JPH03211527A - アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置Info
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- JPH03211527A JPH03211527A JP2007416A JP741690A JPH03211527A JP H03211527 A JPH03211527 A JP H03211527A JP 2007416 A JP2007416 A JP 2007416A JP 741690 A JP741690 A JP 741690A JP H03211527 A JPH03211527 A JP H03211527A
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- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プロジェクション表示装置等に利用するアク
ティブマトリックス基板及び液晶表示装置に関するもの
である。
ティブマトリックス基板及び液晶表示装置に関するもの
である。
従来の技術
従来民生用のプロジェクション表示装置として実用化さ
れているのはＣＲＴを用いた方式であった。ＣＲＴはそ
の背面輝度と解像度を同時に高めることが困難であるた
めに、この方式のプロジェクノゴン表示２置は画面が暗
く、更に大口径投写レンスなどの高価な光学部品がａ・
要となり、また寸法が大きく、重量が重くなるなどの問
題を有している。そこで、近年ＣＲＴ方式に代わるもの
として、液晶を利用したライトバルブ方式（液晶ライト
バルブ方式）のプロジェクション表示装置が提案され、
一部商品化されている。特開昭５９−２３０３８３号公
報では、透過型のアクティブマトリックス基板を利用し
たプロジェクション表示装置が示されているが、面素毎
にスイッチング素子を設ける領域が必要となることから
、画素の有効に光を制御できる領域の割合（開口率）の
点で画素密度に限界がある。プロジェクション表示装置
ではライトバルブを如何に小さくできるかが、光学系、
システムのサイズ及び価格に大きな影響を与えることに
なるので、小型化、高密度化に対応できないアクティブ
マトリックス基板は極めて不利となる。
れているのはＣＲＴを用いた方式であった。ＣＲＴはそ
の背面輝度と解像度を同時に高めることが困難であるた
めに、この方式のプロジェクノゴン表示２置は画面が暗
く、更に大口径投写レンスなどの高価な光学部品がａ・
要となり、また寸法が大きく、重量が重くなるなどの問
題を有している。そこで、近年ＣＲＴ方式に代わるもの
として、液晶を利用したライトバルブ方式（液晶ライト
バルブ方式）のプロジェクション表示装置が提案され、
一部商品化されている。特開昭５９−２３０３８３号公
報では、透過型のアクティブマトリックス基板を利用し
たプロジェクション表示装置が示されているが、面素毎
にスイッチング素子を設ける領域が必要となることから
、画素の有効に光を制御できる領域の割合（開口率）の
点で画素密度に限界がある。プロジェクション表示装置
ではライトバルブを如何に小さくできるかが、光学系、
システムのサイズ及び価格に大きな影響を与えることに
なるので、小型化、高密度化に対応できないアクティブ
マトリックス基板は極めて不利となる。
上記のような透過型の課題を解消するために、スイッチ
ング素子を設ける領域が開口率に影響しない構造の反射
型のアクティブマトリックス基板が検討され始めている
（例えば、１９８９年電子情報通信学会秋季全国大会
Ｃ−３０等）。以下に従来の反射型のアクティブマトリ
ックス基板について説明する。
ング素子を設ける領域が開口率に影響しない構造の反射
型のアクティブマトリックス基板が検討され始めている
（例えば、１９８９年電子情報通信学会秋季全国大会
Ｃ−３０等）。以下に従来の反射型のアクティブマトリ
ックス基板について説明する。
第３図は従来のＴＦＴを用いた反射型のアクティブマト
リックス基板の断面口である。絶縁基板１の表面に走査
線２、ゲー）を極３を設け、走査線２とゲートｔ８ｉ＋
３を覆うごとくゲート絶縁層４を設け、その上に半導体
層５、保護用絶縁層６を設け、信号線７、ドレイン電極
８を順次設け、次にＴＦＴを覆うごとく画素絶縁層９、
画素絶縁層９を介してドレイン電極８と接続されている
画素電極１０を順次設けている。
リックス基板の断面口である。絶縁基板１の表面に走査
線２、ゲー）を極３を設け、走査線２とゲートｔ８ｉ＋
３を覆うごとくゲート絶縁層４を設け、その上に半導体
層５、保護用絶縁層６を設け、信号線７、ドレイン電極
８を順次設け、次にＴＦＴを覆うごとく画素絶縁層９、
画素絶縁層９を介してドレイン電極８と接続されている
画素電極１０を順次設けている。
以上のような構造にすることにより、隣接する画素電極
間を電気的に分離するための隙間を除いた領域をすべて
画素電極として有効に利用することができる。従って、
透過型のアクティブマトリックス基板と比較して開口率
を大幅に高めることができるので、小型化、高密度化に
対応することかできる。また、画素電極がスイッチング
素子を完全に被覆しているため、光電導などによるスイ
ッチング素子の機能の低下を防止することができる。
間を電気的に分離するための隙間を除いた領域をすべて
画素電極として有効に利用することができる。従って、
透過型のアクティブマトリックス基板と比較して開口率
を大幅に高めることができるので、小型化、高密度化に
対応することかできる。また、画素電極がスイッチング
素子を完全に被覆しているため、光電導などによるスイ
ッチング素子の機能の低下を防止することができる。
第４図は反射型のアクティブマトリックス基板を用いた
液晶表示装置の断面構造の概念図である。
液晶表示装置の断面構造の概念図である。
反射型のアクティブマトリックス基板を利用した液晶表
示装置は、透明な共通透明電極１１、光遮蔽層１２を有
する対向基板１３と上述のＴＦＴのようなスイッチング
素子１４と画素電極１０を有するアクティブマトリック
ス基板の間に配向膜１５及び液晶層１６が挟まれた構造
となる。
示装置は、透明な共通透明電極１１、光遮蔽層１２を有
する対向基板１３と上述のＴＦＴのようなスイッチング
素子１４と画素電極１０を有するアクティブマトリック
ス基板の間に配向膜１５及び液晶層１６が挟まれた構造
となる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構造のアクティブマトリック
ス基板では画素電極の表面は平坦であっても、電極自体
の段差が残ることになり、液晶表示装置を構成した場合
、画素電極部分と画素ｉｆ極を電気的に分離するための
隙間の部分では液晶の厚みが異なるため、表示むらを発
生させるという問題へを有していた。
ス基板では画素電極の表面は平坦であっても、電極自体
の段差が残ることになり、液晶表示装置を構成した場合
、画素電極部分と画素ｉｆ極を電気的に分離するための
隙間の部分では液晶の厚みが異なるため、表示むらを発
生させるという問題へを有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、液晶表示
装置の画素の有効開口率の低下を解消するとともに、ア
クティブマトリックス基板の表面に凹凸がないことから
、ラビング等の配向処理の不良発生を解消することので
きるアクティブマトリックス基板と液晶表示装置を提供
することを目的とする。
装置の画素の有効開口率の低下を解消するとともに、ア
クティブマトリックス基板の表面に凹凸がないことから
、ラビング等の配向処理の不良発生を解消することので
きるアクティブマトリックス基板と液晶表示装置を提供
することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明のアクティブマト
リックス基板は、隣接する画素電極の隙間に、画素電極
面と同一の高さまで絶縁層が形成されている。
リックス基板は、隣接する画素電極の隙間に、画素電極
面と同一の高さまで絶縁層が形成されている。
作用
以上のような構造にすることによって、アクティブマト
リックス基板の表面に凹凸がなくなり、液晶表示装置を
構成した場合、液晶層の厚み量が全ての表示領域で一定
になることから、厚みむらに伴う表示むらの発生を防止
することができ、且つ画素電極の段差による影の部分が
ないことから、ラビング等の配向処理による部分的な未
配向不良を防止することができる。
リックス基板の表面に凹凸がなくなり、液晶表示装置を
構成した場合、液晶層の厚み量が全ての表示領域で一定
になることから、厚みむらに伴う表示むらの発生を防止
することができ、且つ画素電極の段差による影の部分が
ないことから、ラビング等の配向処理による部分的な未
配向不良を防止することができる。
実施例
実施例１
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例におけるスイッチング素子と
してＴＦＴを用いたアクティブマトリックス基板の断面
構造を示すものである。第１図において、第３図と同等
もしくは相当部分には同一符号を付して詳細な説明は省
略する。
してＴＦＴを用いたアクティブマトリックス基板の断面
構造を示すものである。第１図において、第３図と同等
もしくは相当部分には同一符号を付して詳細な説明は省
略する。
ＴＦＴを覆うごとく設けた画素絶縁層９の上部に画素電
極１０を設け、隣接する画素電極の隙間に画素電極面と
同一の高さまで絶縁層１７が設けられている。また、画
素電極ＩＯは画素絶縁層９に設けられたコンタクト穴１
８を介してＴＦＴのトレイン電極と接続されている。
極１０を設け、隣接する画素電極の隙間に画素電極面と
同一の高さまで絶縁層１７が設けられている。また、画
素電極ＩＯは画素絶縁層９に設けられたコンタクト穴１
８を介してＴＦＴのトレイン電極と接続されている。
以上のように本実施例によれば、画素電極間に、画素電
極表面と同一の高さまで絶縁層を形成することにより、
アクティブマトリックスＭｕｆｆ表面の凹凸がなくなり
、液晶表示装置を構成した場合、液晶層の厚み量が全て
の表示領域で一定になる事から、厚みむらに起因した表
示むらの発生を防止することができる。
極表面と同一の高さまで絶縁層を形成することにより、
アクティブマトリックスＭｕｆｆ表面の凹凸がなくなり
、液晶表示装置を構成した場合、液晶層の厚み量が全て
の表示領域で一定になる事から、厚みむらに起因した表
示むらの発生を防止することができる。
上記実施例では、スイッチング素子としてＴＦＴを用い
たが、本発明はこれに限定するものではなく、Ｓｉウェ
ハー上に形成したＭＯＳ）ランジスタ等の非線形三端子
素子、ダイオードリング、ＭＩＭ等の非線形二端子も含
まれる。
たが、本発明はこれに限定するものではなく、Ｓｉウェ
ハー上に形成したＭＯＳ）ランジスタ等の非線形三端子
素子、ダイオードリング、ＭＩＭ等の非線形二端子も含
まれる。
隣接する画素電極の隙間に形成する絶縁層を光吸収係数
の高く、不透明な絶縁物で形成すれば、隙間から入射し
、界面の多重反射によってスイッチング素子に照射され
る光による光電導などの効果でスイッチング素子の機能
が低下することを防止することができる。
の高く、不透明な絶縁物で形成すれば、隙間から入射し
、界面の多重反射によってスイッチング素子に照射され
る光による光電導などの効果でスイッチング素子の機能
が低下することを防止することができる。
また、高密度化に伴い画素数が増大するため、アクティ
ブマトリックス基板の歩留りが急激に低下する。各画素
に少なくとも２つのスイッチング素子を形成すると、す
べてのスイッチング素子が同時に欠陥となる確率が極め
て低くなることから、歩留り低下を防止することができ
る。なお欠陥の発生したスイッチング素子をレーザート
リミング笠の修正方法を用いて画素と分離すれば、歩留
りを大幅に改善できることは明らかである。
ブマトリックス基板の歩留りが急激に低下する。各画素
に少なくとも２つのスイッチング素子を形成すると、す
べてのスイッチング素子が同時に欠陥となる確率が極め
て低くなることから、歩留り低下を防止することができ
る。なお欠陥の発生したスイッチング素子をレーザート
リミング笠の修正方法を用いて画素と分離すれば、歩留
りを大幅に改善できることは明らかである。
なお、本実施例では、反射型のアクティブマトリックス
基板の例を示したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、反射型のアクティブマトリックス基板と同様な
構造で画素電極を透明導電性（第１４で形成したような
透過型のアクティブマトリックス基板も含まれる。
基板の例を示したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、反射型のアクティブマトリックス基板と同様な
構造で画素電極を透明導電性（第１４で形成したような
透過型のアクティブマトリックス基板も含まれる。
実施例２
第２同は本発明のアクティブマトリックス基板を用いた
液晶表示装置の断面構造の概念図である。
液晶表示装置の断面構造の概念図である。
第２図において、第４図と同等もしくは相当部分には同
一符号を付して詳細な説明は省略する。アクティブマト
リックス基板の表面に凹凸がないため、液晶層の厚み量
が全ての表示領域で一定値になることから、厚みむらに
伴う表示むらの発生を防止することができ、且つ画素電
極の段差による影の部分がないことから、ラビング等の
配向処理による未配向不良を防止することができること
ば明らかであろう。
一符号を付して詳細な説明は省略する。アクティブマト
リックス基板の表面に凹凸がないため、液晶層の厚み量
が全ての表示領域で一定値になることから、厚みむらに
伴う表示むらの発生を防止することができ、且つ画素電
極の段差による影の部分がないことから、ラビング等の
配向処理による未配向不良を防止することができること
ば明らかであろう。
発明の効果
以上のように本発明はアクティブマトリックス基板にお
いて、隣接する画素電極間に、画素電極面と同一の高さ
まで絶縁層を形成することにより、液晶層の厚みむらに
よる液晶表示装置の画素のを効開口率の低下を解消する
とともに、アクティブマトリックス基板の表面に凹凸が
ないことから、ラビング等の配向処理の不良発生を解消
することができ、液晶表示装置の歩留りを著しく改善で
きるなど、数々の優れた効果を得ることができ、その工
業的、実用的価値は大きい。
いて、隣接する画素電極間に、画素電極面と同一の高さ
まで絶縁層を形成することにより、液晶層の厚みむらに
よる液晶表示装置の画素のを効開口率の低下を解消する
とともに、アクティブマトリックス基板の表面に凹凸が
ないことから、ラビング等の配向処理の不良発生を解消
することができ、液晶表示装置の歩留りを著しく改善で
きるなど、数々の優れた効果を得ることができ、その工
業的、実用的価値は大きい。
第１図は本発明の一実施例におけるＴＦＴのアクティブ
マトリックス基板の断面構造図、第２図は本発明の液晶
表示装置の断面構造を示す概念図、第３図は従来のＴＦ
Ｔのアクティブマトリックス基板の断面構造図、第４図
は従来の液晶表示装置の断面構造を示す概念−である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・走査線、３・
・・・・・ゲート電極、４・・・・・・ゲート絶縁層、
５・・・・・・半導体層、６・・・・・保護用絶縁層、
７・・・・・・信号線、８・・・・・・ドレイン電極、
９・・・・・・画素絶縁層、ｌＯ・・・・・・画素電極
、１１・・・・・共通透明電極、１２・・・・・光遮蔽
層、１３・・・対向基板、１４・・・・・・スイッチン
グ素子、１５・・・・・・配向膜、１６・・・・・・液
晶層、１７・・・・・・絶縁層、１８・・・・・コンタ
クト穴。
マトリックス基板の断面構造図、第２図は本発明の液晶
表示装置の断面構造を示す概念図、第３図は従来のＴＦ
Ｔのアクティブマトリックス基板の断面構造図、第４図
は従来の液晶表示装置の断面構造を示す概念−である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・走査線、３・
・・・・・ゲート電極、４・・・・・・ゲート絶縁層、
５・・・・・・半導体層、６・・・・・保護用絶縁層、
７・・・・・・信号線、８・・・・・・ドレイン電極、
９・・・・・・画素絶縁層、ｌＯ・・・・・・画素電極
、１１・・・・・共通透明電極、１２・・・・・光遮蔽
層、１３・・・対向基板、１４・・・・・・スイッチン
グ素子、１５・・・・・・配向膜、１６・・・・・・液
晶層、１７・・・・・・絶縁層、１８・・・・・コンタ
クト穴。
Claims (5)
- （１）マトリックス状に配列されている画素電極群と、
前記画素電極に信号を供給するためのスイッチング素子
群とを具備したアクティブマトリックス基板であって、
前記画素電極の構造に関し、隣接する画素電極の隙間に
、前記画素電極面と同一の高さまで絶縁層が形成されて
いることを特徴とするアクティブマトリックス基板。 - （２）絶縁層が、光吸収係数の高く、不透明な絶縁物で
形成されていることを特徴とする請求項（１）記載のア
クティブマトリックス基板。 - （３）スイッチング素子が薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＦＴ）等の非線形三端子素子、ダイオードリング、ＭＩ
Ｍ等の非線形二端子素子で形成されていることを特徴と
する請求項（１）記載のアクティブマトリックス基板。 - （４）各画素に少なくとも２つのスイッチング素子が形
成されていることを特徴とする請求項（１）記載のアク
ティブマトリックス基板。 - （５）マトリックス状に配列されている画素電極群と、
前記画素電極に信号を供給するためのスイッチング素子
群とを具備したアクティブマトリックス基板と、液晶を
介して一定の間隔を有して前記基板と対向し、共通電極
を有している基板とで構成されており、前記アクティブ
マトリックス基板が請求項（１）記載の構造を有するこ
とを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007416A JPH03211527A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007416A JPH03211527A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211527A true JPH03211527A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11665265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007416A Pending JPH03211527A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211527A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644370A (en) * | 1992-01-31 | 1997-07-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus with a plural layer connection between the TFT drains and the pixel electrodes |
| JPH1164882A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶パネルおよびその製造方法 |
| KR20010085680A (ko) * | 1999-07-29 | 2001-09-07 | 모리시타 요이찌 | 액정표시장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628560A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-16 | Seiko Epson Corp | アクテイブマトリクスパネル |
| JPS6364023A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Toshiba Corp | 表示装置 |
| JPH01297620A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-11-30 | Casio Comput Co Ltd | 透明電極の形成方法 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP2007416A patent/JPH03211527A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628560A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-16 | Seiko Epson Corp | アクテイブマトリクスパネル |
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| JPH1164882A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶パネルおよびその製造方法 |
| KR20010085680A (ko) * | 1999-07-29 | 2001-09-07 | 모리시타 요이찌 | 액정표시장치 |
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