028 to 0.0112 parts by weight of MgAl_2O_4 (dialium magnesium tetroxide). body. [3] ZnO80.0-97.5 mol% Bi_2O_30.3-3.0 mol% Sb_2O_30.3-3.0 mol% CoO0.3-3.0 mol% MgO1.0-5.0 mol% MnO0. 100 parts by weight of the base component consisting of 3 to 3.0 mol% NiO, 0.01 to 0.10 parts by weight of B_2O_3 (boron oxide), and 0.002 to 0.00 parts by weight of Al_2O_3. 008 parts by weight; forming the mixture into a predetermined shape; and firing a molded product of the mixture. [4] ZnO80.0-97.5 mol% Bi_2O_30.3-3.0 mol% Sb_2O_30.3-3.0 mol% CoO0.3-3.0 mol% MgO1.0-5.0 mol% MnO0. 100 parts by weight of the basic component consisting of 3 to 3.0 mol% NiO, 0.01 to 0.10 parts by weight of B_2O_3, and MgAl
An oxide voltage nonlinear method comprising the steps of preparing a mixture consisting of 0.0028 to 0.0112 parts by weight of _2O_4, molding the mixture into a predetermined shape, and firing a molded body of the mixture. Method of manufacturing a resistor. [5] ZnO80.0-97.5 mol% Bi_2O_30.3-3.0 mol% Sb_2O_30.3-3.0 mol% CoO0.3-3.0 mol% MgO1.0-5.0 mol% MnO0. preparing 100 parts by weight of a base component consisting of 3-3.0 mol% NiO, 0.0056-0.0563 parts by weight H_3BO_3 and 0.002-0.008 parts by weight a step of preparing a liquid containing a portion of Al_2O_3; a step of adding the liquid to the basic component to obtain a mixture; a step of molding the mixture into a predetermined shape; and a step of firing a molded body of the mixture. A method for manufacturing an oxide voltage nonlinear resistor comprising: [6] ZnO80.0-97.5 mol% Bi_2O_30.3-3.0 mol% Sb_2O_30.3-3.0 mol% CoO0.3-3.0 mol% MgO1.0-5.0 mol% MnO0. preparing 100 parts by weight of a base component consisting of 3-3.0 mol% NiO, 0.0056-0.0563 parts by weight H_3BO_3 and 0.0028-0.0112 parts by weight; MgAl_2O_
4, a step of adding the liquid to the basic component to obtain a mixture, a step of molding the mixture into a predetermined shape, and a step of firing a molded body of the mixture. Method of manufacturing oxide voltage nonlinear resistor.