JPH0316102A - 磁性材料、それから成る磁石及びそれらの製造方法 - Google Patents
磁性材料、それから成る磁石及びそれらの製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
- H01F1/04—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/047—Alloys characterised by their composition
- H01F1/053—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals
- H01F1/055—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5
- H01F1/059—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 and Va elements, e.g. Sm2Fe17N2
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は希土類一鉄一窒素一水素一M成分系組成を有す
る磁性材料に関し、特に永久磁石材料として好適な磁性
材料およびそれから戊る磁石Uらびにその製造方法に関
する。
る磁性材料に関し、特に永久磁石材料として好適な磁性
材料およびそれから戊る磁石Uらびにその製造方法に関
する。
C従来の技術]
永久磁石材料は小型モーター、アクチュエーター材料な
どとして家庭電化製品、音響製品、自動車部品に利用さ
れる一方、医療機器用大型磁石として使用されるなどエ
レクトロニクスの種々の分野で広い用途がある。磁石材
料はどのような利用法においても小型化、軽量化がその
進展方向であり、現在もSm−Co系磁石からより高い
磁気特性を有するNd−Fe−B系磁石へと大きく変換
中である。
どとして家庭電化製品、音響製品、自動車部品に利用さ
れる一方、医療機器用大型磁石として使用されるなどエ
レクトロニクスの種々の分野で広い用途がある。磁石材
料はどのような利用法においても小型化、軽量化がその
進展方向であり、現在もSm−Co系磁石からより高い
磁気特性を有するNd−Fe−B系磁石へと大きく変換
中である。
ここにいう磁気特性とは材料の飽和磁化(4π1s)、
残留磁束密度(Br) 、固有保磁力(iHC)、磁気
異方性エネルギー、角形比(BrハπIS)、最大エネ
ルギー積[(BH)..... ] 、キュリー温度、
熱減磁率を言う。
残留磁束密度(Br) 、固有保磁力(iHC)、磁気
異方性エネルギー、角形比(BrハπIS)、最大エネ
ルギー積[(BH)..... ] 、キュリー温度、
熱減磁率を言う。
ところで、Sm−Co系はその原料価格もさることなが
ら、Smの供給量自体に限界があり、現状でも生産量が
ほぼ飽和状態に達しており、このこともNd−Fe−B
系への転換をさらに押し進める原因にもなっている。
ら、Smの供給量自体に限界があり、現状でも生産量が
ほぼ飽和状態に達しており、このこともNd−Fe−B
系への転換をさらに押し進める原因にもなっている。
このNd−Fe−B系磁石(例えば特開昭59− 48
008号公1)はこれまでにない高い磁気特性を有し、
かつ、Sm−Co系に比較して原料供給が安定し安価で
あるという大きな長所がある。しかし、一方で温度特性
が劣り、キュリー点が低く、かつ耐食性は劣悪であり、
大きな短所となっている。
008号公1)はこれまでにない高い磁気特性を有し、
かつ、Sm−Co系に比較して原料供給が安定し安価で
あるという大きな長所がある。しかし、一方で温度特性
が劣り、キュリー点が低く、かつ耐食性は劣悪であり、
大きな短所となっている。
この点を改良するためにFeをCOで一部置換する方法
(例えば特開昭59− 132104号公報)やNdの
一部を重希土類元素に置換する方広も提案されている(
例えば特開昭60− 34005号公報)。
(例えば特開昭59− 132104号公報)やNdの
一部を重希土類元素に置換する方広も提案されている(
例えば特開昭60− 34005号公報)。
しかしながら、いずれも本質的な解決には到らず、現状
では結局コーティングやメッキなどの処理により、耐食
性の向上を図ることが実用化の必須条件となっている。
では結局コーティングやメッキなどの処理により、耐食
性の向上を図ることが実用化の必須条件となっている。
このため、実用特性は低下し、Nd−Fe−B系の本来
の高磁気特色は引き出しきれていない。
の高磁気特色は引き出しきれていない。
すなわassm−Cc系、Nd−Fe−B系とも優れた
磁石材料ではありながら実用上は多くの問題をかかえて
おり、さらに新規む磁石材料の出現がのぞまれている。
磁石材料ではありながら実用上は多くの問題をかかえて
おり、さらに新規む磁石材料の出現がのぞまれている。
また、従来のSm−Co系、Nd−Fe−B系焼結磁石
では、いずれの場合も焼結後の熱処理によって強磁性粒
子境界部分に粒子内部と組成の異なる相が分離する。い
わゆる2相分離型の微構造を形成する。これは粒子内部
、すなわち磁性領域間の相互作用を弱め、それによって
逆に磁気特性は向上する。
では、いずれの場合も焼結後の熱処理によって強磁性粒
子境界部分に粒子内部と組成の異なる相が分離する。い
わゆる2相分離型の微構造を形成する。これは粒子内部
、すなわち磁性領域間の相互作用を弱め、それによって
逆に磁気特性は向上する。
Nd−Fe−B系ではこの熱処理工程なしでは保磁力、
磁気異方性が発現し難いことも知られている。
磁気異方性が発現し難いことも知られている。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は先願の希土類一鉄一窒素一水素系新規磁気異方
性材料が粉体において達成した高い磁気特性を、バルク
磁石とくに焼結磁石ならびにボンド磁石として引き出す
ことを検討し、それを達成すると同峙に希土類一鉄一窒
素一水素−M成分系磁性材料という新たな磁性材料を提
供しようとするものである。
性材料が粉体において達成した高い磁気特性を、バルク
磁石とくに焼結磁石ならびにボンド磁石として引き出す
ことを検討し、それを達成すると同峙に希土類一鉄一窒
素一水素−M成分系磁性材料という新たな磁性材料を提
供しようとするものである。
E3”XJを解決するための千段]
磁性材料R e a F e LIOO−#−j−t−
J) N ,H t・M,において、M8含有しない組
成においては熱処理、雰囲気処理を行ってら、Sm−C
o,Nd−Fe−B系で見られるような2相分離型の微
構造を有する磁性材料を調製することは難しい。従って
、焼結磁石のようなバルクとして、高い磁気特性を引き
出すことが難しい。
J) N ,H t・M,において、M8含有しない組
成においては熱処理、雰囲気処理を行ってら、Sm−C
o,Nd−Fe−B系で見られるような2相分離型の微
構造を有する磁性材料を調製することは難しい。従って
、焼結磁石のようなバルクとして、高い磁気特性を引き
出すことが難しい。
そこで、本発明では、金属元素、半金属元素、無機化合
物をRe−Fe−N−H系磁性材料に加えることによっ
て、上記課題を解決したものである。すなわち本発明の
構成は、 (1)一般式R e z F e xoo−a−s−v
−a,N a H r・M,で表わされる磁性材料であ
り、 ReはYを含む希土類元素のうち少なくとも一種、 MはL1 s N a s K s M g %C a
% S r %Ba,Tt,Zr.Hf,Vs Nb
STa,C r s M o s W s M n s
P d s C u SA g sZn,BSAR%
Ga,InSC.S i,Ge.Sn.Pb,Biの元
素及びこれらの元素ならびにReの酸化物、フッ化物、
炭化物、窒化物、水素化物、炭酸塩、硫酸塩、ケイ酸塩
、塩化物、硝酸塩のうち少なくとも−種、 α、β、γ、δはそれぞれモル百分率で5≦α≦20 5≦β≦30 0.01≦γ≦10 0.1≦6≦40 であることを特徴とする磁性材料。
物をRe−Fe−N−H系磁性材料に加えることによっ
て、上記課題を解決したものである。すなわち本発明の
構成は、 (1)一般式R e z F e xoo−a−s−v
−a,N a H r・M,で表わされる磁性材料であ
り、 ReはYを含む希土類元素のうち少なくとも一種、 MはL1 s N a s K s M g %C a
% S r %Ba,Tt,Zr.Hf,Vs Nb
STa,C r s M o s W s M n s
P d s C u SA g sZn,BSAR%
Ga,InSC.S i,Ge.Sn.Pb,Biの元
素及びこれらの元素ならびにReの酸化物、フッ化物、
炭化物、窒化物、水素化物、炭酸塩、硫酸塩、ケイ酸塩
、塩化物、硝酸塩のうち少なくとも−種、 α、β、γ、δはそれぞれモル百分率で5≦α≦20 5≦β≦30 0.01≦γ≦10 0.1≦6≦40 であることを特徴とする磁性材料。
(2)上記請求項(1)に記載の磁性材料の成分である
Feの0,01〜50モル%をCoで置換した組成を有
することを特徴とする磁性材料。
Feの0,01〜50モル%をCoで置換した組成を有
することを特徴とする磁性材料。
(3)上記請求項(1)または(2)に記載の磁性材料
から成り、その組織の微構造の粒子境界部に上部一般式
で示した成分のうちMの含有量が多い相を有し、粒子中
心部にはMの含有量が少ないか、または、Mを含有しな
い相を有することを特徴とする2相分離型のバルク磁石
。
から成り、その組織の微構造の粒子境界部に上部一般式
で示した成分のうちMの含有量が多い相を有し、粒子中
心部にはMの含有量が少ないか、または、Mを含有しな
い相を有することを特徴とする2相分離型のバルク磁石
。
(4)その成分が、Re,Fe,N,Hからなる磁性材
料にM成分を混合添加して、それを焼結することによっ
て、この間成分を主に粒子境界部に拡散させ、反応させ
ることを特徴とする上記請求項(3)に記載の2相分離
型のバルク磁石の製造方法。
料にM成分を混合添加して、それを焼結することによっ
て、この間成分を主に粒子境界部に拡散させ、反応させ
ることを特徴とする上記請求項(3)に記載の2相分離
型のバルク磁石の製造方法。
(5〉上記請求項(1)または(2)に記載の磁性材料
から成ることを特徴とするボンド磁石である。
から成ることを特徴とするボンド磁石である。
また、M成分の混合方法としては、焼結、もしくは焼鈍
前の粉砕時に混入する方法がもっとら有効であり、かつ
、この添加方法によれば、焼結後の強磁性粒子境界部と
内部の2相分離型微構造を極めて効率よく、均一に作製
できるため、焼結条件の制御、混合するM戊分の種類に
より種々の磁気特性を有する磁石を調製し得ることが明
らかになった。
前の粉砕時に混入する方法がもっとら有効であり、かつ
、この添加方法によれば、焼結後の強磁性粒子境界部と
内部の2相分離型微構造を極めて効率よく、均一に作製
できるため、焼結条件の制御、混合するM戊分の種類に
より種々の磁気特性を有する磁石を調製し得ることが明
らかになった。
すなわち、製造方注の構或は、その戊分が、Re,Fe
SN,Hからなる磁性材料の焼鈍前の粉砕の時、または
、焼結の時にM成分を添加して、それを焼結することに
よって、このM成分を主に強磁性粒子境界部に拡散させ
るか、もしくはさらに、反応させる2相分離型のバルク
磁石の製還方法である。
SN,Hからなる磁性材料の焼鈍前の粉砕の時、または
、焼結の時にM成分を添加して、それを焼結することに
よって、このM成分を主に強磁性粒子境界部に拡散させ
るか、もしくはさらに、反応させる2相分離型のバルク
磁石の製還方法である。
本磁性材料の成分のうち、Re−Fe−N−Hのみで磁
性粉体を構成した場合は粉体としては良好な磁気特性が
得られるものの、それを焼結し、熱処理を加えてもRe
−Fe−N−H系ではSm−Co,Nd−Fe−B系で
見られる有効な相分離は起こらない。ところがこの系に
M成分を加えた場合、二〇M成分は強磁性粒子間領域に
侵入し、焼結条件に応じて主11間に分離層を設ける役
割を演ずるか、もしくはさらに主相と反応して低砿気特
性領域を形成する。
性粉体を構成した場合は粉体としては良好な磁気特性が
得られるものの、それを焼結し、熱処理を加えてもRe
−Fe−N−H系ではSm−Co,Nd−Fe−B系で
見られる有効な相分離は起こらない。ところがこの系に
M成分を加えた場合、二〇M成分は強磁性粒子間領域に
侵入し、焼結条件に応じて主11間に分離層を設ける役
割を演ずるか、もしくはさらに主相と反応して低砿気特
性領域を形成する。
特にM成分として、融点500℃以下の低融点元素MR
が少なくとも一稲含まれていると、低磁気特性領域を形
成するのに有効である。
が少なくとも一稲含まれていると、低磁気特性領域を形
成するのに有効である。
しかし、融点500℃以上の元素Mh,または無機化含
物Miを加えた場合でも強磁性粒子間に微分散させるこ
とで、同様な効果を得ることができる。
物Miを加えた場合でも強磁性粒子間に微分散させるこ
とで、同様な効果を得ることができる。
勿論、このM成分はRe−Fe−N−H−M系における
熱処理で}目分離をひき起こしさえすれば有効であり、
後述する様に母合金の合成肪もしくは窒化・水素化の段
階で添加する方法も有効である。
熱処理で}目分離をひき起こしさえすれば有効であり、
後述する様に母合金の合成肪もしくは窒化・水素化の段
階で添加する方法も有効である。
このようにRe−F e−N−H−M系磁性材料は、M
成分を含有しない場合に対して明瞭に区別でき、特に焼
結磁石において主として保磁力と角形比は顕著に向上す
る。
成分を含有しない場合に対して明瞭に区別でき、特に焼
結磁石において主として保磁力と角形比は顕著に向上す
る。
以下本発明の永久磁石材料の組成について詳細に説明す
る。
る。
なお、本発明中で各組成の含有率はモル百分率で表記す
る。ここでいうモル百分率α、β、γ、δは、Mが単一
元素あるいは2元以上の多元元素系である場合、原子百
分率と同義であるが、Mが酸化物、窒化物などの無機化
合物を含む場合は化学式あるいは組成式の定める原子団
の原子量の総和を1モルとし、Re,FeSN,Hのそ
れぞれ1原子を1モルとしてモル百分率を計算する。
る。ここでいうモル百分率α、β、γ、δは、Mが単一
元素あるいは2元以上の多元元素系である場合、原子百
分率と同義であるが、Mが酸化物、窒化物などの無機化
合物を含む場合は化学式あるいは組成式の定める原子団
の原子量の総和を1モルとし、Re,FeSN,Hのそ
れぞれ1原子を1モルとしてモル百分率を計算する。
また、前述のように、本発明のR e − F e −
N−H−M系磁性材料では、2相分離型の微構造がその
特徴の一つであるので微構造中の強磁性粒子境界部と、
粒子内部では組成は変動する。
N−H−M系磁性材料では、2相分離型の微構造がその
特徴の一つであるので微構造中の強磁性粒子境界部と、
粒子内部では組成は変動する。
従って、ここでいう組成とは全微構造の平均を言い、処
理条件による微構造中での組成変動は問わないこととす
る。
理条件による微構造中での組成変動は問わないこととす
る。
本発明中のReは5〜20モル%の範囲にあることが必
要である。5モル%未満では保磁力が小さくなってしま
うし、20モル%を越えると残留磁束密度が小さくなっ
てしまうので、実用的な永久磁石にはならない。又、R
eとしてはY,LaSCe,Pr、Nd,Pm,Sm,
Eu,Gd,Tbs Dy%Ho,Er、Tm,Yb及
びLuのうち少なくとも1種を含めばよく、従って、ミ
ッシュメタルやジジウム等の2種以上の希土類混合物を
用いてもよい。
要である。5モル%未満では保磁力が小さくなってしま
うし、20モル%を越えると残留磁束密度が小さくなっ
てしまうので、実用的な永久磁石にはならない。又、R
eとしてはY,LaSCe,Pr、Nd,Pm,Sm,
Eu,Gd,Tbs Dy%Ho,Er、Tm,Yb及
びLuのうち少なくとも1種を含めばよく、従って、ミ
ッシュメタルやジジウム等の2種以上の希土類混合物を
用いてもよい。
また、このReは工業的生産により入手可能な純度でよ
く、望ましくは高純度の原料を用いる方がよい。
く、望ましくは高純度の原料を用いる方がよい。
Feは本磁性材料の基本組成であり、含有量が90モル
%まで有効である。また、このFe分をCo原子で置換
した場合はFeの50モル%までの置換ならば物性を損
うことがなく、組成、処理条件に応じて特異な物性値を
引き出し得る。
%まで有効である。また、このFe分をCo原子で置換
した場合はFeの50モル%までの置換ならば物性を損
うことがなく、組成、処理条件に応じて特異な物性値を
引き出し得る。
なお、これらRe−Fe組成のみについては2−14、
2−17組成など、いくつかの構造を基本とすることが
考えられるが、とくに2−l7構造を基礎にして、窒素
、水素、Mを加えていくのが好ましい。
2−17組成など、いくつかの構造を基本とすることが
考えられるが、とくに2−l7構造を基礎にして、窒素
、水素、Mを加えていくのが好ましい。
窒素は5〜30モル%であることが必要である。
5モル%未満、30モル%を越えると磁気異方性が小さ
くなり、保磁力も減少し、永久磁石材料としての実用性
はない。とくにlO〜20モル%の範囲は好ましい。
くなり、保磁力も減少し、永久磁石材料としての実用性
はない。とくにlO〜20モル%の範囲は好ましい。
水素については0.01〜10モル%であることが必要
である。これ以外の組成領域では磁気特性は全般的低下
するとともに鉄のa相が析出し易くなる。これも特に0
.02〜5モル%の範囲が好ましい。
である。これ以外の組成領域では磁気特性は全般的低下
するとともに鉄のa相が析出し易くなる。これも特に0
.02〜5モル%の範囲が好ましい。
M成分としてはL i1N a s K s M g
s C a sSrx Ba,’rt,Zr,Hf%
V%Nb,TaS C r、Mo%W,MnS Pd%
Cu,Ag%Zn,B%A5I1(;a,I n%
c%S i,Ge,Sn,Pb%Biの元素及びこれら
の元素ならびにReの酸化物、フッ化物、炭化物、窒化
物、水素化物、炭酸塩、硫酸塩、ケイ酸塩、塩化物、硝
酸塩のうち少なくとも1種存在していればよく、2N以
上の共存系でも有効である。
s C a sSrx Ba,’rt,Zr,Hf%
V%Nb,TaS C r、Mo%W,MnS Pd%
Cu,Ag%Zn,B%A5I1(;a,I n%
c%S i,Ge,Sn,Pb%Biの元素及びこれら
の元素ならびにReの酸化物、フッ化物、炭化物、窒化
物、水素化物、炭酸塩、硫酸塩、ケイ酸塩、塩化物、硝
酸塩のうち少なくとも1種存在していればよく、2N以
上の共存系でも有効である。
無機化合物としては、MgO,A51203、Cab,
ZrO2、Tie,Ti20z、希土類酸化物などの酸
化物、AiF3、ZnF2、CaF2、CrF2、Sn
Fz、PbF2、LiF, SrF 2 、
HfF 4 、 PdF コ 、AgF,AgF
2、希土類フッ化物などのフフ化物、SiC,Tic,
ZrCSWC,TaC,NbC % VC, M
g 2 C3 、 Mo2 C. MoC
.HfC,布土類炭化物などの炭化物、AIN、Si
3 N 4 、 Zn 3 N 2 、
InN,GaN,Ca 3 N 2 、 C;e
3Na 、 CrNs Sn3N 2 、W
2 N3、TaN.Tj N%NbN,VN,Mg3N
2、Mo2N,MoN,BN,HfN,希土類窒化物な
どの窒化物、Z rH2CJIH2 CrH,CrH
z GeH,GeH2、LiH,水素化ストロンチウ
ム、水素化パラジウム、希土類水素化物などの水素化物
、 MgCO コ 、 SrCO コ 、
BaCO コ 、CaCO:+ 、 MnCO
コ 、 LizCOz 、 希土類炭酸塩など
の炭酸塩、Agz SO4、BaSO4 SrSO4
CaSO4K2S04、希土類硫酸塩などの硫酸塩、
ケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸カリウム、
ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸バリウム、ケイ酸マグネシ
ウム、ケイ酸マンガン、希土類ケイ酸塩などのケイ酸塩
、NaC交、KC l,CuCl、PbCl2、BiC
512、AgCl,希土類塩化物などの塩化物、KNO
3、AI(NO3)コ、AgNO3、希土類硝酸塩など
の硝酸塩が挙げられる。
ZrO2、Tie,Ti20z、希土類酸化物などの酸
化物、AiF3、ZnF2、CaF2、CrF2、Sn
Fz、PbF2、LiF, SrF 2 、
HfF 4 、 PdF コ 、AgF,AgF
2、希土類フッ化物などのフフ化物、SiC,Tic,
ZrCSWC,TaC,NbC % VC, M
g 2 C3 、 Mo2 C. MoC
.HfC,布土類炭化物などの炭化物、AIN、Si
3 N 4 、 Zn 3 N 2 、
InN,GaN,Ca 3 N 2 、 C;e
3Na 、 CrNs Sn3N 2 、W
2 N3、TaN.Tj N%NbN,VN,Mg3N
2、Mo2N,MoN,BN,HfN,希土類窒化物な
どの窒化物、Z rH2CJIH2 CrH,CrH
z GeH,GeH2、LiH,水素化ストロンチウ
ム、水素化パラジウム、希土類水素化物などの水素化物
、 MgCO コ 、 SrCO コ 、
BaCO コ 、CaCO:+ 、 MnCO
コ 、 LizCOz 、 希土類炭酸塩など
の炭酸塩、Agz SO4、BaSO4 SrSO4
CaSO4K2S04、希土類硫酸塩などの硫酸塩、
ケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸カリウム、
ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸バリウム、ケイ酸マグネシ
ウム、ケイ酸マンガン、希土類ケイ酸塩などのケイ酸塩
、NaC交、KC l,CuCl、PbCl2、BiC
512、AgCl,希土類塩化物などの塩化物、KNO
3、AI(NO3)コ、AgNO3、希土類硝酸塩など
の硝酸塩が挙げられる。
その組成としては0.1から40モル%まで考えられる
が、30モル%以上ではいずれの金属でも磁化は減少し
、保磁力が増加する傾向が顕著になり、特殊な用途の磁
気材料となる。40モル%を越えるとこの傾向はさらに
強まり、永久磁石としては実用的でない。0.1モル%
未満では添加効果はほとんど見られない。
が、30モル%以上ではいずれの金属でも磁化は減少し
、保磁力が増加する傾向が顕著になり、特殊な用途の磁
気材料となる。40モル%を越えるとこの傾向はさらに
強まり、永久磁石としては実用的でない。0.1モル%
未満では添加効果はほとんど見られない。
本節のはじめに述べたように、本発明で得られる、例え
ば、焼結磁石の微構造では強磁性粒子の粒界部と粒内で
明らかに異なる組成の相が存在する。特に高い磁気特性
を有する試料ではM成分が粒界部に多く、粒内では濃度
が低い。
ば、焼結磁石の微構造では強磁性粒子の粒界部と粒内で
明らかに異なる組成の相が存在する。特に高い磁気特性
を有する試料ではM成分が粒界部に多く、粒内では濃度
が低い。
この微構造は磁石特性の発現、向上に非常に有用である
。
。
従って、本発明の試料組成は、とくにM成分についてそ
の濃度の低い部分が各強磁性粒子の中央部に、その濃度
の高い部分が強磁性粒子表面及び粒界部に多く存在する
2相型の微構造の平均を意味する。
の濃度の低い部分が各強磁性粒子の中央部に、その濃度
の高い部分が強磁性粒子表面及び粒界部に多く存在する
2相型の微構造の平均を意味する。
M成分の種類と2相分離型のバルク磁石の微構造につい
て、更に詳しく述べる。
て、更に詳しく述べる。
前述のようにM成分として放射性元素、および8族の一
部の金属元素をのぞき、非磁性でさえあれば、どの元素
及びそれらの無機化合物を添加しても、主として角形比
、保磁力向上に寄与する。しかしながら、添加M或分の
種類によって磁気特性に与える効果及びバルク磁石の微
構造は異なる。
部の金属元素をのぞき、非磁性でさえあれば、どの元素
及びそれらの無機化合物を添加しても、主として角形比
、保磁力向上に寄与する。しかしながら、添加M或分の
種類によって磁気特性に与える効果及びバルク磁石の微
構造は異なる。
M成分としてZn,Ga,Snq In..PbsB
iなどのような低融点元素M9.を加えた場合、焼結時
にMlの融点以上の温度で熱処理することにより強磁性
粒子の粒界部にM51が容易に拡散し、磁気特性の高い
2層分離型のバルク磁石を得ることができる。
iなどのような低融点元素M9.を加えた場合、焼結時
にMlの融点以上の温度で熱処理することにより強磁性
粒子の粒界部にM51が容易に拡散し、磁気特性の高い
2層分離型のバルク磁石を得ることができる。
さらに、Zn,Ga.Snなどのように鉄と多くの化合
物を形成する物質を中心に添加した場合と、In1Pb
SBifjどのように鉄主体の組成で安定な化合物を形
成し難い物質を中心に添加した場合では添加の効果は異
なる。しかし、いずれの場合でも焼結等の処理条件の最
適化により永久磁石材料と称し得る特性を付与すること
ができる。
物を形成する物質を中心に添加した場合と、In1Pb
SBifjどのように鉄主体の組成で安定な化合物を形
成し難い物質を中心に添加した場合では添加の効果は異
なる。しかし、いずれの場合でも焼結等の処理条件の最
適化により永久磁石材料と称し得る特性を付与すること
ができる。
In−Ga,Ga−Zn,Sn−Znなどの低融点元素
同志の2種以上の合金あるいは混合物を用いた場合、多
くは融点が変化するために、より低温で処理しても高い
磁気特性を付与できる場合がある。さらに、共晶点組成
のLa−Cu合金のような高融点金属同志の組み合わせ
でも融点が低下するため、Mlと同様に扱う事が可能な
場合がある。また、In−Znのように常温で相分離す
る多元系でもM成分として添加可能であるが、添加量比
による磁気特性変化は上記多元系と異なり、特異的な挙
動を示す場合があるので、焼結条件の最適化には注意を
要する。
同志の2種以上の合金あるいは混合物を用いた場合、多
くは融点が変化するために、より低温で処理しても高い
磁気特性を付与できる場合がある。さらに、共晶点組成
のLa−Cu合金のような高融点金属同志の組み合わせ
でも融点が低下するため、Mlと同様に扱う事が可能な
場合がある。また、In−Znのように常温で相分離す
る多元系でもM成分として添加可能であるが、添加量比
による磁気特性変化は上記多元系と異なり、特異的な挙
動を示す場合があるので、焼結条件の最適化には注意を
要する。
M成分として高融点元素Mhおよび無機化合物Miを添
加する場合は、強磁性体粒子の粒界に微分散させること
により、2相分離型の微構造を有するバルク磁石を得る
ことができ、主として角形比、保磁力向上に寄与する。
加する場合は、強磁性体粒子の粒界に微分散させること
により、2相分離型の微構造を有するバルク磁石を得る
ことができ、主として角形比、保磁力向上に寄与する。
とくに、MhおよびMiの添加系においてTaSNb,
SmSCrSV,W%C,Ges AsSCesZr,
Ti,Mo,Si,IfSSm203、MgO 、
A1 2 0x 、 A 51 F) 、
ZnF 2 、SiC % T i C
s A 交 N,St:+N 4Zn
3 N 2 SrCOz 、 BaSO
4Li2SiOコ、NaC1などをM成分として用い
ると、高い角形比ならびに保磁力を付与することができ
る。微粉砕又は微粉調整可能で安定なS i,MgO,
AR・203、Si3N4、SiC,TiCなとのMh
ならびにML成分は強磁性体粒子の粒界に微分散し易い
ため特に有効で、高い磁気特性を与える。又、Cu、M
oS Pds ZrHz、Agz 504Mg2S
io4、MgCOコ、KNOコなどのMhならびにML
は高い残留磁束密度を付与せしめる。
SmSCrSV,W%C,Ges AsSCesZr,
Ti,Mo,Si,IfSSm203、MgO 、
A1 2 0x 、 A 51 F) 、
ZnF 2 、SiC % T i C
s A 交 N,St:+N 4Zn
3 N 2 SrCOz 、 BaSO
4Li2SiOコ、NaC1などをM成分として用い
ると、高い角形比ならびに保磁力を付与することができ
る。微粉砕又は微粉調整可能で安定なS i,MgO,
AR・203、Si3N4、SiC,TiCなとのMh
ならびにML成分は強磁性体粒子の粒界に微分散し易い
ため特に有効で、高い磁気特性を与える。又、Cu、M
oS Pds ZrHz、Agz 504Mg2S
io4、MgCOコ、KNOコなどのMhならびにML
は高い残留磁束密度を付与せしめる。
これら、高融点元素Mh,無機化合物Miは2種以上の
組み合わせも可能である。
組み合わせも可能である。
さらに、低融点元素M51に高融点元素Mhまたは、お
よび無機化合物Miの組み合わせは特に有効である。Z
r−Zn.Sm−Zn,Cu−Zn.Si−Zn,G
e−Zn%Hf−InなどのM9!−Mh系、MgO−
ZnSAiF:+−Zn,TiC−ZnSSi3N4−
ZnsAg2 SO4−InなどのMi−M51系、さ
らにM!1−Mh−Mi系などの多元素系をM成分とし
て用いると、強磁性粒子の粒界部にM成分の分散性が良
好な2相分離型の微構造を有する高磁気特性の焼結磁石
が得られる。
よび無機化合物Miの組み合わせは特に有効である。Z
r−Zn.Sm−Zn,Cu−Zn.Si−Zn,G
e−Zn%Hf−InなどのM9!−Mh系、MgO−
ZnSAiF:+−Zn,TiC−ZnSSi3N4−
ZnsAg2 SO4−InなどのMi−M51系、さ
らにM!1−Mh−Mi系などの多元素系をM成分とし
て用いると、強磁性粒子の粒界部にM成分の分散性が良
好な2相分離型の微構造を有する高磁気特性の焼結磁石
が得られる。
高融点元素Mhにおいても、M51と同様にA 51
s Z r s S i% T a ST rなどのよ
うな鉄と多くの化合物または固溶体を形成する物質を中
心に加えた場合と、Cuなどのように鉄主体の組成で安
定な化合物を形成し難い物質を中心に加えた場合で添加
の効果は異なる。しかし、いずれの場合でも焼結等の処
理条件の最適化により永久磁石と称し得る特性を付与す
ることができる。
s Z r s S i% T a ST rなどのよ
うな鉄と多くの化合物または固溶体を形成する物質を中
心に加えた場合と、Cuなどのように鉄主体の組成で安
定な化合物を形成し難い物質を中心に加えた場合で添加
の効果は異なる。しかし、いずれの場合でも焼結等の処
理条件の最適化により永久磁石と称し得る特性を付与す
ることができる。
酸素を含む無機化合物Miのうち分解し易く、強磁性相
を強く酸化するものは、焼結等の熱処理条件によって添
加効果のない場合がある。しかし、強磁性粒子表面を薄
い酸化膜で覆うような程度の酸化が生じる場合は、この
限りではない。
を強く酸化するものは、焼結等の熱処理条件によって添
加効果のない場合がある。しかし、強磁性粒子表面を薄
い酸化膜で覆うような程度の酸化が生じる場合は、この
限りではない。
また、結晶水を含む無機化合物M1のうち、焼結等の熱
処理時に結晶水と同時に酸素を放出するものは強磁性粒
子を酸化し、磁気特性低下の原因となるので好ましくな
い。
処理時に結晶水と同時に酸素を放出するものは強磁性粒
子を酸化し、磁気特性低下の原因となるので好ましくな
い。
強磁性粒子の表面酸化は5重量%を越えなければ、磁気
特性に大きな影響を及ぼさないが、高い残留磁束密度を
達成するためには、好ましくは3重量%以下にすること
が必要である。
特性に大きな影響を及ぼさないが、高い残留磁束密度を
達成するためには、好ましくは3重量%以下にすること
が必要である。
なお添加成分として、Re単独、Re−Fe,Re−M
SRe−Fe−M,更にReの無機化合物、Feの無機
化合物、及びそれらとMの混合系を添加することもでき
る。又上記FeをCo又はFe−Coに置き換えた添加
系も可能である。
SRe−Fe−M,更にReの無機化合物、Feの無機
化合物、及びそれらとMの混合系を添加することもでき
る。又上記FeをCo又はFe−Coに置き換えた添加
系も可能である。
特に強磁性相と親和性が大きい、Re組成100〜30
モル%のRe−Fe合金または各種組成のRe−Znな
どのR−M多元系、Re−Fe−Zn合金などのRe−
Fe−M多元系をM成分として、製造工程の各段階で加
えることは有効である。
モル%のRe−Fe合金または各種組成のRe−Znな
どのR−M多元系、Re−Fe−Zn合金などのRe−
Fe−M多元系をM成分として、製造工程の各段階で加
えることは有効である。
製造方法
次に本発明の磁性材料の製造方法について説明をするが
、特にこれに限定はしない。
、特にこれに限定はしない。
この製造方法のフローチャートを第1図に示す。すなわ
ち、 (1)母合金の合成では希土類一鉄系合金を合成するが
、この段階でM成分を添加することも可能である。(2
)粗粉砕、(3)窒化、水素化で本発明の磁気材料粉体
を作製し得る。ただし、ここまでの段階でM成分を含有
させず、次の(4)微粉砕ではじめて添加する方法もあ
り、この方法においては、分解性、昇華性の高いM成分
を添加することが可能となり、とくに有効である。
ち、 (1)母合金の合成では希土類一鉄系合金を合成するが
、この段階でM成分を添加することも可能である。(2
)粗粉砕、(3)窒化、水素化で本発明の磁気材料粉体
を作製し得る。ただし、ここまでの段階でM成分を含有
させず、次の(4)微粉砕ではじめて添加する方法もあ
り、この方法においては、分解性、昇華性の高いM成分
を添加することが可能となり、とくに有効である。
磁場配向、戊形を経て、(5)焼結ではじめて焼結磁石
が作製できる。さらに、着磁を行い、永久磁石のプロセ
スを完結する。また(4)工程の後得られた磁性粉を用
いてボンド磁石を製造することもできる。
が作製できる。さらに、着磁を行い、永久磁石のプロセ
スを完結する。また(4)工程の後得られた磁性粉を用
いてボンド磁石を製造することもできる。
以下に各プロセスについて詳細に述べる。
(1)母合金の合成
原料合金は高周波炉、アーク溶解炉によっても、又液体
超急冷法によっても作製できる。そのm或はReが5〜
25モル%、Feが75〜95モル%の範囲にあること
が好ましい。Reが5モル%未満では合金中にα一Fe
相が多く存在し、高保磁力が得られない。また、Reが
25モル96を越えると高い残留磁束密度が得られない
。M成分もこの段階で同峙に合金中に添加することが可
能である。
超急冷法によっても作製できる。そのm或はReが5〜
25モル%、Feが75〜95モル%の範囲にあること
が好ましい。Reが5モル%未満では合金中にα一Fe
相が多く存在し、高保磁力が得られない。また、Reが
25モル96を越えると高い残留磁束密度が得られない
。M成分もこの段階で同峙に合金中に添加することが可
能である。
高周波炉及びアーク溶解炉を用いた場合、溶融状態から
合金が凝固する際にFeが析出し易く、このことは磁気
特性、とくに保磁力の低下をひきおこす。そこでFe単
体での相を消失させ、合金の組成の均一化および結晶性
の向上を目的として焼師を行うことが有効である。この
焼tit;は800℃〜1300℃で行う場合に効果が
顕著である。この方法で作製した合金は液体超急冷法な
どと比較して結晶性が良好であり、高い残留磁束密度を
有している。
合金が凝固する際にFeが析出し易く、このことは磁気
特性、とくに保磁力の低下をひきおこす。そこでFe単
体での相を消失させ、合金の組成の均一化および結晶性
の向上を目的として焼師を行うことが有効である。この
焼tit;は800℃〜1300℃で行う場合に効果が
顕著である。この方法で作製した合金は液体超急冷法な
どと比較して結晶性が良好であり、高い残留磁束密度を
有している。
液体超急冷法、ロール回転法などの合金作製法でも、目
的組成の合金を作製できる。しかも、これらの方法によ
り作製した合金の結晶粒は微細であり、条件によっては
サブミクロンの粒子も調製できる。ただし、冷却速度が
大きい場合には合金の非品質化が起こり、窒化、水素化
後にも残留磁束密度、保磁力が他の方法ほど上昇しない
。この場合にも焼鈍等の後処理が必要である。
的組成の合金を作製できる。しかも、これらの方法によ
り作製した合金の結晶粒は微細であり、条件によっては
サブミクロンの粒子も調製できる。ただし、冷却速度が
大きい場合には合金の非品質化が起こり、窒化、水素化
後にも残留磁束密度、保磁力が他の方法ほど上昇しない
。この場合にも焼鈍等の後処理が必要である。
(2)粗粉砕
この段階の粉砕はジョークラッシャー スタンプミルの
ような粗粉のみを調製するような方法でもよいし、ボー
ルミル、ジェットミルによっても条件次第で可能である
。しかし、この粉砕は次の段階における窒化、水素化を
均一に行わしめるためのものであり、その条件とあわせ
て十分な反応性を有し、かつ酸化が顕著に進行しない粉
体状態に調製することが重要である。
ような粗粉のみを調製するような方法でもよいし、ボー
ルミル、ジェットミルによっても条件次第で可能である
。しかし、この粉砕は次の段階における窒化、水素化を
均一に行わしめるためのものであり、その条件とあわせ
て十分な反応性を有し、かつ酸化が顕著に進行しない粉
体状態に調製することが重要である。
M成分の混合についてはこの粉砕時に行うことも可能で
ある。
ある。
(3)窒化、水素化
粉砕された原料母合金中に窒素及び水素を化合もしくは
含浸させる方法としては原料合金粉末をアンモニアガス
或いはアンモニアガスを含む還元性の混合ガス中で加圧
あるいは加熱処理する方法が有効である。合金中に含ま
れる窒素及び水素量はアンモニアガス含有混合ガスの混
合成分比、及び加熱温度、加圧力、処理時間によって制
御し得る。
含浸させる方法としては原料合金粉末をアンモニアガス
或いはアンモニアガスを含む還元性の混合ガス中で加圧
あるいは加熱処理する方法が有効である。合金中に含ま
れる窒素及び水素量はアンモニアガス含有混合ガスの混
合成分比、及び加熱温度、加圧力、処理時間によって制
御し得る。
混合ガスとしては水素、ヘリウム、ネオン、窒素及びア
ルゴンのいずれか、もしくは2種以上とアンモニアガス
を混合したガスが有効である。混合比は処理条件との関
連で変化させ得るが、アンモニアガス分圧としては、と
くに0.02〜0.75atsが有効であり、処理濫度
は200〜650℃の範囲が好ましい。低温では侵入速
度が小さく、650℃を越える高温では鉄の窒化物が生
戊し、磁気特性は低下する。加圧処理ではJ[la目程
度の加圧でも窒素、水素の含有量を変化させ得る。
ルゴンのいずれか、もしくは2種以上とアンモニアガス
を混合したガスが有効である。混合比は処理条件との関
連で変化させ得るが、アンモニアガス分圧としては、と
くに0.02〜0.75atsが有効であり、処理濫度
は200〜650℃の範囲が好ましい。低温では侵入速
度が小さく、650℃を越える高温では鉄の窒化物が生
戊し、磁気特性は低下する。加圧処理ではJ[la目程
度の加圧でも窒素、水素の含有量を変化させ得る。
この窒化、水素化の工程で注意すべき点は酸化であり、
雰囲気中に多量の酸素が存在していると磁気特性は低下
する。従って、でき得る限り酸素分圧を低下させる方が
のぞましい。
雰囲気中に多量の酸素が存在していると磁気特性は低下
する。従って、でき得る限り酸素分圧を低下させる方が
のぞましい。
アンモニアガス以外のガスを窒化、水素化雰囲気の主成
分とすると、反応効率は著しく低下する。しかし、たと
えば水素ガスと窒素ガスの混合ガスを用い長時間反応を
行うと窒素及び水素の導入は可能である。
分とすると、反応効率は著しく低下する。しかし、たと
えば水素ガスと窒素ガスの混合ガスを用い長時間反応を
行うと窒素及び水素の導入は可能である。
(4〉微粉砕
Re−Fe−N−H−M系磁性材料においてMの添加が
最も顕著な効果を示すのは、窒化、水素化に続く、この
段階でM成分を添加混合し、焼結する方法である。
最も顕著な効果を示すのは、窒化、水素化に続く、この
段階でM成分を添加混合し、焼結する方法である。
添加量は0.1モル%程度の少量から40モル%までそ
れぞれ量に応じた添加効果が見られる。
れぞれ量に応じた添加効果が見られる。
とくに2モル%〜20モル%の範囲はM成分が磁気特性
とくに焼結体の(Bl1) .,,値を向上させるのに
有効である.0,1〜2モル%の範囲では残留磁束密度
の低下が小さく保磁力は原料粉体を少し上まわる程度で
ある。
とくに焼結体の(Bl1) .,,値を向上させるのに
有効である.0,1〜2モル%の範囲では残留磁束密度
の低下が小さく保磁力は原料粉体を少し上まわる程度で
ある。
一方、20モル%〜30モル%程度では保磁力、角形性
に比較的優れた磁石が得られるが残留磁束密度は低くな
る。30〜40モル%では保磁力が極めて大きくなるが
磁化は小さく、特殊な磁石材料である。40モル%を越
えると実用的ではない。
に比較的優れた磁石が得られるが残留磁束密度は低くな
る。30〜40モル%では保磁力が極めて大きくなるが
磁化は小さく、特殊な磁石材料である。40モル%を越
えると実用的ではない。
微8)砕方法としてはボールミルで混合、粉砕すること
が最も有効であるが、カッターミル、ジェットミルなど
の方法でも混合、粉砕することができる。この際、混合
粉砕条件は最終的な磁石物性に顕著な影響を与える。す
なわち、この段階で磁性粉体はM成分と混合すると同時
に粒子径、形態も変化するため、成分Mが拡散した後の
微構造はこの段階の処理条件の影響を受けるためである
。微粉砕後の平均粒径は数μ厘〜lOμ願程度がのぞま
しく、サブミクロンに達すると、焼結時にM成分との反
応があまりに容易に起こったりして、焼結後の磁気特性
はあまり向上しない。また、サブミクロン粒子では酸化
も容易におこり、取扱いも難しくなる。
が最も有効であるが、カッターミル、ジェットミルなど
の方法でも混合、粉砕することができる。この際、混合
粉砕条件は最終的な磁石物性に顕著な影響を与える。す
なわち、この段階で磁性粉体はM成分と混合すると同時
に粒子径、形態も変化するため、成分Mが拡散した後の
微構造はこの段階の処理条件の影響を受けるためである
。微粉砕後の平均粒径は数μ厘〜lOμ願程度がのぞま
しく、サブミクロンに達すると、焼結時にM成分との反
応があまりに容易に起こったりして、焼結後の磁気特性
はあまり向上しない。また、サブミクロン粒子では酸化
も容易におこり、取扱いも難しくなる。
一方、粒子径が数十μ■になると、各粒子内に多数の磁
区が集合しているため、M成分の添加効果は小さくなり
保磁力が焼結によって顕著には向上しなくなる。
区が集合しているため、M成分の添加効果は小さくなり
保磁力が焼結によって顕著には向上しなくなる。
なお、次の焼結プロセスを行わず、単なる熱処理のみを
行った場合でも、磁気特性は大きく変化させることがで
きる。従って例えばボンド磁石等への応用はこの段階後
の熱処理を経過した粉体を用いて行うことができる。
行った場合でも、磁気特性は大きく変化させることがで
きる。従って例えばボンド磁石等への応用はこの段階後
の熱処理を経過した粉体を用いて行うことができる。
(5)焼結
焼結は他の焼結磁石と同様、材料の充填密度を上げ、残
留磁束密度を高めたり、材料の機械的強度を上げる目的
で行う。その方法は一般の磁気異方性磁石と同様に、外
部磁場中で磁性粉を磁場配向させプレス体に成型した後
、熱処理すればよい。
留磁束密度を高めたり、材料の機械的強度を上げる目的
で行う。その方法は一般の磁気異方性磁石と同様に、外
部磁場中で磁性粉を磁場配向させプレス体に成型した後
、熱処理すればよい。
具体的な焼結法としては通常の常圧焼結、ホットプレス
、HIPなどが挙げられるが、ここでは磁気特性を向上
させ、かつ、I{IP法など大型の装置を必要としない
ホットプレス法、とくに雰囲気ホットプレスについて述
べる。
、HIPなどが挙げられるが、ここでは磁気特性を向上
させ、かつ、I{IP法など大型の装置を必要としない
ホットプレス法、とくに雰囲気ホットプレスについて述
べる。
本磁性粉体は金属合金を窒化、水素化して得られるので
、構造中にN及びHを焼結後も所定量、維持しなければ
目的の磁気特性を得ることはできない。従って、550
”Cから650”Cの温度領域ではアンモニアガス、水
素ガス又は窒素ガスを含有する混合ガス中で焼成する必
要がある。
、構造中にN及びHを焼結後も所定量、維持しなければ
目的の磁気特性を得ることはできない。従って、550
”Cから650”Cの温度領域ではアンモニアガス、水
素ガス又は窒素ガスを含有する混合ガス中で焼成する必
要がある。
先に述べたように、とくにNH3−H2混合ガスは構造
中のN,HJIを制御するために有効である。ただし、
550℃以下の温度領域で焼結を行う場合は、上記の雰
囲気ガスに加えて、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガ
ス雰囲気中、真空中で焼成しても構造中のNSHHを制
御することが可能である。また、650℃以上の温度で
は雰囲気によらず分解が進行し、α−Fe相が析出し、
N%H量も当初量から相当量変化する。
中のN,HJIを制御するために有効である。ただし、
550℃以下の温度領域で焼結を行う場合は、上記の雰
囲気ガスに加えて、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガ
ス雰囲気中、真空中で焼成しても構造中のNSHHを制
御することが可能である。また、650℃以上の温度で
は雰囲気によらず分解が進行し、α−Fe相が析出し、
N%H量も当初量から相当量変化する。
従って、650℃以下で焼結することが望ましく、かつ
、ホットプレスの圧力についてはダイス材質にもよるが
lOton/cs ’前後で十分である。
、ホットプレスの圧力についてはダイス材質にもよるが
lOton/cs ’前後で十分である。
条件の詳細はM成分として何を用いるかに大きく依存す
る。例えば、420℃付近に融点を有するZnでは、こ
の温度前後から、Znの粒界への拡散は顕著になるが、
この拡散のみでは保磁力、角形比は大きく向上しない。
る。例えば、420℃付近に融点を有するZnでは、こ
の温度前後から、Znの粒界への拡散は顕著になるが、
この拡散のみでは保磁力、角形比は大きく向上しない。
ただし、30モル%以上のように多量に添加した場合は
保磁力は増大するが残留磁束密度は低下し、最終的?(
BH)■8値は上昇しない。
保磁力は増大するが残留磁束密度は低下し、最終的?(
BH)■8値は上昇しない。
ところが温度をさらに上昇させると粒子境界部分に新た
な反応相も生成し、その生戊量の最適化により( B}
I)■.値は著しく向上する。
な反応相も生成し、その生戊量の最適化により( B}
I)■.値は著しく向上する。
この2相分離型微構造の生成を確認するために行ったE
P M A (Electron Probe M1
cro−Analysis)観察結果を第2図に示す。
P M A (Electron Probe M1
cro−Analysis)観察結果を第2図に示す。
試料としてS m2F 6 17N4.0 H0.5
M CM− Z n 20モル%添加)組或で、M
を添加剤として熱処理の直前に添加混合したものを用い
た。熱処理は440℃まで約10℃7mInで加熱し、
到達後ただちに冷却した。すなわち、焼結の最初期段階
である。
M CM− Z n 20モル%添加)組或で、M
を添加剤として熱処理の直前に添加混合したものを用い
た。熱処理は440℃まで約10℃7mInで加熱し、
到達後ただちに冷却した。すなわち、焼結の最初期段階
である。
(a)は通常のSEM像、(b)はコンポ像であり、白
く見える部分がSrrzFesなどのSmリッチな組成
の相であるが、ほとんどの領域が均一で、これは分析結
果からSm2Ferr組成と同定できる。一方(C)、
(d)はそれぞれFeとZnの特性X線−像であり、白
い斑点がそれぞれの元素の存在に対応している。
く見える部分がSrrzFesなどのSmリッチな組成
の相であるが、ほとんどの領域が均一で、これは分析結
果からSm2Ferr組成と同定できる。一方(C)、
(d)はそれぞれFeとZnの特性X線−像であり、白
い斑点がそれぞれの元素の存在に対応している。
以上の結果から添加剤としての低融点元素Znが粒子境
界にすばやく拡散し、熱処理で反応相を形成して行くこ
とが磁気特性と合わせた考察から結論できる。
界にすばやく拡散し、熱処理で反応相を形成して行くこ
とが磁気特性と合わせた考察から結論できる。
すなわち、本発明に言うMの添加効果と、その拡散によ
る2相分MIJ:!微構造の形成が確認できる。
る2相分MIJ:!微構造の形成が確認できる。
むお、本写真(第2図)の試料では他の実施例よりも多
少粗粒を用いている。
少粗粒を用いている。
焼結磁石およびボンド磁石の着磁は、通常用いられる方
法、例えば、静磁場を発生する電磁石、パルス磁場を発
生するコンデンサー着磁器などによって行われる。十分
着磁を行わしめるための、磁場強度は、好ましくは15
koe以上、さらに好ましくは30kOe以上である。
法、例えば、静磁場を発生する電磁石、パルス磁場を発
生するコンデンサー着磁器などによって行われる。十分
着磁を行わしめるための、磁場強度は、好ましくは15
koe以上、さらに好ましくは30kOe以上である。
以上に例示した方法により、本発明の永久磁石材料を作
製することができる。
製することができる。
ところで、材料の結晶性の完全さと磁気特性には密接な
関わりがあるといえる。本発明の材料の場合結晶性が完
全な程、すなわち、原子配列の乱れが少ない、あるいは
結晶中に欠陥が少ない程、残留磁束密度および磁気異方
性が良好である。そこで、本材料の結晶性を上げれば、
磁気特性を更に高めることができる。結晶性を上げるた
めの具体的手段としては焼鈍がよい。
関わりがあるといえる。本発明の材料の場合結晶性が完
全な程、すなわち、原子配列の乱れが少ない、あるいは
結晶中に欠陥が少ない程、残留磁束密度および磁気異方
性が良好である。そこで、本材料の結晶性を上げれば、
磁気特性を更に高めることができる。結晶性を上げるた
めの具体的手段としては焼鈍がよい。
焼鈍は第1図中に示すように本材料製造工程中のどこで
行っても効果がある。
行っても効果がある。
焼鈍の温度および雰囲気は種々選択することができる。
本発明の希土類一鉄一窒素一水素一M成分系材料の焼鈍
温度は、100〜650℃で行うことが好ましい。10
0℃以下では焼鈍の効果が現れにくく、650℃以上で
は材料中の窒素および水素の揮散が起りやすくなる。焼
鈍雰囲気は非酸化性雰囲気なら何でもよいが、特に水素
、アルゴン、窒素、およびアンモニアを含む雰囲気ガス
中または真空中で効果が大きい。また、300℃以下の
低温で焼鈍を行う場合、大気中などの酸化性雰囲気でも
効果がある。
温度は、100〜650℃で行うことが好ましい。10
0℃以下では焼鈍の効果が現れにくく、650℃以上で
は材料中の窒素および水素の揮散が起りやすくなる。焼
鈍雰囲気は非酸化性雰囲気なら何でもよいが、特に水素
、アルゴン、窒素、およびアンモニアを含む雰囲気ガス
中または真空中で効果が大きい。また、300℃以下の
低温で焼鈍を行う場合、大気中などの酸化性雰囲気でも
効果がある。
原料合金の焼鈍、すなわち本発明において、窒素および
水素を導入する罰に焼鈍を行う場合、焼鈍温度は500
〜1300℃で行うのが好ましい。
水素を導入する罰に焼鈍を行う場合、焼鈍温度は500
〜1300℃で行うのが好ましい。
このときの雰囲気はアルゴン等の不活性雰囲気や水素中
または真空中で行うことが好ましい。
または真空中で行うことが好ましい。
焼鈍以外に結晶性を上げる方法としては、Re−Fe系
原料合金に水素を吸蔵させた後、得られたRe−Fe−
H合金の微粉砕を行い、そして、R e − F e
− Hに窒素・水素侵入処理を施す方法やRe−Fe系
原料合金への水素吸蔵一脱看を繰り返すことにより合金
が粉化することを利用して微粉砕した後に、合金中にM
素および水素を侵入させる方法が挙げられる。
原料合金に水素を吸蔵させた後、得られたRe−Fe−
H合金の微粉砕を行い、そして、R e − F e
− Hに窒素・水素侵入処理を施す方法やRe−Fe系
原料合金への水素吸蔵一脱看を繰り返すことにより合金
が粉化することを利用して微粉砕した後に、合金中にM
素および水素を侵入させる方法が挙げられる。
前者において、水素を吸蔵せしめる方法としては、比較
的低温において、H 2ガスまたはH2ガスを含む還元
性混合ガス(例えば、H2とN2の混合ガス、H 2と
A『の混合ガスあるいはH2とHeの混合ガスなど)の
加圧下で行なう方法や、加熱した水素ガス流中または水
素ガスを含む還元性混合ガス流中において行なうことが
できる。
的低温において、H 2ガスまたはH2ガスを含む還元
性混合ガス(例えば、H2とN2の混合ガス、H 2と
A『の混合ガスあるいはH2とHeの混合ガスなど)の
加圧下で行なう方法や、加熱した水素ガス流中または水
素ガスを含む還元性混合ガス流中において行なうことが
できる。
後者において水素の吸蔵一脱着を繰り返す方法として例
えばR−Fe系合金をH2雰囲気中におき、温度の昇降
を繰り返すことで水素の吸蔵一脱着を繰り返すことがで
きる。
えばR−Fe系合金をH2雰囲気中におき、温度の昇降
を繰り返すことで水素の吸蔵一脱着を繰り返すことがで
きる。
上記方法により良好な結晶性を有する微粉末を得ること
ができる理由は明らかではないが、その1つとして水素
が結晶格子間に侵入することにより、粉砕に必要なエネ
ルギーが小さくてすみ、その結果、結晶の受ける損傷も
小さくなるためではないかと考えられる。また、水素吸
蔵一脱看のくり返しによる粉砕の場合は、機械的な衝撃
を結晶が受けないので、結晶性が乱されないものと考え
られる。
ができる理由は明らかではないが、その1つとして水素
が結晶格子間に侵入することにより、粉砕に必要なエネ
ルギーが小さくてすみ、その結果、結晶の受ける損傷も
小さくなるためではないかと考えられる。また、水素吸
蔵一脱看のくり返しによる粉砕の場合は、機械的な衝撃
を結晶が受けないので、結晶性が乱されないものと考え
られる。
[実施例]
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが本
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。
実施例1
純度99.9%のSmおよび純度99.9%のF−eを
用いてアルゴン雰囲気中高周波炉で溶解混合し、次いで
溶湯を鋳型中に流し込んで冷却し、さらにアルゴン雰囲
気中において1250℃3時間焼l:tIすることによ
り、モル百分率がS m 10.5%およびF e 8
9.5%からなる合金を調製した。
用いてアルゴン雰囲気中高周波炉で溶解混合し、次いで
溶湯を鋳型中に流し込んで冷却し、さらにアルゴン雰囲
気中において1250℃3時間焼l:tIすることによ
り、モル百分率がS m 10.5%およびF e 8
9.5%からなる合金を調製した。
この合金を窒素雰囲気中、ジジークラッシャーで粉砕し
た後、さらにコーヒーミルによって平均粒径100μ寵
にまで粗粉砕した。
た後、さらにコーヒーミルによって平均粒径100μ寵
にまで粗粉砕した。
得られた合金粉末を管状炉中に入れ、450℃において
、アンモニアガス0.4allおよび水素ガス0.6a
ts+の混合ガス流を該管状炉中に流して、30分間該
合金粉末中にM素と水素を侵入せしめた。
、アンモニアガス0.4allおよび水素ガス0.6a
ts+の混合ガス流を該管状炉中に流して、30分間該
合金粉末中にM素と水素を侵入せしめた。
続いて上記雰囲気中で室温まで徐冷することによりSm
s.s F et2.aN+y.oH2.+組成の合金
粉末を得た。
s.s F et2.aN+y.oH2.+組成の合金
粉末を得た。
この合金粉末にZnをlOモル%添加し、振動ボールミ
ルを1時間施し平均粒径7μ量の微粉体を得た。
ルを1時間施し平均粒径7μ量の微粉体を得た。
この粉体を1袖磁場プレスを用いてlton/c+c2
、15koeの条件で5X IOX 2mmの板状に磁
場成形し、これをアンモニアガス0.2atliおよび
水素ガス0.8atfflの混合ガス流中、470℃で
2時間焼結した。ただし、焼結時12ton/cm ’
の圧力を加え続けた。
、15koeの条件で5X IOX 2mmの板状に磁
場成形し、これをアンモニアガス0.2atliおよび
水素ガス0.8atfflの混合ガス流中、470℃で
2時間焼結した。ただし、焼結時12ton/cm ’
の圧力を加え続けた。
このようにして得た板状焼結体を約60kOeのパルス
磁場で着磁し、Smt.s F e65.9N+5.5
・H...Zn,。.。紹成の焼結磁石を得た。
磁場で着磁し、Smt.s F e65.9N+5.5
・H...Zn,。.。紹成の焼結磁石を得た。
この焼結磁石の残留磁束密度(Br)は9.2kG、保
磁力(lllc)は6.8kOes (811).6m
は15.3MGOe,角形比(BrハπIs)は0.9
14であった。
磁力(lllc)は6.8kOes (811).6m
は15.3MGOe,角形比(BrハπIs)は0.9
14であった。
実施例2
実施例1と同様な手順で、Sm2Ferr母合金を作製
し、これをNH3−H2混合ガス中で窒化、水素化して
Smz Fe+rN,H,(x,yは第3図中に表示)
組戊の窒化水素化物を調製して、これにlOモル%のZ
nを添加して振動ボールミルを施し粉体を得た。
し、これをNH3−H2混合ガス中で窒化、水素化して
Smz Fe+rN,H,(x,yは第3図中に表示)
組戊の窒化水素化物を調製して、これにlOモル%のZ
nを添加して振動ボールミルを施し粉体を得た。
この粉体を1軸磁場プレスを用いてlton/am’
、15kOeの条件で、5X IOX 2am程度の板
状に磁場成形し、これをNHコ: H 2 −20:
80の混合ガス流中、470℃で2時間焼結した。た?
し、焼結時10ton/cm ’の圧力を加え続けた。
、15kOeの条件で、5X IOX 2am程度の板
状に磁場成形し、これをNHコ: H 2 −20:
80の混合ガス流中、470℃で2時間焼結した。た?
し、焼結時10ton/cm ’の圧力を加え続けた。
この結果第3図に示したように窒素、水素量が磁気特性
と強い相関を示すことが明らかになった。(B}I)
wax値が最も高い領域はSm2F ! 17 hlH
,Ml組成でX二4.0sy”0,5付近である。むお
この図に示した実験では2はx,yにつれて変化する。
と強い相関を示すことが明らかになった。(B}I)
wax値が最も高い領域はSm2F ! 17 hlH
,Ml組成でX二4.0sy”0,5付近である。むお
この図に示した実験では2はx,yにつれて変化する。
窒素、水素量が変動してもx−3.0〜5.o1y −
0.01−1.0の範囲では比較的高い磁気特性が得
られる。このことは組成以外にも原料粉体や焼結体の結
晶化度、組戊の均一性などが(BH)■.値に影響する
ことと相関している。
0.01−1.0の範囲では比較的高い磁気特性が得
られる。このことは組成以外にも原料粉体や焼結体の結
晶化度、組戊の均一性などが(BH)■.値に影響する
ことと相関している。
実施例3〜6
S m2 F e ,7N4.ono,,磁性粉体にZ
nをlOモル%添加混合し、振動ボールミルで約1時間
粉砕した。
nをlOモル%添加混合し、振動ボールミルで約1時間
粉砕した。
この粉体を1軸磁場プレスでNon/crA’ 15
koeの条件でlOX5X2imの板状に成形した。
koeの条件でlOX5X2imの板状に成形した。
これを 650℃、10ton/cI1’でNH)(2
0)−H2(80)の雰囲気ガス中でホットプレスした
。
0)−H2(80)の雰囲気ガス中でホットプレスした
。
第1表に示したのは、焼結前の粉体の磁気特性と、その
焼結時間を1、2、4時間とした場合の焼結磁石の磁気
特性である。
焼結時間を1、2、4時間とした場合の焼結磁石の磁気
特性である。
第1表
上記のようにS m2 F e ,7N,,。H0,,
・Zn,,2組成の磁性粉体でもホットプレス条件によ
り種々の磁気特性を有する焼結磁石が得られる。
・Zn,,2組成の磁性粉体でもホットプレス条件によ
り種々の磁気特性を有する焼結磁石が得られる。
実施例7〜8
低融点元素を含有することは、明らかに特性値を向上さ
せるが、その向上の機構の解明も重要である。とくに、
本発明の焼結磁石の微構造として、粒界部分の非磁性相
の特性を確認する必要がある。
せるが、その向上の機構の解明も重要である。とくに、
本発明の焼結磁石の微構造として、粒界部分の非磁性相
の特性を確認する必要がある。
Sm2 F e ,,N4,5 H0,, Mの磁性粉
体中のMとして、Znを30及び40モル%添加し、ボ
ールミルで30分間混合し、lton/esg’ 1
5kOeで磁場ブレス或形した。これらを485℃、N
H 3(35) − H 2 (85)の雰囲気中で
1時間焼戒した。
体中のMとして、Znを30及び40モル%添加し、ボ
ールミルで30分間混合し、lton/esg’ 1
5kOeで磁場ブレス或形した。これらを485℃、N
H 3(35) − H 2 (85)の雰囲気中で
1時間焼戒した。
その結果は以下の第2表に示すとおりである。
この結果はZnなどの非磁性相が粒子間に大量に存在す
ると、保磁力が大きく増大することを示している。すな
わち、30モル%のZn添加で5 kOeであった保磁
力は40モル%では8koeに達している。一方、飽和
磁化は減少し、おおよそ磁性粉体の体積分率にある定数
を乗じた値になっている。
ると、保磁力が大きく増大することを示している。すな
わち、30モル%のZn添加で5 kOeであった保磁
力は40モル%では8koeに達している。一方、飽和
磁化は減少し、おおよそ磁性粉体の体積分率にある定数
を乗じた値になっている。
実施例9
純度99.9%のCeおよび純度99,9%のFeを用
いてアルゴン雰囲気下水冷銅ボート中でアーク溶融する
ことによりC e 11.3モル%、Fe8B.7モル
%組成の合金を作製した。得られた合金をアルゴン雰囲
気下で950℃72時間焼鈍した。次いで窒素雰囲気下
においてジョークラッシャーで粉砕した後、さらにコー
ヒーミルによって平均粒径30μ−にまで粗粉砕した。
いてアルゴン雰囲気下水冷銅ボート中でアーク溶融する
ことによりC e 11.3モル%、Fe8B.7モル
%組成の合金を作製した。得られた合金をアルゴン雰囲
気下で950℃72時間焼鈍した。次いで窒素雰囲気下
においてジョークラッシャーで粉砕した後、さらにコー
ヒーミルによって平均粒径30μ−にまで粗粉砕した。
得られた合金粉末を管状炉中に入れ、420℃において
、アンモニアガスo.4atmおよび水素ガスOJat
lの混合ガス流を該管状炉中に流して、1時間該合金粉
末中に窒素と水素を侵入せしめた。
、アンモニアガスo.4atmおよび水素ガスOJat
lの混合ガス流を該管状炉中に流して、1時間該合金粉
末中に窒素と水素を侵入せしめた。
続いて上記雰囲気中で室温まで徐冷することにより(
e @,6 F e 70.6N 2o,2H(+.2
の組戊の合金粉末を得た。これを圧力弁および圧力ゲー
ジを備えたオートクレープに封入し、次いで内部を真空
に引いた後水素とアンモニアの混合ガスを導入して内部
圧を4.4atsにした。
e @,6 F e 70.6N 2o,2H(+.2
の組戊の合金粉末を得た。これを圧力弁および圧力ゲー
ジを備えたオートクレープに封入し、次いで内部を真空
に引いた後水素とアンモニアの混合ガスを導入して内部
圧を4.4atsにした。
この時のアンモニアガスの分圧はIJatmである。次
に加熱炉によりオートクレープを加熱し、485℃で3
0分間該合金を処理した。続いて上記雰囲気中で室温ま
で徐冷することにより、C e e.i F e tx
.oN 14.9112.8 Mitiの合金粉末を得
た。
に加熱炉によりオートクレープを加熱し、485℃で3
0分間該合金を処理した。続いて上記雰囲気中で室温ま
で徐冷することにより、C e e.i F e tx
.oN 14.9112.8 Mitiの合金粉末を得
た。
この合金粉末にZnを20モル%添加し、振動ボールミ
ルを8時間施し平均粒径lμ翼の微粉体を得た。
ルを8時間施し平均粒径lμ翼の微粉体を得た。
この粉体を実施例1と同様にして磁場底形し、次いで焼
結を行い、看磁してC e y.s F e s,.o
NI2。H +.s Z n 20.。組或の焼結磁石
を得た。
結を行い、看磁してC e y.s F e s,.o
NI2。H +.s Z n 20.。組或の焼結磁石
を得た。
この焼結磁石の残留磁束密度( Br)は3.0kG、
保磁力(iHe)は0.9kOes (B}I)...
はO.SMGOeであった。
保磁力(iHe)は0.9kOes (B}I)...
はO.SMGOeであった。
実施例10
直径2Scms幅2cmの銅ロールを回転させ、溶湯を
ロールに吹きつけることにより、液体の超急冷凝固を行
う装置を使用して、N d 10.7モル%、Pr3.
5モル%、F e 85.7モル%及び(e,La%S
mを微量に含む組成の原料合金を作製した。急冷前の溶
解は石英ノズル内にN d 50.7モル%、P r
16.8モル%、C e O.17モル%、L a 0
.08モル%、S m 0.02モル%、F e 32
.45モル%の組成を有するジジムと純度99,9%F
eを充填しアルゴン雰囲気中で高周波溶解法によった。
ロールに吹きつけることにより、液体の超急冷凝固を行
う装置を使用して、N d 10.7モル%、Pr3.
5モル%、F e 85.7モル%及び(e,La%S
mを微量に含む組成の原料合金を作製した。急冷前の溶
解は石英ノズル内にN d 50.7モル%、P r
16.8モル%、C e O.17モル%、L a 0
.08モル%、S m 0.02モル%、F e 32
.45モル%の組成を有するジジムと純度99,9%F
eを充填しアルゴン雰囲気中で高周波溶解法によった。
噴射ガス圧はlkg/cm ’ ロールとノズルの間
隔はImm 、ロールの回転速度は3[100r.p.
a.とじた。得られたジジムー鉄薄片試料を約30μ麿
まで粉砕後、実施例1と同様にして窒素化水素化を行い
、Nd7.8 P r2.6 Fe62.2N 2L
3H5. 1組戊の合金粉末を得た。
隔はImm 、ロールの回転速度は3[100r.p.
a.とじた。得られたジジムー鉄薄片試料を約30μ麿
まで粉砕後、実施例1と同様にして窒素化水素化を行い
、Nd7.8 P r2.6 Fe62.2N 2L
3H5. 1組戊の合金粉末を得た。
この合金粉末にZ n 15モル%添加し、振動ボール
ミルを3時間施し、平均粒径2μ−の微粒体を得た。
ミルを3時間施し、平均粒径2μ−の微粒体を得た。
これを実施例1と同様にして磁場配向し、次いで焼結し
た後、着磁してNd., Pr2,2F ess.+
Nr,OH4.l Zn+s.o組成の焼結磁石を得た
。
た後、着磁してNd., Pr2,2F ess.+
Nr,OH4.l Zn+s.o組成の焼結磁石を得た
。
この焼結磁石の残留磁束密度( Br)は3.6kG,
保磁力(I}Ic)は1.2kOe % (B!I).
imは0.8Mleであった。
保磁力(I}Ic)は1.2kOe % (B!I).
imは0.8Mleであった。
実施例11
純度99.9%のSm,純度99.99%の(o,およ
び純度99.9%のFeを用いて、モル百分率がS m
10.5%、Co9.0%およびF e go.5%
からなる合金をアルゴン雰囲気下水冷銅ボート中でアー
ク溶融することにより調製した。得られた合金はアルゴ
ン雰囲気下において900℃で24時間焼鈍した。得ら
れた合金を窒素雰囲気中でジョークラッシャーで粗粉砕
した後、さらにコーヒーミルによって平均粒径100μ
鴎にまで粉砕した。
び純度99.9%のFeを用いて、モル百分率がS m
10.5%、Co9.0%およびF e go.5%
からなる合金をアルゴン雰囲気下水冷銅ボート中でアー
ク溶融することにより調製した。得られた合金はアルゴ
ン雰囲気下において900℃で24時間焼鈍した。得ら
れた合金を窒素雰囲気中でジョークラッシャーで粗粉砕
した後、さらにコーヒーミルによって平均粒径100μ
鴎にまで粉砕した。
得られた粉末を管状炉中においてアンモニアガスの分圧
が0.87atmおよび水素ガスの分圧が0.33at
sの混合ガス流を流して反応温度470℃、反応時間6
0分間の条件で窒素と水素を吸収させた。続いて、上記
雰囲気中で室温まで徐冷することにより、Sm@.i
F e 63,3C O ,・N ,,.,H 3,
4なる紹成の粉末を得た。
が0.87atmおよび水素ガスの分圧が0.33at
sの混合ガス流を流して反応温度470℃、反応時間6
0分間の条件で窒素と水素を吸収させた。続いて、上記
雰囲気中で室温まで徐冷することにより、Sm@.i
F e 63,3C O ,・N ,,.,H 3,
4なる紹成の粉末を得た。
この合金粉末にZnをlOモル%添加し、振動ボールミ
ルを2時間施し平均粒径4.6μ周の微粉体を得た。
ルを2時間施し平均粒径4.6μ周の微粉体を得た。
この粉体を実施例1と同様にして磁場成形し、次いで焼
結を行い、着磁してSm,,. F ess.1・C
ob.s Nl6.SHl.I Z n +o.o組成
の焼結磁石を得た。
結を行い、着磁してSm,,. F ess.1・C
ob.s Nl6.SHl.I Z n +o.o組成
の焼結磁石を得た。
この焼結磁石の残留磁束密度(B『)は9.7kG,保
磁力(IHc)は5.8kOe, (Bl{)−am
は13.2MGOe,角形比(Br/41tIs)は0
. 9.0 8であった。
磁力(IHc)は5.8kOe, (Bl{)−am
は13.2MGOe,角形比(Br/41tIs)は0
. 9.0 8であった。
実施例12〜21及び比較例1
実施例1で得たS m..5 F e ?2.4N 1
7.0・H2.1磁性粉体に第3表に示す低融点添加剤
Ml (融点500℃以下)をlOモル%添加混合し、
振動ホールミルで約1時間粉砕した。この微粉体を実施
例1と同様に1軸磁場プレスでl ton/cm2、1
5kOeの条件で10X5X2+amの板状に成形した
。これを470℃、10ton/cl’でアンモニアガ
ス0.2atmおよび水素ガス0.8ataの混合ガス
雰囲気中で、2時間ホットプレスし、焼結磁石を得た。
7.0・H2.1磁性粉体に第3表に示す低融点添加剤
Ml (融点500℃以下)をlOモル%添加混合し、
振動ホールミルで約1時間粉砕した。この微粉体を実施
例1と同様に1軸磁場プレスでl ton/cm2、1
5kOeの条件で10X5X2+amの板状に成形した
。これを470℃、10ton/cl’でアンモニアガ
ス0.2atmおよび水素ガス0.8ataの混合ガス
雰囲気中で、2時間ホットプレスし、焼結磁石を得た。
これらの磁石の残留磁束密度[Br(kG))、保磁力
[ iHc(koe)]、( BH) ... (
MGOe)、角形比(BrハπIs)を第3表に示す。
[ iHc(koe)]、( BH) ... (
MGOe)、角形比(BrハπIs)を第3表に示す。
第3表
にして磁場成形し、次いで焼結し、着磁して焼結磁石を
得た。
得た。
これらの磁石の残留磁束密度[Br(kG)] 、保磁
力[ +Ilc(koe)]、(Bl1) ...
(MGOe) 、角形比( Br/4πIs)を第4表
に示す。
力[ +Ilc(koe)]、(Bl1) ...
(MGOe) 、角形比( Br/4πIs)を第4表
に示す。
実施例22〜39および比較例2
実施例1で得たS ma.s F 6 72.4N +
?・H2.磁性粉体に第4表に示す高融点添加剤Mhあ
るいは無機化合物Miを第4表に示す量だけ添加混合し
、振動ボールミルで約1時間粉砕した。この微粉体を実
施例12〜21と同様実施例40〜65および比較例3 実施例1で得たS m s. 5 F e tz, 4
N 17・H2.1磁性粉体に第5表に示す添加剤Mh
およびMl,MiおよびMAを第5表に示す量添加混合
し、振動ボールミルで約1時間粉砕した。
?・H2.磁性粉体に第4表に示す高融点添加剤Mhあ
るいは無機化合物Miを第4表に示す量だけ添加混合し
、振動ボールミルで約1時間粉砕した。この微粉体を実
施例12〜21と同様実施例40〜65および比較例3 実施例1で得たS m s. 5 F e tz, 4
N 17・H2.1磁性粉体に第5表に示す添加剤Mh
およびMl,MiおよびMAを第5表に示す量添加混合
し、振動ボールミルで約1時間粉砕した。
この微粉体を実施例12〜21と同様にして磁場戊形し
次いで焼結し、着磁して焼結磁石を得た。これらの残留
磁束密度[Br(kG)] 、保磁力[ 111c(k
Oe)]、(BH) −ax (MGOe) 、角形
比(BrハπIs)を第5表に示す。
次いで焼結し、着磁して焼結磁石を得た。これらの残留
磁束密度[Br(kG)] 、保磁力[ 111c(k
Oe)]、(BH) −ax (MGOe) 、角形
比(BrハπIs)を第5表に示す。
W5表
実施例66〜73及び比較例4
純度99.9%のSmおよび純度99.9%のFeを用
いてアルゴン雰囲気中高周波炉で溶解混合し、次いで溶
湯を鋳型中に流し込んで冷却し、さらにアルゴン雰囲気
中において1100℃、6時間焼鈍することにより、モ
ル百分率がS m 10.5%およびF e 89.5
%からなる合金を調製した。
いてアルゴン雰囲気中高周波炉で溶解混合し、次いで溶
湯を鋳型中に流し込んで冷却し、さらにアルゴン雰囲気
中において1100℃、6時間焼鈍することにより、モ
ル百分率がS m 10.5%およびF e 89.5
%からなる合金を調製した。
この合金を窒素雰囲気中、ジョークラブシャーで粉砕し
た後、さらにコーヒーミルによって平均粒径50μ1に
まで粗粉砕した。
た後、さらにコーヒーミルによって平均粒径50μ1に
まで粗粉砕した。
得られた合金粉末を管状炉中に入れ、4S[l”Cにお
いて、アンモニアガス0.4at■および水素ガス0.
8atmの混合ガス流を該管状炉中に流して、2時間該
合金粉末中に窒素と水素を侵入せしめ、次いでアルゴン
気流中450℃で2.5時間焼鈍した。
いて、アンモニアガス0.4at■および水素ガス0.
8atmの混合ガス流を該管状炉中に流して、2時間該
合金粉末中に窒素と水素を侵入せしめ、次いでアルゴン
気流中450℃で2.5時間焼鈍した。
続いて上記雰囲気中で室温まで徐冷することによりS
ms.* F e ts.4N +s.s}io.2組
戊の合金粉末を得た。
ms.* F e ts.4N +s.s}io.2組
戊の合金粉末を得た。
この合金粉末に第6表に示す添加剤Mを第6表に示す量
だけ添加混合し、a星ボールミルで25分間微粉砕した
。この粉体を1軸磁場プレスを用いてIton/cm
” 、5kOeの条件で5X IOX2■の板状に磁場
戊形し、これを窒素ガス気流中、200℃で30分間焼
結した。ただし、焼結時12ton/ea’の圧力を加
え続けた。次いで、実施例1と同様に@磁して得られた
焼結磁石の残留磁束密度[Br(kci)] 、保磁力
E file(koe)]、( Bl!) @am
( MGOe) 、角形比(Brハrr Is)を第6
表に示す。
だけ添加混合し、a星ボールミルで25分間微粉砕した
。この粉体を1軸磁場プレスを用いてIton/cm
” 、5kOeの条件で5X IOX2■の板状に磁場
戊形し、これを窒素ガス気流中、200℃で30分間焼
結した。ただし、焼結時12ton/ea’の圧力を加
え続けた。次いで、実施例1と同様に@磁して得られた
焼結磁石の残留磁束密度[Br(kci)] 、保磁力
E file(koe)]、( Bl!) @am
( MGOe) 、角形比(Brハrr Is)を第6
表に示す。
!J6表
実施例74
純度99.9%のSm,Fe,Znを用いてアルゴン雰
囲気中高周波溶解炉で溶解混合し、次いで溶湯を鋳型中
に流し込んで冷却し、さらにアルゴン雰囲気中において
900℃24時間焼鈍することにより、モル百分率がS
m 10.8%、Fe77.8%、Z n 11.8
%からなる合金を調製した。
囲気中高周波溶解炉で溶解混合し、次いで溶湯を鋳型中
に流し込んで冷却し、さらにアルゴン雰囲気中において
900℃24時間焼鈍することにより、モル百分率がS
m 10.8%、Fe77.8%、Z n 11.8
%からなる合金を調製した。
この合金を実施例1と同様に粒径約100μ鳳まで粗粉
砕した後、窒素化・水素化し、振動ボールミルで粒径6
μ四まで微粉砕して、Sma,t Fe63.8Zng
,5 N,5.3H2,,の微粉体を得た。
砕した後、窒素化・水素化し、振動ボールミルで粒径6
μ四まで微粉砕して、Sma,t Fe63.8Zng
,5 N,5.3H2,,の微粉体を得た。
次いでこの微粉体を実施例1と同様に磁場配向し、アン
モニアガス0.2at*および水素ガス0.8atmの
混合ガス流中470℃、12ton/cm ’の条件で
90分間焼結した。
モニアガス0.2at*および水素ガス0.8atmの
混合ガス流中470℃、12ton/cm ’の条件で
90分間焼結した。
得られた焼結磁石の残留磁束密度( Br)は8.4k
G,保磁力(lllc)は4.2kOe , (BH
) sa、はlO.3MGOe,角形比(Brハy I
s)は0.880であった。
G,保磁力(lllc)は4.2kOe , (BH
) sa、はlO.3MGOe,角形比(Brハy I
s)は0.880であった。
?施例75及び比較例5
実施例1で得たS m 8, 5 F e 72. 4
N It・H2■組成の合金粉末を管状炉中に入れ、水
素ガス気流中450℃で30分間、次いでアルゴンガス
気流中150℃で12時間焼鈍した。次いで上記雰囲気
中で室温まで冷却することによりS ma.t F e
73.6N +?.3H0.4組成の合金粉末を得た
。
N It・H2■組成の合金粉末を管状炉中に入れ、水
素ガス気流中450℃で30分間、次いでアルゴンガス
気流中150℃で12時間焼鈍した。次いで上記雰囲気
中で室温まで冷却することによりS ma.t F e
73.6N +?.3H0.4組成の合金粉末を得た
。
この合金粉末にZnを8モル%添加し、振動ボールミル
を30分施して微粉体を得た。次いでこの微粉体を管状
炉中に入れ、水素ガス気流中350℃で2.5時間焼鈍
し、徐冷することによりS mg,o F e 6?.
7N 15.9H0.4 Z n a.o組成の微粉体
Aを得た。
を30分施して微粉体を得た。次いでこの微粉体を管状
炉中に入れ、水素ガス気流中350℃で2.5時間焼鈍
し、徐冷することによりS mg,o F e 6?.
7N 15.9H0.4 Z n a.o組成の微粉体
Aを得た。
この粉体を1 1Toプレスを用いてlton/am−
25kOeの条件で5X IOX 2mmの板状に成形
し、この成形体にポリイソブレンゴムのトルエン溶液を
含浸させ、十分に乾燥させた。
25kOeの条件で5X IOX 2mmの板状に成形
し、この成形体にポリイソブレンゴムのトルエン溶液を
含浸させ、十分に乾燥させた。
このボンド磁石の残留磁束密度[Br(kG)]保磁力
[ IHc(koe)]、(BH) −ax (MG
Oe) ,角形比(BrハπIs)を第7表に示す。
[ IHc(koe)]、(BH) −ax (MG
Oe) ,角形比(BrハπIs)を第7表に示す。
なお、第7表にはZnを添加せず、上記微粉体Aと同様
に微粉砕して得た微粉体Bを用いて、同様に磁場成形し
、ボンド磁石としたものの磁気物性値も示した。
に微粉砕して得た微粉体Bを用いて、同様に磁場成形し
、ボンド磁石としたものの磁気物性値も示した。
第7表
?
実施例76及び比較例6
純度99.9%のSmおよび純度99.9%のFeを用
いてアルゴン雰囲気中高周波炉で溶解混合し、次いで溶
湯を3■幅の鋳型中に流し込んで冷却し、さらにアルゴ
ン雰囲気中において950℃、32時間焼鈍することに
より、モル百分率がS m 10.5%およびF e
89.5%からなる合金を調製した。
いてアルゴン雰囲気中高周波炉で溶解混合し、次いで溶
湯を3■幅の鋳型中に流し込んで冷却し、さらにアルゴ
ン雰囲気中において950℃、32時間焼鈍することに
より、モル百分率がS m 10.5%およびF e
89.5%からなる合金を調製した。
この合金を窒素雰囲気中、コーヒーミルを用いて平均粒
径30μ閣まで粗粉砕した。
径30μ閣まで粗粉砕した。
得られた合金粉末を管状炉中に入れ、実施例66〜73
と同様にして窒化・水素化し、次いで同様にアルゴン気
流中で焼紬し、徐冷することによりS mg.9 F
e 714N ,s.,Ho.x組或ノ合金粉末を得た
。
と同様にして窒化・水素化し、次いで同様にアルゴン気
流中で焼紬し、徐冷することによりS mg.9 F
e 714N ,s.,Ho.x組或ノ合金粉末を得た
。
この合金粉末を分級して粒径2o〜38μ謬に調製した
後、これにZnを8モル%添加し、回転ボールミルを4
時間施して微粉体を得た。次いでこの微粉体を管状炉中
に入れ、アルゴンガス気流中430℃で1.5時間焼鈍
し、徐冷することによりS ma.2 F e be.
sN +4.3Ho.osZns o組或の微粉体Cを
得た。
後、これにZnを8モル%添加し、回転ボールミルを4
時間施して微粉体を得た。次いでこの微粉体を管状炉中
に入れ、アルゴンガス気流中430℃で1.5時間焼鈍
し、徐冷することによりS ma.2 F e be.
sN +4.3Ho.osZns o組或の微粉体Cを
得た。
この粉体を1軸ブレスを用いてlion/cI1’5k
Oeの条件で5x IOX 2mmの板状に成形し、こ
の成形体にポリイソブレンゴムのトルエン溶液を含浸さ
せ、十分に乾燥させた。次いでこの戊形体に14ton
/cg+ ’の圧力を加え、圧縮粉体成形ボンド磁石を
得た。
Oeの条件で5x IOX 2mmの板状に成形し、こ
の成形体にポリイソブレンゴムのトルエン溶液を含浸さ
せ、十分に乾燥させた。次いでこの戊形体に14ton
/cg+ ’の圧力を加え、圧縮粉体成形ボンド磁石を
得た。
このボンド磁石の残留磁束密度[Br(kG)]保磁力
[IHc(koe)) (BH) ... (M
GOe) 、角形比(BrハπIs)を第8表に示す。
[IHc(koe)) (BH) ... (M
GOe) 、角形比(BrハπIs)を第8表に示す。
なお、第8表にはZnを添加せず、上記微粉体Cと同様
に微粉砕して得た微粉体Dを用いて、同様に磁場成形し
、ボンド磁石としたものの磁気物性値も示した。
に微粉砕して得た微粉体Dを用いて、同様に磁場成形し
、ボンド磁石としたものの磁気物性値も示した。
第8表
実施例77
実施例76で得た微粉体Cと、メタノールークロロホル
ム混合溶媒に溶かした10重量%濃度のポリアミドエス
テルエーテルエラストマー溶液を8:2のfr量比で混
練し、5kOeの磁場中に置いた金型に仕込んで、溶媒
を回収し、ペレットを作製した。
ム混合溶媒に溶かした10重量%濃度のポリアミドエス
テルエーテルエラストマー溶液を8:2のfr量比で混
練し、5kOeの磁場中に置いた金型に仕込んで、溶媒
を回収し、ペレットを作製した。
次いで窒素気流中、200℃で30分間このベレットに
10ton/ca 2の圧力を加え、圧縮成形ボンド磁
石を作製した。
10ton/ca 2の圧力を加え、圧縮成形ボンド磁
石を作製した。
得られた圧縮成形ボンド磁石の残留磁束密度( Br)
は8.6kG,保磁力は8.0kOe, ( BH)
manは15.6MGOe,角形比(Brハyr I
s)は0.950であった。
は8.6kG,保磁力は8.0kOe, ( BH)
manは15.6MGOe,角形比(Brハyr I
s)は0.950であった。
実施例78
実施例76で得た微粉体Cと6−ナイロンを9:1の重
量比で、窒素雰囲気中、280℃で、混練し、3〜5問
長のペレットに裁断した。
量比で、窒素雰囲気中、280℃で、混練し、3〜5問
長のペレットに裁断した。
2■のノズル径を有するl2■一径のシリンダーに該ペ
レットを充填し、次いでアルゴン雰囲気中290℃で融
解させた後、75kg/cm ”の圧で1011x5m
sの断面を有する金型に打ち込んだ。この時、金型には
4.5〜B koeの磁場を与え続けた。
レットを充填し、次いでアルゴン雰囲気中290℃で融
解させた後、75kg/cm ”の圧で1011x5m
sの断面を有する金型に打ち込んだ。この時、金型には
4.5〜B koeの磁場を与え続けた。
得られた射出戊形ボンド磁石の残留磁束密度( Ilr
)は5.6kG ,保磁力は6.5kOe, ( B
H) lllamは5.5MCOe,角形比(Brハw
Is)は0.798であった。
)は5.6kG ,保磁力は6.5kOe, ( B
H) lllamは5.5MCOe,角形比(Brハw
Is)は0.798であった。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば特別な工程を付加
しないでも十分な保磁力、角形比および飽和磁束密度を
有する2相分A?型のバルク磁石を作製することができ
る。
しないでも十分な保磁力、角形比および飽和磁束密度を
有する2相分A?型のバルク磁石を作製することができ
る。
第1図は本発明の焼結磁石を作製するための一方法を例
示した工程図、 第2図(a)乃至(cl)は本発明の焼結磁石の結晶構
造の顕微鏡写真、 第3図はN,I{の含有量と(Bl+)...値との相
関関係を示すグラフである。 7lIll2l
示した工程図、 第2図(a)乃至(cl)は本発明の焼結磁石の結晶構
造の顕微鏡写真、 第3図はN,I{の含有量と(Bl+)...値との相
関関係を示すグラフである。 7lIll2l
Claims (5)
- (1) 一般式 で表わされる磁性材料であり、 ReはYを含む希土類元素のうちの少なく とも一種、 MはLi、Na、K、Mg、Ca、Sr、 Ba、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo
、W、Mn、Pd、Cu、Ag、Zn、B、Al、Ga
、In、C、Si、 Ge、Sn、Pb、Biの元素及びこれらの元素ならび
にReの酸化物、フッ化物、炭化物、窒化物、水素化物
、炭酸塩、硫酸塩、ケイ酸塩、塩化物、硝酸塩のうち少
なくとも一種、 α、β、γ、δはそれぞれモル百分率で 5≦α≦20 5≦β≦30 0.01≦γ≦10 0.1≦δ≦40 であることを特徴とする磁性材料。 - (2) 上記請求項(1)に記載の磁性材料の成分であ
るFeの0.01〜50モル%をCoで置換した組成を
有することを特徴とする磁性材料。 - (3) 上記請求項(1)または(2)に記載の磁性材
料から成り、その組織の微構造の粒子境界部に上部一般
式で示した成分のうちMの含有量が多い相を有し、粒子
中心部にはMの含有量が少ないか、または、Mを含有し
ない相を有することを特徴とする2相分離型のバルク磁
石。 - (4) その成分が、Re、Fe、N、Hからなる磁性
材料にM成分を混合添加して、それを焼結することによ
って、このM成分を主に粒子境界部に拡散させ、反応さ
せることを特徴とする上記請求項(3)に記載の2相分
離型のバルク磁石の製造方法。 - (5) 上記請求項(1)または(2)に記載の磁性材
料から成ることを特徴とするボンド磁石。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-285741 | 1988-11-14 | ||
JP28574188 | 1988-11-14 | ||
JP6623789 | 1989-03-20 | ||
JP1-66237 | 1989-03-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0316102A true JPH0316102A (ja) | 1991-01-24 |
JP2705985B2 JP2705985B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=26407407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1229238A Expired - Lifetime JP2705985B2 (ja) | 1988-11-14 | 1989-09-06 | 磁性材料、それから成る磁石及びそれらの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2705985B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0670578A1 (fr) * | 1994-03-02 | 1995-09-06 | Alcatel | Procédé pour la confection d'un matériau magnétique sous forme solide à partir d'une poudre de nitrure intermétallique du type Sm2 Fe17 N3-x |
US5456769A (en) * | 1993-03-10 | 1995-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material |
US5480495A (en) * | 1991-03-27 | 1996-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material |
US5482573A (en) * | 1991-10-16 | 1996-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material |
US5549766A (en) * | 1993-08-31 | 1996-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material |
DE19649407A1 (de) * | 1995-11-28 | 1997-06-05 | Sumitomo Metal Mining Co | Seltenerden-Eisen-Stickstoff-Magnetlegierung |
US5750044A (en) * | 1994-07-12 | 1998-05-12 | Tdk Corporation | Magnet and bonded magnet |
US6468440B1 (en) | 1998-03-27 | 2002-10-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnet powder and method for producing the same, and bonded magnet using the same |
JP2012069962A (ja) * | 2011-10-19 | 2012-04-05 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 磁石用固形材料 |
JPWO2018163967A1 (ja) * | 2017-03-10 | 2019-11-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Sm−Fe−N系結晶粒子を含む磁石粉末およびそれから製造される焼結磁石ならびにそれらの製造方法 |
JP2020057779A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | Tdk株式会社 | サマリウム−鉄−ビスマス−窒素系磁石粉末及びサマリウム−鉄−ビスマス−窒素系焼結磁石 |
CN112481543A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-03-12 | 胡建青 | 一种高性能钕铁硼材料及其制备方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7364628B2 (en) | 2001-04-24 | 2008-04-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Solid material for magnet |
JP2014007278A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Jtekt Corp | 磁石の製造方法および磁石 |
JP2023143398A (ja) * | 2022-03-25 | 2023-10-06 | Tdk株式会社 | サマリウム-鉄-窒素系磁石粉末およびサマリウム-鉄-窒素系磁石 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS619551A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Toshiba Corp | 希士類鉄系永久磁石合金 |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP1229238A patent/JP2705985B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS619551A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Toshiba Corp | 希士類鉄系永久磁石合金 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5480495A (en) * | 1991-03-27 | 1996-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material |
US5482573A (en) * | 1991-10-16 | 1996-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material |
US5456769A (en) * | 1993-03-10 | 1995-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material |
US5549766A (en) * | 1993-08-31 | 1996-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material |
EP0670578A1 (fr) * | 1994-03-02 | 1995-09-06 | Alcatel | Procédé pour la confection d'un matériau magnétique sous forme solide à partir d'une poudre de nitrure intermétallique du type Sm2 Fe17 N3-x |
FR2717002A1 (fr) * | 1994-03-02 | 1995-09-08 | Alsthom Cge Alcatel | Procédé pour la confection d'un matériau magnétique sous forme solide à partir d'une poudre de nitrure intermétallique du type Sm2 Fe17 N3-x. |
US5573603A (en) * | 1994-03-02 | 1996-11-12 | Alcatel Alsthom Compagnie Generale D'electricite | Method of making a solid magnetic material from Sm2 Fe17 N3-X type intermetallic nitride powder |
US5750044A (en) * | 1994-07-12 | 1998-05-12 | Tdk Corporation | Magnet and bonded magnet |
DE19649407A1 (de) * | 1995-11-28 | 1997-06-05 | Sumitomo Metal Mining Co | Seltenerden-Eisen-Stickstoff-Magnetlegierung |
US5769969A (en) * | 1995-11-28 | 1998-06-23 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Rare earth-iron-nitrogen magnet alloy |
DE19649407C2 (de) * | 1995-11-28 | 2002-06-27 | Sumitomo Metal Mining Co | Seltenerden-Eisen-Stickstoff-Magnetlegierung |
US6468440B1 (en) | 1998-03-27 | 2002-10-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnet powder and method for producing the same, and bonded magnet using the same |
JP2012069962A (ja) * | 2011-10-19 | 2012-04-05 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 磁石用固形材料 |
JPWO2018163967A1 (ja) * | 2017-03-10 | 2019-11-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Sm−Fe−N系結晶粒子を含む磁石粉末およびそれから製造される焼結磁石ならびにそれらの製造方法 |
JP2021122061A (ja) * | 2017-03-10 | 2021-08-26 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Sm−Fe−N系結晶粒子を含む磁石粉末およびそれから製造される焼結磁石ならびにそれらの製造方法 |
US11594353B2 (en) | 2017-03-10 | 2023-02-28 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Magnetic powder containing Sm—Fe—N-based crystal particles, sintered magnet produced from same, method for producing said magnetic powder, and method for producing said sintered magnet |
JP2020057779A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | Tdk株式会社 | サマリウム−鉄−ビスマス−窒素系磁石粉末及びサマリウム−鉄−ビスマス−窒素系焼結磁石 |
CN112481543A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-03-12 | 胡建青 | 一种高性能钕铁硼材料及其制备方法 |
Also Published As
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JP2705985B2 (ja) | 1998-01-28 |
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