JPH03209715A - レジスト現像方法 - Google Patents
レジスト現像方法Info
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- JPH03209715A JPH03209715A JP397690A JP397690A JPH03209715A JP H03209715 A JPH03209715 A JP H03209715A JP 397690 A JP397690 A JP 397690A JP 397690 A JP397690 A JP 397690A JP H03209715 A JPH03209715 A JP H03209715A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概 要〕
レジスト現像方法、特にレジスト現像後の被処理基板の
洗浄方法に関し、 現像後の洗浄工程におけるレジスト表面の帯電量を減少
させて微細なごみの除去を、より完全にすることを目的
とし、 薬液による現像、純水による洗浄、アルコールと水の混
液による洗浄、乾燥を順次行う工程を有して構成される
。
洗浄方法に関し、 現像後の洗浄工程におけるレジスト表面の帯電量を減少
させて微細なごみの除去を、より完全にすることを目的
とし、 薬液による現像、純水による洗浄、アルコールと水の混
液による洗浄、乾燥を順次行う工程を有して構成される
。
〔産業上の利用分野］
本発明はレジスト現像方法、特にレジスト現像後の被処
理基板の洗浄方法に関する。
理基板の洗浄方法に関する。
半導体装置の高集積化のためにパターンが微細化される
に伴って、パターン形成時のごみの存在は、その製造歩
留りや信頼性を大幅に低下せしめる原因になってきてお
り、レジスト現像工程におけるごみの除去は重要な課題
になっている。
に伴って、パターン形成時のごみの存在は、その製造歩
留りや信頼性を大幅に低下せしめる原因になってきてお
り、レジスト現像工程におけるごみの除去は重要な課題
になっている。
従来、レジスト膜の現像は、以下にパドル方式の例につ
いて、第２図（ａ）〜（ｄ）に示す模式１程図を参照し
て説明する方法によって行われていた。
いて、第２図（ａ）〜（ｄ）に示す模式１程図を参照し
て説明する方法によって行われていた。
第２図（ａ）参照
即ち、レジスト膜２の塗布、露光を終わった半導体基板
１を回転可能な真空チャック３上に固定し、先ず半導体
基板１の中心上に誘導された現像ノズル４から現像液５
を滴下し、チャック３を低速で短時間回転させて現像液
５を基板の全面上に行き渡らせ、且つ表面張力によって
盛る。
１を回転可能な真空チャック３上に固定し、先ず半導体
基板１の中心上に誘導された現像ノズル４から現像液５
を滴下し、チャック３を低速で短時間回転させて現像液
５を基板の全面上に行き渡らせ、且つ表面張力によって
盛る。
第２図（ロ）参照
次いで、チャック３の回転を停止し、基板上に盛られた
現像液５により所定の時間レジスト膜２の現像を行う。
現像液５により所定の時間レジスト膜２の現像を行う。
６はレジストが除去された開孔を示す。
第２図（Ｃ）参照
次いで、チャック３を中速で回転し現像液５を振り跳ば
した後、基板ｌの中心上に誘導した水洗ノズル７から純
水８を注下し現像液５を洗い落とす。
した後、基板ｌの中心上に誘導した水洗ノズル７から純
水８を注下し現像液５を洗い落とす。
第２図（ｄ）参照
次いで、所定の時間水洗を行った後、純水８の注下を停
止し、チャック３を高速に回転して基板のスピン乾燥を
行う方法である。
止し、チャック３を高速に回転して基板のスピン乾燥を
行う方法である。
しかし上記従来の方法によると、レジスト現像時に発生
したレジストのかけらや、空中に浮遊していて付着した
ごみ等の中、比較的大きなごみは除去し易いが、１μｍ
以下程度の細かいごみは、前記水洗工程における高絶縁
性を有するレジスト膜２と純水８の相互摩擦等によって
帯電するレジスト膜２の表面に静電的に付着し、この水
洗工程のみでは除去しきれず、その促成のエツチング工
程に送られて、バターニングの精度及び歩留りを低下せ
しめるという問題があった。
したレジストのかけらや、空中に浮遊していて付着した
ごみ等の中、比較的大きなごみは除去し易いが、１μｍ
以下程度の細かいごみは、前記水洗工程における高絶縁
性を有するレジスト膜２と純水８の相互摩擦等によって
帯電するレジスト膜２の表面に静電的に付着し、この水
洗工程のみでは除去しきれず、その促成のエツチング工
程に送られて、バターニングの精度及び歩留りを低下せ
しめるという問題があった。
そこで本発明は、現像後の洗浄工程におけるレジスト表
面の帯電量を減少させて微細なごみの除去を、より完全
にすることを目的とする。
面の帯電量を減少させて微細なごみの除去を、より完全
にすることを目的とする。
上記課題は、薬液による現像、純水による洗浄、アルコ
ールと水の混液による洗浄、乾燥を順次行う工程を有す
る本発明によるレジスト現像方法によって解決される。
ールと水の混液による洗浄、乾燥を順次行う工程を有す
る本発明によるレジスト現像方法によって解決される。
即ち本発明の方法においては、現像後の最終洗浄をアル
コールと純水との混液によって行う。
コールと純水との混液によって行う。
純水にアルコールを混入すると界面活性効果によりレジ
ストに対する摩擦係数が低下し、レジストと洗浄液の摩
擦によるレジスト表面の帯電量が減少する。また、アル
コールの解離によって純水の電気伝導度が増すため、洗
浄液を介してレジスト表面の電荷の放電が行われ、これ
によってレジスト表面の帯電量は減少する。以上の理由
によりこの洗浄工程以前に静電的に付着した微細なごみ
が容易に除去され、且つこの洗浄中に静電的に付着する
ごみの量も減少するので、本発明に係る現像工程を完了
し、次工程に送られる基板上に付着している微細なごみ
の量は、従来に比べ大幅に減少する。
ストに対する摩擦係数が低下し、レジストと洗浄液の摩
擦によるレジスト表面の帯電量が減少する。また、アル
コールの解離によって純水の電気伝導度が増すため、洗
浄液を介してレジスト表面の電荷の放電が行われ、これ
によってレジスト表面の帯電量は減少する。以上の理由
によりこの洗浄工程以前に静電的に付着した微細なごみ
が容易に除去され、且つこの洗浄中に静電的に付着する
ごみの量も減少するので、本発明に係る現像工程を完了
し、次工程に送られる基板上に付着している微細なごみ
の量は、従来に比べ大幅に減少する。
以下本発明を、第１図（ａ）〜（ｅ）に示す模式１程図
を参照し、一実施例について具体的に説明する。
を参照し、一実施例について具体的に説明する。
第１図（ａ）参照
本発明を適用したパドル方式のレジスト現像方法におい
ては、先ず従来と同様に、露光を完了した例えばポジレ
ジスト膜２を有する半導体基板１を、回転可能な真空チ
ャック３上に吸引固着し、現像ノズル４から所定の現像
液５を滴下しつつ、真空チャック３を５０Ｏｒ、ｐ、ｍ
以下の速度で２〜３ｓｅｃ程度回転し、現像液５を基板
１上を覆うレジスト膜２の全面上に行き渡らせた後、チ
ャック３を停止し、更に現像液５の滴下を継続して現像
液５をレジスト膜２の全面上に表面張力で盛り上げ現像
液５の滴下を停止する。そしてノズル４を退避させる。
ては、先ず従来と同様に、露光を完了した例えばポジレ
ジスト膜２を有する半導体基板１を、回転可能な真空チ
ャック３上に吸引固着し、現像ノズル４から所定の現像
液５を滴下しつつ、真空チャック３を５０Ｏｒ、ｐ、ｍ
以下の速度で２〜３ｓｅｃ程度回転し、現像液５を基板
１上を覆うレジスト膜２の全面上に行き渡らせた後、チ
ャック３を停止し、更に現像液５の滴下を継続して現像
液５をレジスト膜２の全面上に表面張力で盛り上げ現像
液５の滴下を停止する。そしてノズル４を退避させる。
第１図（６）参照
次いで、チャック３の回転を停止した状態で、上部に盛
られた現像液５により例えば４０〜９０ｓｅｃ程度レジ
スト膜２の現像を行う。６は現像によりレジストの除去
された開孔を示す。
られた現像液５により例えば４０〜９０ｓｅｃ程度レジ
スト膜２の現像を行う。６は現像によりレジストの除去
された開孔を示す。
第１図（Ｃ）参照
次いでチャック３を５０Ｏｒ、ｐ、ｍ程度の速度で回転
して現像液５を飛散除去せしめた後、チャック３を続け
て５００ｒ、ｐ、ｍ程度の速度で回転させながら、基板
１の中心部上に誘導した水洗ノズル７から純水８を注下
して３０〜６０ｓｅｃ程度純水洗浄を行う。その後、純
水８を停止し、ノズル７を退避させる。なお上記純水洗
浄に際し、専用のリンス液が用いられることもある。
して現像液５を飛散除去せしめた後、チャック３を続け
て５００ｒ、ｐ、ｍ程度の速度で回転させながら、基板
１の中心部上に誘導した水洗ノズル７から純水８を注下
して３０〜６０ｓｅｃ程度純水洗浄を行う。その後、純
水８を停止し、ノズル７を退避させる。なお上記純水洗
浄に際し、専用のリンス液が用いられることもある。
第１図（ｄ）参照
上記従来同様の水洗工程が終わった後本発明の方法にお
いては、基板ｌの中心部上に誘導したアルコール洗浄ノ
ズル９から容量比で１０％程度のイソプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）を含んだ純水、即ち１０％ＩＰＡ水溶液１
０を注下しチ’ｒａｙりを５０Ｏｒ、ｐ、ｍ程度の速度
で回転させながら２０〜３０ｓｅｃ程度洗浄を行う。そ
して洗浄終了の後、ノズル９を退避させる。
いては、基板ｌの中心部上に誘導したアルコール洗浄ノ
ズル９から容量比で１０％程度のイソプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）を含んだ純水、即ち１０％ＩＰＡ水溶液１
０を注下しチ’ｒａｙりを５０Ｏｒ、ｐ、ｍ程度の速度
で回転させながら２０〜３０ｓｅｃ程度洗浄を行う。そ
して洗浄終了の後、ノズル９を退避させる。
第１図（ｅ）参照
次いで従来通り、チャックを３００Ｏｒ、ｐ、ｍ程度の
高速で回転させながら４０〜６０ｓｅｃ程度スピン乾燥
を行い本発明に係るレジスト現像は完了する。
高速で回転させながら４０〜６０ｓｅｃ程度スピン乾燥
を行い本発明に係るレジスト現像は完了する。
上記実施例により現像、水洗、アルコール水溶液洗浄、
スピン乾燥を完了したレジスト膜２を有する６インチ基
板上の０．３μｍ以上のごみの数は、ウェーハ表面検査
装置で検査した結果、従来のレジスト現像方法によるも
のの１／２〜２／３に減少することが確認されている。
スピン乾燥を完了したレジスト膜２を有する６インチ基
板上の０．３μｍ以上のごみの数は、ウェーハ表面検査
装置で検査した結果、従来のレジスト現像方法によるも
のの１／２〜２／３に減少することが確認されている。
ナオアルコール水溶液に用いるアルコールは、上記実施
例に示すイソプロピルアルコールに限られるものではな
く、メチルアルコール、エチルアルコールでも類（以の
効果を得ることができる。
例に示すイソプロピルアルコールに限られるものではな
く、メチルアルコール、エチルアルコールでも類（以の
効果を得ることができる。
またアルコールの濃度は容量比で１０〜５０％の範囲を
用いることができる。
用いることができる。
また、本発明の方法はパドル現像に限らず、スプレィ現
像、デイツプ現像にも適用され、更にネガレジストの現
像にも勿論適用される。
像、デイツプ現像にも適用され、更にネガレジストの現
像にも勿論適用される。
以上説明のように本発明によれば、レジスト現像を完了
し、次工程に送られる被処理基板上に付着する微細なご
みの量を大幅に減少できるので、半導体装置の製造工程
において歩留り及び信鯨性の向上に寄与するところが大
きい。
し、次工程に送られる被処理基板上に付着する微細なご
みの量を大幅に減少できるので、半導体装置の製造工程
において歩留り及び信鯨性の向上に寄与するところが大
きい。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の方法の一実施例の工程
模式図、 第２図は（ａ）〜（ｄ）は従来方法の工程模式図である
。 図において、 ■は半導体基板、 ２はポジレジスト膜、 ３は真空チャック、 ４は現像ノズル、 ５は現像液、 ６はレジスト膜の開孔、 ７は水洗ノズル、 ８は純水、 ９はアルコール洗浄ノズル、 １０は１０％ＩＰＡ水溶液 を示す。 〈ミ ド ・＋ム Ａ（臂 日月ｎ方ｊ大の一１Ｃ施イタ伸］二程損Ｊ（図
不発ロ月の方３大ダー実施發・１の二メを狽氏面戸 図彰 の ２） 従来方法の工程濠式図 葛 図
模式図、 第２図は（ａ）〜（ｄ）は従来方法の工程模式図である
。 図において、 ■は半導体基板、 ２はポジレジスト膜、 ３は真空チャック、 ４は現像ノズル、 ５は現像液、 ６はレジスト膜の開孔、 ７は水洗ノズル、 ８は純水、 ９はアルコール洗浄ノズル、 １０は１０％ＩＰＡ水溶液 を示す。 〈ミ ド ・＋ム Ａ（臂 日月ｎ方ｊ大の一１Ｃ施イタ伸］二程損Ｊ（図
不発ロ月の方３大ダー実施發・１の二メを狽氏面戸 図彰 の ２） 従来方法の工程濠式図 葛 図
Claims (1)
- 薬液による現像、純水による洗浄、アルコールと水の
混液による洗浄、乾燥を順次行う工程を有することを特
徴とするレジスト現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP397690A JPH03209715A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | レジスト現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP397690A JPH03209715A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | レジスト現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209715A true JPH03209715A (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=11572088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP397690A Pending JPH03209715A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | レジスト現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03209715A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1090817C (zh) * | 1995-06-26 | 2002-09-11 | 现代电子产业株式会社 | 在半导体器件上形成微细图形的方法 |
| WO2002073677A1 (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and evaporating solution for rinsing a developed photoresist layer |
| JP2008034779A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2008085164A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2011009537A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
| US7964042B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-06-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP397690A patent/JPH03209715A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1090817C (zh) * | 1995-06-26 | 2002-09-11 | 现代电子产业株式会社 | 在半导体器件上形成微细图形的方法 |
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| US6660459B2 (en) | 2001-03-14 | 2003-12-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for developing a photoresist layer with reduced pattern collapse |
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| US8696825B2 (en) | 2006-09-28 | 2014-04-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method |
| US9431276B2 (en) | 2006-09-28 | 2016-08-30 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US7964042B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-06-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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| US8617656B2 (en) | 2009-06-26 | 2013-12-31 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
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