JPH0320066A - 半導体パッケージ部品 - Google Patents
半導体パッケージ部品Info
- Publication number
- JPH0320066A JPH0320066A JP1155387A JP15538789A JPH0320066A JP H0320066 A JPH0320066 A JP H0320066A JP 1155387 A JP1155387 A JP 1155387A JP 15538789 A JP15538789 A JP 15538789A JP H0320066 A JPH0320066 A JP H0320066A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- package
- hole
- polyimide resin
- die pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 19
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路に用いる樹脂封止型の半導体
パッケージ部品に関するものである。
パッケージ部品に関するものである。
従来の技術
電子機器の小型,軽量化が進む中で、これらに用いる電
子部品の小型化指向は強い。この電子部品はプリント基
板に装着されて用いられ、実装密度を上げるべく、プリ
ント基板の両面に半田付けにより固着される。
子部品の小型化指向は強い。この電子部品はプリント基
板に装着されて用いられ、実装密度を上げるべく、プリ
ント基板の両面に半田付けにより固着される。
この電子部品の中核をなす半導体集積回路は、樹脂封止
形パッケージがその大半で1、表面実装用の代表例とし
てSOTパッケージを用いて説明する。
形パッケージがその大半で1、表面実装用の代表例とし
てSOTパッケージを用いて説明する。
パッケージのリードフレームは、厚さ約0.2鴫の鉄ニ
ッケノレ合金や銅系合金で形威されている。
ッケノレ合金や銅系合金で形威されている。
リードフレームのダイパッド上には半導体チップが、例
えば銀ペースト樹脂によう固着される。固着後、チップ
上に形戒されたポンディングパッドとインナーリードを
金線によう接続する。その後、封止金型を用いてチップ
が固着されたダイパッドとインナーリードを封止樹脂で
パッケージの形状に或形する。そしてアウターリード間
を接続しているタイパーやフレームに接続されているア
ウターリード先端や吊シリードを切断した後、アウター
リードを内側へ“11字形に或形し、Solパッケ・−
ジが完成する。
えば銀ペースト樹脂によう固着される。固着後、チップ
上に形戒されたポンディングパッドとインナーリードを
金線によう接続する。その後、封止金型を用いてチップ
が固着されたダイパッドとインナーリードを封止樹脂で
パッケージの形状に或形する。そしてアウターリード間
を接続しているタイパーやフレームに接続されているア
ウターリード先端や吊シリードを切断した後、アウター
リードを内側へ“11字形に或形し、Solパッケ・−
ジが完成する。
発明が解決しようとする課題
大面積半導体チップを小型薄型樹脂パッケージに納める
際に、最大の問題となるのが、樹脂が吸湿している状態
で、プリント基板にパッケージの半田付けを行った場合
、ダイパットと樹脂界面、チップと樹脂界面の水分が、
半田、付け温度(22o〜260℃)で蒸気化し、その
蒸気圧が30〜40気圧にも達し、樹脂の破壊を誘発す
る。
際に、最大の問題となるのが、樹脂が吸湿している状態
で、プリント基板にパッケージの半田付けを行った場合
、ダイパットと樹脂界面、チップと樹脂界面の水分が、
半田、付け温度(22o〜260℃)で蒸気化し、その
蒸気圧が30〜40気圧にも達し、樹脂の破壊を誘発す
る。
この原因は、樹脂とダイパッドやチップ界面の周辺部で
初期的に剥離が存在して訃シ、この剥離部に水蒸気が飽
和するに足シろ水分を蓄めることにある。
初期的に剥離が存在して訃シ、この剥離部に水蒸気が飽
和するに足シろ水分を蓄めることにある。
樹脂パッケージにおける樹脂の破壊は、パッケージの品
質上の致命的問題である。
質上の致命的問題である。
課題を解決するための手段
この問題を解決するために、本発明は半導体チップを搭
載するダイパッドの裏面に、矩形の穴を設け、その穴に
ポリイミド樹脂を流し込み、金属とポリイミドの2層構
造を形或する。
載するダイパッドの裏面に、矩形の穴を設け、その穴に
ポリイミド樹脂を流し込み、金属とポリイミドの2層構
造を形或する。
作 用
上記手段に加え搭載する半導体チップ表面にポリイミド
膜をスビンコードで形成したものを用いる。
膜をスビンコードで形成したものを用いる。
これを封止樹脂でパッケージ形状に或形することで、チ
ップ表面部、ダイバッド裏面部の剥離を防ぐことができ
る。そして半田付け時の樹脂パッ?ージの破壊は防止で
きる。
ップ表面部、ダイバッド裏面部の剥離を防ぐことができ
る。そして半田付け時の樹脂パッ?ージの破壊は防止で
きる。
実施例
第1図は本発明に基づ〈リードフレーム1のダイパッド
2部分とそこに表面をポリイミドコートした半導体チッ
プ3を搭載した状態を示すものである。
2部分とそこに表面をポリイミドコートした半導体チッ
プ3を搭載した状態を示すものである。
ダイパッド2の裏面は矩形の穴4を設ける。この穴40
部分にはボリイ■ド樹脂5が埋められている。
部分にはボリイ■ド樹脂5が埋められている。
穴4へのポリイミド樹脂6の埋め込み方法は、次の手順
に従って行われる。
に従って行われる。
先ず、リードフレーム1の裏面が上方になるようにセッ
トする。その時、ダイパッド20穴4も上方になる。こ
の穴4に低粘度(60〜1socp)で低温硬化(20
0〜250℃)が可能なポリイミド樹脂6を滴下法によ
り流し込む。
トする。その時、ダイパッド20穴4も上方になる。こ
の穴4に低粘度(60〜1socp)で低温硬化(20
0〜250℃)が可能なポリイミド樹脂6を滴下法によ
り流し込む。
このポリイミド樹脂6は、穴4の中で広がり最後に平坦
な厚さになる。この状態で硬化を行い、均一なポリイミ
ド樹脂6の薄膜が形戒される。
な厚さになる。この状態で硬化を行い、均一なポリイミ
ド樹脂6の薄膜が形戒される。
従って、組立て手順は、
(1) リードフレーム1に半導体チップ3を銀ペー
スト8で貼シ付け、160℃程度で予備硬化させておく
。
スト8で貼シ付け、160℃程度で予備硬化させておく
。
(2)ダイパッド2裏面の穴4にポリイミド樹脂6を滴
下し、広がった後に200〜250’Cで1時間程度硬
化する。この時、銀ペースト6も同時に最終硬化が進む
。
下し、広がった後に200〜250’Cで1時間程度硬
化する。この時、銀ペースト6も同時に最終硬化が進む
。
(3)金線7で、半導体チップ3のボンディングパッド
8とリードフレーム1のインナーリード9の間を接続す
る。
8とリードフレーム1のインナーリード9の間を接続す
る。
(4) これを樹脂或形金型で封止樹脂10を或形し
てパッケージソグする。
てパッケージソグする。
以上のように封止樹脂でパッケージ形状に或形すること
で、チップ表面部、ダイパッド裏面部の剥離を防ぐこと
ができる。
で、チップ表面部、ダイパッド裏面部の剥離を防ぐこと
ができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、チップ界面,ダイパッド
界面での剥離が防止出来てパッケージの吸湿時での熱衝
撃による破壊が防げる。
界面での剥離が防止出来てパッケージの吸湿時での熱衝
撃による破壊が防げる。
−ドフレームとダイパッド及びポリイミド樹脂埋設部の
断面図である。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・タイパ
ット、3半導体チップ、4・・・・・・穴、6・・・・
・・ポリイミド樹脂、6・・・・・・銀ペースト、7・
・・・・・金線、8・・・・・・ポンディングパッド、
9・・・・・・インナーリード、1o叫・・封止樹脂。
断面図である。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・タイパ
ット、3半導体チップ、4・・・・・・穴、6・・・・
・・ポリイミド樹脂、6・・・・・・銀ペースト、7・
・・・・・金線、8・・・・・・ポンディングパッド、
9・・・・・・インナーリード、1o叫・・封止樹脂。
Claims (1)
- 半導体チップを搭載するリードフレームのダイパッド裏
面に窪みを有し、その窪みにポリイミドが埋設されてい
ることを特徴とする半導体パッケージ部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1155387A JPH0320066A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体パッケージ部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1155387A JPH0320066A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体パッケージ部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0320066A true JPH0320066A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15604841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1155387A Pending JPH0320066A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体パッケージ部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0320066A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1080931C (zh) * | 1995-07-31 | 2002-03-13 | 三星电子株式会社 | 用于生产半导体封装引线框架的工艺 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1155387A patent/JPH0320066A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1080931C (zh) * | 1995-07-31 | 2002-03-13 | 三星电子株式会社 | 用于生产半导体封装引线框架的工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2531382B2 (ja) | ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法 | |
KR0134902B1 (ko) | 칩 캐리어 패키지 및 집적 회로 패키지 | |
US5715593A (en) | Method of making plastic-packaged semiconductor integrated circuit | |
JP2004048022A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JPH11260985A (ja) | リードフレーム,樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
KR19990036925A (ko) | 밀봉 수지부 내에 방열판을 내장한 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
JP3606078B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH11150213A (ja) | 半導体装置 | |
JPH11260990A (ja) | リードフレーム,樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0320066A (ja) | 半導体パッケージ部品 | |
JPH09306934A (ja) | チップ型半導体装置の製造方法 | |
JP3716101B2 (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 | |
KR100237912B1 (ko) | 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
JPH06132442A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2002100710A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP3684517B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH11233673A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに電子装置 | |
JP3959898B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPH0837204A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH1084055A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH10189792A (ja) | 半導体パッケージ | |
JPH0582567A (ja) | 電子部品の実装構造 | |
JP2000124401A (ja) | 半導体装置 | |
JP3915338B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
KR0127034B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |