JPH0316281A - 熱電半導体材料およびその製造方法 - Google Patents
熱電半導体材料およびその製造方法Info
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- JPH0316281A JPH0316281A JP1151380A JP15138089A JPH0316281A JP H0316281 A JPH0316281 A JP H0316281A JP 1151380 A JP1151380 A JP 1151380A JP 15138089 A JP15138089 A JP 15138089A JP H0316281 A JPH0316281 A JP H0316281A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の｝り用分野〕
本充明は、熱電半導体材料およびその製造方法に関する
。
。
ベルチェ効果、あるいはエッチングスハウビン効果を利
用した電子冷却素子、あるいはゼーベツク効果を利用し
た熱電充電素子は、構造が簡単でかつ取扱いが容易で安
定な特性を維持できることから、広範囲にわたる利用が
注目されている。特に電子冷却素子としては、局所冷却
および室温付近の′ｗ１密な温度制御が可能であること
から、オプトエレクトロニクス、半導体レーザなどの恒
温化などに向けて広く研究が進められている。
用した電子冷却素子、あるいはゼーベツク効果を利用し
た熱電充電素子は、構造が簡単でかつ取扱いが容易で安
定な特性を維持できることから、広範囲にわたる利用が
注目されている。特に電子冷却素子としては、局所冷却
および室温付近の′ｗ１密な温度制御が可能であること
から、オプトエレクトロニクス、半導体レーザなどの恒
温化などに向けて広く研究が進められている。
この電子冷却に用いる熱電材料番よ、通常結晶材で作ら
れるため、量産性に問題があり、これが汎用化を田む問
題となっている。すなわち、電子冷却素子として一般に
用いられる結晶材は、テルル化ピスマス（Ｂ ｉ２Ｔｅ
３） 、テルル化アンヂモン（Ｓｂ２Ｔｅ３）および不
純物としてのセレン化ピスマス（Ｂ ｔ２Ｓｅ３）の混
晶系であるが、テルル化ビスマス、セレン化ビスマスの
結晶は著しい男開性を有しており、インゴットから熱電
素子を青るためのスライシング、ダイシング工程等を経
ると、割れや欠けの為に歩留りが極めて低くなるという
問題があった。このように、テルル化ビスマス、セレン
化ビスマスなどの結晶材を用いる場合、結晶固有の焚聞
性が著しいため、機械での取扱は困難であり、人手によ
る取扱に頼っているのが現状である。
れるため、量産性に問題があり、これが汎用化を田む問
題となっている。すなわち、電子冷却素子として一般に
用いられる結晶材は、テルル化ピスマス（Ｂ ｉ２Ｔｅ
３） 、テルル化アンヂモン（Ｓｂ２Ｔｅ３）および不
純物としてのセレン化ピスマス（Ｂ ｔ２Ｓｅ３）の混
晶系であるが、テルル化ビスマス、セレン化ビスマスの
結晶は著しい男開性を有しており、インゴットから熱電
素子を青るためのスライシング、ダイシング工程等を経
ると、割れや欠けの為に歩留りが極めて低くなるという
問題があった。このように、テルル化ビスマス、セレン
化ビスマスなどの結晶材を用いる場合、結晶固有の焚聞
性が著しいため、機械での取扱は困難であり、人手によ
る取扱に頼っているのが現状である。
そこで、機械的強度の向上のために粉末焼結素子を形成
する試みがなされている。このように結晶としてではな
く、粉末焼結体として用いると９５開性の問題はなくな
るが、焼結密度が上がらず、半田付けを行なうと内部に
半田がしみ込み性能低下をひきおこすという問題がある
。
する試みがなされている。このように結晶としてではな
く、粉末焼結体として用いると９５開性の問題はなくな
るが、焼結密度が上がらず、半田付けを行なうと内部に
半田がしみ込み性能低下をひきおこすという問題がある
。
また、粉末焼結体にすると粒界が増加し、キャリアの移
！ｌＪ度が低下する。このため、焼結体の毒気抵抗が増
大し、ジュール熱が増加し、冷却能が低下するという問
題があった。
！ｌＪ度が低下する。このため、焼結体の毒気抵抗が増
大し、ジュール熱が増加し、冷却能が低下するという問
題があった。
ところで、この熱電材料の冷却能は、物′Ｌ１固右の定
数であるゼーベツク係敗αと比抵抗ρと熱伝導率Ｋによ
って表わされる性能指１ｔ！Ｚ （−αｂ／ρＫ）の大
小で決まる。ここで、焼結体の電気抵抗を元に戻すため
に不純物のドープ量を増やすと、ゼーベツク係数が小さ
くなり、やはり性能指数が小さくなる。これは、第３図
に示すように、性能指数およびキャリア２！！度にはそ
れぞれに最適値が存存し、両者を満足させるような値を
得るのは極めて困難であるためである。
数であるゼーベツク係敗αと比抵抗ρと熱伝導率Ｋによ
って表わされる性能指１ｔ！Ｚ （−αｂ／ρＫ）の大
小で決まる。ここで、焼結体の電気抵抗を元に戻すため
に不純物のドープ量を増やすと、ゼーベツク係数が小さ
くなり、やはり性能指数が小さくなる。これは、第３図
に示すように、性能指数およびキャリア２！！度にはそ
れぞれに最適値が存存し、両者を満足させるような値を
得るのは極めて困難であるためである。
更に、粉末の場合、ドーピング制御が困難であり一定量
の不１１ｉＧ物を添加してもキャリア濃度が一定になら
ないという問題があった．すなわち、粉末焼結体を実際
に製造するに際しては、同じ組成、同じ条件で製造して
も再現性よく所望の特性を得るのは極めて困難であると
いう問題があった。
の不１１ｉＧ物を添加してもキャリア濃度が一定になら
ないという問題があった．すなわち、粉末焼結体を実際
に製造するに際しては、同じ組成、同じ条件で製造して
も再現性よく所望の特性を得るのは極めて困難であると
いう問題があった。
本発明は、前記実情に捲みてなされたもので、ドーピン
グ制御が容易で製造歩留りの高い熱電半導体材料を提供
することを目的とする。
グ制御が容易で製造歩留りの高い熱電半導体材料を提供
することを目的とする。
［問題点を解決するための手段〕
そこで本発明の′５１では、粒径が均一で、一導電型の
不純物を含むかまたは化学的是論比からわずかにずらし
たテルル化ビスマス（Ｂ ｉ２Ｔｅ３）一テルル化アン
チモン（Ｓｂ２Ｔｅａ ）固溶体粉末の粉末焼結体によ
って熱電半導体材料を構成しいる。
不純物を含むかまたは化学的是論比からわずかにずらし
たテルル化ビスマス（Ｂ ｉ２Ｔｅ３）一テルル化アン
チモン（Ｓｂ２Ｔｅａ ）固溶体粉末の粉末焼結体によ
って熱電半導体材料を構成しいる。
また、本発明のｆｆｉ２では、粒径が均一で、−Ｓ電型
の不純物を含むかまたは化学的出論比からわずかにずら
したテルル化ビスマス（Ｂｉ２Ｔｅ３）一テルル化アン
チモン（Ｓｂ２Ｔｅａ ）およびセレン化アンチモン（
Ｓｂ２Ｓｅ３）固溶体粉末の粉末焼結体によって熱電２
Ｆ′４体材料を構成している。
の不純物を含むかまたは化学的出論比からわずかにずら
したテルル化ビスマス（Ｂｉ２Ｔｅ３）一テルル化アン
チモン（Ｓｂ２Ｔｅａ ）およびセレン化アンチモン（
Ｓｂ２Ｓｅ３）固溶体粉末の粉末焼結体によって熱電２
Ｆ′４体材料を構成している。
また、本発明の方法では、目的とする組成となるように
所望の組成のビスマス、アンチモン、テルル、セレンお
よび一導電型の不純物を混合し、加熱溶融せしめた後、
急冷してインゴットを形威してこれを粉砕し、粒径をそ
ろえた後、加圧焼結するようにしている。
所望の組成のビスマス、アンチモン、テルル、セレンお
よび一導電型の不純物を混合し、加熱溶融せしめた後、
急冷してインゴットを形威してこれを粉砕し、粒径をそ
ろえた後、加圧焼結するようにしている。
（作用）
一般に、粉末の粒径を小さくすると、熱伝導度Ｋは小さ
くなり、比抵抗ρが大きくなる。そこで、本充明は、こ
の比抵抗ρの増大を補うほど、熱伝導度Ｋを小さくする
ことができないかという点に着目してなされたものであ
る。
くなり、比抵抗ρが大きくなる。そこで、本充明は、こ
の比抵抗ρの増大を補うほど、熱伝導度Ｋを小さくする
ことができないかという点に着目してなされたものであ
る。
本允明者らは、鋭意検討した結果、（Ｂｉ，Ｓｂ）２
（Ｔｅ．Ｓｅ）ａ系の粉末においてはサブミクロン粒子
になると酸化吸着が著しく、電気的特性は極度に低下し
、また特性の再現性も困難になることを充見した。
（Ｔｅ．Ｓｅ）ａ系の粉末においてはサブミクロン粒子
になると酸化吸着が著しく、電気的特性は極度に低下し
、また特性の再現性も困難になることを充見した。
一方、粒径を５μｍ〜２００μｍにすると比抵抗の増大
が１５〜２０％であるのに、熱伝Ｓ度の低減が２０％も
あることを允見した。
が１５〜２０％であるのに、熱伝Ｓ度の低減が２０％も
あることを允見した。
そこで、本充明では、微粒子を除いた最適粒径の粉末を
用いて焼結体を形或することにより、性能指数の低下を
防止し、機械的強度が高くかつ信頼性の高い熱電素子を
得ることが可能となる。
用いて焼結体を形或することにより、性能指数の低下を
防止し、機械的強度が高くかつ信頼性の高い熱電素子を
得ることが可能となる。
このように本発明では、■結晶ではなく、微粒子を除い
た最過粒径の粉末を用いて形或された粉末焼結体で構成
されているため、［戊比を自由に選択でき、性能指数２
の高いものを得ることができる。
た最過粒径の粉末を用いて形或された粉末焼結体で構成
されているため、［戊比を自由に選択でき、性能指数２
の高いものを得ることができる。
又粒径を１薗えることにより、ドーピング制御が容易と
なる。これは、粒径がＩｌｙｌうと粒界の分相ち均一と
なり、粒界から充生すると考えられる１子も一定となる
ため、電子濃度の再現性もよくなるものと考欠られる。
なる。これは、粒径がＩｌｙｌうと粒界の分相ち均一と
なり、粒界から充生すると考えられる１子も一定となる
ため、電子濃度の再現性もよくなるものと考欠られる。
また、粒径を揃えることにより、焼結密度が上り、半Ｆ
Ｂ付工程に＆夕いても半田のしみ込みによる性能低下も
ない。
Ｂ付工程に＆夕いても半田のしみ込みによる性能低下も
ない。
加えて、中結晶あるいは多結晶のインゴットをそのまま
用いた場合に比べ、割れ等による５！Ｉ造歩留りの低下
も大幅に低減される。
用いた場合に比べ、割れ等による５！Ｉ造歩留りの低下
も大幅に低減される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
まず、ビスマスＢ ｉ ３３５．６４ ’Ｊ、アンチ
モンＳｂ ５８ｆ３．８０２ｇ、テルルＴ ｅ １２２
９．６３ ｇを秤量し、この混合物を石英管内に投入し
た後、真空ボンブによって管内の空気を排気，１１人す
る。
モンＳｂ ５８ｆ３．８０２ｇ、テルルＴ ｅ １２２
９．６３ ｇを秤量し、この混合物を石英管内に投入し
た後、真空ボンブによって管内の空気を排気，１１人す
る。
この管を６５０℃に加熱し３時間にわたり石英管内をｌ
ｊ！拌しつつ化合させた後、凝固点直下である５６０℃
のｉｌｒｔ域に石英管を移動し急冷する。
ｊ！拌しつつ化合させた後、凝固点直下である５６０℃
のｉｌｒｔ域に石英管を移動し急冷する。
次に、この急冷インゴットをスタンプミル、ボールミル
等で粉砕した後、２００メッシュおよび ［４００メッ
シュの篩にか【ノ４００メッシュの篩上 ，に残ったも
のを選び、粒径２６〜７４μｍ程度の ，粉末に揃える
。０．３気圧．３５０℃で８時間の １熱！１８理を行
う。
等で粉砕した後、２００メッシュおよび ［４００メッ
シュの篩にか【ノ４００メッシュの篩上 ，に残ったも
のを選び、粒径２６〜７４μｍ程度の ，粉末に揃える
。０．３気圧．３５０℃で８時間の １熱！１８理を行
う。
このようにして粒径の揃えられた粉末を真空中または不
活性ガス中で一方向に加圧しながら、５００℃．８００
ｋａ／ｃｌ２のホットプレス法によりカーボンダイスを
用いてホットプレスし、粉末焼結体を形成する。
活性ガス中で一方向に加圧しながら、５００℃．８００
ｋａ／ｃｌ２のホットプレス法によりカーボンダイスを
用いてホットプレスし、粉末焼結体を形成する。
この後、この粉末焼結位を３ミリ角６ミリ長のチップに
分断し、Ｂｉ Ｓｂ Ｓｅ を形成０．５
１．５ ３ する。
分断し、Ｂｉ Ｓｂ Ｓｅ を形成０．５
１．５ ３ する。
このようにして形成されたＢｉ ＳｂＯ．５
１．５ Ｓｅ３焼結体の特性を、この結晶材と比較すると、次の
第１表のようになっている。
１．５ Ｓｅ３焼結体の特性を、この結晶材と比較すると、次の
第１表のようになっている。
く第１表〉
この表からも明らかなように、本弁明実施例のＢ ｔ
０．５ Ｓ ｌ）１．５ Ｓ ｅ３焼結偽によれば、比
抵抗ρは１５％高くなっているが、熱伝導ＩＩＩＫは１
３％小さくなっているため、性能指数Ｚは結晶材とほぼ
同等になっている。また機械的強度は極めて高いものと
なっている。
０．５ Ｓ ｌ）１．５ Ｓ ｅ３焼結偽によれば、比
抵抗ρは１５％高くなっているが、熱伝導ＩＩＩＫは１
３％小さくなっているため、性能指数Ｚは結晶材とほぼ
同等になっている。また機械的強度は極めて高いものと
なっている。
このように、本発明の熱１発電材利によれば、性能指数
を低下せしめることなく、素子の機械的強度を高めるこ
とができる。このため、電子冷加素子を形或する際にも
機械による実装が容易となり、昂産性をはかることがで
きると共に、低コスト化が可能となる。
を低下せしめることなく、素子の機械的強度を高めるこ
とができる。このため、電子冷加素子を形或する際にも
機械による実装が容易となり、昂産性をはかることがで
きると共に、低コスト化が可能となる。
実施例２
次に本充明のｆＡ２の実施例について説明する。
まず、ヒス？スＢ ｉ ３１３．５９、テルルＴｅ２
７２．７７Ｑ 、セレンＳ ｅ ８．８８３ ｇを秤量
し、さらにキャリア濃度を調整するためにヨウ化アンチ
モンＳｂｌ３を添加し、この混合物を石英管内に投入し
た後、真空ボンブによって管内の空気を排気．封入する
。そして、前記第１の実施例と同様にして、Ｂｉ Ｔ
ｅ３ｅ ＋メタルハライド２ ２．８５
０．１５ （ヨウ化アンチモン） ８． ９ｘ １ ０１８ｃＩ１
の固溶体を作り、さらに同様にして粒径の均一な粉
末を作り、５５０℃， １． ８ｔｏｎ ／ｃｍ テ
２０分ホットプレスしｎ型の８’ ２ ” ２．８５Ｓ
ｅＯ．１５焼結体を形成する。
７２．７７Ｑ 、セレンＳ ｅ ８．８８３ ｇを秤量
し、さらにキャリア濃度を調整するためにヨウ化アンチ
モンＳｂｌ３を添加し、この混合物を石英管内に投入し
た後、真空ボンブによって管内の空気を排気．封入する
。そして、前記第１の実施例と同様にして、Ｂｉ Ｔ
ｅ３ｅ ＋メタルハライド２ ２．８５
０．１５ （ヨウ化アンチモン） ８． ９ｘ １ ０１８ｃＩ１
の固溶体を作り、さらに同様にして粒径の均一な粉
末を作り、５５０℃， １． ８ｔｏｎ ／ｃｍ テ
２０分ホットプレスしｎ型の８’ ２ ” ２．８５Ｓ
ｅＯ．１５焼結体を形成する。
このようにして形成された焼結仏の特性を同一組成の結
晶材と比較したものを第２表に示す。
晶材と比較したものを第２表に示す。
く第２表〉
焼結体の性能指数は、２．４５Ｘ１０’／Ｋとなってお
り、同一組成の結晶材（２，４４Ｘ１０’／Ｋ）とほぼ
同程度であることがわかる。
り、同一組成の結晶材（２，４４Ｘ１０’／Ｋ）とほぼ
同程度であることがわかる。
このように、本発明のｎ型のＢｉＴｅＳ２ ２．８
５ ｅＯ．１５焼結体は、ゼーベツク係数は結晶材と同程度
を帷持し、かつ機械的強度が極めて向上し、再現性の良
好なものとなっている。
５ ｅＯ．１５焼結体は、ゼーベツク係数は結晶材と同程度
を帷持し、かつ機械的強度が極めて向上し、再現性の良
好なものとなっている。
ここで、不ＩＩ物ｅａをメタルハライドＳ ｂ Ｉ ．
３の添加量あるいはテルルＴｅの添加堡とによって変化
させたときのゼーベツク係数αと比抵抗ρとの関係を第
１図および第２図に示す。
３の添加量あるいはテルルＴｅの添加堡とによって変化
させたときのゼーベツク係数αと比抵抗ρとの関係を第
１図および第２図に示す。
この図からあきらかなように、不純物添加Ｓ度は１ｃｎ
−３あたり１０２１となるとＴｅの揚合せーベック係数
が５０μＶ／Ｋ程度となってしまう。また３ｂ１３の添
加金を６Ｘ１０２０／Ｃ翔−３とした場合、ゼーベツク
係数αｔよ１２０μＶ／Ｋとなり、１０１９台添加時の
半分に低下し、性能の低下は避けられない。比抵抗ρに
ついても同様である。このことからも不純物の濃度は１
０２’／ＣＩ−３以下とサるのが望ましい。
−３あたり１０２１となるとＴｅの揚合せーベック係数
が５０μＶ／Ｋ程度となってしまう。また３ｂ１３の添
加金を６Ｘ１０２０／Ｃ翔−３とした場合、ゼーベツク
係数αｔよ１２０μＶ／Ｋとなり、１０１９台添加時の
半分に低下し、性能の低下は避けられない。比抵抗ρに
ついても同様である。このことからも不純物の濃度は１
０２’／ＣＩ−３以下とサるのが望ましい。
次に、このようにして形成された第１の実施例のｐ型Ｂ
ｉ Ｓｂ Ｓｅ 焼結体およびｆＪ５２０．
５ １．５ ３ の実施例のｎ型の８ ！ −ｒ ｅ ２，８５８ ｅ
ｏ．ｔｓ焼結体２ を組み合わせてｐ−ｎ素子対を形成し、これによる最大
降下温度を測定した。
ｉ Ｓｂ Ｓｅ 焼結体およびｆＪ５２０．
５ １．５ ３ の実施例のｎ型の８ ！ −ｒ ｅ ２，８５８ ｅ
ｏ．ｔｓ焼結体２ を組み合わせてｐ−ｎ素子対を形成し、これによる最大
降下温度を測定した。
すなわち、このｐ−ｎ素子対の発熱側の温度”Ｈを２７
℃に保ちつつｐ−ｎ素子対に電流を流し、冷即側の温度
ＴＣを測定する。この差の最大値ΔＴ はΔＴ
＝Ｔ，，−Ｔ，＝６６．５Ｋを記ｌａＸ
ｌａＸ 録した。比較のために、同一組成の結晶材で構成したｐ
−ｎ素子対のＴ は、６６．９Ｋでありはと陽ａｘ んど同程度の性能が得られていることがわかる。
℃に保ちつつｐ−ｎ素子対に電流を流し、冷即側の温度
ＴＣを測定する。この差の最大値ΔＴ はΔＴ
＝Ｔ，，−Ｔ，＝６６．５Ｋを記ｌａＸ
ｌａＸ 録した。比較のために、同一組成の結晶材で構成したｐ
−ｎ素子対のＴ は、６６．９Ｋでありはと陽ａｘ んど同程度の性能が得られていることがわかる。
実施例３
次に本介明の第３の実施例について説明する。
まず、ビスマスＢ ｉ ７８．３８ ｗ、アンヂモンｓ
ｂ１３６．９８，テルル゛ｒ ｅ ２９５． ７３ｇ
、セレンＳ ｅ ５．３２９ジを秤量し、この混合物を
石英管内に投入した後、真空ポンプによって管内の空気
を排気，１・ｊ人する。そして、前記第１の実施例と同
様にして、Ｂｉ Ｓｂ Ｔｅ Ｓｅ
固溶体粉末０．５ １．５ ２．９１５
０．０９を作り、さらに同様にして粒径の均一な粉末
を作り、４００℃．４００ｋｇ／ｃｎ２で２０分ホット
プレスしｎ型のＢｉ−［ｃＳｅ 焼結体を２
２．８５ ０．１５ 形成する。
ｂ１３６．９８，テルル゛ｒ ｅ ２９５． ７３ｇ
、セレンＳ ｅ ５．３２９ジを秤量し、この混合物を
石英管内に投入した後、真空ポンプによって管内の空気
を排気，１・ｊ人する。そして、前記第１の実施例と同
様にして、Ｂｉ Ｓｂ Ｔｅ Ｓｅ
固溶体粉末０．５ １．５ ２．９１５
０．０９を作り、さらに同様にして粒径の均一な粉末
を作り、４００℃．４００ｋｇ／ｃｎ２で２０分ホット
プレスしｎ型のＢｉ−［ｃＳｅ 焼結体を２
２．８５ ０．１５ 形成する。
このようにして形成された焼結体の特性を同一組或の結
晶材と比較したものを第３表に示す。
晶材と比較したものを第３表に示す。
く第３表〉
この表からも、ｐ型のＢｉ Ｓｂ ＴｅＯ．５
１．５ ３ｅ 焼結体の性能指数は、３．０×２．９０５
０．０９ １０’／Ｋとなっており、同一組戒の結晶材（２．８×
１０゜３／Ｋ）とほぼ同程度であることがわか？。
１．５ ３ｅ 焼結体の性能指数は、３．０×２．９０５
０．０９ １０’／Ｋとなっており、同一組戒の結晶材（２．８×
１０゜３／Ｋ）とほぼ同程度であることがわか？。
このように、本発明のｐ型の３ｉ ３ｂＯ．５
１．５ Ｔｅ Ｓｅ 焼結体は、性能指数は結晶材２
．９１５ ０■０９ と同程度を維持し、かつ機械的強度が極めて向上し、再
現性の良好なものとなっている。
１．５ Ｔｅ Ｓｅ 焼結体は、性能指数は結晶材２
．９１５ ０■０９ と同程度を維持し、かつ機械的強度が極めて向上し、再
現性の良好なものとなっている。
ところで、この
Ｂｉ Ｓｂ Ｔｅ ３ｅ 焼結体は
、０．５ １．５ ２．９１５ ０．０９
Ｂｉ Ｓｂ （Ｔｅ Ｓｅ ）
３ ＋ｙＴｅＯ．５ １．５ １−ｘ
ｘ（０≦Ｘ≦０．２ ． ０≦ｙ≦０．２）に示す組或
の範囲内で適宜調整可能である。
、０．５ １．５ ２．９１５ ０．０９
Ｂｉ Ｓｂ （Ｔｅ Ｓｅ ）
３ ＋ｙＴｅＯ．５ １．５ １−ｘ
ｘ（０≦Ｘ≦０．２ ． ０≦ｙ≦０．２）に示す組或
の範囲内で適宜調整可能である。
さらに、ここで（よ、４００℃．４００ｋｇ／Ｃｌ２で
２０分ホットブレスしｎ型のＢｉ２Ｔｅ２．８５Ｓ００
． １５焼結体を形或したが、圧力が２０００ ｋ ｇ
／ｃｎ 以上となると３５０℃，１０分でも粒或長
して粒径が僅かに大きくなり（圧力が２３００ｋｇ／ｃ
ｎ２以上ヒなると溶解する）、熱電特性は８％程度改善
することができるが、単結晶よりも跪くなり、実用に適
さなくなることがわかった。
２０分ホットブレスしｎ型のＢｉ２Ｔｅ２．８５Ｓ００
． １５焼結体を形或したが、圧力が２０００ ｋ ｇ
／ｃｎ 以上となると３５０℃，１０分でも粒或長
して粒径が僅かに大きくなり（圧力が２３００ｋｇ／ｃ
ｎ２以上ヒなると溶解する）、熱電特性は８％程度改善
することができるが、単結晶よりも跪くなり、実用に適
さなくなることがわかった。
また、ホットプレス時の温度についても実験を坦ねた結
果、６００℃以上となると粒成長して粒径が僅かに大き
くなり、単結晶よりも脆くなり、実用に適さなくなるこ
とがわかった。
果、６００℃以上となると粒成長して粒径が僅かに大き
くなり、単結晶よりも脆くなり、実用に適さなくなるこ
とがわかった。
このように、焼結温度は３５０’Ｃから６００℃、圧力
は４００ｋ９／ｃｌ２から２０００ｋＱ／ｃｒａ２程度
とするのが望ましい。
は４００ｋ９／ｃｌ２から２０００ｋＱ／ｃｒａ２程度
とするのが望ましい。
なお、本充明実施例の方法において番よ、材料を石英管
内で加熱溶融し化合せしめた後、凝固点よりもわずかに
低い温度まで急冷するという方法をとっている。
内で加熱溶融し化合せしめた後、凝固点よりもわずかに
低い温度まで急冷するという方法をとっている。
従来は偏析を逸れるため、常温程度まで急冷するという
方法がとられている。この場合、微結晶となるために粒
界が増大し過ぎ、ドーピング制御が困難になることがあ
ったが、本介明実施の方法によれば、適切な粒度を得る
ことが可能となる。
方法がとられている。この場合、微結晶となるために粒
界が増大し過ぎ、ドーピング制御が困難になることがあ
ったが、本介明実施の方法によれば、適切な粒度を得る
ことが可能となる。
更にまた、前記実施例では、粉末焼結体中の紛未粒径を
２６〜７４μｍ程度に揃えたが、１０〜２０Ｃｌｍの範
囲内で適宜領域を選択すればよい．１０μｍ以下である
と、粒稈が非常に多くなるためにドーピング制曲が困難
となる上、粒界でのキャリアの散乱により移ｅｌ′ｆが
低下することにより、特性が低下する。また、粉末の凝
集が起り易くなり扱いが困難である。
２６〜７４μｍ程度に揃えたが、１０〜２０Ｃｌｍの範
囲内で適宜領域を選択すればよい．１０μｍ以下である
と、粒稈が非常に多くなるためにドーピング制曲が困難
となる上、粒界でのキャリアの散乱により移ｅｌ′ｆが
低下することにより、特性が低下する。また、粉末の凝
集が起り易くなり扱いが困難である。
また２００ｕｍ以上であると、十分な機械的強度および
十分な焼結密度を得ることができない。
十分な焼結密度を得ることができない。
（発明の効果）
以上説明してきたように、本梵明によれば粒径の均一な
テルル化ビスマス（Ｂ ｉ２Ｔｅ３）一テルル化アンチ
モン（Ｓｂ２Ｔｅ３）あるいはテルル化ビスマス（Ｂ
ｉ２Ｔｅ３）一テルル化アンチモン（Ｓｂ２Ｔｅ３）お
よびセレン化アンチモン（Ｓｂ２Ｓｅ３）固溶体粉末の
粉末焼結体によって熱電半導体材料を＠或しているため
、機械的強度が高く特性の良好な熱電素子を形成するこ
とが可能となる。
テルル化ビスマス（Ｂ ｉ２Ｔｅ３）一テルル化アンチ
モン（Ｓｂ２Ｔｅ３）あるいはテルル化ビスマス（Ｂ
ｉ２Ｔｅ３）一テルル化アンチモン（Ｓｂ２Ｔｅ３）お
よびセレン化アンチモン（Ｓｂ２Ｓｅ３）固溶体粉末の
粉末焼結体によって熱電半導体材料を＠或しているため
、機械的強度が高く特性の良好な熱電素子を形成するこ
とが可能となる。
また、本発明の方法では、目的とする組成となるように
所望の組成のビスマス、アンチモン、テルル、セレンお
よび一導電型の不純物を混合し、加熱溶融せしめた後、
急冷してインゴットを形成してこれを粉砕し、粒径をそ
ろえた後、加圧焼結するようにしているため、容易に再
現性よく、機械的強度が高く特性の良好な熱電素子を形
成することが可能となる。
所望の組成のビスマス、アンチモン、テルル、セレンお
よび一導電型の不純物を混合し、加熱溶融せしめた後、
急冷してインゴットを形成してこれを粉砕し、粒径をそ
ろえた後、加圧焼結するようにしているため、容易に再
現性よく、機械的強度が高く特性の良好な熱電素子を形
成することが可能となる。
第１図および第２図は、本允明実施例の粉末焼結体の不
純物濃度を変化させた場合のぜーベツク係数αと比抵抗
ρとの関係を示す図、第３図はキャリア澹度と熱電特性
の関係を示す図である。
純物濃度を変化させた場合のぜーベツク係数αと比抵抗
ρとの関係を示す図、第３図はキャリア澹度と熱電特性
の関係を示す図である。
Claims (7)
- （１）粒径が均一なテルル化ビスマス（Ｂｉ＿２Ｔｅ＿
３）およびテルル化アンチモン（Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３）の
固溶体粉末を主成分とした一導電型の粉末焼結体からな
ることを特徴とする熱電半導体材料。 - （２）前記粒径が１０〜２００ミクロンの範囲にあるこ
とを特徴とする請求項（１）記載の熱電半導体材料。 - （３）粒径が均一なテルル化ビスマス（Ｂｉ＿２Ｔｅ＿
３）とテルル化アンチモン（Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３）とセレ
ン化アンチモン（Ｓｂ＿２Ｓｅ＿３）との固溶体粉末を
主成分とした一導電型の粉末焼結体からなることを特徴
とする熱電半導体材料。 - （４）前記粒径が１０〜２００ミクロンの範囲にあるこ
とを特徴とする請求項（１）記載の熱電半導体材料。 - （５）前記粉末焼結体は、不純物として１０ｃｍ＾−＾
３以下のハロゲン原子またはIV族原子を添加したもので
あることを特徴とする請求項（１）記載の熱電半導体材
料。 - （６）所望の組成のビスマス、アンチモン、テルル、セ
レンおよび一導電型の不純物を混合し、加熱溶融せしめ
る加熱工程と、 急冷して固溶体を形成する冷却工程と、 該インゴットを粉砕し固溶体粉末を形成す る粉砕工程と、 前記固溶体粉末の粒径を均一化する整粒工 程と、 粒径の均一となった前記固溶体粉末を焼結 せしめる焼結工程とを含むことを特徴とする熱電半導体
材料の製造方法。 - （７）前記焼結工程は、整粒粉末を一方向加圧しながら
焼結せしめる工程であることを特徴とする請求項（６）
記載の熱電半導体材料の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151380A JP2829415B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 熱電半導体材料およびその製造方法 |
| PCT/JP1990/000777 WO1990016086A1 (en) | 1989-06-14 | 1990-06-14 | Thermoelectric semiconductor material and method of producing the same |
| KR1019910701841A KR920702798A (ko) | 1989-06-14 | 1990-06-14 | 열전반도체 재료 및 그 제조방법 |
| EP19900909359 EP0476134A4 (en) | 1989-06-14 | 1990-06-14 | Thermoelectric semiconductor material and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151380A JP2829415B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 熱電半導体材料およびその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8285264A Division JP2887468B2 (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 熱電半導体材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316281A true JPH0316281A (ja) | 1991-01-24 |
| JP2829415B2 JP2829415B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=15517306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1151380A Expired - Lifetime JP2829415B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 熱電半導体材料およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0476134A4 (ja) |
| JP (1) | JP2829415B2 (ja) |
| KR (1) | KR920702798A (ja) |
| WO (1) | WO1990016086A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998011612A1 (fr) * | 1996-09-13 | 1998-03-19 | Komatsu Ltd. | Materiau semi-conducteur thermoelectrique, procede de fabrication correspondant et procede de forgeage a chaud d'un module a base de ce materiau |
| US8035026B2 (en) | 2003-08-26 | 2011-10-11 | Kyocera Corporation | Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and methods for manufacturing the same |
| JP2020123744A (ja) * | 2015-01-05 | 2020-08-13 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅ Ｂｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | 熱電発電機 |
| CN112358811A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-02-12 | 广东电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种防/降电晕涂料及其制备方法 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5900071A (en) * | 1993-01-12 | 1999-05-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric materials |
| US5415699A (en) * | 1993-01-12 | 1995-05-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric cooling materials |
| US5448109B1 (en) * | 1994-03-08 | 1997-10-07 | Tellurex Corp | Thermoelectric module |
| EP0827215A3 (en) * | 1996-08-27 | 2000-09-20 | Kubota Corporation | Thermoelectric modules and thermoelectric elements |
| WO1998042033A1 (en) * | 1997-03-17 | 1998-09-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Si/SiGe SUPERLATTICE STRUCTURES FOR USE IN THERMOELECTRIC DEVICES |
| EP0996174B1 (en) * | 1998-10-22 | 2005-04-27 | Yamaha Corporation | Thermoelectric materials and thermoelectric conversion element |
| DE19924715A1 (de) * | 1999-05-29 | 2000-11-30 | Synthesechemie Gmbh | Peltier-Element |
| CA2280990A1 (en) * | 1999-08-27 | 2001-02-27 | Jacques L'ecuyer | New process for producing thermoelectric alloys |
| JP2001320097A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Komatsu Ltd | 熱電素子とその製造方法及びこれを用いた熱電モジュール |
| KR100340997B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2002-06-20 | 박호군 | 수율을 향상시킨 피형 열전재료의 제조방법. |
| KR100440268B1 (ko) * | 2001-04-21 | 2004-07-30 | 김창선 | 열전재료의 제조방법 |
| SE529160C2 (sv) | 2004-12-27 | 2007-05-15 | Svenska Aerogel Ab | En metod för framställning av agglomerat av utfällt silikamaterial, ett mikroporöst material innefattande sådana agglomerat och användning därav |
| RU2470414C1 (ru) * | 2011-06-28 | 2012-12-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА p-ТИПА НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2Te3-Sb2Te3 |
| US20140373889A1 (en) * | 2013-06-19 | 2014-12-25 | California Institute Of Technology | TE PERFORMANCE BY BAND CONVERGENCE IN (Bi1-XSbX)2Te3 |
| KR101470197B1 (ko) * | 2013-07-26 | 2014-12-05 | 주식회사 제펠 | 비스무트(Bi)-텔루륨(Te)-셀레늄(Se)계 고용체로 이루어진 열전 재료 |
| CN110581073B (zh) * | 2019-09-16 | 2022-06-14 | 中国科学技术大学 | 一种多层膜合金化制备太阳能电池吸收层材料硒化锑/硫硒化锑的方法 |
| CN112768594B (zh) * | 2021-01-11 | 2024-04-02 | 中国科学技术大学 | 一种铋碲系自然超晶格热电材料及其制备方法 |
| CN113023687B (zh) * | 2021-03-04 | 2022-09-09 | 南昌工程学院 | 一种基于放电等离子烧结技术的纳米铋锑碲制备方法 |
| CN114573348B (zh) * | 2022-03-25 | 2023-06-09 | 哈尔滨石油学院 | 一种提高Bi2Te3基热电材料热电性能的方法 |
| CN115385307A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-11-25 | 浙江先导热电科技股份有限公司 | 一种碲化铋微纳米粉体材料的制备方法及应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4868409A (ja) * | 1971-12-21 | 1973-09-18 | ||
| JPH01106478A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 熱電材料の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB920275A (en) * | 1959-11-24 | 1963-03-06 | Sandro Vartanovich Airapetianz | Alloys for positive branches of thermocouples |
| FR1292746A (fr) * | 1961-06-22 | 1962-05-04 | Sanyo Electric Co | Procédés de fabrication de thermo-éléments utilisant l'effet peltier et thermoélément résultant |
| FR1306282A (fr) * | 1961-11-07 | 1962-10-13 | Metallgesellschaft Ag | Combinaison thermoélectrique |
| US4588520A (en) * | 1982-09-03 | 1986-05-13 | Energy Conversion Devices, Inc. | Powder pressed thermoelectric materials and method of making same |
| JPH0832588B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1996-03-29 | 株式会社小松製作所 | 熱電半導体材料およびその製造方法 |
| JPS6477184A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Teikoku Piston Ring Co Ltd | Manufacture of thermoelement |
| JPH0642379A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-02-15 | Fuji Heavy Ind Ltd | 動弁機構のバルブタイミング制御装置 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP1151380A patent/JP2829415B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-06-14 KR KR1019910701841A patent/KR920702798A/ko not_active Application Discontinuation
- 1990-06-14 WO PCT/JP1990/000777 patent/WO1990016086A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1990-06-14 EP EP19900909359 patent/EP0476134A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4868409A (ja) * | 1971-12-21 | 1973-09-18 | ||
| JPH01106478A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 熱電材料の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998011612A1 (fr) * | 1996-09-13 | 1998-03-19 | Komatsu Ltd. | Materiau semi-conducteur thermoelectrique, procede de fabrication correspondant et procede de forgeage a chaud d'un module a base de ce materiau |
| US6274802B1 (en) | 1996-09-13 | 2001-08-14 | Komatsu Ltd. | Thermoelectric semiconductor material, manufacture process therefor, and method of hot forging thermoelectric module using the same |
| US8035026B2 (en) | 2003-08-26 | 2011-10-11 | Kyocera Corporation | Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and methods for manufacturing the same |
| US8519256B2 (en) | 2003-08-26 | 2013-08-27 | Kyocera Corporation | Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and method for manufacturing the same |
| JP2020123744A (ja) * | 2015-01-05 | 2020-08-13 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅ Ｂｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | 熱電発電機 |
| CN112358811A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-02-12 | 广东电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种防/降电晕涂料及其制备方法 |
| CN112358811B (zh) * | 2020-11-10 | 2022-02-15 | 广东电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种防/降电晕涂料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2829415B2 (ja) | 1998-11-25 |
| EP0476134A1 (en) | 1992-03-25 |
| WO1990016086A1 (en) | 1990-12-27 |
| KR920702798A (ko) | 1992-10-06 |
| EP0476134A4 (en) | 1992-04-29 |
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