JPH03209781A - イメージセンサ用光源の製造方法 - Google Patents
イメージセンサ用光源の製造方法Info
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- JPH03209781A JPH03209781A JP2005297A JP529790A JPH03209781A JP H03209781 A JPH03209781 A JP H03209781A JP 2005297 A JP2005297 A JP 2005297A JP 529790 A JP529790 A JP 529790A JP H03209781 A JPH03209781 A JP H03209781A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L2224/49175—Parallel arrangements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、ファクシミリ端末機の原稿読取り等に使用
されるイメージセンサ用の光源の製造方法に関する。
されるイメージセンサ用の光源の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
従来、イメージセンサ用の光源には、ＬＥＤ（発光ダイ
オード）が使用されるが、このＬＥＤはエピタキシャル
成長等のばらつきにより、個々の光出力もばらついてい
る。そこで、第７図に示すうように、複数例えば４個の
ＬＥＤＤＩ〜Ｄ４と光量調整用の抵抗器Ｒとを直列に接
続する方法が多く用いられている。このイメージセンサ
用光源では、絶縁基板に配線パターンを形成して、ＬＥ
Ｄチップをダイボンディングし、ＬＥＤチップと配線パ
ターンをワイヤボンディングしてＬＥＤ４個が直列に接
続される。そして、プローブをあてて実際にＬＥＤチッ
プに電流を流して発光させ、ＬＥＤチップの発光量が最
適となる抵抗値Ｒ０を決定する。このＲ８に最も近い抵
抗値を有するチップ抵抗器Ｒを選択し、これを前記回路
基板上に実装して、４個のＬＥＤチップとチップ抵抗器
Ｒとが直列に接続される。
オード）が使用されるが、このＬＥＤはエピタキシャル
成長等のばらつきにより、個々の光出力もばらついてい
る。そこで、第７図に示すうように、複数例えば４個の
ＬＥＤＤＩ〜Ｄ４と光量調整用の抵抗器Ｒとを直列に接
続する方法が多く用いられている。このイメージセンサ
用光源では、絶縁基板に配線パターンを形成して、ＬＥ
Ｄチップをダイボンディングし、ＬＥＤチップと配線パ
ターンをワイヤボンディングしてＬＥＤ４個が直列に接
続される。そして、プローブをあてて実際にＬＥＤチッ
プに電流を流して発光させ、ＬＥＤチップの発光量が最
適となる抵抗値Ｒ０を決定する。このＲ８に最も近い抵
抗値を有するチップ抵抗器Ｒを選択し、これを前記回路
基板上に実装して、４個のＬＥＤチップとチップ抵抗器
Ｒとが直列に接続される。
しかしながら、チップ抵抗器の抵抗値の種類は、限られ
ているので、ＬＥＤチップの光出力を精度よく調整する
のは困難である。そこで、第６図に示すイメージセンサ
用光源が、すでに本願出願人によりすでに出願されてい
る（実願平１−８７５９０号）。
ているので、ＬＥＤチップの光出力を精度よく調整する
のは困難である。そこで、第６図に示すイメージセンサ
用光源が、すでに本願出願人によりすでに出願されてい
る（実願平１−８７５９０号）。
この先願に係るイメージセンサ用光源を、その製造工程
を追いながら説明する。まず、回路基板上に配線パター
ン１３．１４．１５．１６．１７を形成し、配線パター
ン１６．１７間に跨がるように、それぞれ抵抗値の異な
る抵抗体Ｒ１〜Ｒ４を印刷形成する。配線パターン１５
上にはＬＥＤチップＤ１〜Ｄ４がダイボンディングされ
、ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ４と配線パターン１５．１６と
がワイヤＷでボンディングされて、４個のＬＥＤチップ
Ｄ、〜Ｄ４が直列に接続される。
を追いながら説明する。まず、回路基板上に配線パター
ン１３．１４．１５．１６．１７を形成し、配線パター
ン１６．１７間に跨がるように、それぞれ抵抗値の異な
る抵抗体Ｒ１〜Ｒ４を印刷形成する。配線パターン１５
上にはＬＥＤチップＤ１〜Ｄ４がダイボンディングされ
、ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ４と配線パターン１５．１６と
がワイヤＷでボンディングされて、４個のＬＥＤチップ
Ｄ、〜Ｄ４が直列に接続される。
次にプローブをあてて、ＬＥＤＤＩ〜Ｄ、に電流を流し
て、その光出力が最適となる調整抵抗の値Ｒ０を決定す
る。そして、この調整抵抗値Ｒ０に最も近い値が得られ
るよう、抵抗体Ｒ５〜Ｒ５から１又は２以上のものを選
択し、その抵抗体の位置する配線パターン１７と配線パ
ターン１４とをワイヤＷ°でボンディングする。
て、その光出力が最適となる調整抵抗の値Ｒ０を決定す
る。そして、この調整抵抗値Ｒ０に最も近い値が得られ
るよう、抵抗体Ｒ５〜Ｒ５から１又は２以上のものを選
択し、その抵抗体の位置する配線パターン１７と配線パ
ターン１４とをワイヤＷ°でボンディングする。
このイメージセンサ用光源の製造方法では、抵抗体の組
み合わせ数が多（なり、非常に他種類の合成抵抗値を得
ることができるので、チップ抵抗器を用いる場合に比べ
て、精度良く光出力を調整することができる。
み合わせ数が多（なり、非常に他種類の合成抵抗値を得
ることができるので、チップ抵抗器を用いる場合に比べ
て、精度良く光出力を調整することができる。
（ハ）発明が解決しようとする課題
上記従来のイメージセンサ用光源の製造方法では、抵抗
体Ｒ８〜Ｒ４を形成するには、抵抗体ペーストを回路基
板に印刷し、これを焼成している。従って、回路基板が
高温にさらされるため、回路基板の材質がセラミックや
ガラスに限られてしまうが、これらの材質では加工性が
悪くコストも上昇してしまう問題点があった。また、形
成された抵抗体Ｒ，−Ｒ，を、それぞれ所定の値に調整
するためのトリミングが必要であり、製造工程が複雑化
する問題点もあった。
体Ｒ８〜Ｒ４を形成するには、抵抗体ペーストを回路基
板に印刷し、これを焼成している。従って、回路基板が
高温にさらされるため、回路基板の材質がセラミックや
ガラスに限られてしまうが、これらの材質では加工性が
悪くコストも上昇してしまう問題点があった。また、形
成された抵抗体Ｒ，−Ｒ，を、それぞれ所定の値に調整
するためのトリミングが必要であり、製造工程が複雑化
する問題点もあった。
この発明は、上記に鑑みなされたもので、より加工性に
優れた安価な回路基板の使用が可能で、製造工程の簡略
化された、イメージセンサ用光源の製造方法の提供を目
的としている。
優れた安価な回路基板の使用が可能で、製造工程の簡略
化された、イメージセンサ用光源の製造方法の提供を目
的としている。
（ニ）課題を解決するための手段及び作用上記課題を解
決するため、この発明のイメージセンサ用光源の製造方
法は、絶縁基板上に配線パターンを形成し、この絶縁基
板上にＬＥＤチップと、複数の抵抗体を内蔵し、各抵抗
体を接続するためのパッドを備えてなる抵抗内蔵チップ
とをダイボンディングし、前記ＬＥＤチップと配線パタ
ーンとをワイヤボンディングし、このＬＥＤチップの光
出力が最適となる抵抗値が得られるよう、前記抵抗内蔵
チップの１又は２以上の抵抗体を選択して、これら抵抗
体のパッドと前記配線パターンとをワイヤボンディング
し、前記ＬＥＤチップと抵抗体とを接続するものである
。
決するため、この発明のイメージセンサ用光源の製造方
法は、絶縁基板上に配線パターンを形成し、この絶縁基
板上にＬＥＤチップと、複数の抵抗体を内蔵し、各抵抗
体を接続するためのパッドを備えてなる抵抗内蔵チップ
とをダイボンディングし、前記ＬＥＤチップと配線パタ
ーンとをワイヤボンディングし、このＬＥＤチップの光
出力が最適となる抵抗値が得られるよう、前記抵抗内蔵
チップの１又は２以上の抵抗体を選択して、これら抵抗
体のパッドと前記配線パターンとをワイヤボンディング
し、前記ＬＥＤチップと抵抗体とを接続するものである
。
この発明のイメージセンサ用光源の製造方法は、予め抵
抗体の形成された抵抗内蔵チ・ンプをそのままダイボン
ディングしているので、従来のように抵抗体を高温で焼
成する必要がなくなり、回路基板にガラスエポキシ基板
等、安価で加工性に優れたものを使用することができる
。
抗体の形成された抵抗内蔵チ・ンプをそのままダイボン
ディングしているので、従来のように抵抗体を高温で焼
成する必要がなくなり、回路基板にガラスエポキシ基板
等、安価で加工性に優れたものを使用することができる
。
また、抵抗体のトリミング調整を行う必要もないので、
製造工程の簡略化を図ることができる。
製造工程の簡略化を図ることができる。
（ホ）実施例
この発明の一実施例を第１図乃至第５図に基づいて以下
に説明する。
に説明する。
この実施例に係るイメージセンサ用光源は、ＬＥＤを４
つずつ直列に接続して１ブロツクとし、各ブロックの光
出力を抵抗内蔵チップにより調整するものである。
つずつ直列に接続して１ブロツクとし、各ブロックの光
出力を抵抗内蔵チップにより調整するものである。
第１図は、実施例に係るイメージセンサ光源の印刷回路
基板２の配線パターンの一部を示している。この印刷回
路基板２は、第４図に示すように帯状のもので、印刷回
路基板自体の材質としては、安価で加工性にすぐれたガ
ラスエポキシを使用するが、セラミックやガラス等を用
いることもできる。
基板２の配線パターンの一部を示している。この印刷回
路基板２は、第４図に示すように帯状のもので、印刷回
路基板自体の材質としては、安価で加工性にすぐれたガ
ラスエポキシを使用するが、セラミックやガラス等を用
いることもできる。
印刷回路基板２上に形成される配線パターンは、アノー
ド電極３、カソード電極４、ＬＥＤ用パターン５−４．
５４．５−３．５−１、ワイヤボンディング用パターン
６、抵抗内蔵チップ用パターン７により構成されている
。ＬＥＤ用パターン５−１．５−２．５−３．５−４、
ワイヤボンディング用パターン６、抵抗内蔵チップ用パ
ターン７は、各ブロックごとに設けられており、ＬＥＤ
用パターン５−。
ド電極３、カソード電極４、ＬＥＤ用パターン５−４．
５４．５−３．５−１、ワイヤボンディング用パターン
６、抵抗内蔵チップ用パターン７により構成されている
。ＬＥＤ用パターン５−１．５−２．５−３．５−４、
ワイヤボンディング用パターン６、抵抗内蔵チップ用パ
ターン７は、各ブロックごとに設けられており、ＬＥＤ
用パターン５−。
はアノード電極３と一体となっている。
次に、ＬＥＤ用パターン５−１．５４．５−３．５−４
上にはそれぞれＬＥＤチップＤ１１Ｄ２、Ｄ３Ｄ４がダ
イボンディングされる。また抵抗内蔵チップ用パターン
７上には、抵抗内蔵チップ８がダイボンデ・インタされ
る。抵抗内蔵チップ８は、第２図に示すように、シリコ
ンチップ８ａ上に拡散抵抗Ｒ８〜Ｒ，を形成し、これら
拡散抵抗Ｒ，〜Ｒ６の一端をアルミニウム配線８ｂで電
気的に接続している。従って、拡散抵抗Ｒ１〜Ｒ４は第
３図に示すように並列に接続されている。拡散抵抗Ｒ１
〜Ｒ，の他端及び前記配線８ｂにはパッド８ｃ、・・・
、８ｃ、８ｄが形成されている。
上にはそれぞれＬＥＤチップＤ１１Ｄ２、Ｄ３Ｄ４がダ
イボンディングされる。また抵抗内蔵チップ用パターン
７上には、抵抗内蔵チップ８がダイボンデ・インタされ
る。抵抗内蔵チップ８は、第２図に示すように、シリコ
ンチップ８ａ上に拡散抵抗Ｒ８〜Ｒ，を形成し、これら
拡散抵抗Ｒ，〜Ｒ６の一端をアルミニウム配線８ｂで電
気的に接続している。従って、拡散抵抗Ｒ１〜Ｒ４は第
３図に示すように並列に接続されている。拡散抵抗Ｒ１
〜Ｒ，の他端及び前記配線８ｂにはパッド８ｃ、・・・
、８ｃ、８ｄが形成されている。
ＬＥＤチップＤ＋ 、Ｄｔ 、Ｄｓ 、Ｄａは、それぞ
れ配線パターン５−２．５−３．５−４．６とワイヤＷ
でボンディングされる。これにより、第３図に示すよう
に、ＬＥＤチップＤｒ 、Ｄｚ 、Ｄ３ 、Ｄａが直列
に接続される。
れ配線パターン５−２．５−３．５−４．６とワイヤＷ
でボンディングされる。これにより、第３図に示すよう
に、ＬＥＤチップＤｒ 、Ｄｚ 、Ｄ３ 、Ｄａが直列
に接続される。
この状態でプローブ（図示せず）をあて、実際にＬＥＤ
チップＤ＋ 、Ｄｔ 、Ｄ：＋ 、Ｄａを発光させ、そ
の光出力を測定する。そして光出力が最適値となるよう
な、調整抵抗の値Ｒｏを決定し、この調整抵抗の値Ｒ０
に最も小さい合成抵抗が得られるよう、前記抵抗体Ｒ７
〜Ｒ６の内から１又は２以上のものを選択する。そして
、これら選択された抵抗体のパッド８ｃとカソード電極
４、及びパッド８ｄとワイヤボンディング用パターン６
とをワイヤＷ°でボンディングする。抵抗体の組み合わ
せは多数あるので、細かい抵抗値の調整が可能であり、
ＬＥＤチップＤＩ 、Ｄ２ 、Ｄ３、Ｄ。
チップＤ＋ 、Ｄｔ 、Ｄ：＋ 、Ｄａを発光させ、そ
の光出力を測定する。そして光出力が最適値となるよう
な、調整抵抗の値Ｒｏを決定し、この調整抵抗の値Ｒ０
に最も小さい合成抵抗が得られるよう、前記抵抗体Ｒ７
〜Ｒ６の内から１又は２以上のものを選択する。そして
、これら選択された抵抗体のパッド８ｃとカソード電極
４、及びパッド８ｄとワイヤボンディング用パターン６
とをワイヤＷ°でボンディングする。抵抗体の組み合わ
せは多数あるので、細かい抵抗値の調整が可能であり、
ＬＥＤチップＤＩ 、Ｄ２ 、Ｄ３、Ｄ。
の光出力を精度よく調整することが可能である。
各ブロック図について、ワイヤＷ゛のボンディングが終
われば、ＬＥＤチップＤ０、・・・、Ｄ、及び抵抗内蔵
チップ８を樹脂（図示せず）で被覆して保護する。
われば、ＬＥＤチップＤ０、・・・、Ｄ、及び抵抗内蔵
チップ８を樹脂（図示せず）で被覆して保護する。
最後に、第４図及び第５図に示すように、印刷回路基板
２に、カバー９をビス１１で取り付ける。
２に、カバー９をビス１１で取り付ける。
カバー９は、プラスチックレンズＩＯを備えており、Ｌ
ＥＤチップＤ１１・・・、Ｄａの光の、原稿面における
照度が確保される。
ＥＤチップＤ１１・・・、Ｄａの光の、原稿面における
照度が確保される。
なお、この実施例では、６個の抵抗体の内から１又は２
以上のものを選択し、これらを並列に接続するようにし
ているが、１つの抵抗内蔵チップ内の抵抗体の数は６個
に限定されるものではなく、また選択された抵抗体を直
列に接続する構成とすることもできる。
以上のものを選択し、これらを並列に接続するようにし
ているが、１つの抵抗内蔵チップ内の抵抗体の数は６個
に限定されるものではなく、また選択された抵抗体を直
列に接続する構成とすることもできる。
また、各ブロックのＬＥＤ数も４個に限定されるもので
はなく適宜設計変更可能である。
はなく適宜設計変更可能である。
（へ）発明の詳細
な説明したように、この発明のイメージセンサ用光源の
製造方法は、絶縁基板上に配線パターンを形成し、この
絶縁基板上にＬＥＤチップと、複数の抵抗体を内蔵し、
各抵抗体を接続するためのパッドを備えてなる抵抗内蔵
チップとをダイボンディングし、前記ＬＥＤチップと配
線パターンとをワイヤボンディングし、このＬＥＤチッ
プの光出力が最適となる抵抗値が得られるよう、前記抵
抗内蔵チップの１又は２以上の抵抗体を選択して、これ
ら抵抗体のパッドと前記配線パターンとをワイヤボンデ
ィングし、前記ＬＥＤチップと抵抗体とを接続するもの
であるから、ガラスエポキシ基板など、安価で加工性に
優れた絶縁基板が使用できる利点を有すると共に、製造
工程を簡略化できる利点も有している。
製造方法は、絶縁基板上に配線パターンを形成し、この
絶縁基板上にＬＥＤチップと、複数の抵抗体を内蔵し、
各抵抗体を接続するためのパッドを備えてなる抵抗内蔵
チップとをダイボンディングし、前記ＬＥＤチップと配
線パターンとをワイヤボンディングし、このＬＥＤチッ
プの光出力が最適となる抵抗値が得られるよう、前記抵
抗内蔵チップの１又は２以上の抵抗体を選択して、これ
ら抵抗体のパッドと前記配線パターンとをワイヤボンデ
ィングし、前記ＬＥＤチップと抵抗体とを接続するもの
であるから、ガラスエポキシ基板など、安価で加工性に
優れた絶縁基板が使用できる利点を有すると共に、製造
工程を簡略化できる利点も有している。
第１図は、この発明の一実施例に係るイメージセンサ用
光源の印刷回路基板上の配線パターンを説明する図、第
２図は、この実施例に適用される抵抗内蔵チップの拡大
平面図、第３図は、実施例イメージセンサ用光源の等価
回路を１ブロツクについて示す図、第４図及び第５図は
、それぞれ同イメージセンサ用光源の外観平面図及び外
観側面図、第６図は、先順に係るイメージセンサ用光源
の印刷回路基板上の配線パターンを説明する図、第７図
は、従来のイメージセンサ用光源の等価回路図である。 ２：印刷回路基板、 ３ニアノード電極、４：カ
ソード電極、 ５−１・５−２・５−３・５．：ＬＥＤ用パターン、６
：ワイヤボンディング用パターン、 ７：抵抗内蔵チップ用パターン、 ８：抵抗内蔵チップ、 ８ｃ・８ｄ・ ：バッド、 Ｒ＋ ・・・・・Ｒ６：抵抗体。
光源の印刷回路基板上の配線パターンを説明する図、第
２図は、この実施例に適用される抵抗内蔵チップの拡大
平面図、第３図は、実施例イメージセンサ用光源の等価
回路を１ブロツクについて示す図、第４図及び第５図は
、それぞれ同イメージセンサ用光源の外観平面図及び外
観側面図、第６図は、先順に係るイメージセンサ用光源
の印刷回路基板上の配線パターンを説明する図、第７図
は、従来のイメージセンサ用光源の等価回路図である。 ２：印刷回路基板、 ３ニアノード電極、４：カ
ソード電極、 ５−１・５−２・５−３・５．：ＬＥＤ用パターン、６
：ワイヤボンディング用パターン、 ７：抵抗内蔵チップ用パターン、 ８：抵抗内蔵チップ、 ８ｃ・８ｄ・ ：バッド、 Ｒ＋ ・・・・・Ｒ６：抵抗体。
Claims (1)
- （１）絶縁基板上に配線パターンを形成し、この絶縁基
板上にＬＥＤチップと、複数の抵抗体を内蔵し、各抵抗
体を接続するためのパッドを備えてなる抵抗内蔵チップ
とをダイボンディングし、前記ＬＥＤチップと配線パタ
ーンとをワイヤボンディングし、このＬＥＤチップの光
出力が最適となる抵抗値が得られるよう、前記抵抗内蔵
チップの１又は２以上の抵抗体を選択して、これら抵抗
体のパッドと前記配線パターンとをワイヤボンディング
し、前記ＬＥＤチップと抵抗体とを接続するイメージセ
ンサ用光源の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005297A JP2650236B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | Ｌｅｄアレイ光源の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005297A JP2650236B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | Ｌｅｄアレイ光源の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209781A true JPH03209781A (ja) | 1991-09-12 |
| JP2650236B2 JP2650236B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=11607315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005297A Expired - Lifetime JP2650236B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | Ｌｅｄアレイ光源の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2650236B2 (ja) |
Cited By (11)
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| JP2009111346A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Cree Inc | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 |
| US7997760B2 (en) | 2005-06-07 | 2011-08-16 | Fujikura Ltd. | Enamel substrate for mounting light emitting elements, light emitting element module, illumination apparatus, display apparatus, and traffic signal |
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1990
- 1990-01-11 JP JP2005297A patent/JP2650236B2/ja not_active Expired - Lifetime
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