JPH03150859A - 半導体ウエハ検査装置 - Google Patents

半導体ウエハ検査装置

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JPH03150859A
JPH03150859A JP28885089A JP28885089A JPH03150859A JP H03150859 A JPH03150859 A JP H03150859A JP 28885089 A JP28885089 A JP 28885089A JP 28885089 A JP28885089 A JP 28885089A JP H03150859 A JPH03150859 A JP H03150859A
Authority
JP
Japan
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semiconductor wafer
television camera
image data
field
view
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Pending
Application number
JP28885089A
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English (en)
Inventor
Kiichiro Mukai
向井 喜一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウェハの周辺部に生じるスリップライ
ンを検査する半導体ウェハ検査装置に関する。
(従来の技術) 半導体ウェハには、結晶面間にすべりが発生し、結晶表
面に断面が凹凸な平行線つまりスリップラインが現れる
。このスリップラインは特に半導体ウェハの周辺部に現
れ、半導体ウェハの品質向上のために検査されている。
かかるスリップラインの検査はオペレータが微分干渉顕
微鏡を用いて半導体ウェハの周辺部を観察し、この観察
によりスリップラインを検出すると、このスリップライ
ンを測長している。
ところで、スリップラインは100A程度の段差しかな
く微分干渉顕微鏡の検出感度が高くても微分干渉顕微鏡
の調整が適切でないと、スリ、ツブラインを検出できな
い場合がある。又、スリップラインの検出及び測長作業
は熟練を要するとともに各オペレータ間においてばらつ
きが生じる。そのうえ、検出及び測長作業には時間がか
かり、受入検査での全数検査は困難である。
(発明が解決しようとする課題) 以上のようにスリップラインを検出できない場合があり
、又作業は熟練を要するとともに各オペレータ間におい
てばらつきが生じる。そのうえ、検出及び測長作業には
時間がかかる。
そこで本発明は、熟練を必要とせずに各オペレータ間で
ばらつきが生ぜず、かつ短時間で正確にスリップライン
の検査ができる半導体ウェハ検査装置を提供することを
目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、半導体ウェハを載置するステージと、半導体
ウェハを拡大して撮像する拡大撮像手段と、拡大撮像手
段からの画像信号を受けて画像データを作成し、この画
像データ上の濃淡レベルと欠陥検出濃淡レベルとを比較
判断する欠陥検出手段と、この欠陥検出手段の比較結果
に応じてステージと拡大撮像手段との少なくとも一方を
移動させて拡大撮像手段の視野を半導体ウェハの内側に
向かって又は半導体ウェハの周辺に沿って移す視野移動
手段と、この視野移動手段により拡大撮像手段の視野を
半導体ウェハの内側に向かって移動させた場合に欠陥を
測長する測長手段とを備えて上記目的を達成しようとす
る半導体ウェハ検査装置である。
(作用) このような手段を備えたことにより、半導体ウェハが拡
大撮像手段により拡大撮像されてその画像信号が欠陥検
出手段に送られる。この欠陥検出手段は画像データを作
成し、この画像データ上の濃淡レベルと欠陥検出濃淡レ
ベルとを比較判断する。この比較結果、視野移動手段は
ステージと拡大撮像手段との少なくとも一方を移動させ
て拡大撮像手段の視野を半導体ウェハの内側に向かって
又は半導体ウェハの周辺に沿って移し、このうち半導体
ウェハの内側に向かって移動させた場合に測長手段は欠
陥を測長する。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は半導体ウェハ検査装置の構成図である。
XYステージ1の上面には半導体ウェハ2が載置されて
いる。このXYステージ2の上方には微分干渉顕微鏡3
が配置されるとともにこの微分干渉顕微M3にテレビジ
ョンカメラ4が取り付けられている。このテレビジョン
カメラ4は微分干渉顕微鏡3を通して半導体ウェハ2の
拡大像を撮像してその画像信号を出力するものとなって
いる。なお、テレビジョンカメラ4はスリップラインと
その他の部分とのコントラストが最大となるようにセッ
トされている。そして、このテレビジョンカメラ4の出
力端子は前処理等を行う信号処理装置5及びA/D (
アナログ/ディジタル)変換器6を介して欠陥判断装置
7に接続されている。
この欠陥判断装置7は、A/D変換器6からのディジタ
ル画像信号を受けて画像データを作成し、半導体ウェハ
2の円周方向に沿ったスキャンラインSにおける画像デ
ータ上の濃淡レベルと予め設定された欠陥検出濃淡レベ
ル(スレッシュホールドレベルSL)とを比較判断する
欠陥検出機能と、この欠陥検出機能の比較結果に応じて
XYステージ1を移動動作させてテレビジョンカメラ4
の視野を半導体ウェハ2の内側に向かって又は半導体ウ
ェハ2のエツジに沿って移す視野移動機能と、テレビジ
ョンカメラ4の視野を半導体ウェハ2の内側に向かって
移動させた場合にスリップラインを測長する機能とを有
している。
ここで、濃淡レベルとスレッシュホールドレベルSLと
の比較判断に応じたXYステージ1の移動方向について
説明する。テレビジョンカメラ4の視野4aは第2図に
示すように半導体ウェハ2のエツジに沿った矢印(イ)
方向にステップ状に移動し、スリップライン10が検出
されると、次のように移動する。すなわち、半導体ウェ
ハ2におけるスリップライン10は半導体ウェハ2のエ
ツジから中心に向かって現れる。従って、半導体ウェハ
2をA、B、C,Dの4つの各領域に分けた場合、テレ
ビジョンカメラ4の視野ζよ、A領域ではX軸方向の負
側にステップ状に移動させSB領領域はY軸方向の負側
にステップ状に移動させ、さらにC領域ではX軸方向の
正側にステップ状に移動させ、D nR域ではY軸方向
の正側にステップ状に移動させるものとなる。
移動コントローラ8は欠陥判断装置7からの移動指令、
例えばスリップライン10をA領域において検出した場
合にテレビジョンカメラ4の視野4aをX軸方向の負側
にステップ状に移動させる指令を受けてXYステージ1
のパルスモータを駆動させる機能を有するものである。
次に上記の如く構成された装置の作用について説明する
XYステージ1は移動コントローラ8の移動制御によっ
て微分干渉顕微鏡3を通したテレビジョンカメラ4の視
野4aを半導体ウエノ12におけるA領域のQ部にセッ
トする。この状態にテレビジョンカメラ4は微分干渉顕
微鏡3を通して半導体ウェハ2のQ部の拡大像を撮像し
てその画像信号を出力する。この画像信号は信号処理装
置5により前処理され、A/D変換器6によりディジタ
ル化されて欠陥判断装置7に送られる。
この欠陥判断装置7はディジタル画像信号を受けて画像
データとして記憶し、半導体ウェハ2の円周方向に沿っ
たスキャンラインSで画像データをスキャンし、このス
キャンラインS上の濃淡レベルとスレッシュホールドレ
ベルSLとを比較判断する。撮像位置Q部においてはス
リップライン10が現れていないので、スキャンライン
S上の濃淡レベルはスレッシュホールドレベルSLより
低く、欠陥判断装置7はスリップライン10が現れてい
ないと判断する。この判断の結果、欠陥判断装置7は移
動コントローラ8に対してテレビジョンカメラ4の視野
4aを半導体ウェハ2のエツジに沿って矢印(イ)方向
に1ステツプ移動させる指令を発する。これにより、テ
レビジョンカメラ4の視野4aは半導体ウェハ2のエツ
ジに沿って1ステツプ移動する。そして、上記作用と同
様に1ステツプ移動後に得られた画像データにおけるス
キャンラインS上の濃淡レベルとスレッシュホールドレ
ベルSLとが比較判断される。
このようにして濃淡レベルが比較判断されながらテレビ
ジョンカメラ4の視野4aが半導体ウェハ2のエツジに
沿って移動し、そうしてスリップライン10の現れてい
る部分に達すると、第4図に示すようにスキャンライン
S上の濃淡レベルがスレッシュホールドレベルSLより
も高くなる。
そうすると、欠陥判断装置7はスリップライン10が在
ると判断して移動コントローラ8に対してテレビジョン
カメラ4の視野4aをX軸方向の負側にステップ状に移
動させる指令を発する。これにより、テレビジョンカメ
ラ4の視野4aは第5図に示すようにX軸方向の負側に
1ステツプだけ移動する。
1ステツプ移動後、再び画像データにおけるスキャンラ
インS上の濃淡レベルとスレッシュホールドレベルSL
とを比較判断する。この判断の結果、スキャンラインS
上の濃淡レベルがスレッシュホールドレベルSLよりも
高ければ、欠陥判断装置7はスリップライン10が在る
と判断して再び移動コントローラ8に対してテレビジョ
ンカメラ4の視野4aをX軸方向の負側にさらに1ステ
ツプに移動させる指令を発する。このようにしてテレビ
ジョンカメラ4の視野4aをX軸方向の負側に移動させ
、テレビジョンカメラ4の視野4aが第5図に示すQ部
に達してスキャンラインS上の濃淡レベルがスレッシュ
ホールドレベルS、よりも低くなると、欠陥判断装置7
はスリップライン10が、無いと判断する。なお、第6
図及び第7図はテレビジョンカメラ4の視野4aがX軸
方向の負側に1ステツプに移動したときの任意の位置に
おける濃淡レベルを示している。このようにスリップラ
イン10が無いと判断すると、欠陥判断装置7はX軸方
向の負側へのステップ数とそのステップ距離とからスリ
ップライン10の長さを求める。
この後、欠陥判断装置7はテレビジョンカメラ4の視野
4aを半導体ウニl\2のエツジでかつX軸方向の負側
に1ステツプ移動させる前の位置から1ステツプ矢印(
イ)方向に移動させる指令を移動コントローラ8に発す
る。
以後、欠陥判断装置7はテレビジョンカメラ4の視野4
aを半導体ウェハ2のエツジに沿って移動させ、スリッ
プライン10が検出されると視野4aを半導体ウェハ2
の内側へ向かって移動させる。
このように上記一実施例においては、画像データ上の濃
淡レベルとスレッシュホールドレベルSLとを比較判断
し、この比較結果に応じてXYステージ1を移動させて
テレビジョンカメラ4の視野4aを半導体ウェハ2の内
側に向かって又はエツジに沿って移し、このうち半導体
ウェハ2の内側に向かって移動させた場合にスリップラ
イン10を測長するようにしたので、半導体ウエノ\2
に現れるスリップライン10を検査の熟練度に関係なく
かつ各オペレータにより検査結果にばらつきを生ずるこ
とがなく自動的にスリップライン10を検出しその長さ
を測定できる。そして、本装置を使用すれば従来半導体
ウェハ1枚当り30分程度要していた検査時間を作か1
〜2分に短縮できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形しても良い。例えば、テ
レビジョンカメラ4の視野4aを移動させるには、テレ
ビジョンカメラ4を移動させるように構成してもよく、
又XYステージ1とテレビジョンカメラ4とを相互に移
動させるように構成しても良い。
[発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、熟練を必要とせず
に各オペレータ間でばらつきが生ぜず、かつ短時間で正
確にスリップラインの検査ができる半導体ウェハ検査装
置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第7図は本発明に係わる半導体ウェハ検査装
置の一実施例を説明するための図であって、第1図は構
成図、第2図はテレビジョンカメラの視野の移動を説明
するための模式図、第3図乃至第7図はスリットライン
を検出した場合のテレビジョンカメラの視野の移動を説
明するための模式図である。 1・・・XYテーブル、2・・・半導体ウェハ、3・・
・微分干渉顕微鏡、4・・・テレビジョンカメラ、5・
・・信号処理装置、6・・・A/D変換器、7・・・欠
陥判断装置、8・・・移動コントローラ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体ウェハを載置するステージと、前記半導体ウェ
    ハを拡大して撮像する拡大撮像手段と、前記拡大撮像手
    段からの画像信号を受けて画像データを作成し、この画
    像データ上の濃淡レベルと欠陥検出濃淡レベルとを比較
    判断する欠陥検出手段と、この欠陥検出手段の比較結果
    に応じて前記ステージと前記拡大撮像手段との少なくと
    も一方を移動させて前記拡大撮像手段の視野を前記半導
    体ウェハの内側に向かって又は前記半導体ウェハの周辺
    に沿って移す視野移動手段と、この視野移動手段により
    前記拡大撮像手段の視野を前記半導体ウェハの内側に向
    かって移動させた場合に前記欠陥を測長する測長手段と
    を具備したことを特徴とする半導体ウェハ検査装置。
JP28885089A 1989-11-08 1989-11-08 半導体ウエハ検査装置 Pending JPH03150859A (ja)

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JP28885089A JPH03150859A (ja) 1989-11-08 1989-11-08 半導体ウエハ検査装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7812942B2 (en) 2007-03-28 2010-10-12 S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies Method for detecting surface defects on a substrate and device using said method
JP2018128339A (ja) * 2017-02-08 2018-08-16 住友化学株式会社 半導体ウェハの表面検査装置及び半導体ウェハの表面検査方法
JP2021048367A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 信越半導体株式会社 シリコン単結晶ウェーハのスリップ検出方法

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