JPH0315591A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、光あるいは熱等のエネルギービームの照射に
より基板上の記録層の一部の光学定数を変化させて情報
を記録するようにした、いわゆる相変化型の光記録媒体
に関する。

発明の技術的背景 現在知られている代表的な光記録媒体として、次の三つ
のタイプの光記録媒体がある。第１のタイプの光記録媒
体は、ピット形威タイブの光記録媒体であり、記録層に
情報に対応してエネルギービームを照射して穴（ピット
）を配列することにより、情報の記録および再生が可能
になっている。

第２のタイプの光記録媒体は、光磁気記録媒体であり、
膜面に垂直な方向に磁化されることが可能な記録層の磁
化方向を情報に対応して変化させることにより、情報の
記録および再生が可能になっている。第３のタイプの光
記録媒体は、相変化タイプの光記録媒体であり、記録層
の一部の材質を結晶状態から非品質状態もしくはその逆
に変化させて、その部分の光学定数を他の部分と変える
ことにより、情報の記録および再生が可能になっている
。

しかしながら、このような３タイプの光記録媒体にあっ
ては、それぞれ一長一短がある。たとえば、ピット形成
タイプの光記録媒体にあっては、書き換えが不可能であ
る。また、情報の書き込みのために比較的大きなエネル
ギー出力を要すると共に、ピット形状の制御が困難であ
り、雑音か生じ易いという問題点を有する。また、ピッ
ト形成タイプの光記録媒体にあっては、エネルギービー
ムを照射して記録層の一部を蒸散させてピットを形成す
る都合上、記録層を保護層で覆うことかできないことか
ら、単板仕様で用いることができないと共に、２枚の記
録媒体を記録層相互を対向させて貼り合せる場合にもエ
アーサンドイッチ構造にせざるを得す、衝撃に弱く、構
造的に弱いという問題点を有している。

また、光磁気タイプの光記録媒体にあっては、組成の変
化による品質の変動が大きく、一定の品質の記録媒体を
製造することが困難であるという問題点を有する。また
、このタイプでは、情報の記録再生方式が複雑であり、
記録再生装置のコストが高くなるという不都合を有して
いる。

３ 相変化タイプの光記録媒体にあっては、上述したような
ピット形成タイプおよび光磁気タイプの光記録媒体が有
する不都合を有さない。しかしながら、従来の相変化タ
イプの光記録媒体では、ピット形成タイプの光記録媒体
に比べて、情報再生時における検出信号の強度が小さい
という不都合を有していた。また、光記録媒体における
結晶部分と非結晶部分とを比較した場合に、結晶部分の
方が安定であるため、非結晶部分が徐々に結晶化され、
そのことが光記録媒体のＣ／Ｎ　（情報再生時における
雑音に対する検出信号の割合）を低下させる要因となっ
ていた。

なお、特開昭６３−６３１４１号公報には、Ｔｅおよび
Ｇｅを主成分として含み、第三成分としてＺｎを含んで
記録層を構成しても良い旨の記載がある。

しかしながら、この公報に開示されたＺｎの含有量では
、情報読み出し時におけるＣ／Ｎと耐久性とが依然とし
て十分でなく、より一層のＣ／Ｎの向上と耐久性の向上
とが望まれていた。

発明の目的 ４ 本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり
、情報読み出し時におけるＣ／Ｎが高く、しかも耐久性
に優れた光記録媒体を提供することを目的としている。

発明の概要 本発明は、基板と、この基板上に形成された記録層とか
らなり、この記録層にエネルギービームを照射すること
により、この記録層の一部の光学定数を変化させて情報
を記録するようにした光記録媒体において、 前記記録層は、Ｔｅ，ＧｅおよびＺｎを含む薄膜であり
、 前記記録層に含まれるＴｅ，ＧｅおよびＺｎの原子数比
を、（　Ｔ　ｅ　　Ｇ　８　１００−Ｘ）　＋００−，
　Ｚ　ｎ　，Ｘ のＸＳＶで表わした場合に、２０≦Ｘ≦９０および２０
くｙ≦７０であることを特徴としている。

なお、本発明で光学定数（Ａ）とは、次の式で表−わさ
れる。

光学定数（Ａ）−ｎ−ｉｋ ただしｎは反射率、ｋは消衰係数、１は虚数で５ ある。

このような光記録媒体によれば、Ｔｅ以外にＧｅおよび
Ｚｎを含有させ、これらの原子数比が所定の範囲内に設
定された記録層を有しているため、記録用レーザ光照射
前後のコントラスト比（再生用レーザ光の反射率差）が
大幅に改善され、情報再生時におけるＣ／Ｎが向上する
。また、本発明によれば記録層の結晶化温度が高くなる
ことから、記録媒体としての耐久性も向上する。

発明の具体的説明 以下、本発明を図面に示す実施例を参照しつつ詳細に説
明する。

第１図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の断面図で
ある。

第ｌ図に示すように、本発明の一実施例に係る光記録媒
体１０は、基板３と、この基板３の表面に形成された記
録層２と、この記録層２の表面に形成された保護層１と
から構成されている。ただし本発明では、必ずしも保護
層１を設ける必要はない。

６ 基板３としては、たとえばガラスあるいはアルミニウム
等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネート、ポリカーボネートとボリスチレンのポリ
マーアロイ、米国特許第４，　６１４，　７７８号明細
書に開示してあるような環状オレフィンランダム共重合
体、下記の環状オレフィンランダム共重合体（Ａ）、ボ
リ４−メチル−１−ペンテン、エボキシ樹脂、ポリエー
テルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド
等の有機材料を用いることができる。この中では、ポリ
メチルメタクリレート、ボリカーボネート、米国特許第
４．６１４　７７８号明細書に記載のような共重合体お
よび下記の環状オレフィンランダム共重合体（Ａ）が好
ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料としては
、特に記録膜との密着性が良く、複屈折率が小さいとい
う観点から、エチレンと、下記一般式［Ｉ］で表わされ
る環状オレフィンとの共重合体からなる環状オレフィン
ランダム共重合体（Ａ）が挙げられる。

（式［Ｉ］において、ｎは０もしくは正の整数であり、
ＲｌないしＲ１２はそれぞれ水素原子、ノ＼ロゲン原子
または炭化水素基を示し、Ｒ９〜Ｒ１２は、互いに結合
して単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該
単環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またＲ　とＲ　とで、またはＲ１１とＲ１２とで、９　
　　　　　１０ アルキリデン基を形威していてもよい）。

以下この環状オレフィン共重合体（Ａ）について、さら
に詳しく説明する。

まず、上記一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィンに
ついてさらに詳しく説明すると、上記一般式［Ｉ］で表
わされる環状オレフィンは、上記式［Ｉ］で表わされる
他、以下に記載する式［Ｉ−ａ］で表わすこともできる
。

ただし、上記［　Ｉ−ａ］において、ｎは０または１で
あり、ｍは０または正の整数であり、Ｒ１〜Ｒｌ８は、
それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子および炭化水
素基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表わす。

そして、Ｒ１５〜Ｒ１８は、互いに結合して単環または
多環の基を形成していてもよく、かっ該単環または多環
の基が二重結合を有していてもよい。

１５１６ また、Ｒ　とＲ　とで、またはＲ１７とＲ１８とで９ アルキリデン基を形成していてもよい。

一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィンとして、具体
的には、 ２．５　　７．１（１ テトラシク口［４，４，０，１　　　，Ｉ　　　］−３
−ドデセン（　１，　４．　５．　８−ジメタノ−１．
　２，　３，　４，　４ａ，　５，　８，　８ａ−オク
タヒド口ナフタレン）のほかに、２−メチル１４．５８
−ジメタノ−１．２　３　４．４ａ　５　８　８ａ−オ
クタヒドロナフタレン、２−エチル−１．　４，　５．
　８−ジメタノ１．　２，　３，　４．　４ａ，　５，
　８．　８ａ〜オクタヒド口ナフタレン、２−プロビル
−１．４５８−ジメタノ−１　２　３　４　４ｇ　５　
８８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−へキシル−１４
５．８−ジメタノ−１　２　３　４　４ａ　５　８　８
ａ−オクタヒドロナフタレン、２．３−ジメチル−１．
　４，　５．　８−ジメタノ１．　２．　３，　４，　
４ａ，　５，　８．　８ａ−オクタヒドロナフタレン、
２−メチル−３−エチル−１，４５８−ジメタノ−１２
３４，　４ａ，　５，　８，　８ａ−オクタヒド口ナフ
タレン、２−クロロ１，　４，　５．　８−ジメタノ−
１　２　３　４　４８　５　８　８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２−プロモー１．４．５８−ジメタノ１，　
２，　３．　４．　４ａ．　５，　８，　８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン、２−フルオロー１．４．５８−ジメ
タノ−１　２　３　４　４ａ　５　８１０ ８ａ−オクタヒドロナフタレン、２３−ジクロ口１，　
４，　５．　８−ジメタノ−１．　２，　３，　４．　
４ａ．　５．　８　８ａ−オクタヒドロナフタレン、２
−シクロヘキシル−１４５８ジメタノ−１．　２，　３
．　４，　４ａ．　５，　８．　８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２−ｎ−プチルー］，　４．　５．　８−ジ
メタノ−１２３４．　４ａ，　５，　８．　８ｇ−オク
タヒドロナフタレン、２−イソプチルー１，　４，　５
．　８−ジメタノ−１．２．３．４．４ａ　５　８　８
ａ−オクタヒドロナフタレンなどのオクタヒド口ナフタ
レン類などを例示することができる。

さらに、式で表わされる環状オレフィン［Ｉ］の例とし
ては、以下に記載する化合物を挙げることができる。

（以下余白） セン などのペンタシクロ［　４，　７，　０．　１２−３−
ペンタデセン誘導体 ｓ，Ｑｅ．＋３，　ｌ＊．ｌ］ コセン １１ ２．ＩＳ］．−４−エイコセン などのへプタシクロ［　７，　８，　０．　１３・８，
Ｑ２．７．ｌＩｅ．＋７，Ｑ１１．ｌｅ，ｌ．＋２．１
５］−４−エイコセン誘導体／工 ．２１，ｌ１３．２９，ＱＩ４．１９，１１Ｓ．＋８］
．．−５−ペンタコセン ３．２ｅ，Ｑ１４．１９，ｌｌＩ５．Ｉｅ］−５−ペン
タコセン などのノナシクロ［　９，　１０，　１．　１’・７，
０３・Ｉｔ　，　Ｑ２　．　Ｉ　＠　，　Ｑｌ　２．ｅ
Ｉ．　１＋３．２ｅ．０＋ａ．＋ｅ．１＋ｓ．＋ｓ］　
−５−／（　ンタコセン誘導体を挙げることができる。

（以下余白） ／３ このような環状オレフィン系ランダム共重合体は、上記
のようにエチレンおよび前記環状オレフィンを必須成分
とするものであるが、該必須の二成分の他に本発明の目
的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能な
不飽和単量体或分を含有していてもよい。任意に共重合
されていてもよい該不飽和単量体として、具体的には、
たとえば生威するランダム共重合体中のエチレン或分単
位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテン、４−
メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、
１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−へ
キサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの
炭素原子数が３〜２０のα−オレフィンなどを例示する
ことができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体におい
て、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）は、４０〜
８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で存在
しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単
位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５０モ
ル％の範囲１４ で存亡しており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ
）および該環状オレフインに由来する繰り返し単位（ｂ
）は、ランダムに実質上線状に配列している。なお、エ
チレン組成および環状オレ１３ フィン組成は　Ｃ−ＮＭＲによって測定した。この環状
オレフイン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲ
ル状架橋構造を有していないことは、該共重合体が１３
５℃のデカリン中に完全に溶解することによって確認で
きる。

このような環状オレフイン系ランダム共重合体の１３５
℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０．０５
〜１　０　ｄｌ　／ｇ，好ましくは０．０８〜５　ｄ　
ｌｔ　／　ｇの範囲にある。

また環状オレフイン系ランダム共重合体のサーマル・メ
タニカル・アナライザーで測定した軟化温度（ＴＭＡ）
は、７０℃以上が好ましく、特に好ましくは９０〜２５
０℃、さらに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある
。なお軟化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Ｔｈｅ＋ｍ
ｏｍｅｃｈａｎｉｃａＡｎａｌｙｓｅｒを用いて１　ｍ
ｍ厚さシートの熱変形挙動に１５ より測定した。すなわちシート上に石英製針をのせ、荷
重４９ｇをかけ、５℃／分で昇温していき、針が０．６
３５ｍｍ侵入した温度をＴＭＡとした。

また、該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のガ
ラス転移温度（Ｔｇ）は、通常５０〜２３０℃、好まし
くは７０〜２１０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体のＸ線回
折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、好まし
くは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲である
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　基板と、この基板上に形成された記録層とからなり、
   この記録層にエネルギービームを照射することにより、
   この記録層の一部の光学定数を変化させて情報を記録す
   るようにした光記録媒体において、 前記記録層は、Ｔｅ、ＧｅおよびＺｎを含む薄膜であり
   、 前記記録層に含まれるＴｅ、ＧｅおよびＺｎの原子数比
   を、（Ｔｅ＿ｘＧｅ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）＿１＿０＿
   ０＿−＿ｙＺｎ＿ｙのｘ、ｙで表わした場合に、２０≦
   ｘ≦９０および２０＜ｙ≦７０である光記録媒体。