CN110444466A - 光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法及装置 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 210000003141 lower extremity Anatomy 0.000 claims abstract description 38
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 27
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 22
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 abstract description 9
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 abstract description 8
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 241001282153 Scopelogadus mizolepis Species 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- -1 material Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法及装置，该方法包括，步骤S1：提供一光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置，将晶圆载入光刻胶涂布设备中，在晶圆上涂覆光刻胶并旋转晶圆，使得晶圆上形成具有预设厚度的光刻胶涂覆层；步骤S2：将晶圆放置于支撑盘内，支撑盘在旋转臂的带动下匀速旋转；步骤S3：开启上边缘清洗喷嘴、第一侧缘清洗喷嘴及第一下边缘清洗喷嘴于冲洗晶圆边缘。本清洗方法及装置能够较好的去除晶圆表面的污染物，避免了污染物的残留对后续半导体器件性能的影响，提高了半导体器件的良率。
Description
技术领域
本发明属于半导体集成电路制造领域，特别涉及晶圆表面清洗，尤其涉及一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法及装置。
背景技术
在半导体制程过程中，光刻是其中的一个非常重要的步骤。光刻的本质就是将电路结构复制到以后要进行刻蚀步骤及离子注入步骤的晶圆底层薄膜上。在进行光刻过程中，在晶圆衬底上涂敷抗反射涂层，用于防止晶圆衬底的光反射；然后再涂敷光刻胶层后，进行曝光，在光刻胶层形成图案后，按照该图案对晶圆衬底进行刻蚀或离子注入。
但是，这种光刻技术随着半导体器件的特征尺寸减小，在曝光后对晶圆衬底进行刻蚀或离子注入时在光刻胶层形成的图案会倒坍，及刻蚀选择比达不到半导体器件的特征尺寸的要求，导致所制作的半导体器件性能下降。
为了提高对晶圆的光刻精度，可以采用浸没式光刻方法，浸没式光刻方法就是使扫描头和晶圆边缘表面之间通过浸没液进行相互作用，进行光刻。
为了采用浸没式光刻方法对晶圆进行光刻，晶圆衬底上涂覆有底部防反射涂层、含硅的底部防反射涂层、光刻胶涂层及顶部涂层。
其中，晶圆衬底上的底部防反射涂层采用的涂层材料为有机绝缘材料，该底部防反射涂层作为吸光层，减小晶圆衬底的光反射；含硅的底部防反射涂层为掺杂硅的有机绝缘材料，覆盖在底部防反射涂层上，用于提高底部防反射涂层对于光刻胶涂层的刻蚀选择比；光刻胶涂层覆盖在含硅的底部防反射涂层上，用于通过曝光进行图案化；顶部涂层覆盖在光刻胶涂层上，用于在采用浸没式光刻的过程中，对光刻胶涂层进行图案化时防止光刻胶涂层出现残留颗粒而随着浸没液在晶圆表面移动，造成晶圆缺陷。
由于晶圆衬底上面几个涂层都是分别采用旋涂敷工艺形成的，所以在形成晶圆衬底上面几个涂层的过程中，旋转晶圆的离心力会使上面几个涂层在旋转涂敷时的涂层材料流动并流到晶圆衬底边缘及背面，即在晶圆衬底边缘及背面形成***。在后续浸没式光刻步骤时，晶圆衬底的边缘及背面***的涂层材料就会脱落并产生颗粒，这些颗粒可能随着浸没液落在最终形成器件的有源区、硅片传送***和工艺设备中，导致晶圆缺陷密度增加，最终导致形成器件的缺陷。
为了克服上述问题，需要进行光刻胶(PR)的边缘去除(edge bead removal，EBR)工艺，从而能够尽可能的清洁晶圆边缘。晶圆边缘清洗工艺，是使用喷嘴在晶圆边缘喷洒溶剂，用以去除在晶圆背面清洗时溶剂从背面侵蚀到晶圆上表面边缘所产生的缺陷(defect)。具体地，EBR方法可以分为化学EBR方法及光学EBR方法。
其中，化学EBR方法的过程为：在晶圆衬底上旋转涂敷某一涂层时，装配一喷嘴，在旋转的晶圆衬底边缘侧喷出少量去边溶剂，由去边溶剂去除晶圆衬底边缘及背面***的涂层材料。
光学EBR方法的过程为：采用激光曝光晶圆衬底的边缘后，软化了光刻胶涂层并使光刻胶涂层的边缘及晶圆衬底背面***的光刻胶涂层的涂层材料在正常显影步骤中或设置的喷嘴在旋转的晶圆衬底边缘侧喷出的去边溶剂去除。典型的去边溶剂为丙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐(PGMEA)或者乙烯二醇一甲胺以太醋酸盐(EGMEA)。
在光刻胶旋涂过程中，还可以进行背面光刻胶去除工艺(backside rinse，BSR)，以去除晶圆背部边缘的光刻胶，其主要通过化学方法和光学方法进行去除，但是，对于一些特殊的光刻胶涂覆层，如底部抗反射层(BARC)很难通过现有的方式去除，对此，也进行了大量的研究与实践，如有的通过改变光刻胶的组成(Replace resist content)来解决上述清洗不干净的问题，但这种做法会导致关键工艺制程发生改变；还有的通过改变清洗液的材料来解决上述问题，但这种做法又会使清洗液的设备发生改变。
因此，提供一种对其他设备改变最小且能最大效果地改善晶圆边缘光刻胶残留的设备及方法，用于解决光刻胶涂覆过程中的晶边缺陷的问题实属必要。
专利(公开号：CN104078352B)公开了一种晶圆清洗方法以及晶圆清洗装置，该发明使用硫酸与双氧水容易引起环境污染，影响操作人身体健康，不利于大规模推广。
专利(公开号：CN102569010A)公开了一种晶圆清洗装置，该晶圆清洗装置包括清洗槽、晶圆固定架、多个内侧喷嘴和多个外侧喷嘴，该晶圆固定架设置在该清洗槽中用于支撑待清洗的晶圆，该多个内侧喷嘴和该多个外侧喷嘴设置在该清洗槽的底部，该多个内侧喷嘴和该多个外侧喷嘴的方向与该晶圆表面不平行，该发明结构复杂，操作繁琐，不利于大规模推广。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：现有技术中，晶圆涂覆光刻胶后进行晶圆边缘清洗，晶圆边缘部分清洁的不彻底，存在较严重缺陷，影响产品良率及后续制程。为实现上述技术目的，本发明采取的具体的技术方案为：
一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法，包括如下步骤：
步骤S1：提供一光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置，包括基座、工作平台及旋杯，所述基座上连接旋转臂，所述旋转臂上设置有支撑盘，所述支撑盘用于承载并固定晶圆，所述旋杯环绕所述支撑盘，且所述旋杯不与所述支撑盘接触，在所述工作平台内对应所述晶圆的上表面处设置有上边缘清洗喷嘴、对应所述晶圆的侧缘处设置有第一侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的下表面处设置有第一下边缘清洗喷嘴，其中所述第一侧缘清洗喷嘴设置在所述旋杯的顶部内侧，所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向和所述第一下边缘清洗喷嘴的喷洗方向之间的内夹角间，用于清洗所述晶圆的侧缘，所述第一侧缘清洗喷嘴工作时与所述晶圆保持同一水平高度，所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述晶圆的中心点，S1步骤包括：将所述晶圆载入光刻胶涂布设备中，在所述晶圆上涂覆光刻胶并旋转所述晶圆，使得所述晶圆上形成具有预设厚度的光刻胶涂覆层；
步骤S2：将所述晶圆放置于所述支撑盘内，所述支撑盘在所述旋转臂的带动下匀速旋转；
步骤S3：开启设置于所述晶圆上方的上边缘清洗喷嘴用于从上向下斜向冲洗所述晶圆的上表面边缘；开启所述第一侧缘清洗喷嘴用于斜向于所述晶圆的中心点方向冲洗所述晶圆的侧边缘；开启所述第一下边缘清洗喷嘴用于从下向上斜向冲洗所述晶圆的下表面边缘。
作为改进的技术方案，在所述步骤S1中所述工作平台内对应所述晶圆的另一侧缘处还设置有第二侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的另一下表面处还设置有第二下边缘清洗喷嘴。
作为改进的技术方案，所述步骤S3还包括开启所述第二侧缘清洗喷嘴用于斜向于所述晶圆的中心点方向冲洗所述晶圆的侧边缘。
作为改进的技术方案，所述步骤S3还包括开启所述第二下边缘清洗喷嘴用于从下向上斜向冲洗所述晶圆的下表面边缘。
作为改进的技术方案，在所述步骤S2中所述晶圆在所述旋转臂的带动下以介于100rpm～5000rpm的旋转速度匀速旋转。
作为改进的技术方案，在所述步骤S3中，所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴与所述晶圆的下表面边缘之间的距离介于0.1毫米～10毫米，所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴的喷洗方向与所述晶圆下表面之间的夹角介于45度～60度。
作为改进的技术方案，在所述步骤S3中所述上边缘清洗喷嘴的喷洗边缘与所述晶圆侧边缘之间的距离介于40毫米～50毫米，开启所述上边缘清洗喷嘴后，所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向与所述晶圆表面之间的夹角介于30度～40度。
作为改进的技术方案，在所述步骤S3中所述上边缘清洗喷嘴的直径介于0.9毫米～1.2毫米，所述上边缘清洗喷嘴喷出的液体流量介于45毫升/分钟～85毫升/分钟。
作为改进的技术方案，在所述步骤S3中，所述旋杯用于回收所述晶圆上飞溅的光刻胶和清洗液体。
作为改进的技术方案，在所述步骤S3中所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴的直径介于0.3毫米～5毫米，所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴的长度介于1毫米～100毫米，开启所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴后，所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴喷出的液体流量介于20毫升/分钟～50毫升/分钟。
作为改进的技术方案，所述液体包括OK73或PGMEA。
本发明还提供一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置，包括：基座，所述基座上连接旋转臂，所述旋转臂上设置有支撑盘，所述支撑盘用于承载并固定晶圆；
工作平台，所述工作平台内对应所述晶圆的上表面处设置有上边缘清洗喷嘴、对应所述晶圆的侧缘处设置有第一侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的下表面处设置有第一下边缘清洗喷嘴，所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向和所述第一下边缘清洗喷嘴的喷洗方向之间的内夹角间，用于清洗所述晶圆的侧缘；
旋杯，用于回收由所述晶圆上溅出的光刻胶，所述旋杯环绕所述支撑盘，且不与所述支撑盘接触，所述第一侧缘清洗喷嘴设置在所述旋杯的顶部内侧，所述第一侧缘清洗喷嘴工作时与所述晶圆保持同一水平高度，所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述晶圆的中心点。
作为改进的技术方案，所述工作平台内对应所述晶圆的另一侧缘处设置有第二侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的另一下表面处设置有第二下边缘清洗喷嘴。
作为改进的技术方案，所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴的喷嘴口直径介于0.3毫米～5毫米，所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴的喷嘴长度介于1毫米～100毫米。
作为改进的技术方案，所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴喷出的液体流量介于20毫升/分钟～50毫升/分钟。
作为改进的技术方案，所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴用于从下向上斜向冲洗所述晶圆的下表面边缘。
作为改进的技术方案，所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴与所述晶圆的下表面边缘之间的距离介于0.1毫米～10毫米，所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴与所述晶圆下表面之间的夹角介于45度～60度。
作为改进的技术方案，所述上边缘清洗喷嘴的喷洗边缘与所述晶圆的上表面边缘之间的距离介于40毫米～50毫米，所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向与所述晶圆的上表面边缘之间的夹角介于30度～40度。
作为改进的技术方案，所述上边缘清洗喷嘴的直径介于0.9毫米～1.2毫米，所述上边缘清洗喷嘴喷出的液体流量介于45毫升/分钟～85毫升/分钟。
有益效果
与现有技术相比，上述晶圆清洗装置及方法具有以下优点：在本发明提供的晶圆清洗方法中通过多个角度的冲洗，有效除去晶圆边缘上残留的光刻胶，不留清洁死角，此外通过清洗液体的流量和清洗方向的配合还可以有效避免对晶圆边缘的过度冲洗，从而避免损伤晶圆的表面结构。
在本发明提供的晶圆清洗装置中在晶圆下方设置的第一下边缘清洗喷嘴和第二下边缘清洗喷嘴，晶圆的上方设置上边缘清洗喷嘴，晶圆侧面旋杯内设置第一侧缘清洗喷嘴和第二侧缘清洗喷嘴；通过调整第一侧缘清洗喷嘴和第二侧缘清洗喷嘴的喷洗方向及喷射液体的流量，有效去除晶圆侧边缘部分残留的光刻胶；通过调整第一下边缘清洗喷嘴和第二下边缘清洗喷嘴喷洗方向与晶圆之间夹角及喷射液体的流量，有效去除晶圆下边缘部分残留的光刻胶；通过调整上边缘清洗喷嘴的喷洗方向与晶圆之间夹角及喷射液体的流量，有效去除晶圆上边缘部分残留的光刻胶；
本发明通过第一下边缘清洗喷嘴、第二下边缘清洗喷嘴、上边缘清洗喷嘴、第一侧缘清洗喷嘴和第二侧缘清洗喷嘴，有效除去晶圆边缘上残留的光刻胶，不留清洁死角，此外通过各喷嘴的喷洗方向及喷射液体的流量的配合还可以有效避免对晶圆边缘的过度冲洗，避免影响晶圆的表面结构。本发明提供的晶圆清洗装置及方法能够较好的去除晶圆表面的污染物，避免了污染物的残留对后续半导体器件性能的影响，提高了生产的半导体器件的良率。
附图说明
图1绘示本发明提供的一种晶圆清洗装置的示意图。
图2绘示本发明提供的一种晶圆清洗装置的结构示意图。
图3绘示本发明提供的一种晶圆清洗装置的局部俯视图。
图4绘示采用本发明提供的一种晶圆清洗装置清洗后的效果图。
图5绘示传统晶圆清洗装置的结构示意图。
图中，1、晶圆；2、支撑盘；3、第一下边缘清洗喷嘴；4、第二下边缘清洗喷嘴；5、旋转臂；6、基座；7、上边缘清洗喷嘴；8、旋杯；9、工作平台；10、第一侧缘清洗喷嘴；11、第二侧缘清洗喷嘴；12、光刻胶。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的和技术方案更加清楚，下面将结合本发明实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本申请发明人研究发现，传统晶圆1背面冲洗及边缘冲洗后，在晶圆1的侧边缘会有光刻胶12残留，残留的光刻胶12会对后续半导体器件性能产生影响，降低了生产的半导体器件的良率。如图5所示，在晶圆1的下方设置有第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4，在晶圆1上方设置有上边缘清洗喷嘴7，第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4可清洗晶圆1下边缘部分残留的光刻胶12，上边缘清洗喷嘴7可清洗晶圆1上边缘部分残留的光刻胶12，但晶圆1侧边缘部分会残留有光刻胶12无法去除。为克服上述技术问题，本发明提供一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法及装置。
实施例1
本实施例提供一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法，步骤S1：如图1、2、3所示，提供一光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置，包括基座6、工作平台9及旋杯8，基座6上连接旋转臂5，旋转臂5上设置有支撑盘2，支撑盘2用于承载并固定晶圆1，支撑盘2周边设有旋杯8，旋杯8环绕支撑盘2，且旋杯8不与支撑盘2接触，在工作平台9内对应晶圆1的上表面处设置有上边缘清洗喷嘴7、对应晶圆1的侧缘处设置有第一侧缘清洗喷嘴10及对应晶圆1的下表面处设置有第一下边缘清洗喷嘴3，其中第一侧缘清洗喷嘴10设置在旋杯8的顶部内侧，第一侧缘清洗喷嘴10的喷洗方向斜向于上边缘清洗喷嘴7的喷洗方向和第一下边缘清洗喷嘴3的喷洗方向之间的内夹角间，用于清洗晶圆1的侧缘，第一侧缘清洗喷嘴10工作时与晶圆1保持同一水平高度，第一侧缘清洗喷嘴10的喷洗方向斜向于晶圆1的中心点，工作平台9内对应晶圆1的另一侧缘处还可以设置有第二侧缘清洗喷嘴11及对应晶圆1的另一下表面处还可以设置有第二下边缘清洗喷嘴4，S1步骤包括：将晶圆1载入光刻胶涂布设备中，在晶圆1上涂覆光刻胶12并旋转晶圆1，使得晶圆1上形成具有预设厚度的光刻胶涂覆层；
步骤S2：将晶圆1放置于支撑盘2内，支撑盘2在旋转臂5的带动下匀速旋转，在旋转臂5的带动下，晶圆1匀速旋转，晶圆1的旋转速度可以介于100rpm(转/分钟)～5000rpm(转/分钟)。
步骤S3：开启设置于晶圆1上方的上边缘清洗喷嘴7用于从上向下冲洗晶圆1的上表面边缘，上边缘清洗喷嘴7的喷洗边缘与晶圆1侧边缘之间的距离可以介于40毫米～50毫米，开启上边缘清洗喷嘴7后，上边缘清洗喷嘴7的清洗喷射方向与晶圆1表面之间的夹角可以介于30度～40度。上边缘清洗喷嘴7的直径可以介于0.9毫米～1.2毫米，上边缘清洗喷嘴7喷出的液体流量可以介于45毫升/分钟～85毫升/分钟，喷出的液体可以是OK73或PGMEA，在这种参数设置下可以增加上边缘清洗喷嘴7所喷射的液体与晶圆1边缘之间的粘附力，以及降低位于晶圆1边缘的清洗液体的离心力。上边缘清洗喷嘴7可有效除去晶圆1上边缘部分残留的光刻胶12。
开启第一侧缘清洗喷嘴10和第二侧缘清洗喷嘴11用于斜向于晶圆1的中心点方向冲洗晶圆1的侧边缘，第一侧缘清洗喷嘴10和第二侧缘清洗喷嘴11的直径可以介于0.3毫米～5毫米，第一侧缘清洗喷嘴10和第二侧缘清洗喷嘴11的长度可以介于1毫米～100毫米，开启第一侧缘清洗喷嘴10和第二侧缘清洗喷嘴11后，第一侧缘清洗喷嘴10和第二侧缘清洗喷嘴11喷出的液体流量可以介于20毫升/分钟～50毫升/分钟，喷出的液体可以是OK73或PGMEA，在该条件下第一侧缘清洗喷嘴10和第二侧缘清洗喷嘴11喷出的液体既能够接触到晶圆1表面，清洗晶圆1表面，又不损坏晶圆1结构。
开启第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4用于从下向上冲洗晶圆1的下表面边缘，第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4与晶圆1的下表面边缘之间的距离可以介于0.1毫米～10毫米，第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4的清洗喷射方向与晶圆1下表面之间的夹角可以介于45度～60度，在上述设置参数下，第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4喷出的液体既能够接触到晶圆1表面，清洗晶圆1表面，又不损坏晶圆1。
如图4所示，在本实施例中通过第一下边缘清洗喷嘴3、第二下边缘清洗喷嘴4、上边缘清洗喷嘴7、第一侧缘清洗喷嘴10及第二侧缘清洗喷嘴11，有效除去晶圆1边缘上残留的光刻胶12，不留清洁死角，此外通过各喷嘴的喷洗方向及喷射液体的流量的配合可以有效避免对晶圆1边缘的过度冲洗，避免损伤晶圆1的表面结构。本发明提供的晶圆清洗方法能够较好的去除晶圆1表面的污染物，避免了污染物的残留对后续半导体器件性能的影响，提高了生产的半导体器件的良率。
实施例2
如图1、2、3所示，本实施例提供一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置，包括：
基座6，基座6上连接有旋转臂5，旋转臂5上设置有支撑盘2，支撑盘2用于承载并固定晶圆1；
工作平台9，工作平台9内对应晶圆1的上表面处设置有上边缘清洗喷嘴7、对应晶圆1的侧缘处设置有第一侧缘清洗喷嘴10及对应晶圆1的下表面处设置有第一下边缘清洗喷嘴3，第一侧缘清洗喷嘴10的喷洗方向斜向于上边缘清洗喷嘴7的喷洗方向和第一下边缘清洗喷嘴3的喷洗方向之间的内夹角间，用于清洗晶圆1的侧缘；
旋杯8，用于回收由晶圆1上溅出的光刻胶12，旋杯8环绕支撑盘2，且不与支撑盘2接触，第一侧缘清洗喷嘴10设置在旋杯8的顶部内侧，第一侧缘清洗喷嘴10工作时与晶圆1保持同一水平高度，第一侧缘清洗喷嘴10的喷洗方向斜向于晶圆1的中心点。
工作平台9内对应晶圆1的另一侧缘处还可以设置有第二侧缘清洗喷嘴11及对应晶圆1的另一下表面处还可以设置有第二下边缘清洗喷嘴4。
第一侧缘清洗喷嘴10和第二侧缘清洗喷嘴11的喷嘴口直径可以介于0.3毫米～5毫米，第一侧缘清洗喷嘴10和第二侧缘清洗喷嘴11的喷嘴长度可以介于1毫米～100毫米，第一侧缘清洗喷嘴10和第二侧缘清洗喷嘴11喷出的液体流量可以介于20毫升/分钟～50毫升/分钟，在该条件下第一侧缘清洗喷嘴10和第二侧缘清洗喷嘴11喷出的液体既能够接触到晶圆1表面，清洗晶圆1表面，又不损坏晶圆1结构；
第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4用于从下向上斜向冲洗晶圆1的下表面边缘，第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4与晶圆1的下表面边缘之间的距离可以介于0.1毫米～10毫米，第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4与晶圆1下表面之间的夹角可以介于45度～60度，在上述设置参数下，第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4喷出的液体既能够接触到晶圆1表面，清洗晶圆1表面，又不损坏晶圆1。
上边缘清洗喷嘴7的喷洗边缘与晶圆1的上表面边缘之间的距离可以介于40毫米～50毫米，上边缘清洗喷嘴7的清洗喷射方向与晶圆1的上表面边缘之间的夹角可以介于30度～40度，上边缘清洗喷嘴7的直径可以介于0.9毫米～1.2毫米，上边缘清洗喷嘴7喷出的液体流量可以介于45毫升/分钟～85毫升/分钟。在这种参数设置下可以增加上边缘清洗喷嘴7所喷射的液体与晶圆1边缘之间的粘附力，以及降低位于晶圆1边缘的清洗液体的离心力，上边缘清洗喷嘴7可有效除去晶圆1上边缘部分残留的光刻胶12。
如图4所示，本实施例中通过第一下边缘清洗喷嘴3和第二下边缘清洗喷嘴4、上边缘清洗喷嘴7、第一侧缘清洗喷嘴10及第二侧缘清洗喷嘴11，有效除去晶圆1边缘上残留的光刻胶12，不留清洁死角，此外通过各喷嘴的喷洗方向及喷射液体的流量的配合可以有效避免对晶圆1边缘的过度冲洗，避免影响晶圆1的表面结构。本发明提供的的晶圆清洗装置能够较好的去除晶圆1表面的污染物，避免了污染物的残留对后续半导体器件性能的影响，提高了生产的半导体器件的良率。
以上仅为本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些均属于本发明的保护范围。
Claims (19)
1.一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：提供一光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置，包括基座、工作平台及旋杯，所述基座上连接旋转臂，所述旋转臂上设置有支撑盘，所述支撑盘用于承载并固定晶圆，所述旋杯环绕所述支撑盘，且所述旋杯不与所述支撑盘接触，在所述工作平台内对应所述晶圆的上表面处设置有上边缘清洗喷嘴、对应所述晶圆的侧缘处设置有第一侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的下表面处设置有第一下边缘清洗喷嘴，其中所述第一侧缘清洗喷嘴设置在所述旋杯的顶部内侧，所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向和所述第一下边缘清洗喷嘴的喷洗方向之间的内夹角间，用于清洗所述晶圆的侧缘，所述第一侧缘清洗喷嘴工作时与所述晶圆保持同一水平高度，所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述晶圆的中心点，S1步骤包括：将所述晶圆载入光刻胶涂布设备中，在所述晶圆上涂覆光刻胶并旋转所述晶圆，使得所述晶圆上形成具有预设厚度的光刻胶涂覆层；
步骤S2：将所述晶圆放置于所述支撑盘内，所述支撑盘在所述旋转臂的带动下匀速旋转；
步骤S3：开启设置于所述晶圆上方的上边缘清洗喷嘴用于从上向下斜向冲洗所述晶圆的上表面边缘；开启所述第一侧缘清洗喷嘴用于斜向于所述晶圆的中心点方向冲洗所述晶圆的侧边缘；开启所述第一下边缘清洗喷嘴用于从下向上斜向冲洗所述晶圆的下表面边缘。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在所述步骤S1中所述工作平台内对应所述晶圆的另一侧缘处还设置有第二侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的另一下表面处还设置有第二下边缘清洗喷嘴。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S3还包括开启所述第二侧缘清洗喷嘴用于斜向于所述晶圆的中心点方向冲洗所述晶圆的侧边缘。
4.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S3还包括开启所述第二下边缘清洗喷嘴用于从下向上斜向冲洗所述晶圆的下表面边缘。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在所述步骤S2中所述晶圆在所述旋转臂的带动下以介于100rpm～5000rpm的旋转速度匀速旋转。
6.根据权利要求4所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴与所述晶圆的下表面边缘之间的距离介于0.1毫米～10毫米，所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴的喷洗方向与所述晶圆下表面之间的夹角介于45度～60度。
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在所述步骤S3中所述上边缘清洗喷嘴的喷洗边缘与所述晶圆侧边缘之间的距离介于40毫米～50毫米，开启所述上边缘清洗喷嘴后，所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向与所述晶圆表面之间的夹角介于30度～40度。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在所述步骤S3中所述上边缘清洗喷嘴的直径介于0.9毫米～1.2毫米，所述上边缘清洗喷嘴喷出的液体流量介于45毫升/分钟～85毫升/分钟。
9.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述旋杯用于回收所述晶圆上飞溅的光刻胶和清洗液体。
10.根据权利要求3所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在所述步骤S3中所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴的直径介于0.3毫米～5毫米，所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴的长度介于1毫米～100毫米，开启所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴后，所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴喷出的液体流量介于20毫升/分钟～50毫升/分钟。
11.根据权利要求8或10所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述液体包括OK73或PGMEA。
12.一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
基座，所述基座上连接旋转臂，所述旋转臂上设置有支撑盘，所述支撑盘用于承载并固定晶圆；
工作平台，所述工作平台内对应所述晶圆的上表面处设置有上边缘清洗喷嘴、对应所述晶圆的侧缘处设置有第一侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的下表面处设置有第一下边缘清洗喷嘴，所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向和所述第一下边缘清洗喷嘴的喷洗方向之间的内夹角间，用于清洗所述晶圆的侧缘；
旋杯，用于回收由所述晶圆上溅出的光刻胶，所述旋杯环绕所述支撑盘，且不与所述支撑盘接触，所述第一侧缘清洗喷嘴设置在所述旋杯的顶部内侧，所述第一侧缘清洗喷嘴工作时与所述晶圆保持同一水平高度，所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述晶圆的中心点。
13.根据权利要求12所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述工作平台内对应所述晶圆的另一侧缘处设置有第二侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的另一下表面处设置有第二下边缘清洗喷嘴。
14.根据权利要求13所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴的喷嘴口直径介于0.3毫米～5毫米，所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴的喷嘴长度介于1毫米～100毫米。
15.根据权利要求14所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴喷出的液体流量介于20毫升/分钟～50毫升/分钟。
16.根据权利要求13所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴用于从下向上斜向冲洗所述晶圆的下表面边缘。
17.根据权利要求16所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴与所述晶圆的下表面边缘之间的距离介于0.1毫米～10毫米，所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴与所述晶圆下表面之间的夹角介于45度～60度。
18.根据权利要求12所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述上边缘清洗喷嘴的喷洗边缘与所述晶圆的上表面边缘之间的距离介于40毫米～50毫米，所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向与所述晶圆的上表面边缘之间的夹角介于30度～40度。
19.根据权利要求18所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述上边缘清洗喷嘴的直径介于0.9毫米～1.2毫米，所述上边缘清洗喷嘴喷出的液体流量介于45毫升/分钟～85毫升/分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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