JPH03142382A - 高周波デバイスの特性測定装置 - Google Patents
高周波デバイスの特性測定装置Info
- Publication number
- JPH03142382A JPH03142382A JP28246589A JP28246589A JPH03142382A JP H03142382 A JPH03142382 A JP H03142382A JP 28246589 A JP28246589 A JP 28246589A JP 28246589 A JP28246589 A JP 28246589A JP H03142382 A JPH03142382 A JP H03142382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main body
- devices
- measurement
- high frequency
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮栗圭色赴里公立
本発明は高周波デバイスの特性測定装置に関するもので
、被テストデバイスを装着する治具に関するものである
。
、被テストデバイスを装着する治具に関するものである
。
丈来坐技恵
近年、GaAlAs/GaAsの性質を有効に活用した
HE旧を初めとして、化合物半導体MESFETの高性
能化が急速に進み、直接衛星放送受信機の需要の進展に
伴ってこの種の半導体装置の効率的な量産化が検討され
ている。
HE旧を初めとして、化合物半導体MESFETの高性
能化が急速に進み、直接衛星放送受信機の需要の進展に
伴ってこの種の半導体装置の効率的な量産化が検討され
ている。
ところでデバイスの量産化においては、工程を終了した
デバイスが所定の特性を示すことが必要であり、いずれ
のデバイスにおいても出荷に際して特性試験及びその結
果に基づいた選別が行われる。特にHEMTのような高
周波デバイスでは直流特性は必要不可欠なテスト項目で
あり、そのため工程終了にあたって各デバイス毎にテス
ト信号を入力して直流特性のテストが行われている。
デバイスが所定の特性を示すことが必要であり、いずれ
のデバイスにおいても出荷に際して特性試験及びその結
果に基づいた選別が行われる。特にHEMTのような高
周波デバイスでは直流特性は必要不可欠なテスト項目で
あり、そのため工程終了にあたって各デバイス毎にテス
ト信号を入力して直流特性のテストが行われている。
HEMTめように高周波帯域まで高利得を持つデバイス
では、直流特性を測定する場合、通常の半導体デバイス
に使用する測定治具では予期せぬループが形成され、こ
のループによる帰還のために不定な周波数における発振
現象が起こり、デバイスの直流特性が正確に測定できな
いという不都合があった。
では、直流特性を測定する場合、通常の半導体デバイス
に使用する測定治具では予期せぬループが形成され、こ
のループによる帰還のために不定な周波数における発振
現象が起こり、デバイスの直流特性が正確に測定できな
いという不都合があった。
上記発振現象の発生原因は白色雑音等の雑音電力が帰還
されるためであるとして、従来から不要な交流信号を除
去するためにコイル容量或はフェライトビーズ等を入出
力端子に接続したり、測定系の特性インピーダンスで終
端させて不要な反射波の発生を防止する等の工夫を施し
た測定治具が提案されている。
されるためであるとして、従来から不要な交流信号を除
去するためにコイル容量或はフェライトビーズ等を入出
力端子に接続したり、測定系の特性インピーダンスで終
端させて不要な反射波の発生を防止する等の工夫を施し
た測定治具が提案されている。
発明が解決しようとする課題
上記工夫された測定治具でも遮断周波数が数十G11z
に及ぶIIEMTのような高周波デバイスでは、発振を
抑制するには十分ではなく、加えて測定治具自身が大掛
かりになって多数のデバイスを短時間に測定することが
困難であり、量産に適用できないという問題があった。
に及ぶIIEMTのような高周波デバイスでは、発振を
抑制するには十分ではなく、加えて測定治具自身が大掛
かりになって多数のデバイスを短時間に測定することが
困難であり、量産に適用できないという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、高周波デ
バイスの量産化に通した直流特性測定装置を提供するこ
とを目的とする。
バイスの量産化に通した直流特性測定装置を提供するこ
とを目的とする。
還延吏紅決工1亙泰婁王段
上記目的を達成するために本発明は、複数の高周波デバ
イスを搭載する位置を形成した電磁吸収体からなる本体
と、上記本体に搭載された高周波デバイスを覆う電磁吸
収体からなる蓋体と、本体又は蓋体の少なくとも一方に
形成した上記搭載位置にある高周波デバイスの電極に達
する測定端子導入孔とによって測定治具を構成する。
イスを搭載する位置を形成した電磁吸収体からなる本体
と、上記本体に搭載された高周波デバイスを覆う電磁吸
収体からなる蓋体と、本体又は蓋体の少なくとも一方に
形成した上記搭載位置にある高周波デバイスの電極に達
する測定端子導入孔とによって測定治具を構成する。
在−里
測定治具が電磁吸収体で形成されているため雑音は遮断
され、そのため被測定デバイスの入出力端子に達するこ
とはほとんどなく、発振現象を伴うことなく直流特性の
測定を行うことができる。
され、そのため被測定デバイスの入出力端子に達するこ
とはほとんどなく、発振現象を伴うことなく直流特性の
測定を行うことができる。
また本体に複数のデバイス搭載位置を形成するため、同
じ測定工程で複数のデバイスに対応することができ、量
産時の特性測定に適する。
じ測定工程で複数のデバイスに対応することができ、量
産時の特性測定に適する。
夫」「班
本実施例による測定治具は本体とこの本体を覆う蓋体と
からなり、両者間に形成される空間に被測定物である高
周波デバイスが収納されて、直流特性の測定がなされる
。
からなり、両者間に形成される空間に被測定物である高
周波デバイスが収納されて、直流特性の測定がなされる
。
第1図(a)は測定治具の本体lの平面図を示し、第1
図(b)は蓋体2の平面図を示す。上記本体lは電磁吸
収体からなり、はぼ平坦な上面には複数の高周波デバイ
ス3.3・・・を搭載するための位置4.4・・・が形
成されている。この位置4は、第2図(a)の断面図に
示すように高周波デバイス3の搭載及び位置合わせ等が
より容易に行えるように、デバイス外形に対応する窪み
として形成されている。上記各位置4に装着されたデバ
イス3のソース電極3sが位置する部分には、それらソ
ース電極33間を共通に接続するための金属電極5が、
本体lの周囲を巡る形態で設けられている。本体lには
また後述する蓋体2との結合を確実にするため位置合わ
せ凹部6が、デバイス3の搭載に支障を来さない領域に
設けられている。
図(b)は蓋体2の平面図を示す。上記本体lは電磁吸
収体からなり、はぼ平坦な上面には複数の高周波デバイ
ス3.3・・・を搭載するための位置4.4・・・が形
成されている。この位置4は、第2図(a)の断面図に
示すように高周波デバイス3の搭載及び位置合わせ等が
より容易に行えるように、デバイス外形に対応する窪み
として形成されている。上記各位置4に装着されたデバ
イス3のソース電極3sが位置する部分には、それらソ
ース電極33間を共通に接続するための金属電極5が、
本体lの周囲を巡る形態で設けられている。本体lには
また後述する蓋体2との結合を確実にするため位置合わ
せ凹部6が、デバイス3の搭載に支障を来さない領域に
設けられている。
上記構造からなる本体lに対して、蓋体2も同様に電磁
吸収体からなり、本体lに装着された状態で本体lのデ
バイス搭載空間を外部から遮蔽する。本体1との結合を
確実にするため、第2図(b)に示すように上記四部6
に嵌まり込む凸部7が設けられている。蓋体2には更に
本体lに搭載されたデバイス4に測定信号を供給するた
め、測定端子導入孔8が各デバイス4のゲート、ドレイ
ン雷極位置に対応させて形成され、また共通ソース電極
となる金属電極5に達する測定端子導入孔9が形成され
ている。
吸収体からなり、本体lに装着された状態で本体lのデ
バイス搭載空間を外部から遮蔽する。本体1との結合を
確実にするため、第2図(b)に示すように上記四部6
に嵌まり込む凸部7が設けられている。蓋体2には更に
本体lに搭載されたデバイス4に測定信号を供給するた
め、測定端子導入孔8が各デバイス4のゲート、ドレイ
ン雷極位置に対応させて形成され、また共通ソース電極
となる金属電極5に達する測定端子導入孔9が形成され
ている。
上記測定端子導入孔8,9に測定装置のプローブ針が通
され、先端が各電極に接触して直流特性を測定するため
の信号が転送される。上記蓋体2は、本体1に搭載した
デバイス4の位置合せ及び固定機能を高めるために、第
4図に示すようにデバイス4の形状に対応して押え部材
33を形成することもできる。
され、先端が各電極に接触して直流特性を測定するため
の信号が転送される。上記蓋体2は、本体1に搭載した
デバイス4の位置合せ及び固定機能を高めるために、第
4図に示すようにデバイス4の形状に対応して押え部材
33を形成することもできる。
第3図は上記測定治具を用いた高周波デバイスの直流特
性測定装置のブロック図である。測定治具21の各位置
4に装着された高周波デバイス3の電極は、治具21の
蓋体2に形成された測定端子導入孔8,9を通して差し
込まれたプローブ22d、 22g、 22sの先端と
当接して電気的接続され、テスト信号が供給される。上
記プローブ22d、 22g、 22Sはプローバ22
に支持され、切り換えスイッチ23との間が配線されて
いる。上記切り換えスイッチ23は、測定治具21に複
数の高周波デバイス3が装着されていることに対応して
、効率的に測定作業を実施するために配置されている。
性測定装置のブロック図である。測定治具21の各位置
4に装着された高周波デバイス3の電極は、治具21の
蓋体2に形成された測定端子導入孔8,9を通して差し
込まれたプローブ22d、 22g、 22sの先端と
当接して電気的接続され、テスト信号が供給される。上
記プローブ22d、 22g、 22Sはプローバ22
に支持され、切り換えスイッチ23との間が配線されて
いる。上記切り換えスイッチ23は、測定治具21に複
数の高周波デバイス3が装着されていることに対応して
、効率的に測定作業を実施するために配置されている。
即ち直流特性測定装置24から出力されるデバイステス
トのためのドレインD、ゲートG、 ソースS電極の
一組の測定信号を、治具21に装着されたデバイス3に
それぞれに順次切り換えて人力するために設けられてい
る。スイッチの切り換えはコントローラ25からの指令
で測定装置24との同期を図りながら行われ、デバイス
3からの出力が測定値として測定装置24に与えられ、
デバイスが所定の特性を確保しくするか否かの判別及び
ランク分けが行われる。このように上記測定装置では一
度の作業で複数のデバイスに対して測定評価を実施する
ことができる。
トのためのドレインD、ゲートG、 ソースS電極の
一組の測定信号を、治具21に装着されたデバイス3に
それぞれに順次切り換えて人力するために設けられてい
る。スイッチの切り換えはコントローラ25からの指令
で測定装置24との同期を図りながら行われ、デバイス
3からの出力が測定値として測定装置24に与えられ、
デバイスが所定の特性を確保しくするか否かの判別及び
ランク分けが行われる。このように上記測定装置では一
度の作業で複数のデバイスに対して測定評価を実施する
ことができる。
上記実施例ではプローブ22d、 22g、 22sの
先端を治具の蓋体に形成した孔に直接挿入する形態につ
いて説明したが、蓋体の基孔に予め第4図に示すように
電気抵抗の小さい金属柱31を、先端が本体側に突出し
かつ搭載位置のデバイスの電極に達するように寸法調整
して設けることもできる。この構造では、蓋体の上面に
現れた金属柱31の先端にプローブ22d、 22g、
22sの先端が取り付は易いように凹部32を形成す
ることが望ましい。
先端を治具の蓋体に形成した孔に直接挿入する形態につ
いて説明したが、蓋体の基孔に予め第4図に示すように
電気抵抗の小さい金属柱31を、先端が本体側に突出し
かつ搭載位置のデバイスの電極に達するように寸法調整
して設けることもできる。この構造では、蓋体の上面に
現れた金属柱31の先端にプローブ22d、 22g、
22sの先端が取り付は易いように凹部32を形成す
ることが望ましい。
発1しじ握里
以上のように本発明によれば、被測定物を電磁吸収体に
収納して測定することができるため、直流特性を測定す
る際の発振を充分に抑制することができ、正確な測定を
行うことができて、精度向上が図れるだけでなく、多数
の被測定物を同し測定作業に供給することができ、スル
ープットの大幅な向上が図れ、量産時におけるデバイス
テストの作業性を著しく改善することができる。
収納して測定することができるため、直流特性を測定す
る際の発振を充分に抑制することができ、正確な測定を
行うことができて、精度向上が図れるだけでなく、多数
の被測定物を同し測定作業に供給することができ、スル
ープットの大幅な向上が図れ、量産時におけるデバイス
テストの作業性を著しく改善することができる。
第1図は本発明による一実施例の平面図、第2図は同実
施例のA−A“断面図、第3図は同実施例を適用した直
流特性測定装置のブロック図、第4図は本発明による他
の実施例の要部断面図である。 1−本体、2−蓋体、3−高周波デバイス。 4−搭載位置、5−金属電極。 6−位置合せ凹部、7−位置合せ凸部。 8.9−一電極端子導入孔。
施例のA−A“断面図、第3図は同実施例を適用した直
流特性測定装置のブロック図、第4図は本発明による他
の実施例の要部断面図である。 1−本体、2−蓋体、3−高周波デバイス。 4−搭載位置、5−金属電極。 6−位置合せ凹部、7−位置合せ凸部。 8.9−一電極端子導入孔。
Claims (1)
- (1)複数の高周波デバイスを搭載するための位置を形
成した電磁吸収体からなる本体と、上記本体に搭載され
た高周波デバイスを覆う電磁吸収体からなる蓋体と、本
体又は蓋体の少なくとも一方に形成した上記搭載位置に
ある高周波デバイスの電極に達する測定端子導入孔とを
備えてなることを特徴とする高周波デバイスの特性測定
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28246589A JPH03142382A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 高周波デバイスの特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28246589A JPH03142382A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 高周波デバイスの特性測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03142382A true JPH03142382A (ja) | 1991-06-18 |
Family
ID=17652784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28246589A Pending JPH03142382A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 高周波デバイスの特性測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03142382A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005345470A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Samsung Techwin Co Ltd | 電子デバイスの検査装置 |
JP4730978B1 (ja) * | 2010-12-29 | 2011-07-20 | 泰照 佐伯 | 防振パッド |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP28246589A patent/JPH03142382A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005345470A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Samsung Techwin Co Ltd | 電子デバイスの検査装置 |
JP4730978B1 (ja) * | 2010-12-29 | 2011-07-20 | 泰照 佐伯 | 防振パッド |
JP2012141015A (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-26 | Yasuteru Saeki | 防振パッド |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04102080A (ja) | 半導体評価回路 | |
JP2001183416A (ja) | テスト方法及びそれに用いるソケット及び半導体装置 | |
JPH03142382A (ja) | 高周波デバイスの特性測定装置 | |
JPH01214038A (ja) | プローブカード | |
JPH05312833A (ja) | プローブカード | |
JP3249865B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
TWI716119B (zh) | 晶圓探針台 | |
JP2001042002A (ja) | 半導体デバイス試験装置のタイミング校正用コンタクトボード・このコンタクトボードに接触するプローブ | |
JPH03205843A (ja) | プローブ装置 | |
JPH06103333B2 (ja) | 高周波特性測定装置 | |
JP2006170700A (ja) | プローブ校正用治具、校正用治具付きプローブカードおよび半導体ウェハ測定装置 | |
JPH03175367A (ja) | 半導体装置の直流特性測定用治具 | |
JP2000121683A (ja) | 積分による出力信号処理システムを有する近磁界プローブ | |
JPH06258344A (ja) | プローブを用いた高周波測定方法及び高周波プローバ | |
RU1798834C (ru) | Способ контрол чипов на пластине | |
KR200236178Y1 (ko) | 전압제어 발진기(vco) 모듈 측정장비 | |
JPH04288847A (ja) | 半導体試験装置 | |
JPH06181246A (ja) | プローブ装置 | |
JPH04254772A (ja) | Dc特性測定装置 | |
JPH09102521A (ja) | プローブカード | |
KR100507443B1 (ko) | 튜너 검사조정용 지그 | |
JPH0786343A (ja) | 半導体検査方法および装置 | |
KR100290440B1 (ko) | 프로브 카드의 가변 소자 장착 구조 | |
KR100362602B1 (ko) | 챔버 특성 측정 및 매처 성능 평가를 위한 어댑터 | |
JPH0685044A (ja) | 半導体検査装置用ウエハチャック装置 |