JPH0320041B2 - - Google Patents

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JPH0320041B2
JPH0320041B2 JP58102112A JP10211283A JPH0320041B2 JP H0320041 B2 JPH0320041 B2 JP H0320041B2 JP 58102112 A JP58102112 A JP 58102112A JP 10211283 A JP10211283 A JP 10211283A JP H0320041 B2 JPH0320041 B2 JP H0320041B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistor
resistance
thick film
resistors
tcr
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58102112A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59227101A (ja
Inventor
Norihito Tokura
Hisashi Kawai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soken Inc
Original Assignee
Nippon Soken Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Soken Inc filed Critical Nippon Soken Inc
Priority to JP58102112A priority Critical patent/JPS59227101A/ja
Priority to US06/617,478 priority patent/US4584553A/en
Publication of JPS59227101A publication Critical patent/JPS59227101A/ja
Publication of JPH0320041B2 publication Critical patent/JPH0320041B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/23—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by opening or closing resistor geometric tracks of predetermined resistive values, e.g. snapistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は少なくとも一対の抵抗を有する厚膜抵
抗に関する。
従来一対の厚膜抵抗は、第２図に示す如く例え
ば電気絶縁基板としてのアルミナセラミツク基板
１上に、抵抗R1の電極としての導体電極１１及
び１２と抵抗R2の電極としての導体電極２２及
び２５をスクリーン印刷にて形成し、次に抵抗
R1の導体電極１１，１２に一部が重なるように
抵抗体１０を、また抵抗Ｒ２の導体電極２２，２
５に一部が重なるように抵抗体２１をそれぞれス
クリーン印刷にて形成し、重なつた部分が電気的
に接続されるべく熱処理が施されている構成を有
するのを普通である。
又、従来の一対の厚膜抵抗は、抵抗比に高精度
が要求される場合には同一の抵抗ペーストを用い
て同時にスクリーン印刷する方法がとられるた
め、大きな抵抗比が必要な場合は、第２図に示す
如く例えば抵抗R1と抵抗R2の比R2／R1を大きく
するために、抵抗R1の抵抗体１０の長さl1と幅の
比l1／d1を小さくし、抵抗R2の抵抗体２１の長さ
l2と幅d2の比l2／d2を大きくするのを普通である。
ところが、上述した従来の一対の厚膜抵抗の構
成によれば、抵抗R1の導体電極１１，１２と抵
抗１０が重なつた部分及び抵抗R2の導体電極２
２，２３と抵抗体２１が重なつた部分を電気的に
接続するために熱処理を行なう際に、導体電極の
成分（たとえば銀、白金）が抵抗体部分に拡散
し、抵抗体の電気的特性が変質した部分１３，１
４，２６および２７ができる。この変質部分は特
に抵抗体の抵抗温度係数（TCR）が大きく変化
することが知られており、第２図に示す例におい
ても同一抵抗ペーストを用いて同時に抵抗R1，
R2を形成するように配慮しても、抵抗比R2／R1
を大きくする都合上抵抗体１０，２１の長さl1，
l2の関係がl1＜l2となり、抵抗体の変質部分の
TCRが抵抗体全体に与える影響が異なるため、
結局抵抗R1とR2のTCRの差が生じる。このため
周囲温度が変化すると抵抗比R2／R1が変化する
結果、高精度の抵抗比を得ることが困難であつ
た。
又、一対の抵抗R1とR2のTCRを一致させるた
めに抵抗R1とR2の抵抗体の長さl1とl2を等しくす
る方法もあるが、抵抗比R2／R1を大きくするた
めに抵抗体の幅d1とd2にd1＞d2の関係を与える必
要があり、抵抗R1の寸法を非常に大きくしなけ
ればならないという困難があつた。
依つて本発明は、上述した従来の欠点を解消で
き、抵抗温度特性が良好でかつ抵抗比を大きく設
定することのできる少なくとも一対の厚膜抵抗の
構造を提案するものである。
第１図Ａ，Ｂはブリツジ回路用は増巾器の利得
設定用などに用いられる本発明による１対な厚膜
抵抗の一例を示す平面図と断面図、第１図Ｃはこ
れら厚膜抵抗の配線例を示す図である。第２図と
の対応部分には同一符号を付し詳細説明は省略す
るが、第２図の場合と同様にアルミナセラミツク
基板１上に導体電極１１，１２，２２及び２５を
スクリーン印刷するが、この時導体電極と同一材
料のペーストを中間導体２３，２４として同時に
印刷するところが異なつている。次に抵抗体１
０，２１を前期導体電極１１，１２，２５及び中
間電極２３，２４に重なる様にスクリーン印刷に
て形成する。
又抵抗R2の抵抗体２１が中間導体２３，２４
によつて３個に分割された抵抗体２１１，２１２
及び２１３の各長さは等しくｌとし、さらにこの
長さｌは抵抗R1の抵抗体R1の抵抗体１０の長さ
にも一致させるよう構成するところが異なつてい
る。
以上にて本発明による一対の厚膜抵抗の一例構
成が明らかとなつたが、本発明による１対の厚膜
抵抗によれば、第１図に示した抵抗R2の抵抗体
２１は長さが等しくｌである３個の抵抗体２１
１，２１２及び２１３に分割されており、このｌ
が抵抗R1の長さｌに等しくしてあるため、抵抗
R1の抵抗体１０のTCRと抵抗R2の３等分された
抵抗体２１１，２１２及び１２３のTCRが等し
くなり、これらの抵抗体２１１，２１２及び２１
３を直列接続して得られる抵抗R2のTCRは抵抗
R1のTCRに等しくなる結果、周囲温度が変化し
ても抵抗比R2／R1はほとんど変化せず高精度が
得られる。
すなわち、第１図において説明したように、厚
膜抵抗の熱処理を行なう際導体電極成分（たとえ
ば銀、白金）が抵抗体部分に拡散し、抵抗体の
TCRを変質させることが知られているが、第３
図に示す如く、抵抗体４０の長さl3を変化させる
と変質部分４３，４４が全抵抗R3に与える影響
が第４図に示す如く変化し、抵抗体の長さl3を同
一にすればTCRも同一になることから、前記第
１図で説明した抵抗R1，R2の抵抗体の長さｌを
等しくすればR1，R2のTCRが一致し、抵抗比
R2／R1が周囲温度によつて変化しないことが容
易に理解できるであろう。
尚、本発明においては、第１の抵抗R1全体の
TCRと、第２の抵抗R2全体のTCRを等しくする
ことによつて周囲温度が変化しても抵抗比R2／
R1が変化しない厚膜抵抗を得ることができるの
で、d1とd2はどのような値でも良く、それによつ
てR2／R1の大小の設定が変わるのみで、温度変
化によるR2／R1の変化はなく、本発明の効果を
依然として奏することができる。
以上にて本発明による１対の厚膜抵抗の一例が
明らかとなつたが、斬る本発明による１対の厚膜
抵抗によれば、第１図に示した１対の抵抗パター
ンの高抵抗R2の実効的な抵抗体の長さは3lにする
ことができ、またｌの整数倍であればいくらでも
大きくとることができるので、低抵抗R1の抵抗
体の幅d1を大きくして抵抗パターンの面積をいた
ずらに大きくしなくても大きな抵抗比R2／R1を
小さい面積の抵抗パターンで実現でき、しかも高
精度な抵抗比が確保できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ，Ｂ及びＣは本発明による一対の厚膜
抵抗の一例を示す平面図と断面図及び配線図であ
る。第２図Ａ，Ｂは従来の一対の厚膜抵抗の一例
を示す平面図と断面図、第３，４図は導体電極成
分が抵抗体部に拡散してTCRを変化させること
を説明する図である。 １……アルミナセラミツク基板、R1……低抵
抗、R2……高抵抗、１１，２１，２２，２５，
４１，４２……導体電極、２３，２４……中間導
体、１０，２１，４０……抵抗体、１３，１４，
２６，２７，４３，４４……抵抗体の変質部分。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 第１、第２の抵抗を有する厚膜抵抗であつ
    て、前記第１、第２の抵抗は抵抗体及びこの抵抗
    体の両端に設けた導体電極からなり、かつ前記第
    ２の抵抗の抵抗体の中間には１つ以上の中間導体
    が設けられ、この中間導体相互の距離、及びこの
    中間導体と導体電極の距離が前記第１の抵抗の導
    体電極間の距離と一致するように構成されてなる
    厚膜抵抗。
JP58102112A 1983-06-07 1983-06-07 厚膜抵抗 Granted JPS59227101A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58102112A JPS59227101A (ja) 1983-06-07 1983-06-07 厚膜抵抗
US06/617,478 US4584553A (en) 1983-06-07 1984-06-05 Coated layer type resistor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58102112A JPS59227101A (ja) 1983-06-07 1983-06-07 厚膜抵抗

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59227101A JPS59227101A (ja) 1984-12-20
JPH0320041B2 true JPH0320041B2 (ja) 1991-03-18

Family

ID=14318715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58102112A Granted JPS59227101A (ja) 1983-06-07 1983-06-07 厚膜抵抗

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US (1) US4584553A (ja)
JP (1) JPS59227101A (ja)

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Also Published As

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US4584553A (en) 1986-04-22
JPS59227101A (ja) 1984-12-20

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