JPH03132043A - 半導体装置、半導体基板およびそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野１ 本発明は半導体基板と、それを用いた電子、光素子、お
よび集積回路に関する。

【従来の技術］ 最近、半導体素子の基板材料として、シリコンのほかヒ
化ガリウム（Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　）に代表される化金物半
導体結晶が用いられるようになった。化合物半導体は電
子移動度が従来の材料であるシリコン（Ｓｉ）に比べ高
いなど、優れた基本特性を有する。これまでに、ＧａＡ
ｓ基板を用いショットキ接合電界効果型トランジスタ（
ＭＥＳＦＥＴ）や受発光素子のほか、ヘテロバイポーラ
トランジスタや２次元電子ガスを導電チャネルに用いる
電界効果型トランジスタに代表されるＡ　ｌ　ｘＧ　ａ
　、−、Ａｓ　／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ等のへテロ接合を用
いる素子、およびこれらを基本素子とする集積回路等が
作成されている。 【発明が解決しようとする課題】 集積回路や素子の製造におけるコストの低減には、使用
される半導体基板の価格の低減、および大口径化が必要
となる。しかしＧａＡｓのような化合物半導体では、原
料が高価な上、成長が難しく、基板の価格は従来のＳｉ
に比べ高い。また大型の結晶の育成が難しく、現在市販
されている基板は最大３インチと小さい。またＧ　ａ　
Ａ　ｓのみからなる基板はＧａ、Ａｓの原子量が大きい
ため重く、またＧ　ａ　Ａ　ｓは有毒なため環境の汚染
や生物への影響が大きい等の問題がある。そこで、安価
、軽量、無害で大口径のものが容易に得られる８１基板
の上に、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線
エピタキシー法（ＭＢＥ）等のエピタキシャル成長技術
を用いＧａＡｓ等の化合物半導体薄膜を成長する技術が
現在盛んに研究されている［例えばジャーナル　オブ　
アプライド　フィジックス、第６３巻、第３号、第７７
５頁（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ、Ｖｏｌｕｍｅ　６３．Ｎｕｍｂｅｒ　３．ｐ
、７７５、）　コ　。 しかしＧａＡｓとＳｉでは格子定数の不整合が４％程度
存在するため、Ｓｉ上にＧ　ａ　Ａ　ｓを成長するさい
、この格子不整合に伴う転位欠陥の発生が避けられない
０通常、Ｓｉ上に成長したＧａＡＳの表面の転位密度は
１０＠／ｃｍ”と大きく、半導体素子や集積回路への応
用が困難である。 次に、従来のその他の問題点を説明する。電子素子、光
素子では、しばしば半導体基板を薄く削るか、或いは除
去することが必要となる。その主な理由は、以下の通り
である １、集積回路や高出力トランジスタ等の動作中の熱の発
生が大きい素子において、基板を薄く削り、熱伝導の良
い材料に接触させることにより、発生する熱の発散を良
くする。 ２、光素子において光の基板での吸収を減らし、光を透
過し易くする。 ３、太陽電池等において、半導体層を薄くすることによ
り、半導体層中の欠陥の影響を抑え、また軽量にし、材
料費を低減する。 従来、基板の薄層化や除去には、酸やアルカリをふくむ
溶液を用いるウェットエツチングや機械的に研磨する方
法が用いられている。しかし該ウェットエツチングや機
械的に研磨する方法では、工程が複雑で時間がかかる。 薄層化の際の基板の厚さの制御が難しい、ヒ素やヒ素化
合物のような有害物質が発生する等の問題があった。 本発明の目的は、上記従来の問題点を克服する、新しい
半導体装置、半導体基板およびそれらの製造方法を提供
することにある。 【課題を解決するための手段１ 上記目的のためには、電子素子、光素子やそれらを基本
素子とする集積回路を構成する半導体層を、アルカリハ
ライド結晶、とくに塩化ナトリウムを主成分とする結晶
を基板に用いて成長すればよい。 ［作用］ まず該アルカリハライド結晶を塩化ナトリウム（ＮａＣ
１）単結晶、半導体をＧａＡｓとした場合について説明
する。ＮａＣ１の結晶構造は岩塩型であり、せん亜鉛鉱
型構造をもつＧａＡｓとは結晶構造がちがう。しかし、
発明者らはＮａＣ１単結晶上にＧａＡｓの単結晶薄膜が
エピタキシャル成長できることを見出した。これは、Ｎ
ａＣ１とＧ　ａ　Ａ　ｓの結晶構造が同じ立方晶系に属
し、また格子不整合が０．５％以下と非常に小さいため
と考えられる。このため格子不整合による転位が発生し
にくい。さらにＮａＣ１自体も欠陥が少なく高品質の結
晶が得られるので、ＮａＣ１上に成長したＧａＡｓでは
、欠陥密度の小さい高品質のものが容易に得られる。さ
らに、ＮａＣ１は安価で大口径の結晶が得られる。従っ
て、この上にＧａＡｓを成長することにより、安価で大
口径の半導体基板が得られることになる。 また、ＮａＣ１は原子量が小さいので、ＧａＡＳを表面
に形成したＮａＣ１ではＧ　ａ　Ａ　ｓのみによる基板
より軽量にすることができる。 さらに、ＮａＣ１は生物に対する悪影響や環境に対する
汚染の問題がないので、一般生活環境での広範囲の使用
、或いは大量使用に適している。 ＮａＣ１基板上に成長したＧａＡｓを用いて作成した電
子素子、光素子や集積回路では、素子や回路あたりの価
格の低減や、環境への影響の低減が可能となる。またＮ
ａＣ１は高抵抗であるため。 素子間の電気的な分離や基板を流れる電流の低減を容易
に行なうことができる効果もある。 素子や回路の作成にあたっては、−度得られたＧ　ａ　
Ａ　ｓ　／　Ｎ　ａ　Ｃｌ構造の基板上に、新たに所望
の半導体層やヘテロ構造を形成したり、゛イオン打ち込
みにより不純物を導入するなど既存のプロセス技術を適
用すればよい６またへテロ構造やエピタキシャル成長不
純物層を有する素子や回路を作成する場合、所望の半導
体層を直接ＮａＣ１基板上に順次形成しても良い。 ＮａＣ１のかわりに、ＮａＣ１にＫＣＩ（塩化カリウム
）等の他のアルカリハライドを混合しＧａ　Ａ　ｓとの
格子不整合を減少させた結晶を用いてもよい。この場合
ＧａＡｓ中の欠陥密度をさらに減少させることができる
。 ＧａＡｓの他、Ａ　ｌ　ｘＧ　ａ　１−ＸＡ　Ｓ、Ｉｎ
Ｐ、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ、Ｉ　ｎｘＧａ、−ｘＡｓ、
−ｙＰｙ等の基板を作成する場合、またはこれらの半導
体層からなるヘテロ接合を有する基板を作成する場合も
同様である。 本発明を光素子に適用する場合、ＮａＣｌは赤外から紫
外までの広い波長域で光の吸収が小さいので、基板を光
が透過する方式の素子の作成が可能となる効果もある。 　次に基板の少な（とも−部を除去する工程を用いて素
子や集積回路を作成する場合について、再びＮａＣ１基
板上にＧａＡＳを成長する場合を例にとり説明する。 ＮａＣｌは水溶性であるので水に溶かすだけ簡単に除去
することができる。従って、ＮａＣ１上にＧａＡｓを成
長し、その後該ＮａＣ１を水に溶かせば容易に基板を除
去することができる。本工程は従来のＧ　ａ　Ａ　ｓを
エツチング、あるいは研磨する工程に比べ単純で時間が
かからない。またＧａＡｓは水に溶けないので、基板で
あるＮａＣ］のみを選択的に除去することもできる。ま
たＮａＣ１を溶かす際に生じるＮａＣ１水溶液は人体や
環境にだいしほとんど無害である。 半導体装置を作成する場合は、ＮａＣ１上にＧａＡｓ層
を形成した後、該ＧａＡｓ層に電極や配線を形成する等
素子の作成に必要な加工を施し、しかる後にＮａＣ１基
板を水に溶かして除去し、必要に応じ該ＧａＡｓ層を第
二の基板に接着すればよい。該第二の基板は任意に選ぶ
ことができる。 素子から発生する熱の発散を良くする目的には熱伝導率
の高い材料を用いれば良く、また透明な材料を用いれば
光素子の作成に有用な基板となる。 このほかシリコン、ガラス等でもよく、用途に応じて材
料を選択すればよい。ＮａＣ１を除去した後裏面側から
別の電極や配線を形成する等新たに加工を施すこともで
きる。特に、第二の基板にＧａＡｓ層の表面側を接着し
、その後ＮａＣ１を除去し、しかる後に該Ｇ　ａ　Ａ　
ｓ層の裏面側から加工を施すこともできる。 Ｎ　ａ　Ｃｌを除去する工程を用いて半導体装置用の基
板を作成する場合は、Ｎ　ａ　Ｃｌ上にＧａＡｓ層を成
長した後、ＮａＣ１を除去し、しかる後に該Ｇ　ａ　Ａ
　ｓ　Ｎを第二の基板上に接着すればよい。 またＮａＣ１上にＧａＡｓ層を成長した後、該ＧａＡｓ
層表面を第二の基板に接着し、しかる後にＮａＣ１を除
去すれば、該第二の基板上に反転したＧａＡｓ層が形成
された半導体基板が得られることになる。こうして得ら
れた半導体基板上に所望の素子を形成すれば良い。該第
二の基板の材質は任意に選べることは同様である。 以」二手導体層をＧａＡｓとした場合について説明した
が、この他Ａ　ｌ　ｘＧ　ａ　１−ｘＡ　ｓ、ＩｎＰ、
■ｎｘＧａ１−ｘＡ　ｓ　、Ｉ　ｎｘＧａ、−ｘＡｓ、
−ｙＰｙ等の半導体の場合も同様である。さらにＡ　ｌ
　ｘ　Ｇ　ａ□４Ａｃ、　／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ、Ｉ　ｎ
　ｘＧ　ａ　１−ｘＡ　ｓ　／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ等のへ
テロ構造を有する半導体層の場合も同様である。 また、ＮａＣ１にＫＣＩ等の他のアルカリハライドを添
加した結晶を用いた場合、ｔｉ加する該他のアルカリハ
ライドの量を調節することにより格子定数を該結晶上に
形成する半導体の格子定数に合わせることができること
も前述のとおりである。 ［実施例］ 以下本発明の実施例について詳細に述べる。 〔実施例１〕 半導体基板を作成する場合の第一の実施例を第１図を用
いて説明する。面方位（１００）のＮ　ａＣ１単結晶１
上に、ＧａＡｓ層２を分子線エピタキシー法により約１
μｍ成長した。成長温度は４００〜６００℃とした。該
ＧａＡｓ表面での転位密度は約１０７７ｃｍ”で、従来
のＳｌ上に成長した場合に比べ大幅に低減されており、
安価、軽量で環境への汚染の少ない、高品質のＧ　ａ　
Ａ　Ｓ基板が得られた。また、ＮａＣ１基板に大口径の
ものを用いれば、大口径のＧａＡｓ半導体基板が得られ
る。 ＧａＡｓ層２の成長には、ＧａとＡｓの分子線を交互に
当てて成長する方法を用いてもよい。この場合、低温で
の成長が可能となり、より高品質のＧａＡｓＮが得られ
る。 このほか、Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｍ２の成長にはＭＯＣＶＤ
法やＧａ、Ａｓの原料ガスを交互に供給する方法を用い
た場合も同様である。 以上、半導体層としてＧａＡｓを成長した場合について
説明したが、この他ＡｌｘＧａ１−８Ａｓ、Ｉ　ｎ　Ｐ
、Ｉ　ｎｘＧａ、−ｘＡｓ、Ｉ　ｎｘＧａ、−ｘＡｓ、
−ｙＰｙ等の基板を作成したい場合、またはこれらの半
導体層からなるヘテロ接合を有する基板を作成する場合
も同様である。 ［実施例２〕 本実施例では、前述の第一の実施例に示した通りＮａＣ
１基板上にＧａＡｓを成長しく第４図（、））、その後
第４図（ｂ）に示したように該ＧａＡｓ　２の表面を第
二の基板１０に接着し、その後第４図（ｃ）に示したよ
うに該ＮａＣ１基板１を水に溶かして除去した。該第二
の基板１０には、Ｓｉ、サファイア等を用いた。 ＮａＣ１は吸湿性があるため劣化しやすいが、本実施例
による基板を用いて電子素子、光素子や集積回路を作成
すれば、その問題はなくなる。さらに、第二の基板をＳ
ｉとした場合では、ＳｉはＧａＡｓより熱伝導率が高い
ので、素子や集積回路から発生する熱の発散が容易にな
る。また、サファイアを第二の基板とした場合では、サ
ファイアは光を通すので、基板を光が透過する方式の素
子や集積回路の作成が可能となる。この地核第二の基板
としては用途に応じて任意に選んでよい。 以上５半導体層としてＧａＡｓを成長した場合に付いて
説明したが、この他ＡｌＸＧａニーｘＡｓ、ｒｎＰ、Ｉ
　ｎｘＧａｌ−ｘＡｓ、Ｉ　ｎ　ｘＧ　ａ　１−ｘＡ　
ｓ　ｌ−ｙ　Ｐ　ｙ等の基板を作成したい場合、または
これらの半導体層からなるヘテロ接合を有する基板を作
成する場合も同様である。 〔実施例３〕 次に、電子素子を作成する場合の一実施例として、Ｇａ
Ａｓ層をＮａＣ１基板上に形成したものを半導体基板に
用いて作成したＭＥＳＦＥＴについて第２図を用いて説
明する。 ＧａＡｓ層２上の導電チャネル３、ｎ十領域４のｎ型不
純物はイオン打込みにより導入されている。５はゲート
電極、６はソース、ドレイン電極である。該ＭＥＳＦＥ
ＴではＧ　ａ　Ａ　ｓのみによる基板上に形成したＭＥ
ＳＦＥＴとほぼ同等のトランスコンダクタンスが得られ
る。しかも基板が安価で大口径のものかえられるので、
素子あたりのコストを低減することができる。また素子
あたりの重量を低減することができ、さらに環境の汚染
の少ない素子が得られる。またＮａＣ１は高抵抗である
ため、素子間の電気的な分離や基板を流れる電流の低減
を容易におこなうことができる効果もある。 以上、ＭＥＳＦＥＴの作成に応用した場合について説明
したが、このほかの電子素子、たとえばＡｌｘＧａ１−
ｘＡｓ／ＧａＡｓ、Ｉ　ｎ　ｚＧ　ａ　１−ｘＡ　ｓ／
　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ等へテロ接合に誘起される２次元電子
ガスを導電チャネルに用いるトランジスタやヘテロバイ
ボーラトランジスタ、さらにこれらの素子を基本素子と
する集積回路に応用した場合も同様である。ヘテロ構造
やエピタキシャル成長不純物層を有する素子や集積回路
を作成する場合は、所望の半導体層を直接ＮａＣ１基板
上に順次形成しても良い。 また、前述の第二の基板に接着した半導体層を用いて素
子を作成してもよい。第二の基板として熱伝導率の高い
材料を用いた場合は、素子や集積回路の発生する熱の発
散を容易にすることができる。 〔実施例４〕 次に素子や回路を作成した後に基板を除去する場合につ
いて説明する。 第５図はその一例である２次元電子ガスを導電チャネル
に用いる電界効果型トランジスタの製造工程を示す。ま
ずＮａＣ１基板１上にアンドープＧａＡｓ層２１．アン
ドープＡ　ｌ　ｘｏ　ａ　１−ｘＡ　ｓ層２２、ｎ型Ａ
　ｌ　ｘＧ　ａ　、−ｘＡ　ｓ層２３を分子線エピタキ
シー法により順次成長する（第５図（ａ））。 アンドープＧａＡｓ層とアンドープＡ　ｌ　ｘ　Ｇ　ａ
ニーえＡｓ層の界面には２次元電子ガス２２が形成され
る。次いでｎ型Ａ１．ＧａニーｘＡｓ層２３上にゲート
電極２５、ソース・ドレイン電極２６を形成した後、４
００℃で熱処理して合金化領域２７を形成する（第５図
（ｂ））。ソース・ドレイン電極２６は金とゲルマニウ
ムの合金からなり、合金化領域２７を介して２次元電子
ガス２２とオーム性接触している。その後ＮａＣ１基板
１を水に溶かして除去し、裏面に金メツキＭ２８を形成
し、しかる後に第二の基板１０である銅ブロックに接着
する（第５図（Ｃ））。 本実施例によれば、素子中で発生した熱は金メツキ層２
８を通して銅ブロック１０に吸収されるため、素子の過
熱を防ぐことができる。 ここでは第二の基板１０として銅ブロックを用いたが、
他のものでもよく、用途に応じ任意に選ぶことかできる
。 〔実施例５〕 次に、基板を除去した後裏面から加工を施す場合の一例
を、２次元電子ガスを導電チャネルに用いるトランジス
タを作成する場合について第５図、および第６図を用い
て説明する。 第５図（ｂ）までの工程は前記の実施例と同じである。 その後、第６図（、）に示した様に素子の表面をポリイ
ミド１００で被覆固定し、次いでＮａＣ１基板１を除去
した、表面のゲート電極に対向した部分を裏面よりリセ
スエッチした後新たに電極２９を形成する。ここでポリ
イミド１００層は第２の基板とみなしている。 本実施例で、電極２９をゲート電極２５と同電位にすれ
ば、電極２９とゲート電極２５の両方でチャネルを流れ
る電流を変調できるのでトランスコンダクタンスが大き
くなる。また電極２９の電位を独立に変化させる場合は
、例えばしきい値電圧を調節することが可能となる。　
裏面からのりセスエッチの際のストッパーとしてアンド
ープＧａ　Ａ　ｓ　ｆ＠　２１中にＡ　ｌ　ｘ　Ｇ　ａ
　、−ｘ　Ａ　ｓ層を挿入してもよい。また電極の形成
以外の加工も同様にしてを裏面から行うことができる。 また表面を被覆固定する材料としてポリイミド以外の材
料を用いてもよい。 本実施例では、電界効果型トランジスタについて説明し
たが、そのほかの素子、例えばバイポーラトランジスタ
や光素子、さらに集積回路においても同様に素子の裏面
からの加工が可能となることはもちろんである。 〔実施例６〕 次に１本発明を光素子の作成に適用した一実施例を示す
。 第３図は本発明によるＧａＡｓ発光ダイオードの断面図
である。ＮａＣ１基板１上に、ｎ型ＧａＡｓ層１２、ｐ
型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層１３．及びｎ型オーム性電極１４、
ｐ型オーム性電極１５が形成されている。該オーム性電
極１４，１５よりｎ型ＧａＡｓ層１２とＰ型ＧａＡｓ層
１３の形成するｐｎ接合にバイアスをかけると、赤色光
１６が発生する。該赤色光１６はＮａＣ１基板１を通過
して裏面より放出される。従来の様に基板がＧａＡｓの
場合、基板での赤色光の吸収が大きく、基板を裏面より
エツチングする必要があったが、本実施例ではその必要
がない。 さらに、素子形成後ＮａＣ１基板を除去してもよく、こ
の場合は基板による光の吸収の問題は全くなくなる。 また安価な素子が得られるなどの効果が得られることは
言うまでもない。 以上、Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　／　Ｎ　ａ　Ｃ１構造の発光ダ
イオードについて説明したが、Ｇ　ａ　Ａ　ｓ以外の化
合物半導体やヘテロ接合を用いる場合や、また発光ダイ
オード以外の光素子の場合も同様である。 〔実施例７〕 本実施例では、本発明をＧａＡｓ太陽電池に適用した場
合について、第７図を用いて説明する。 まず第７図（ａ）に示したように、ＮａＣ１単結晶１上
にｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層３２、ｐ型ＧａＡｓ層３３を順
次エピタキシャル成長した後、ｐ型オーム性電極３５を
表面に形成する。次いで、第７図（ｂ）に示したように
透明な接着層３７を介して、第２の基板１０に接着する
。ここでは第２の基板としてＳｉ基板を用いた。次いで
ＮａＣ１単結晶１を除去し、ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｍ３
２に接してｎ型オーム性電極３４を形成すればＧ　ａ　
Ａ　ｓ太陽電池が完成する（第７図（Ｃ））。 入射光３６がｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層３２、Ｐ型ＧａＡＳ
層３３の形成するｐｎ接合で吸収される際電子正孔対が
生成され、その結果オーム性電極３４．３５間に起電力
が発生する。 本発明によればＧａＡｓ層を容易に薄くできるため、軽
量化及び材料費の低減が可能となる。 またＳｉ基板上に直接ＧａＡｓ層を形成した場合に比べ
ＧａＡｓ中の欠陥密度が低く、欠陥での電子正孔対の消
滅によるロスが少ない。 さらに、第７図には明示していないが、Ｓｉ基板中に別
のｐｎ接合を作り込んでおけば、ＧａＡｓ層で吸収され
なかった長波長光を用いて起電力を発生させることがで
き、太陽エネルギーの電気的エネルギーへの変換効率を
改善することが可能となる。 実施例１から７ではＮａＣ１を用いる場合について説明
したが、このほかＮａＣ１にＫＣＩ等の他のアルカリハ
ライドを添加した結晶を用いてもよい。この場合添加す
るアルカイハライドの量を調節することにより、格子定
数をその上に成長する半導体の格子定数にあわせること
ができる。 （発明の効果１ 本発明によれば、欠陥密度が小さく、軽量で大口径の、
半導体基板が安価に得られる。従って。 該半導体基板を用いれば、軽量、安価、高品質の電子、
光素子や集積回路が得られる。また環境の汚染を低減す
ることができる。集積回路においては、素子間の電気的
分離や基板電流の低減を容易に行うことができる。また
光素子において基板を光が透過する方式の素子の作成が
可能となる９さらに基板を除去する工程が簡単になり、
またその際の汚染物質の発生が少なくなる。また素子や
集積回路の裏面からの加工が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による化合物半導体基板の断
面図、第２図は本発明の一実施例のＧａＡｓＭＥＳＦＥ
Ｔの断面図、第３図は本発明の一実施例のＧａＡｓ発光
ダイオードの断面図、第４図は本発明の一実施例の化合
物半導体基板の製造方法を示す断面図、第５図、第６図
は本発明の一実施例の２次元電子ガスを導電チャネルに
もちいるトランジスタの製造工程を示す断面図、第７図
は本発明の一実施例の太陽電池の製造工程を示す断面図
である。 符号の説明 １・・・ＮａＣ１単結晶、２・・・ＧａＡｓ層、３・・
・導電チャネル、４・・・ｎ＋領領域５・・ゲート電極
、６・・ソース・ドレイン電極、１０，１００・・・第
二の基板、１２．３２−　ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層、１３
．３３・ｐ型ＧａＡｓ層、１４．３４−　ｎ型オーム性
電極、１５．３５・・・Ｐ型オーム性電極、１６・・・
放出される光を示す記号、２１・・・アンドープＧ　ａ
　Ａ　ｓ　ｆｆｉ　。 ２２　・・・アンドープＡ　Ｉ　ＸＧ　ａ　Ｘ−ＸＡ　
８層、２３−　ｎ型Ａ　１　ｘＧ　ａ　、−ｘＡ　ｓ層
、２４−２次元電子ガス、２５・・・ゲート電極、２６
・・・ソース・ドレイン電極、２７・・・合金化領域、
２８・・・金メツキ層、２９・・・電極、３６・・・入
射光を示す記号、３７・・・接着層人Ｖ〜／Δ 拓 ≠ 因 蓮） 第 因 （幻 纂 回 （久ン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アルカリハライド基板上に成長させることにより得
   られた半導体層を用いてなることを特徴とする半導体装
   置。 ２、主成分として塩化ナトリウムを含むアルカリハライ
   ド基板上に成長させることにより得られた半導体層を用
   いてなることを特徴とする半導体装置。 ３、主成分として塩化ナトリウムを含むアルカリハライ
   ド基板上に成長させることにより得られたヒ化ガリウム
   を主成分とする層を少なくとも有する半導体層を用いて
   なることを特徴とする半導体装置。 ４、アルカリハライド基板上に成長させることにより得
   られた半導体層を少なくとも有することを特徴とする半
   導体基板。 ５、主成分として塩化ナトリウムを含むアルカリハライ
   ド基板上に成長させることにより得られた半導体層を少
   なくとも有することを特徴とする半導体基板。 ６、主成分として塩化ナトリウムを含むアルカリハライ
   ド基板上に成長させることにより得られたヒ化ガリウム
   を主成分とする層を少なくとも有する半導体層を用いて
   なることを特徴とする半導体基板。 ７、水溶性のイオン性結晶上に半導体層を形成する工程
   、該イオン性結晶を除去する工程を含むことを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。 ８、主成分として塩化ナトリウムを含む水溶性のイオン
   性結晶上に半導体層を形成する工程、該イオン性結晶を
   除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造
   方法。 ９、主成分として塩化ナトリウムを含む水溶性のイオン
   性結晶上にヒ化ガリウムを主成分とする半導体層を形成
   する工程、該イオン性結晶を除去する工程を含むことを
   特徴とする半導体装置の製造方法。 １０、水溶性のイオン性結晶上に半導体層を形成する工
   程、該イオン性結晶を除去する工程を含むことを特徴と
   する半導体基板の製造方法。 １１、主成分として塩化ナトリウムを含む水溶性のイオ
   ン性結晶上に半導体層を形成する工程、該イオン性結晶
   を除去する工程を含むことを特徴とする半導体基板の製
   造方法。 １２、主成分として塩化ナトリウムを含む水溶性のイオ
   ン性結晶上にヒ化ガリウムを主成分とする半導体層を形
   成する工程、該イオン性結晶を除去する工程を含むこと
   を特徴とする半導体基板の製造方法。