JPH03150872A - 完全密着型イメージセンサ - Google Patents
完全密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH03150872A JPH03150872A JP1289779A JP28977989A JPH03150872A JP H03150872 A JPH03150872 A JP H03150872A JP 1289779 A JP1289779 A JP 1289779A JP 28977989 A JP28977989 A JP 28977989A JP H03150872 A JPH03150872 A JP H03150872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin glass
- nitrogen atoms
- containing nitrogen
- adhesive layer
- silicon film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 27
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 10
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- -1 Na<+> Chemical class 0.000 abstract description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N Melanin Chemical compound O=C1C(=O)C(C2=CNC3=C(C(C(=O)C4=C32)=O)C)=C2C4=CNC2=C1C XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、完全密着型イメージセンサに関する。
透明基板を通して原稿を照射し、その反射光を直接光電
変換素子に取り入れる完全密着型イメージセンサにおい
て、原稿と、光電変換素子とのギャップを一定にするこ
とはS/N比1全1分解能める上で重要である。
変換素子に取り入れる完全密着型イメージセンサにおい
て、原稿と、光電変換素子とのギャップを一定にするこ
とはS/N比1全1分解能める上で重要である。
そのため1M稿と光電変換素子とのギャップは、保護層
により、一定に保つ技術が提案されている。その例とし
ては、たとえば(a)特公昭58−46186号、(b
)特開昭61−101164号がある。
により、一定に保つ技術が提案されている。その例とし
ては、たとえば(a)特公昭58−46186号、(b
)特開昭61−101164号がある。
(a)では、保護層を厚み50〜100μ履程度の薄い
ガラス板を、透明な接着剤で、光電変換素子上に貼り付
けており、(b)では、アクリル樹脂。
ガラス板を、透明な接着剤で、光電変換素子上に貼り付
けており、(b)では、アクリル樹脂。
メラニン樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル樹脂、シリ
コン樹脂のいずれかを主成分とする有機材料で構成して
いる。
コン樹脂のいずれかを主成分とする有機材料で構成して
いる。
(a)においては、保護層が薄板ガラスからなるため原
稿通紙に対して、十分な耐摩耗性を有する利点がある(
実験の結果、lO万枚の通紙前後で、出力画像には、何
ら支障はなかった)。
稿通紙に対して、十分な耐摩耗性を有する利点がある(
実験の結果、lO万枚の通紙前後で、出力画像には、何
ら支障はなかった)。
しかしながら、薄板ガラスは、通常、ソーダガラスない
しパイレックスガラスであるため。
しパイレックスガラスであるため。
長期の使用にあたってはNa 、K”イオンおよびC
f1−イオン等が薄板ガラスから拡散する問題がある。
f1−イオン等が薄板ガラスから拡散する問題がある。
特に、高温高湿度下の環境では顕著である。
当然のこととして、透明基板および接着剤からもNa
、K”、CQ−等のイオンの拡散が心配されるが、透
明基板については、石英ガラスを用いたり、あるいは透
明基板上に窒化シリコンや、BPSG等のゲッタ作用の
大きな薄膜を成膜することによって、イオンの拡散を防
ぐことができる。
、K”、CQ−等のイオンの拡散が心配されるが、透
明基板については、石英ガラスを用いたり、あるいは透
明基板上に窒化シリコンや、BPSG等のゲッタ作用の
大きな薄膜を成膜することによって、イオンの拡散を防
ぐことができる。
接着剤については、原料および合成プロセスを変更する
ことにより、イオンの混入を防ぐことが可能である。た
とえば、エポキシ樹脂については法尻に用いられるビス
フェノールA型樹脂の場合、脱塩酸反応の効率を上げた
り、残存するアルカリの洗浄を徹底する等や、また1合
成時にアルカリを使用しない環状脂肪族エポキシ樹脂に
切り換ることにより、高純度化を図ることができる。
ことにより、イオンの混入を防ぐことが可能である。た
とえば、エポキシ樹脂については法尻に用いられるビス
フェノールA型樹脂の場合、脱塩酸反応の効率を上げた
り、残存するアルカリの洗浄を徹底する等や、また1合
成時にアルカリを使用しない環状脂肪族エポキシ樹脂に
切り換ることにより、高純度化を図ることができる。
薄板ガラスより拡散したNa、K”、CQ−等のイオン
は、光電変換素子あるいは配線の腐食を加速するため長
期の信頼性が問題になる。
は、光電変換素子あるいは配線の腐食を加速するため長
期の信頼性が問題になる。
一方、(b)については、保護層が、有機材料からなる
ため、原料にNa 、K”、CQ−等のイオンや不純
物を混在させないことは、比較的容易である。そのため
長期の信頼性は高い。
ため、原料にNa 、K”、CQ−等のイオンや不純
物を混在させないことは、比較的容易である。そのため
長期の信頼性は高い。
しかしながら、有機材料であるため硬度が小さく原稿通
紙での耐摩耗性が不十分である。その結果、徐々に画像
出力の劣化が起きる。
紙での耐摩耗性が不十分である。その結果、徐々に画像
出力の劣化が起きる。
本発明の目的は、前述の欠点を克服し、長期間にわたり
信頼性(腐食や1画像出力の劣化)の高い完全密着型イ
メージセンサを提供する点にある。
信頼性(腐食や1画像出力の劣化)の高い完全密着型イ
メージセンサを提供する点にある。
本発明は、透明基板上に、採光窓と光電変換膜を有し、
さらに上方に接着層を介して設けられた薄板ガラスとか
ら構成される完全密着型イメージセンサにおいて、薄板
ガラスの面のうち、接着層と接する面に窒素原子を含む
シリコン膜を有することを特徴とする。
さらに上方に接着層を介して設けられた薄板ガラスとか
ら構成される完全密着型イメージセンサにおいて、薄板
ガラスの面のうち、接着層と接する面に窒素原子を含む
シリコン膜を有することを特徴とする。
そして、前記シリコン膜にはさらに酸素原子を含有させ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
窒素を含むシリコン膜は5in4ガス及びNH2ガスな
いしN2ガスを用いたプラズマCVDか、Si、N、タ
ーゲットを用いたスパッタリング、あるいはSiターゲ
ットを用いN2、NH3ガスを導入する反応性スパッタ
リングにより成膜される。
いしN2ガスを用いたプラズマCVDか、Si、N、タ
ーゲットを用いたスパッタリング、あるいはSiターゲ
ットを用いN2、NH3ガスを導入する反応性スパッタ
リングにより成膜される。
厚さは、不純物を捕獲する機能を満足させるためには5
000人〜3μm程度あれば良い。
000人〜3μm程度あれば良い。
上記の手法を用いると、窒素原子を含むシリコン膜は、
アモルファスである。窒素原子の割合は30〜65II
loQ%が望ましい。プラズマCVD法1反応性スパッ
タリングによると、水素原子が含まれることが多い。
アモルファスである。窒素原子の割合は30〜65II
loQ%が望ましい。プラズマCVD法1反応性スパッ
タリングによると、水素原子が含まれることが多い。
なお、窒素を含むシリコン膜は、成膜条件により内部応
力を制御することが可能なので、成膜条件を適切に選ぶ
ことにより、内部応力を小さくすることができる。その
結果、窒素原子を含むシリコン膜を成膜した後でも、薄
板ガラスは反りやねじれ等の変形を生じない。そのため
。
力を制御することが可能なので、成膜条件を適切に選ぶ
ことにより、内部応力を小さくすることができる。その
結果、窒素原子を含むシリコン膜を成膜した後でも、薄
板ガラスは反りやねじれ等の変形を生じない。そのため
。
貼り付は工程が容易になり1歩留まりの向上が期待でき
る。
る。
また窒素原子の他に、酸素原子を含ませ、接着剤との密
着性を向上させても良い。その場合。
着性を向上させても良い。その場合。
窒素原子の割合は、lO〜60n+o12%が好ましい
。
。
第1図に本発明の完全密着型イメージセンサの一例を示
す。
す。
透明基板101上に採光窓110を有する遮光層102
を設け、透明絶縁層103で被覆する。その上に下部金
属電極104と上部透明電極106で狭まれた光電変換
膜105からなる光電変換素子を形成する。光電変換素
子は、必要に応じてパッシベーション膜(図示はしてい
ない)で被覆される。
を設け、透明絶縁層103で被覆する。その上に下部金
属電極104と上部透明電極106で狭まれた光電変換
膜105からなる光電変換素子を形成する。光電変換素
子は、必要に応じてパッシベーション膜(図示はしてい
ない)で被覆される。
光電変換素子上には、接着層107を介して、薄板ガラ
ス109が貼り付けられる。薄板ガラス109には、接
着層107と接する面に窒素原子を含むシリコン膜10
8が形成されている。
ス109が貼り付けられる。薄板ガラス109には、接
着層107と接する面に窒素原子を含むシリコン膜10
8が形成されている。
そのため長期の使用の間に、薄板ガラス109より拡散
するNa、K”、cn−等の不純物は。
するNa、K”、cn−等の不純物は。
窒素原子を含むシリコン膜108により捕獲されるので
、光電変換素子や配線の腐食を著しく抑えることが可能
である。
、光電変換素子や配線の腐食を著しく抑えることが可能
である。
また、原稿と接する面が、薄板ガラス109よりなるの
で、耐摩耗性が十分にあり、長期の使用でも画像出力の
劣化がなく、安定したS/N比、分解能を確保すること
ができる。
で、耐摩耗性が十分にあり、長期の使用でも画像出力の
劣化がなく、安定したS/N比、分解能を確保すること
ができる。
なお、第1図では、サンドイッチ型の光電変換素子につ
いて説明したが、コプレナー型であっても、本発明は、
同様に使用できる。
いて説明したが、コプレナー型であっても、本発明は、
同様に使用できる。
次に各層について説明する。
透明基板101は、パイレックス、石英ガラスまたはポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリアクリル樹脂等の高
分子樹脂よりなる。なお、Na、K”、Cf1−等の不
純物の拡散を防ぐため、窒化シリコン膜やBPSG等で
被覆しても良い。
リエチレン、ポリプロピレン、ポリアクリル樹脂等の高
分子樹脂よりなる。なお、Na、K”、Cf1−等の不
純物の拡散を防ぐため、窒化シリコン膜やBPSG等で
被覆しても良い。
透明基板101上に、C,r、Mo、Ti、Ni。
W、Ta等の金属、合金、シリサイドからなる遮光N1
02を設け、採光窓110をホトリソグラフィーにより
形成する。その上をSiO□、Si。
02を設け、採光窓110をホトリソグラフィーにより
形成する。その上をSiO□、Si。
N 4. A Qz Oz等の透明絶縁層103で被う
。
。
その上に、光電変換素子を形成する。下部金属電極10
4は、CrlMo、Ti、Ni、W、Ta等の金属、合
金、シリサイドからなる。上部透明電極106は、IT
O1In20.、Sn○2等からなる。光電変換膜10
6は、主に水素化アモルファスシリコン膜からなり、P
IN接合、PI接合、ショットキー接合ないし酸素原子
や炭素原子、窒素原子を添加したベテロ接合を有し、高
S/N比を実現している。
4は、CrlMo、Ti、Ni、W、Ta等の金属、合
金、シリサイドからなる。上部透明電極106は、IT
O1In20.、Sn○2等からなる。光電変換膜10
6は、主に水素化アモルファスシリコン膜からなり、P
IN接合、PI接合、ショットキー接合ないし酸素原子
や炭素原子、窒素原子を添加したベテロ接合を有し、高
S/N比を実現している。
その後、必要に応じてSi、N、、5in2あるいはポ
リイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
アクリル樹脂等の透明高分子樹脂で被覆しパッシベーシ
ョン膜とする。
リイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
アクリル樹脂等の透明高分子樹脂で被覆しパッシベーシ
ョン膜とする。
接着層107は、エポキシ樹脂、ポリエステル槓脂、ポ
リアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂よりなり、厚さは1
通常10μm以下である。
リアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂よりなり、厚さは1
通常10μm以下である。
薄板ガラス109は、ソーダガラス、パイレックスガラ
スからなり、厚さは画素密度で決まるが、8 dot/
ya−〜16dot/mmの場合、30〜70μI程度
である。
スからなり、厚さは画素密度で決まるが、8 dot/
ya−〜16dot/mmの場合、30〜70μI程度
である。
薄板ガラス109の一面には窒素原子を含むシリコン膜
108を成膜する。窒素を含むシリコン膜109は、S
iH,ガスおよびNH3ガスないしN2ガスを用いたプ
ラズマCVDか、Si、N4ターゲツトを用いたスパッ
タリング、あるいはSiターゲットを用いN2、NH,
ガスを導入する反応性スパッタリングにより成膜される
。
108を成膜する。窒素を含むシリコン膜109は、S
iH,ガスおよびNH3ガスないしN2ガスを用いたプ
ラズマCVDか、Si、N4ターゲツトを用いたスパッ
タリング、あるいはSiターゲットを用いN2、NH,
ガスを導入する反応性スパッタリングにより成膜される
。
厚さは、不純物を捕獲する機能を満足させるためにも5
000人〜3μm程度あれば良い。
000人〜3μm程度あれば良い。
上記の手法を用いると、窒素原子を含むシリコン膜はア
モルファスである。窒素原子の割合は30〜65鳳oQ
%が望ましい。
モルファスである。窒素原子の割合は30〜65鳳oQ
%が望ましい。
第2図に、本発例の別の一例を示す。
下部金属電極302が、遮光層を兼ね、かつ採光窓31
0を有している。その他の構成は第1図と同じである。
0を有している。その他の構成は第1図と同じである。
実施例1
240X30X1.6a+mtの石英ガラスに、Crを
真空蒸着により、1500人成膜し、ホトリソグラフィ
ーにより8 dot/mm1728dotの採光窓を持
つ下部金属電極(共通電極)とする。
真空蒸着により、1500人成膜し、ホトリソグラフィ
ーにより8 dot/mm1728dotの採光窓を持
つ下部金属電極(共通電極)とする。
その上に3層の水素化アモルファスシリコン膜をプラズ
マCVD法に成膜し、ホトリソグラフィーにより、光路
を確保し光電変換膜とする。
マCVD法に成膜し、ホトリソグラフィーにより、光路
を確保し光電変換膜とする。
水素化アモルファスシリコン層は、次の構成である。
pa−5i:O:H
膜厚 500人
ガス Co2/Sx)!、== 1 (モル比)B、H
JSiH4= 5 X 10” SiH,/H,=0.2 a−5i:H 膜厚 7500人 ガス SiH,/H,= 0.2 na−3i:H 膜厚 350人 ガス P)la/5iH4= 1 x 10−’5in
4/)l、 =0.2 その後、 I n、03+ S n O□5wt%のタ
ーゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリングで。
JSiH4= 5 X 10” SiH,/H,=0.2 a−5i:H 膜厚 7500人 ガス SiH,/H,= 0.2 na−3i:H 膜厚 350人 ガス P)la/5iH4= 1 x 10−’5in
4/)l、 =0.2 その後、 I n、03+ S n O□5wt%のタ
ーゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリングで。
ITO膜を750人成膜し、ホトリソグラフィーにより
、上部透明電極(fli別電極電極する。
、上部透明電極(fli別電極電極する。
そして、SiO,をターゲットとするスパッタリングに
より、SiO,を1.5μm厚に成膜して、パッシベー
ション膿とし、光電変換素子とする。
より、SiO,を1.5μm厚に成膜して、パッシベー
ション膿とし、光電変換素子とする。
240X 8 X O,05ma+tの薄板ガラスの一
面にプラズマCVD法により、窒素原子を含むシリコン
膜を2μm厚に成膜する。成膜条件は、次の通り。
面にプラズマCVD法により、窒素原子を含むシリコン
膜を2μm厚に成膜する。成膜条件は、次の通り。
ガス N、 / S i H,=15NH3/S i
H4= 5 その後、窒素原子を含むシリコン膜の付いている面をエ
ポキシ樹脂(光硬化型−液性、100cp)を用い、光
電変換素子上に貼り付ける。接着層厚さは、5〜10μ
■である。
H4= 5 その後、窒素原子を含むシリコン膜の付いている面をエ
ポキシ樹脂(光硬化型−液性、100cp)を用い、光
電変換素子上に貼り付ける。接着層厚さは、5〜10μ
■である。
個別電極にICをワイヤーボンディングで接続し2.5
ms/1ineの速度で駆動する。
ms/1ineの速度で駆動する。
A4サイズの原稿を13,5万枚通紙した結果、通紙前
後で画像出力はほとんし変化しなかった。
後で画像出力はほとんし変化しなかった。
また、85℃、85%RHの環境下で、駆動させた結果
、500時間経過後も、まったく腐食は発生しなかった
。
、500時間経過後も、まったく腐食は発生しなかった
。
実施例2
薄板ガラスに窒素原子と酸素原子を含むシリコン膜を2
μm成膜する以外はすべて実施例1と同様にして光電変
換素子に貼り付けた。窒素原子、酸素原子を含むシリコ
ン膜の成膜法は以下の通りである。
μm成膜する以外はすべて実施例1と同様にして光電変
換素子に貼り付けた。窒素原子、酸素原子を含むシリコ
ン膜の成膜法は以下の通りである。
ガX COx/ S i H4=0.5N2/ S
i H4=15 N Ha / S x H< =5 このイメージセンサについても実施例1と同様の評価を
行なったところ5通紙前後での画像出力は、はとんど変
化せず、85℃、85%RHの環境下では前述のイメー
ジセンサよりも腐食発生が遅かった(腐食発生は、12
40時間)。
i H4=15 N Ha / S x H< =5 このイメージセンサについても実施例1と同様の評価を
行なったところ5通紙前後での画像出力は、はとんど変
化せず、85℃、85%RHの環境下では前述のイメー
ジセンサよりも腐食発生が遅かった(腐食発生は、12
40時間)。
本発明の構造を取ることによって完全密着型イメージセ
ンサの長期信頼性が向上した。
ンサの長期信頼性が向上した。
第1図、第2図は1本発明完全密着型イメージセンサの
具体例を示す。 101.301・・・透明基板102・・・遮光層10
3・・・透明絶縁層 104・・・下部金属電極105
.305・・・光電変換膜 106.306・・・上部透明電極 107.307・・・接着層 108.308・・・窒素原子を含むシリコン膜109
.309・・・薄板ガラス 110.310・・・採光窓 302・・・遮光層兼下部金属電極 第 図 第2図
具体例を示す。 101.301・・・透明基板102・・・遮光層10
3・・・透明絶縁層 104・・・下部金属電極105
.305・・・光電変換膜 106.306・・・上部透明電極 107.307・・・接着層 108.308・・・窒素原子を含むシリコン膜109
.309・・・薄板ガラス 110.310・・・採光窓 302・・・遮光層兼下部金属電極 第 図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、透明基板上に、採光窓と光電変換膜を有し、さらに
上方に接着層を介して設けられた薄板ガラスとから構成
される完全密着型イメージセンサにおいて、薄板ガラス
の面のうち、接着層と接する面に窒素原子を含むシリコ
ン膜を有することを特徴とする完全密着型イメージセン
サ。 2、前述の窒素原子を含むシリコン膜において、さらに
酸素原子をも含むことを特徴とする請求項1に記載の完
全密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1289779A JPH03150872A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 完全密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1289779A JPH03150872A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 完全密着型イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03150872A true JPH03150872A (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=17747654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1289779A Pending JPH03150872A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 完全密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03150872A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0637841A3 (en) * | 1993-08-04 | 1995-11-29 | Hitachi Ltd | Thin film semiconductor device and method for its production. |
KR100381025B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2003-04-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이물질 포획용 트렌치를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR100538803B1 (ko) * | 2003-05-24 | 2005-12-23 | 킹팍 테크놀로지 인코포레이티드 | 우량의 픽셀이 증가된 화상 센서 |
JP2010010232A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010010472A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP1289779A patent/JPH03150872A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0637841A3 (en) * | 1993-08-04 | 1995-11-29 | Hitachi Ltd | Thin film semiconductor device and method for its production. |
US5689136A (en) * | 1993-08-04 | 1997-11-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
US6051877A (en) * | 1993-08-04 | 2000-04-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
US6291877B1 (en) | 1993-08-04 | 2001-09-18 | Hitachi, Ltd. | Flexible IC chip between flexible substrates |
US6486541B2 (en) | 1993-08-04 | 2002-11-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
KR100381025B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2003-04-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이물질 포획용 트렌치를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR100538803B1 (ko) * | 2003-05-24 | 2005-12-23 | 킹팍 테크놀로지 인코포레이티드 | 우량의 픽셀이 증가된 화상 센서 |
JP2010010232A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010010472A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW449670B (en) | Method for making thin film device with coating film, liquid crystal panel and electronic device | |
TWI303887B (ja) | ||
JP2004260194A (ja) | 配線膜、配線膜形成用のスパッタターゲットおよびそれを用いた電子部品 | |
TWI227505B (en) | Glass article and glass substrate for display panel | |
JPS59141278A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JPH03150872A (ja) | 完全密着型イメージセンサ | |
JP2783918B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
TW200406789A (en) | Wiring material and wiring board using the same | |
JPH0159744B2 (ja) | ||
JP2005264329A (ja) | Ag合金膜及びその製造方法 | |
US5192991A (en) | Crystallized polycrystalline semiconductor device | |
JPH01310578A (ja) | 光起電力装置 | |
JPH073483B2 (ja) | 銀 鏡 | |
JPS5861678A (ja) | 非晶質シリコン太陽電池 | |
JP2885458B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
TWI226499B (en) | Silver alloy thin film reflector and transparent electrical conductor | |
JPH027476A (ja) | アモルファスシリコン系半導体装置及びその製造方法 | |
JPH05114749A (ja) | 電子素子部材およびその製造方法 | |
JPH0458710B2 (ja) | ||
JP2003329818A (ja) | 反射鏡 | |
JP2003157723A (ja) | 透明導電膜付き基板及びこれを用いたタッチパネル | |
JPH0375158A (ja) | サーマルヘッド | |
JPS60140815A (ja) | アモルフアス・シリコン膜の製造方法 | |
JPH05303111A (ja) | アクティブマトリックス基板およびその製造方法 | |
JPH0428132B2 (ja) |