JPH03149829A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03149829A JPH03149829A JP28947189A JP28947189A JPH03149829A JP H03149829 A JPH03149829 A JP H03149829A JP 28947189 A JP28947189 A JP 28947189A JP 28947189 A JP28947189 A JP 28947189A JP H03149829 A JPH03149829 A JP H03149829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- wiring
- slit
- corners
- stress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
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- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 8
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、AL多層配線構造の半導体装置におけるスト
レスマイグレーションに対して強靭な構造を有する構造
を提供するものである。
レスマイグレーションに対して強靭な構造を有する構造
を提供するものである。
[従来の技術]
半導体装置の高密度集積化にともないAL配線Jの多層
化が標準的に行なわれるようになってきた。ところが、
配線の多層化によりストレスマイグレーションという新
しい問題が発生してきた。
化が標準的に行なわれるようになってきた。ところが、
配線の多層化によりストレスマイグレーションという新
しい問題が発生してきた。
ストレスマイグレーションは、主にモールドパッケージ
を行なう製品に顕著にみられるが、実際には製造の過程
で起きている。第2図[ALZ層配線を例に説明する。
を行なう製品に顕著にみられるが、実際には製造の過程
で起きている。第2図[ALZ層配線を例に説明する。
下層AL配線層2仕に、層間絶縁膜22が形成されV工
Aホールを介して下層AL配線層21と接続された上層
AL配線層25があり、保護膜としてパシベーション涙
24で覆われた構造の半導体装置では、これらの製造工
程特に上層AL配線層の形成以降の工程KMける熱処理
で、第2図の矢印で示したような圧縮応力や引っ張り応
力などによるストレスが上層AL配置825.下MAL
配線21に加わる。この場合特に下層配線23には大き
なストレスが加わるため通常ストレスマイグレーション
は、この下層配線21に生じることが多い。第5図にそ
の°例を示す。下層配線層21の進行方向に垂直に発生
しているノツチ25が、ストレスマイグレーシーayが
起きているところである。
Aホールを介して下層AL配線層21と接続された上層
AL配線層25があり、保護膜としてパシベーション涙
24で覆われた構造の半導体装置では、これらの製造工
程特に上層AL配線層の形成以降の工程KMける熱処理
で、第2図の矢印で示したような圧縮応力や引っ張り応
力などによるストレスが上層AL配置825.下MAL
配線21に加わる。この場合特に下層配線23には大き
なストレスが加わるため通常ストレスマイグレーション
は、この下層配線21に生じることが多い。第5図にそ
の°例を示す。下層配線層21の進行方向に垂直に発生
しているノツチ25が、ストレスマイグレーシーayが
起きているところである。
[発明が解決しようとする課題]
そこで本発明では第S図の様なストレスにより起きるス
トレスマイグレージレが顕著に起きる半導体装置の四隅
のコーナー部のストレスを緩和する配線構造を提供する
ものである。
トレスマイグレージレが顕著に起きる半導体装置の四隅
のコーナー部のストレスを緩和する配線構造を提供する
ものである。
[課題を解決するための手段]
下層配線層が受けるストレiを緩和する方法として下層
配線層の一部にスリットを設ける。
配線層の一部にスリットを設ける。
[実施例]
第1図に、本発明の実施例を示す。これは半導体装
置の四隅の部分を現わしている。1は下層AL配線層で
あり、通常この下層AL配線層上に上層AL配線層が平
行に形成されていることが多い。そのため下層AL配線
層に多くのノツチが発生し易く信頼性上問題があった。
置の四隅の部分を現わしている。1は下層AL配線層で
あり、通常この下層AL配線層上に上層AL配線層が平
行に形成されていることが多い。そのため下層AL配線
層に多くのノツチが発生し易く信頼性上問題があった。
また、半導体装置の四隅には特にモールドパッケージ実
施時に応力が集中するため工夫が必要である。そこで本
発明ではこれらのストレスを緩和する方法として下層ム
L配線にスリット2を形成している。この場合上MiA
L配線からのストレスとモールドパッケージからのスト
レス両方からのストレスに効果があるようKこのスリッ
ト2は半導体装置の中心方向に向いた方向に形成した。
施時に応力が集中するため工夫が必要である。そこで本
発明ではこれらのストレスを緩和する方法として下層ム
L配線にスリット2を形成している。この場合上MiA
L配線からのストレスとモールドパッケージからのスト
レス両方からのストレスに効果があるようKこのスリッ
ト2は半導体装置の中心方向に向いた方向に形成した。
、スリット幅としては1.5〜5ミクロン、スリット長
は下層AL配線幅の5分の1〜2分の1が良好であった
。
は下層AL配線幅の5分の1〜2分の1が良好であった
。
[発明の効果]
このようKろリットを下層ムL配線内に設けることによ
り下層^L配線が受ける色々な応力、歪をスリット内に
逃がすことができる。そのため従来多く発生したノツチ
、更にモールドパッケージに起きる半導体装置4隅4へ
のストレスに対してもAL配線が変形、縦線することも
な(たいへん良好な多層配線構造の半導体装置を形成す
ることができた。
り下層^L配線が受ける色々な応力、歪をスリット内に
逃がすことができる。そのため従来多く発生したノツチ
、更にモールドパッケージに起きる半導体装置4隅4へ
のストレスに対してもAL配線が変形、縦線することも
な(たいへん良好な多層配線構造の半導体装置を形成す
ることができた。
第1図が本発明の実施例を示す図であり、1が下層AL
配線で2がその中に形成したスリットである。 第2図がALZ層配−構迫の断面図である。第5図がス
トレスマイグレーションの一例を示ス図である。 、以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部(他1名)/3.朴kがち
ド ・吃、半港休裟1箇1a
配線で2がその中に形成したスリットである。 第2図がALZ層配−構迫の断面図である。第5図がス
トレスマイグレーションの一例を示ス図である。 、以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部(他1名)/3.朴kがち
ド ・吃、半港休裟1箇1a
Claims (1)
- 2層以上のアルミ多層配線を有する半導体装置に於い
て、その半導体装置の四つのコーナー部の下層配線が、
該半導体装置の中心方向にスリット構造を有することを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28947189A JPH03149829A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28947189A JPH03149829A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03149829A true JPH03149829A (ja) | 1991-06-26 |
Family
ID=17743708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28947189A Pending JPH03149829A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03149829A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5763936A (en) * | 1995-04-27 | 1998-06-09 | Yamaha Corporation | Semiconductor chip capable of supressing cracks in insulating layer |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP28947189A patent/JPH03149829A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5763936A (en) * | 1995-04-27 | 1998-06-09 | Yamaha Corporation | Semiconductor chip capable of supressing cracks in insulating layer |
US5885857A (en) * | 1995-04-27 | 1999-03-23 | Yamaha Corporation | Semiconductor chip capable of suppressing cracks in the insulating layer |
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