JPH03125119A - 液晶素子の駆動方法 - Google Patents
液晶素子の駆動方法Info
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- JPH03125119A JPH03125119A JP1263556A JP26355689A JPH03125119A JP H03125119 A JPH03125119 A JP H03125119A JP 1263556 A JP1263556 A JP 1263556A JP 26355689 A JP26355689 A JP 26355689A JP H03125119 A JPH03125119 A JP H03125119A
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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-
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-
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- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は液晶素子の駆動法に関し、さらに詳しくは、三
安定状態間スイ・ノチングを示す反強誘電性液晶を用い
た液晶素子の駆動法に関する。
安定状態間スイ・ノチングを示す反強誘電性液晶を用い
た液晶素子の駆動法に関する。
〈従来の技術〉
近年、カイラルスメクチ・ツクＣ相などの強誘電性液晶
を用いた強誘電性液晶表示素子（＋１． Ａ。
を用いた強誘電性液晶表示素子（＋１． Ａ。
Ｃ１ａｒｋ、 ａｔ ａｌ、、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ
、 ＬｅＬＬ、、 ３６．８９９（１９８Ｑ）、 ）が
さかんに研究されている。この弾状７Ｔ：Ｌ性液晶を利
用した表示方式は視角が広（，１００ＯＸＩＱＱＱ本う
°イン以上の大容量表示が可能なことｂｚら大いに有望
視されている。しかし、この表示方式に必要とされる液
晶分子の良好な配向性及びメモリ性の実現が実際の液晶
セルにおいて容易蛎まない、外部からの衝撃力に弱いな
どの問題があり、実用化のためには解決しなければなら
な４１課題力く数多く残っている。
、 ＬｅＬＬ、、 ３６．８９９（１９８Ｑ）、 ）が
さかんに研究されている。この弾状７Ｔ：Ｌ性液晶を利
用した表示方式は視角が広（，１００ＯＸＩＱＱＱ本う
°イン以上の大容量表示が可能なことｂｚら大いに有望
視されている。しかし、この表示方式に必要とされる液
晶分子の良好な配向性及びメモリ性の実現が実際の液晶
セルにおいて容易蛎まない、外部からの衝撃力に弱いな
どの問題があり、実用化のためには解決しなければなら
な４１課題力く数多く残っている。
一方、最近、上記のカイラルスメクチックＣ相より低温
側に王女定状態間のスイ、ツチングを示す新しい液晶相
を有する化合物が発見され、この化合物を利用した新し
い表示方式の検討が始まっている（Ａ、 Ｄ、 Ｌ、
Ｃｈａｎｄａｎｉ、 ｅＬ、 ａｌ、＋ Ｊｐｎ、 Ｊ
。
側に王女定状態間のスイ、ツチングを示す新しい液晶相
を有する化合物が発見され、この化合物を利用した新し
い表示方式の検討が始まっている（Ａ、 Ｄ、 Ｌ、
Ｃｈａｎｄａｎｉ、 ｅＬ、 ａｌ、＋ Ｊｐｎ、 Ｊ
。
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、 ２７． Ｌ７２９
（１９８ｇ）、）。
（１９８ｇ）、）。
この新しい液晶相に関してはまだ分かっていないことが
多く、研究者によって標記方法もまちまちであるが、Ｓ
−相（特開平１−２１３３９０）、Ｓ ｍ Ｃａ” （
福田１日本学術振興会情報料学用有機材料第１４２委員
会第４５回合同研究資料、 ３４ （１９８９）。
多く、研究者によって標記方法もまちまちであるが、Ｓ
−相（特開平１−２１３３９０）、Ｓ ｍ Ｃａ” （
福田１日本学術振興会情報料学用有機材料第１４２委員
会第４５回合同研究資料、 ３４ （１９８９）。
）などと表されている。この相は分子の長袖が層面に対
して傾いた配列をとり、らせん構造を有する反強誘電性
のスメクチック相ではないかといわれている（（福田２
日本学術振興会情報料学用有機材料第１４２委員会第４
５回合同研究資料、 ３４ （１９８９）、）。らせん
ピッチ長よりも薄い液晶セルに封入するなどしてらせん
をほどいてやると、第６図（ａ）に示すように一層ごと
にグイポールがキャンセルするような分子配列になり、
この状態に電界を印加すると電圧方向にダイポールがそ
ろう第６図（ｂ）または＜ｃ＞のような分子配列に変化
すると考えられている。尚、図中０及びΦはダイポール
の方向を表している。それゆえ、例えば、偏光板を組み
合わせてやることにより、明暗の表示を行うことが可能
となる。印加電圧とチルト角との関係は第７図のように
なっており、３つの安定状態１〜３をとることができ、
かつヒステリシス曲線を描くので、この関係を用いて表
示駆動を行うことが可能となる。
して傾いた配列をとり、らせん構造を有する反強誘電性
のスメクチック相ではないかといわれている（（福田２
日本学術振興会情報料学用有機材料第１４２委員会第４
５回合同研究資料、 ３４ （１９８９）、）。らせん
ピッチ長よりも薄い液晶セルに封入するなどしてらせん
をほどいてやると、第６図（ａ）に示すように一層ごと
にグイポールがキャンセルするような分子配列になり、
この状態に電界を印加すると電圧方向にダイポールがそ
ろう第６図（ｂ）または＜ｃ＞のような分子配列に変化
すると考えられている。尚、図中０及びΦはダイポール
の方向を表している。それゆえ、例えば、偏光板を組み
合わせてやることにより、明暗の表示を行うことが可能
となる。印加電圧とチルト角との関係は第７図のように
なっており、３つの安定状態１〜３をとることができ、
かつヒステリシス曲線を描くので、この関係を用いて表
示駆動を行うことが可能となる。
この液晶相を示す化合物はわずかじか報告されていない
が、例えば、次のような化合物がこの液晶相を示すと言
われている（特開平１−２１３３９０ ； Ｙ。
が、例えば、次のような化合物がこの液晶相を示すと言
われている（特開平１−２１３３９０ ； Ｙ。
５ｕｚｕｋｉ＋ ａＬ ａｌ、、 Ｐｒｏｃ、 ２ｎｄ
ＩｎＬｅｒｎａＬｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ ｃ
ｒｙｓｔａｌｓ。
ＩｎＬｅｒｎａＬｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ ｃ
ｒｙｓｔａｌｓ。
Ｐ−１０６（１９８９）、）。
ネ
Ｆ Ｃ１１゜
（，１１，、。
〈発明が解決し・ようとする課題〉
反強誘電性液晶相の三状態間スイッチングはまった（新
しいスイッチングモードなので、現在のところ研究の対
象としては、スイッチングメカニズム、分子配列などが
中心になっており、反強誘電性・液晶を用いたマトリク
ス型表示素子については報告されていない。もちろん、
マトリクス型表示素子そのものは液晶素子を形成する一
対の基板上にｆＴｏなどで透明電極をマトリクス型にパ
ターニングし外部電源と接続すれば作製可能なわけであ
るが、このようなマトリクス型液晶素子はそのスイッチ
ングモードに適した駆動方法を組み合わせなければ、良
好な表示素子とはなり得ない。従来の強誘電性液晶素子
の駆動法については数多（の報告（例えば、脇田、他、
Ｎａｔｉｏｎａｌ ＴｅｃｈｉｎｉｃａｌＲｏｐｏｒ
Ｌ、 ３３（１）、 ４４ （１９８７）参照）がなさ
れているが、双安定のメモリ性を利用する強誘電性液晶
素子の駆動法を、安定な三状態間のスイッチングを示す
反強誘電性液晶素子に適用子ることはできない。
しいスイッチングモードなので、現在のところ研究の対
象としては、スイッチングメカニズム、分子配列などが
中心になっており、反強誘電性・液晶を用いたマトリク
ス型表示素子については報告されていない。もちろん、
マトリクス型表示素子そのものは液晶素子を形成する一
対の基板上にｆＴｏなどで透明電極をマトリクス型にパ
ターニングし外部電源と接続すれば作製可能なわけであ
るが、このようなマトリクス型液晶素子はそのスイッチ
ングモードに適した駆動方法を組み合わせなければ、良
好な表示素子とはなり得ない。従来の強誘電性液晶素子
の駆動法については数多（の報告（例えば、脇田、他、
Ｎａｔｉｏｎａｌ ＴｅｃｈｉｎｉｃａｌＲｏｐｏｒ
Ｌ、 ３３（１）、 ４４ （１９８７）参照）がなさ
れているが、双安定のメモリ性を利用する強誘電性液晶
素子の駆動法を、安定な三状態間のスイッチングを示す
反強誘電性液晶素子に適用子ることはできない。
本発明はこのような状況下でなされたものであり、新し
いスイッチングモードを示す反強誘電性液晶相を用いた
マトリクス型液晶素子の駆動法を提供するものである。
いスイッチングモードを示す反強誘電性液晶相を用いた
マトリクス型液晶素子の駆動法を提供するものである。
く課題を解決するための手段〉
本発明はマトリクス卓型の電極構造が形成された一対の
基板の少なくとも一方に配向制御層を設け、該一対の基
板間に反強誘電性液晶を介在させたマトリックス型液晶
素子の駆動方法として、前記マトリクス型の電極構造を
構成する各走査電極へ奇数フレームでは平均電位が正の
選択電圧波形を、偶数フレームでは平均電位が負の選択
電圧波形をそれぞれ印加し、平均電位が正の選択電圧を
印加した後の走査電極へは平均電位が正の非選択電圧波
形を、平均電位が負の選択電圧を印加した後の走査電極
へは平均電位が負の非選択電圧波形をそれぞれ印加する
ことを特徴とする液晶素子の駆動方法である。
基板の少なくとも一方に配向制御層を設け、該一対の基
板間に反強誘電性液晶を介在させたマトリックス型液晶
素子の駆動方法として、前記マトリクス型の電極構造を
構成する各走査電極へ奇数フレームでは平均電位が正の
選択電圧波形を、偶数フレームでは平均電位が負の選択
電圧波形をそれぞれ印加し、平均電位が正の選択電圧を
印加した後の走査電極へは平均電位が正の非選択電圧波
形を、平均電位が負の選択電圧を印加した後の走査電極
へは平均電位が負の非選択電圧波形をそれぞれ印加する
ことを特徴とする液晶素子の駆動方法である。
〈実施例〉
以下に１６Ｘ１６の単純マトリクス型液晶素子を例にと
って本発明の実施例について説明する。第１図は走査７
Ｉｉ極り、〜Ｌ、が１６本、信号電極Ｓ、〜Ｓ。
って本発明の実施例について説明する。第１図は走査７
Ｉｉ極り、〜Ｌ、が１６本、信号電極Ｓ、〜Ｓ。
が１６本の単純マド■ル７クス液晶素子の平面模式図で
ある。この走査電極を上からＬｔ、Ｌｔ、Ｌｓ〜Ｌ。
ある。この走査電極を上からＬｔ、Ｌｔ、Ｌｓ〜Ｌ。
と記し、信号電極を左からＳ 、、 Ｓ 、、 Ｓ 、
〜ｓ１と記し、各走査電極し、と各信号電極ｓＪが重な
る部分を画素式、と記す（ｉおよびｊはそれぞれ正の整
数である）。この単純マトリックスパネルの走査電極に
は走査側ドライバー１０が接続され、信号７ｕ極には信
号側ドライバー１１が接続される。
〜ｓ１と記し、各走査電極し、と各信号電極ｓＪが重な
る部分を画素式、と記す（ｉおよびｊはそれぞれ正の整
数である）。この単純マトリックスパネルの走査電極に
は走査側ドライバー１０が接続され、信号７ｕ極には信
号側ドライバー１１が接続される。
このようなマトリクス型液晶素子は、例えば、第２図に
示す駆動波形で第３図のように駆動される。駆動方法に
ついて具体的に説明すると、奇数番目のフレームでは第
２図に示す■の選択電圧波形Ｇ（平均電位が正）を走査
電極のし、〜Ｌ、へ順次印加し、偶数番目のフレームで
は■の選択電圧波形Ｉ （平均電位が負）を走査電極の
り、−Ｌ、へ順次印加する。走査電極Ｌｉへ■の選択電
圧波形Ｇを印加した後ではその走査電極Ｌ１へ■の非選
択電圧波形Ｈ（平均電位が正）を印加し、走査電極Ｌ１
へ■の選択電圧波形ｌを印加した後ではその走査電極Ｌ
ｉへΦの非選択電圧波形Ｊ（平均電位が負）を印加する
。奇数番目のフレームでは画素Ａ、Ｊを第７図の状ＦＩ
Ｂ １にしたければ信号電極ＳＪへ■のＯＮ電圧波形を
印加するし、画素Δ１４を第７図の状態２にしたければ
信号電極Ｓ、へ■のＯＦＦ電圧波形を印加する。偶数番
目のフレームでは画素式、、を第７図の状態３にしたけ
れば信号電極ＳＪへ■のＯＮ電圧波形を印加するし、画
素式６．を第７図の状ｇ３２にしたければ信号電極Ｓ、
へ■のＯＦＦ電圧波形を印加する。（この時、偏向板の
偏向軸を第７図の状態２のスメクチック層に垂直な方向
に合わせてお（。）マトリクス型液晶表示素子において
、以上のような電圧波形■〜■を走査電極に、電圧波形
■〜■を信号電極に印加したとき、その交点の画素にか
かる印加電圧波形を示したのが■〜■である。
示す駆動波形で第３図のように駆動される。駆動方法に
ついて具体的に説明すると、奇数番目のフレームでは第
２図に示す■の選択電圧波形Ｇ（平均電位が正）を走査
電極のし、〜Ｌ、へ順次印加し、偶数番目のフレームで
は■の選択電圧波形Ｉ （平均電位が負）を走査電極の
り、−Ｌ、へ順次印加する。走査電極Ｌｉへ■の選択電
圧波形Ｇを印加した後ではその走査電極Ｌ１へ■の非選
択電圧波形Ｈ（平均電位が正）を印加し、走査電極Ｌ１
へ■の選択電圧波形ｌを印加した後ではその走査電極Ｌ
ｉへΦの非選択電圧波形Ｊ（平均電位が負）を印加する
。奇数番目のフレームでは画素Ａ、Ｊを第７図の状ＦＩ
Ｂ １にしたければ信号電極ＳＪへ■のＯＮ電圧波形を
印加するし、画素Δ１４を第７図の状態２にしたければ
信号電極Ｓ、へ■のＯＦＦ電圧波形を印加する。偶数番
目のフレームでは画素式、、を第７図の状態３にしたけ
れば信号電極ＳＪへ■のＯＮ電圧波形を印加するし、画
素式６．を第７図の状ｇ３２にしたければ信号電極Ｓ、
へ■のＯＦＦ電圧波形を印加する。（この時、偏向板の
偏向軸を第７図の状態２のスメクチック層に垂直な方向
に合わせてお（。）マトリクス型液晶表示素子において
、以上のような電圧波形■〜■を走査電極に、電圧波形
■〜■を信号電極に印加したとき、その交点の画素にか
かる印加電圧波形を示したのが■〜■である。
この様にして第１図のパターンを表示させた時の走査電
極し、、Ｌ ｂｚ信号電極Ｓ４、Ｓ６、画素式、、４、
Ａ ｂｅへ印加される電圧波形を示したのが第３図であ
る。第３図の■と■では画素へ印加される電圧波形が違
うが反強誘電性液晶は電圧の印加時間によらず印加電圧
により応答するのでクロストークは出ない。
極し、、Ｌ ｂｚ信号電極Ｓ４、Ｓ６、画素式、、４、
Ａ ｂｅへ印加される電圧波形を示したのが第３図であ
る。第３図の■と■では画素へ印加される電圧波形が違
うが反強誘電性液晶は電圧の印加時間によらず印加電圧
により応答するのでクロストークは出ない。
また、第２図の駆動波形の代わりに第４図の駆動波形を
用いることもできる。この駆動方法について具体的に説
明すると、奇数番目のフレームでは第２図に示す■の選
択電圧波形Ｇ（平均電位が正）を走査電極のし、〜Ｌ、
へ順次印加し、偶数番目のフレームでは■の選択電圧波
形Ｉ （平均電位が負）を走査電極のし、〜Ｌ５へ順次
印加する。走査電極Ｌｔへ■の選択電圧波形Ｇを印加し
た後ではその走査電極Ｌ１へ■の非選択電圧波形ｔｌ
（平均電位が正）を印加し、走査電極り、へ■の選択電
圧波形Ｉを印加した後ではその走査電極り、へ■の非選
択電圧波形Ｊ（平均電位が負）を印加する。奇数番目の
フレームでは画素Ａ、Ｊを第７図の状！７！ｌにしたけ
れば信号電極ＳＪへ■のＯＮ電圧波形を印加するし、画
素式、Ｊを第７図の状態２にしたければ信号？ｌｉ極Ｓ
、へ■の０ＦＦｆｆｌ圧波形を印加する。偶数番口のフ
レームでは画素式、を第７図の状態３にしたければ信号
電極ＳＪへ■のＯＮ電圧波形を印加するし、画素式、を
第７図の状態２にしたければ信号電極Ｓ、へ■のＯＦＦ
電圧波形を印加する。（この時、偏向板の偏向軸を第７
図の状態２のスメクチック層に垂直な方向に合わせてお
く。）マトリクス型液晶表示素子において、以上のよう
な電圧波形■〜■を走査電極に、電圧波形■〜■を信号
電極に印加したとき、その交点の画素にかかる印加電圧
波形を示したのが■〜■である。
用いることもできる。この駆動方法について具体的に説
明すると、奇数番目のフレームでは第２図に示す■の選
択電圧波形Ｇ（平均電位が正）を走査電極のし、〜Ｌ、
へ順次印加し、偶数番目のフレームでは■の選択電圧波
形Ｉ （平均電位が負）を走査電極のし、〜Ｌ５へ順次
印加する。走査電極Ｌｔへ■の選択電圧波形Ｇを印加し
た後ではその走査電極Ｌ１へ■の非選択電圧波形ｔｌ
（平均電位が正）を印加し、走査電極り、へ■の選択電
圧波形Ｉを印加した後ではその走査電極り、へ■の非選
択電圧波形Ｊ（平均電位が負）を印加する。奇数番目の
フレームでは画素Ａ、Ｊを第７図の状！７！ｌにしたけ
れば信号電極ＳＪへ■のＯＮ電圧波形を印加するし、画
素式、Ｊを第７図の状態２にしたければ信号？ｌｉ極Ｓ
、へ■の０ＦＦｆｆｌ圧波形を印加する。偶数番口のフ
レームでは画素式、を第７図の状態３にしたければ信号
電極ＳＪへ■のＯＮ電圧波形を印加するし、画素式、を
第７図の状態２にしたければ信号電極Ｓ、へ■のＯＦＦ
電圧波形を印加する。（この時、偏向板の偏向軸を第７
図の状態２のスメクチック層に垂直な方向に合わせてお
く。）マトリクス型液晶表示素子において、以上のよう
な電圧波形■〜■を走査電極に、電圧波形■〜■を信号
電極に印加したとき、その交点の画素にかかる印加電圧
波形を示したのが■〜■である。
次に、本発明の駆動方法を適用できる反強誘電性液晶素
子について説明する。
子について説明する。
第５図は反強誘電性液晶素子の１実施例を示す断面図で
ある。
ある。
第５図は透過型表示素子の１例であり、■は絶縁性基板
、２は透明電極、３は絶縁性膜、４は配量制御層、５は
シール剤、６は反強誘電性液晶、７は偏光板を示す。
、２は透明電極、３は絶縁性膜、４は配量制御層、５は
シール剤、６は反強誘電性液晶、７は偏光板を示す。
絶縁性基板１としては透光性の基板が用いられ、通常ガ
ラス基板が使われる。絶縁性基板ｌにはそれぞれＩｎＯ
２、Ｓｎｏｗ、又はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ）などの導電性薄膜からなる帯状のパターンの
透明電極２が互いに交差する方向に形成される。透明電
極２は前述した走査側ドライバー１０及び信号側ドライ
バー１１と電気的に接続されており、上述の駆動電圧が
印加される。
ラス基板が使われる。絶縁性基板ｌにはそれぞれＩｎＯ
２、Ｓｎｏｗ、又はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ）などの導電性薄膜からなる帯状のパターンの
透明電極２が互いに交差する方向に形成される。透明電
極２は前述した走査側ドライバー１０及び信号側ドライ
バー１１と電気的に接続されており、上述の駆動電圧が
印加される。
その上に通常、絶縁性膜３が形成されるが、これは場合
によっては省略できる。絶縁性膜３は例えば、ＳｉＯ□
ＳｉＮｘ＋ Ａｌｔｏｓなどの無機系薄膜、ポリイミド
、フォトレジスト樹脂、高分子液晶などの有機系薄膜な
どを用いることができる。絶縁性膜３が無機系薄膜の場
合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｙａｐａｒ ＤａｐｏｓｉＬｉｏｎ）法、あるい
は溶液塗布法などによって形成できる。また、絶縁性膜
３が有機系薄膜の場合には有機物質を溶かした溶液また
はその前駆体溶液を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗
布法、スクリーン印刷法、ロール塗布法、などで塗布し
、所定の硬化条件（加熱、光照射など）で硬化させ形成
する方法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法など
で形成したり、Ｌ Ｂ （１，ａｎｇｕｍｕｉｒ−ＢＩ
ｏｄｇｅＬＬ）法などで形成することしできる。
によっては省略できる。絶縁性膜３は例えば、ＳｉＯ□
ＳｉＮｘ＋ Ａｌｔｏｓなどの無機系薄膜、ポリイミド
、フォトレジスト樹脂、高分子液晶などの有機系薄膜な
どを用いることができる。絶縁性膜３が無機系薄膜の場
合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｙａｐａｒ ＤａｐｏｓｉＬｉｏｎ）法、あるい
は溶液塗布法などによって形成できる。また、絶縁性膜
３が有機系薄膜の場合には有機物質を溶かした溶液また
はその前駆体溶液を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗
布法、スクリーン印刷法、ロール塗布法、などで塗布し
、所定の硬化条件（加熱、光照射など）で硬化させ形成
する方法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法など
で形成したり、Ｌ Ｂ （１，ａｎｇｕｍｕｉｒ−ＢＩ
ｏｄｇｅＬＬ）法などで形成することしできる。
絶縁性膜３の上には配向制御層４が形成される。
ただし、絶縁性膜３が省略された場合には導電性膜２の
上に直接配向制御層４が形成される。配向制御層には無
機系の層を用いる場合と有機系の層を用いる場合とがあ
る。
上に直接配向制御層４が形成される。配向制御層には無
機系の層を用いる場合と有機系の層を用いる場合とがあ
る。
無機系の配向制御層を用いる場合、よく用いられる方法
２としては酸化ケイ素の斜め蒸着がある。
２としては酸化ケイ素の斜め蒸着がある。
また、回転蒸着などの方法を用いることもできる。
有機系の配向制御層を用いる場合、ナイロン、ポリビニ
ルアルコール、ポリイミド等を用いることができ、通常
この上をラビングする。また、高分子液晶、ＬＢ膜を用
いて配向させたり、磁場によル配向、スペーサエツジ法
による配向、なども可能である。また、ＳｉＯ□ＳｉＮ
ｘなどを蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などによって形
成し、その上をラビングする方法も可能である。
ルアルコール、ポリイミド等を用いることができ、通常
この上をラビングする。また、高分子液晶、ＬＢ膜を用
いて配向させたり、磁場によル配向、スペーサエツジ法
による配向、なども可能である。また、ＳｉＯ□ＳｉＮ
ｘなどを蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などによって形
成し、その上をラビングする方法も可能である。
次に２枚の基板を張り合わせ、反強誘電性液晶６を注入
して液晶素子とし、基板の外面に液晶分子の配向方向に
対応して偏光板７を設置する。
して液晶素子とし、基板の外面に液晶分子の配向方向に
対応して偏光板７を設置する。
実施例１
２枚のガラス基板上に厚さ１０００人のＩＴＯ膜を形成
し、更に厚さ２０００人のＳｉｎ、膜を形成し、厚さ３
００人のＰｖ八へを塗布し、それぞれラビングした。次
にこの２枚のガラス基板をラビング方向が同一になるよ
うにセル厚２μ−で張り合わせ、化合物（１）を注入し
た。
し、更に厚さ２０００人のＳｉｎ、膜を形成し、厚さ３
００人のＰｖ八へを塗布し、それぞれラビングした。次
にこの２枚のガラス基板をラビング方向が同一になるよ
うにセル厚２μ−で張り合わせ、化合物（１）を注入し
た。
はアナログスイッチとシフトレジスタより構成したもの
を用いた。第２図に示す駆動波形を用いて、７５℃で第
３図のように駆動を行うと、白黒°のマトリクス表示を
行うことができた。
を用いた。第２図に示す駆動波形を用いて、７５℃で第
３図のように駆動を行うと、白黒°のマトリクス表示を
行うことができた。
実施例２
第２図の波形を用いる代わりに第４図の波形を用いるほ
かは実施例１と同様にしてマトリクス型反強誘電性液晶
素子を作製し、駆動した。この駆動波形によっても白黒
のマトリクス表示を行うことができた。
かは実施例１と同様にしてマトリクス型反強誘電性液晶
素子を作製し、駆動した。この駆動波形によっても白黒
のマトリクス表示を行うことができた。
〈発明の効果〉
以上のように本発明の駆動方法を用いることにより、反
強誘電性液晶を用いた液晶表示素子のマ注入後いったん
液晶組成物が等方性液体に変化する温度にセルを加熱し
、その後１’Ｃ／ｓｉｎで７０℃まで冷却して反強誘電
性液晶素子を得た。
強誘電性液晶を用いた液晶表示素子のマ注入後いったん
液晶組成物が等方性液体に変化する温度にセルを加熱し
、その後１’Ｃ／ｓｉｎで７０℃まで冷却して反強誘電
性液晶素子を得た。
この液晶素子の信号側ドライバー１１にセイコー社製の
５ＯＤ−１６００を用い、走査側ドライバーＩＯに第１
図は本発明の１実施例の説明に供するマトリクス型反強
誘電性液晶素子の模式図である。第２図乃至第４図はマ
トリクス型反強誘電性液晶素子の駆動方法について説明
するための電圧波形図である。第５図は本発明の１実施
例の説明に供する反強誘電性液晶素子の断面図である。
５ＯＤ−１６００を用い、走査側ドライバーＩＯに第１
図は本発明の１実施例の説明に供するマトリクス型反強
誘電性液晶素子の模式図である。第２図乃至第４図はマ
トリクス型反強誘電性液晶素子の駆動方法について説明
するための電圧波形図である。第５図は本発明の１実施
例の説明に供する反強誘電性液晶素子の断面図である。
第６図は反強誘電性液晶相における分子配列を示す説明
図である。第７図は反強誘電性液晶における印加電圧と
チルト角の関係を示す説明図である。
図である。第７図は反強誘電性液晶における印加電圧と
チルト角の関係を示す説明図である。
１・・・絶縁性基板 ２・・・透明電極４・・・配向
制御膜 ６・・・反強誘電性液晶７・・・偏光板
制御膜 ６・・・反強誘電性液晶７・・・偏光板
Claims (1)
- １、一方の基板に走査電極、他方の基板に信号電極を互
いに交差する方向に配列させて成る一対の基板の少なく
とも一方に配向制御層を設け、該一対の基板間に反強誘
電性液晶を介在させたマトリックス型液晶素子の駆動方
法において、各走査電極へ奇数フレームでは平均電位が
正の選択電圧波形を、偶数フレームでは平均電位が負の
選択電圧波形をそれぞれ印加し、平均電位が正の選択電
圧を印加した後の走査電極へは平均電位が正の非選択電
圧波形を、平均電位が負の選択電圧を印加した後の走査
電極へは平均電位が負の非選択電圧波形をそれぞれ印加
することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1263556A JPH03125119A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 液晶素子の駆動方法 |
| EP19900311065 EP0422904A3 (en) | 1989-10-09 | 1990-10-09 | Method of driving antiferroelectric liquid crystal device |
| KR1019900016018A KR910008469A (ko) | 1989-10-09 | 1990-10-10 | 반 강유전성 액정장치 작동방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1263556A JPH03125119A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 液晶素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03125119A true JPH03125119A (ja) | 1991-05-28 |
Family
ID=17391190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1263556A Pending JPH03125119A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 液晶素子の駆動方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0422904A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03125119A (ja) |
| KR (1) | KR910008469A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459481A (en) * | 1990-09-05 | 1995-10-17 | Seiko Epson Corporation | Driving method for liquid crystal electro-optical device |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2866518B2 (ja) * | 1992-01-17 | 1999-03-08 | シャープ株式会社 | 反強誘電性液晶素子の駆動方法 |
| JPH05249435A (ja) * | 1992-03-03 | 1993-09-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 反強誘電性液晶素子 |
| JP3753440B2 (ja) * | 1992-05-07 | 2006-03-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法 |
| SG63551A1 (en) * | 1992-05-07 | 1999-03-30 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device having two metastable states and its driving method |
| JP3634390B2 (ja) * | 1992-07-16 | 2005-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学素子 |
| DE69526505T2 (de) | 1995-05-17 | 2002-10-31 | Seiko Epson Corp | Flüssigkristall-anzeigevorrichtung und verfahren und steuerschaltkreis zu ihrer ansteuerung |
| US6028579A (en) * | 1996-06-12 | 2000-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for liquid crystal devices |
| JP2010527037A (ja) | 2007-05-16 | 2010-08-05 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁放射変調素子、変調装置および変調媒体 |
| KR102131551B1 (ko) * | 2019-02-27 | 2020-07-07 | 김병학 | 웰빙 생면 칼국수 반죽 제조 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526085B2 (ja) * | 1988-02-22 | 1996-08-21 | チッソ株式会社 | 強誘電性液晶組成物および液晶表示素子 |
| EP0334628B1 (en) * | 1988-03-24 | 1994-06-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Ferroelectric liquid crystal electrooptic apparatus and manufacturing method thereof |
-
1989
- 1989-10-09 JP JP1263556A patent/JPH03125119A/ja active Pending
-
1990
- 1990-10-09 EP EP19900311065 patent/EP0422904A3/en not_active Withdrawn
- 1990-10-10 KR KR1019900016018A patent/KR910008469A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459481A (en) * | 1990-09-05 | 1995-10-17 | Seiko Epson Corporation | Driving method for liquid crystal electro-optical device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0422904A2 (en) | 1991-04-17 |
| KR910008469A (ko) | 1991-05-31 |
| EP0422904A3 (en) | 1992-07-15 |
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