JPH04288847A - 半導体試験装置 - Google Patents
半導体試験装置Info
- Publication number
- JPH04288847A JPH04288847A JP4316591A JP4316591A JPH04288847A JP H04288847 A JPH04288847 A JP H04288847A JP 4316591 A JP4316591 A JP 4316591A JP 4316591 A JP4316591 A JP 4316591A JP H04288847 A JPH04288847 A JP H04288847A
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- Japan
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- probe needle
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- needle
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路(以
下ICという)をウエハチップ状態で行う電気的特性試
験(以下ウエハテストという)で使用するプローブ針に
関するものである。
下ICという)をウエハチップ状態で行う電気的特性試
験(以下ウエハテストという)で使用するプローブ針に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来のウエハテストの状態を示す
斜視図で、図において1はICチップ、2はICチップ
1に形成された電極パッド、3はICチップ1の電気的
特性をみるため電極バッド2に接触させるプローブ針で
ある。図6は図5に示したプローブ針3の形状を示す拡
大側面図、図7は図6に示した矢印Bの方向から見たプ
ローブ針3の底面図、図8は、図6に示したプローブ針
による針跡を示す電極パッド2の上面図である。図にお
いて4はプローブ針3の先端、5は電極パッド2にでき
たプローブ針3の針跡である。
斜視図で、図において1はICチップ、2はICチップ
1に形成された電極パッド、3はICチップ1の電気的
特性をみるため電極バッド2に接触させるプローブ針で
ある。図6は図5に示したプローブ針3の形状を示す拡
大側面図、図7は図6に示した矢印Bの方向から見たプ
ローブ針3の底面図、図8は、図6に示したプローブ針
による針跡を示す電極パッド2の上面図である。図にお
いて4はプローブ針3の先端、5は電極パッド2にでき
たプローブ針3の針跡である。
【0003】次に動作について説明する。ICのウエハ
テストにおいて、ICチップ1上の電極パッド2の中心
部近辺にプローブ針3の先端がほぼ円形に当たる様に設
計されており、そのため電極パッド2の中央付近には、
針跡5が残る。すなわち、プローブ針3は構造的に例え
ばタングステンの様な金属質から成る単一形状を構成し
ていて、そのプローブ針3を介して或る一つの電気信号
が伝搬されている。
テストにおいて、ICチップ1上の電極パッド2の中心
部近辺にプローブ針3の先端がほぼ円形に当たる様に設
計されており、そのため電極パッド2の中央付近には、
針跡5が残る。すなわち、プローブ針3は構造的に例え
ばタングステンの様な金属質から成る単一形状を構成し
ていて、そのプローブ針3を介して或る一つの電気信号
が伝搬されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のプローブ針は以
上の様に構成されているので、ICチップと、ウエハテ
ストを行なっている試験装置との間でやり取りされる信
号が、一つの目的或いは種類しか伝搬されないという問
題点が有り、二つ以上の信号を伝搬するには、プローブ
針や電極パッドを別に設けなければならないなどの問題
点もあった。
上の様に構成されているので、ICチップと、ウエハテ
ストを行なっている試験装置との間でやり取りされる信
号が、一つの目的或いは種類しか伝搬されないという問
題点が有り、二つ以上の信号を伝搬するには、プローブ
針や電極パッドを別に設けなければならないなどの問題
点もあった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解決する
為になされたもので、一つのプローブ針で二つの種類の
電気信号が伝搬される様にした半導体試験装置を得る事
を目的としている。
為になされたもので、一つのプローブ針で二つの種類の
電気信号が伝搬される様にした半導体試験装置を得る事
を目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体試
験装置は、プローブ針の形状をその内部に二つの導体を
設け、それらの間を電気的に絶縁したものである。
験装置は、プローブ針の形状をその内部に二つの導体を
設け、それらの間を電気的に絶縁したものである。
【0007】
【作用】この発明におけるプローブ針は、電気的に絶縁
された二つの導体から構成されているので、二つの異な
る電気信号を伝搬できる。
された二つの導体から構成されているので、二つの異な
る電気信号を伝搬できる。
【0008】
【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図1はウエハテストの状態を示す斜視
図、図2は図1に示したプローブ針の構造を示す拡大斜
視図、図3は図2に示した矢印Aの方向から見たプロー
ブ針の底面図、図4は図2に示したプローブ針による針
跡を示す電極パッドの上面図である。図において、1は
ウエハ上に形成されたICチップ、2はICチップ1上
に形成された電極パッド、6はプローブ針、7は先端、
8は針跡a、9は針跡bを示す。
ついて説明する。図1はウエハテストの状態を示す斜視
図、図2は図1に示したプローブ針の構造を示す拡大斜
視図、図3は図2に示した矢印Aの方向から見たプロー
ブ針の底面図、図4は図2に示したプローブ針による針
跡を示す電極パッドの上面図である。図において、1は
ウエハ上に形成されたICチップ、2はICチップ1上
に形成された電極パッド、6はプローブ針、7は先端、
8は針跡a、9は針跡bを示す。
【0009】次に、動作について説明する。図2におい
て、プローブ針6は図6の従来例に示したプローブ針3
とは違って、電気的に絶縁された波線部分と実線部分の
二つの導体を持ち、互に目的の異なる信号が伝搬するこ
とができる。ここで例えば二つの異なる電気信号として
、センス信号とフォース信号とを想定する。従来のプロ
ーブ針3の様に一つの電気信号しか伝搬出来ない構造の
場合と違って、この発明のプローブ針6の構成によれば
、プローブ針6の中で電気的に絶縁された内側をフォー
ス信号が伝搬する様にし、外側をセンス信号が伝搬する
様に設定できる。これによってICチップ1の電極パッ
ド2まで信号のケルビン化が図れる。
て、プローブ針6は図6の従来例に示したプローブ針3
とは違って、電気的に絶縁された波線部分と実線部分の
二つの導体を持ち、互に目的の異なる信号が伝搬するこ
とができる。ここで例えば二つの異なる電気信号として
、センス信号とフォース信号とを想定する。従来のプロ
ーブ針3の様に一つの電気信号しか伝搬出来ない構造の
場合と違って、この発明のプローブ針6の構成によれば
、プローブ針6の中で電気的に絶縁された内側をフォー
ス信号が伝搬する様にし、外側をセンス信号が伝搬する
様に設定できる。これによってICチップ1の電極パッ
ド2まで信号のケルビン化が図れる。
【0010】実施例2.なお、上記実施例では二つの異
なる電気信号としてセンス信号とフォース信号とを取扱
って説明したが、異なる電気信号として、一つをクロッ
クの様な入力・出力信号もう一つをGND信号としても
よい。
なる電気信号としてセンス信号とフォース信号とを取扱
って説明したが、異なる電気信号として、一つをクロッ
クの様な入力・出力信号もう一つをGND信号としても
よい。
【0011】また、プローブ針6の構造を中芯部と外芯
部とでメッキで構成する様にしてもよい。
部とでメッキで構成する様にしてもよい。
【0012】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、一つ
のプローブ針を伝搬する信号を二つの異なる信号になる
様に構成したので、ウエハテストにおける測定環境を精
度面から向上し、また、安定した測定が得られる効果が
ある。
のプローブ針を伝搬する信号を二つの異なる信号になる
様に構成したので、ウエハテストにおける測定環境を精
度面から向上し、また、安定した測定が得られる効果が
ある。
【図1】この発明に係る半導体試験装置の一実施例によ
るウエハテストの状態を示す斜視図である。
るウエハテストの状態を示す斜視図である。
【図2】図1に示したプローブ針の構造を示す拡大斜視
図である。
図である。
【図3】図2に示した矢印Aの方向から見たプローブ針
の底面図である。
の底面図である。
【図4】図2に示したプローブ針による針跡を示す電極
パッドの上面図である。
パッドの上面図である。
【図5】従来の半導体試験装置によるウエハテストの状
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図6】図5に示したプローブ針の構造を示す拡大側面
図である。
図である。
【図7】図6に示した矢印Bの方向から見たプローブ針
の底面図である。
の底面図である。
【図8】図6に示したプローブ針による針跡を示す電極
パッドの上面図である。
パッドの上面図である。
1 ICチップ
2 電極パッド
6 プローブ針
7 先端
8 針跡a
9 針跡b
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体集積回路において、これをウエ
ハチップ状態で電気的特性を試験する治工具たる固定プ
ロープボードにおいて、上記固定プロープボードに取り
つけられるところのプローブ針の形状を、電気的に異な
る目的や種類の信号を伝搬する様な構造にした事を特徴
とする半導体試験装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4316591A JPH04288847A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4316591A JPH04288847A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体試験装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04288847A true JPH04288847A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=12656266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4316591A Pending JPH04288847A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体試験装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04288847A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6404213B2 (en) | 1999-01-19 | 2002-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probe stylus |
JP2010238939A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の評価方法、半導体装置の製造方法、及びプローブ |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP4316591A patent/JPH04288847A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6404213B2 (en) | 1999-01-19 | 2002-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probe stylus |
US6529024B2 (en) | 1999-01-19 | 2003-03-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probe stylus |
JP2010238939A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の評価方法、半導体装置の製造方法、及びプローブ |
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