JPH03148256A - 光重合開始剤として有用な新規スルホニウム塩 - Google Patents

光重合開始剤として有用な新規スルホニウム塩

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JPH03148256A
JPH03148256A JP2170403A JP17040390A JPH03148256A JP H03148256 A JPH03148256 A JP H03148256A JP 2170403 A JP2170403 A JP 2170403A JP 17040390 A JP17040390 A JP 17040390A JP H03148256 A JPH03148256 A JP H03148256A
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sulfonium salt
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sulfonium
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    • C07C381/00Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
    • C07C381/12Sulfonium compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C08F2/50Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明はスルホニウム基のほかにさらに粋定の官能性基
を有する新規のスルホニウム塩に関するものである。こ
のようなスルホニウム塩は、放射線の作用下に酸を形成
し、この酸は次いで二次的反応を司能ならしめ或は触媒
的に作用することができる。この化合物の溶解性挙動は
、劇的に変化せしめられ、形成された酸或はその後の処
理によりスルホニウム塩の極性は完全に変えられる。本
発明による新規スルホニウム塩は、陽イオン重合用の光
重合開始剤ならびにフォトレジストの開始剤としてこと
に適当である。
(従来技術) 一般的にスルホニウム塩は各柵文献からつとに公知であ
る。例えばH,M、ビットの米国特許2807648号
(1957年)及びW、バーン、R,ストロ−の同28
33827号(1958年)各明細書、J、 Org。
Chem、 33.2671 (1968年)における
G、 H,ウィーガンド及びW、 E、マツキーウェン
の胸積を参照され度い。
光重合開始剤としては、クリヴエーロにより開発された
陽イオン重合用の錨、非求核性、対イオンを有するスル
ホニウム塩がもっばら挙げられる(例えば米国特許40
58400号及び4058401号参照)。陽イオン重
合の場合のオニウム塩の使用については、Advanc
es in Polym、 Sci、 62.1−48
 (1984年)におけるクリヴエーロの胸積、「陽イ
オン重合、ヨードニウム及びスルホニウム塩光重合開始
剤」において概説されている。
フォトレジスト材料におけるオニウム塩の使用について
は、例えば1983年ニューヨーク、スチネクタディの
ジェネラル、エレクトリック社社報Corporate
 Re5earch and Development
におけるクリヴエーロの胸積「オニウム塩の使用による
光学的画像形成の可能性」ならびにOrg、 Ctgs
、及びApp、 Polym、 Sci、 Proc、
 48.60 (1983年)におけるイト−及びウィ
ルソンの胸積、ならびに米国特許4,491,628号
明細書に記載されている。
光学的に酸を形成するスルホニウム塩は、陽イオン重合
及びフォトレジスト技術において秀れた効果を示すこと
が実証されている。スルホニウム塩の変成乃至修飾は、
過去においては、不活性置換基により、溶解性及び使用
光源主放射線の吸収挙動を適合させることに限定されて
いた。配下安定性基を有するスルホニウム塩(***特許
出願公開3721740号)を除いては、これまで配下
安定性スルホニウム基のほかにさらに他の官能基を有し
、非求核性対イオンを有するスルホニウム塩は知られて
いない。
従来刊行物に記載されているスルホニウム塩ハ、重合用
の極めて有効な開始剤であり、またフォトレジスト材料
における有効な酸供与体である。しかしながらこの単一
の塩は、アルカリ溶解性マトリックスにおける溶解a禁
止剤としては条件的に適当であるに過ぎない。例えば、
5PIE 920巻(1988年)35頁におけるH、
イトウの胸積、アドヴアンセズ、イン、レジスト、テク
ノロジー、アンド、プロセスイングにおいて、この位置
にない塩がポリ−(p−ヒドロキシスチレン)の溶解性
を効果的に祭止する旨記載されている。***特許出願公
開3721740号公報には、酸形成オニウム基のほか
にさらに配下安定性基を有するオニウム塩が記載されて
いる。この塩はアルカリ溶解性マトリックスにおける溶
解禁止剤としてポリ−(p−ヒドロキシスチレン)にも
使用されるが、このためにはスルホニウム塩の濃度は相
当高いことが必要である。
そこで本発明の目的は、酸形成オニウム基のほかにさら
に露光もしくはその他の処理により再び***し得る他の
官能基を分子中に有する化合物の概念を拡大し、改普さ
れた溶解側止剤を提供することである。
(発明の要約) しかるにこの目的は、スルホニウム基のほかに同−分子
内にさらに他の特定の官能基を有する特定のスルホニウ
ム塩により解決されることが本発明者らにより見出され
た。
本発明の対象は、以下の一般式(1) で表わされ、式中Xが1.2或は3を、Rがアルキル、
シクロアルキル、アリール、置換アリール或はXが1で
ある場合に環員としてSΦを有する二価の環式基を、R
が水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲン或はニトロを
 R2が6個より多い炭素原子を有し、場合により1個
或は複数個のへテロ原子を持っていてもよい一価の脂肪
族或はをそれぞれ意味することを特徴とするスルホニウ
ム塩である。
本発明の好ましい実施態様においては、上記−般式(υ
のRは指環式基或はアルキル、アルコキシ、−o−CH
Ol−o−Co−CH3もL < ハOHK 、!、 
’)置換された脂環式基を意味し、光学的増感作用分子
基を意味し、少くとも12個の炭素原子を有すを意味し
、或は塩基不安定性基を意味する。
また上述したスルホニウム塩を含有する感放射線混合物
も本発明の対象である。
さらに上述したスルホニウム塩を光重合開始剤として使
用する光重合開始ゝン陽イオン重合方法も不発明σ)対
象をなす。
(発明の構成ン 本発明による新規のスルホニウム塩は、紫外線、電子線
及びX1sに対して感応する。対イオンとしては、こと
に非求核性陰イオン、例えばヘキサ7A/ オル7 :
/ fモナート、ヘキサフルオルアルセナートもしくは
テトラフルオルボラートのような金属ハロゲン化物錯体
、或はトリフルオルメタンスルホナート、p−ドルオー
ルスルホナート、ペールクロラートもしくはフルオルス
ルホナートが好ましい。
非求核性対イオンを有する本発明スルホニウム塩は、放
射線作用下に強酸を形成し、これはさらに陽イオン重合
の開始、酸触媒架橋の開始、或は解重合のような二次的
反応を可能たらしめる。すなわち、アルカリ不溶性の塩
は、次いで形成された酸の作用により、或は塩基をもっ
て処理することにより塩基に溶解し得るフェノール性化
合物に転化せしめられる。
本発明スルホニウム塩は、従って例えばスルホニウム基
のほかに少くとも1個の置換フェノール性基を分子中に
有し、この官能性基がエーテル、エステル、カルボナー
ト或はウレタン結合を介して分子中に含有されているも
のである。すなわちこの新規たスルホニウム塩は、以下
の一般式(1)で表わされ、式中のXが1.2或は3を
、Rが例えばメチル、エチル、ブチルのような1から6
個、ことにI C’ら4(l!の炭素原子を有するアル
キル、例えばシクロヘキシルのようなシクロアルキル、
例えばフェニルσ)ようなアリール、例えばt−ブチル
−フェニルのような置換アリール、或はXが1である場
合、例えばナト2ヒドロチオフエン環のよう々環員とし
て501f!:有する二価環式基を、Rか水素、例えば
メチル、エチルのような1から6個の炭素原子を有する
アルキル、例えばメトキシ、ブトキシのような1から6
個の炭素原子を有するアルコキシ、例えば塩素、弗素の
ようなハロケン或はニトロ基を、R2が6個より多い炭
素原子を有し、場合によりNSS及び/或は0のようた
ヘテロ原子を持っていてもよい一価の脂肪族も或は−「
−〇−を・ pが例えばヘキサフルオルア ンチモナート、ヘキサフルオルアルセナート、テトラフ
ルオルボラート、トリフルオルメタンスルホナー)、p
−)ルオールスルホナート、ベールクロラート或はフル
オルスルホナートのような非求核性対イオンを意味する
ものである。
本発明スルホニウム塩をさらに具体的に例示すれば以下
のものが挙げられる。
な、Rカ何f城式基もしくは置換脂環式基、すなわちl
−7ダマンクン、ノルアダマンタン或はのような立体的
に高度の脂肪族基を、Rが水素、Cl−10成は−CO
−C)T、3Y七れぞれ意味する、配下安定性基と分子
において結合しており、有効に溶解禁止作用する立体的
に高度の基を有するスルホニウム塩。
のよ5な光学的増感作用分子基を有するスルホニウム塩
(3)一般式(1)において R2として少くとも12
個の、ことに12から30個の炭素原子を有する直鎖或
は分枝の脂肪族炭化水素或は少くとも8個の、ことに8
から18個の炭素原子を有する塩素化炭化水素を、つま
り表酊活性作用を示す長鎖疏水性基を有するスルホニウ
ム塩、すなわちで表わされ、 Rが12個或はそれ以上の炭素原子を有する脂肪族炭化
水素、或は−(CH2) n −C)T3(ただしnは
工1或はそれ以上の数値である)、或は8g!’li:
はそれ以上の炭素原子を有する脂肪族の弗素化炭化水素
、或は(CR′2)n−CR’3(ただしnは7或はそ
れ以上の数値 R1は水素及び/或はFである)を意味
するスルホニウム塩。
エニルーメチルーオキシ)を意味する、塩基不安定性基
を有するスルホニウム塩。
明スルホニウム塩においては、Rとしてアダマンタン、
ノルアダマンタン、コール酸、ノルボルニA4a酸或は
コレステリルのような立体的に高度の脂肪族基が好まし
い。この基はエステル或はカルボナート基を介して分子
と結合し、従って光学的反応もしくは酸触媒的加水分解
により以下の反応式に示されるようにアルカリに可溶の
フェノール性生成物をもたらすものが好ましい。
多くの用途に対して、例えばスルホニウム塩の吸収特性
は変化しないが、アルカリ中における現像、すなわち溶
解洗除性を必要とする場合、スルホニウム塩が酸安定性
保護基を有し、アルカリによる現像に際し、まずフェノ
ール性生成物をもたらし、これにより容易に溶解し分解
するのが好都合である。従って、塩基不安定性であるが
、酸安定性σ)基を有するスルホニウム塩が好ましい。
このようたスルホニウム塩は例えば以下の式によりただ
し、式中Xはlを、RはCH3を意味するか、或はXが
3を意味し、Rが欠落する。
また多くの用途に対して表面堆積性化合物が好電1.論
−矛の例シ1−て「マクロモレ番−一ル11985年1
8.1804において提案されている(Sイオン)重合
開始剤を含有する界面におけるモノマーの重合がある。
脂肪族長鎖な有するスルホニウム塩を基体/空気界面に
堆積し、極性基体中に導入することにより行なわれる。
そこで本発明においてR2として炭素が12個或はそれ
以上O)炭イヒ水素を有する、或は炭素が8領収(1そ
れ以上の弗素化炭化水素を有するスルホニウム塩、例え
tf以下のものも好ましい。
増感作用基を分子中に有する本発明スルホニウム塩の例
はすでに上述した。「ポリマー フォトケミストリー」
5.1−22 (1984)に&まヨードニウム塩及び
スルホニウム塩を増感作用イヒさせることが記載されて
いる。ことにペリレン、アントラセン及びフェノチアジ
ンのような縮合芳香族化合物が好ましい。増感作用基を
増感作用化されるべき分子部分に結合させることにより
増感作用化の効果を高めることができる。本発明のスル
ホニウム塩の場合には以下の式の構造が好ましい。
本発明スルホニウム塩は、エステル、カルボナート、エ
ーテル及びウレタン製造のための有機化学において周知
の方法により、フェノール性基を有する公知のスルホニ
ウム塩から出発して、官能sがエステル、カルボナート
、エーテルtc Gt fy vタンを介してフェノー
ル基と結合するように反応させて製造されることができ
る。
このために使用させる出発化合物自体は以下のように公
知である。
非求核性対イオンをすでに有するヒドロキシフェニル−
ジアルキル−スルホニウム塩ハ、例エバJ、 Poly
m、 Sci、 Chem、 18.1021 (19
80)に開示されている合成方法で製造されることがで
きる。
ビス−(ヒドロキシフェニル)−アリール−スルホニウ
ム塩は、例えば上記文献18.2697 (1980)
におけるクリヴエーロ法により、非求核性対イオンを有
するジアリールヨードニウム塩を、銅(If)触媒の存
在下に例えばビス−(ヒドロキシフェニル)−スルフィ
ドと反応させて製造され得る。またこの化合物は***特
許出願公開3721740号公報にも開示されている。
トリス−(ヒドロキシフェニル)−スルホニウム塩は、
例えば米国特許2833827号明細書に記載されてい
る方法により製造される。
官能基を有する本発明スルホニウム塩は以下のようにし
て得られる。
すなわちヒドロキシフェニル−ビス−アルキル/アリー
ル−ビス−(ヒドロキシフェニル)−アリール−もしく
はトリス−(ヒドロキシフェニル)−スルホニウム塩を
、好ましくはアセトニトリル、テトラヒドロ7ラン或は
エチルアセタートのような不活性溶媒中において酸クロ
リド、クロルV&酸エステル或はイソシアナートと、場
合により塩基の存在下に反応させる。次いで反応混合物
を水中に注下し、スルホニウム塩を例えばエチルアセタ
ートで抽出し、乾燥し、適当た溶媒から再結晶させる。
本発明スルホニウム塩は、例えばスチレン、アルキルビ
ニルエーテル、環式エーテル及びエポキシドの陽イオン
重合のための光重合開始剤として適当である。
本発明スルホニウム塩は、またことにポリマー結合剤と
してノボラフ或はポリ−p−ヒドロキシスチレンのよう
なフェノール性樹脂が使用されろ、フォトレジスト材料
製造の際の光重合開始剤及び溶解禁止剤として適当であ
る。
以下の実施例によりさらに具体的に本発明を説明するが
、ここで使用される部及び俤は特に明示されない限り重
量に関するものである。
実施例1 トリス−(4−(1−アダマンタンカルボニルオキシ)
フェニル〕−スルホニウムトリフルオルメタンスルホナ
ートの製造 ljス−(4−ヒドロキシフェニル)−スルホニウムク
ロリドを「ヘミッシェ、ベリヒテ)72(1939年)
890頁以降に記載された方法で製造した。この塩3.
471F+Sをメタノール20部に溶解させ、メタノー
ル10部中トリフルオルメタン燐酸銀257部を添加し
た。析出沈澱した塩化銀な吸引戊別し、残りの溶液を回
転エバポレータにより蒸散させた。これにより得られた
粗生成物を精製することたくそのまま次の反応に使用し
た。
(元素分析)   CHS    P   CI   
AJ7計測値  49.6 3.8 13.1 11.
5−一理論値  49.6 3.3 13.9 12.
4このようにして得られたトリス−(ヒドロキシフェニ
ル)−スルホニウムトリフルオル−メタンスルホナート
9.2部をアセトニトリル150部に溶解させ、ピリジ
ン8部を添加し、アセトニトリル50fflS中1−ア
ダマンタンカルボン酸クロリド11.9部を徐々に滴下
した。1夜静置後、濾過し、溶媒を蒸散させ、テトラヒ
ドロフラン/リグロインから晶出させた。表掲目的生成
物15部を得た。
I R及ヒN −NMRスペクトルは、フェノールバン
ドの消失及びこれに代えてエステルバンドの出現を示し
た。
(元素分析)     CII    S    F 
  C1計測*    64.3 6.4  6.0 
  s、s   −理&Il値   65.9 6.1
  6.8  6.0実施例2 トリス−〔4−フルオルエニルメチルーオキシカルボニ
ルオキシ)フェニル〕−スルホニウムトリフルオルメタ
ンスルホナートの合成尖施例1により得られたトリス−
(ヒドロキシフェニル)−スルホニウムトリプルオルメ
タンスルホナート9.2部をアセトニトリル200部に
溶解させた。これにピリジン8部を添加1−1さらにト
ルエン351’%中にクロル蟻酸(フルオルエニルメチ
ル)エステル15.5部を溶解させた溶液な徐々(〔滴
下した。次いで2時間還流加熱し、冷却後2%#X#1
500部を添加し、エチルアセタート2000部で少し
ずつ抽出した。有機溶媒により洗浄後、この溶媒を蒸散
させ、表描目的生成物16部を得た。
IR及びNMR分光分析の結果は予期した構造と一致し
た。
塩韮不安定性保護基は2NのNaOHによる処理で定量
的に除去された。
実施例3 ジメチル−4−(ヘンタデカン−カルボニルオキシ)フ
ェニルスルホニウムへキサフルオルアルセナートの合成 ジメチル−(ヒドロキシフェニル)−スルホニウムへキ
サフルオルアセター)3.44部をアセトニトリル30
部に溶解させ、トリエチルアミン1.01Whを添加し
た。さらに、室温においてアセトニトリル10部にヘキ
サデカン酸クロリド7.75部を溶解させた溶液を徐々
に滴下した。次いで水浴で2時間加熱し、鋭過し、IX
空下に溶媒を軸去した。目的物スルホニウム埴3.5部
を得た。I)L及びH−NMR分光分析の結果は予期構
造と一致した。
コノスルホニウム塩の基体表面堆積は、市販ノボラック
から成る母体中に塩lO%を添加して、珪素ウェハー上
に1.5μm厚さに遠心コーティングし、次いでESC
A分光計により表面における硫黄及び砒素の濃度を、未
反応ジメチル−(ヒドロキシフェニル)−スルホニウム
へキサフルオルアルセナートであらかじめ調製した類似
試料と対比測定した。その結果、長鎖脂肪族基を有する
スルホニウム塩の場合における砒素及び硫黄の濃度は、
非置換誘導体の場合にくらべて2倍以上高かった。
実施例4 ジメチル−4−(3−(1−ピレニル)プロピル−カル
ボニル〕フェニルヘキサフルオルアルセナートの合成 市販の4−(1−ピレニル)−酪酸をチオニルクロリド
と反応させてカルボン酸クロリドとした。
このクロリド3.06部を、アセトニトリル30部及び
トリエチルアミン1.01!Isに溶解させたジメチル
−(ヒドロキシフェニル)スルホニウムへキサフルオル
アセター) 3.44部の溶液に添加した。1夜静置の
後、濾過し、溶媒を蒸散除去した。IR及びH−NMR
分光分析の結果は、これが百的とする生成物であること
を確認した。
光重合開始剤としての使用 蒸留スチレン30部、実施例4のスルホニウム塩0.5
部及びテトラクロルメタ710部から成る混合物を、窒
素雰囲気中において水銀灯(干渉フィルタ装着、365
 nmで透過)により15分間塁光処理した。発熱重合
反応が行なわれ、反応溶液は粘稠化した。次いでこの反
応溶液を希釈し、メタノール中に注下した。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)以下の一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で表わされ、式中xが1、2或は3を、Rがアルキル、
    シクロアルキル、アリール、置換アリール或はxが1で
    ある場合に環員としてS^■を有する二価の環式基を、
    R^1が水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲン或はニ
    トロを、R^2が6個より多い炭素原子を有し、場合に
    より1個或は複数個のヘテロ原子を持っていてもよい一
    価の脂肪族或は芳香族基を、Yが単結合、▲数式、化学
    式、表等があります▼、−SO_2−、▲数式、化学式
    、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
    ▼或は▲数式、化学式、表等があります▼を、A^■が
    非求核性対イオンをそれぞれ意味することを特徴とする
    スルホニウム塩。
  2. (2)一般式( I )においてR^2が脂環式基或はア
    ルキル、アルコキシ、−O−CHO、−O−CO−CH
    _3もしくはOHにより置換された脂環式基を意味する
    ことを特徴とする、請求項(1)によるスルホニウム塩
  3. (3)一般式( I )においてR^2が光学的増感作用
    分子基を意味することを特徴とする、請求項(1)によ
    るスルホニウム塩。
  4. (4)一般式( I )においてR^2が少くとも12個
    の炭素原子を有する直鎖性もしくは分枝の脂肪族炭化水
    素基或は少くとも8個の炭素原子を有する弗素化炭化水
    素基を意味することを特徴とする、請求項(1)による
    スルホニウム塩。
  5. (5)一般式( I )においてR^2が塩基不安定性基
    を意味することを特徴とする、請求項(1)によるスル
    ホニウム塩。
  6. (6)上記各請求項のいずれかによるスルホニウム塩を
    含有することを特徴とする、感放射線性混合物。
  7. (7)請求項(1)から(5)のいずれかによるスルホ
    ニウム塩を光重合開始剤として使用することを特徴とす
    る、光重合開始性陽イオン重合方法。
  8. (8)請求項(1)から(5)のいずれかによる少くと
    も1種類のスルホニウム塩を光重合開始剤及び溶解禁止
    剤として使用することを特徴とする、レリーフパターン
    もしくはレリーフ画像の作製方法。
JP2170403A 1989-07-22 1990-06-29 光重合開始剤として有用な新規スルホニウム塩 Pending JPH03148256A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3924298A DE3924298A1 (de) 1989-07-22 1989-07-22 Neue sulfoniumsalze und deren verwendung
DE3924298.6 1989-07-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03148256A true JPH03148256A (ja) 1991-06-25

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