JPH03124039A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

Info

Publication number
JPH03124039A
JPH03124039A JP1262360A JP26236089A JPH03124039A JP H03124039 A JPH03124039 A JP H03124039A JP 1262360 A JP1262360 A JP 1262360A JP 26236089 A JP26236089 A JP 26236089A JP H03124039 A JPH03124039 A JP H03124039A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
vibrator
bonding
vibration
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1262360A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasufumi Nakasu
康文 中須
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1262360A priority Critical patent/JPH03124039A/ja
Publication of JPH03124039A publication Critical patent/JPH03124039A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/8212—Aligning
    • H01L2224/82148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/82169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, e.g. nozzle
    • H01L2224/8218—Translational movements
    • H01L2224/82181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85206—Direction of oscillation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/1016—Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162—Shape being a cuboid with a square active surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔利用分野〕 この発明は例えば半導体素子電極とリードフレームとに
ワイヤを電気的に接続するワイヤボンディング装置にお
けるワイヤボンディングの方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第８図は例えば特公昭５９−１７９７４号公報にて示さ
れた従来のワイヤボンディング装置におけるワイヤボン
ディング方法の主要段階を示す工程図である。
図において、１１１は平生導体素子（２１上の電極（３
）とリードフレーム１４１とのワイヤボンディングに使
用されるワイヤ、１５１ｆｌこのワイヤｉ１１１にガイ
ドするキイピラリ−１１６１は上記ワイヤ中の先端に放
電を行なって加熱し、ボール；７）を形成するトーチ、
（８）はワイヤボンディングの終った上記ワイヤ＋１１
を切断するためのクランパーである。
−万、第４図は上記キャピラリー６１に眉音波振動を与
える超音波ホーンｉ９１　ｆｚ！：示す概略図であり図
において、　＋Ｉ０１は超音波発振器Ｕυからエネルギ
ーの供給を受け、Ａ矢印方向に縦振動する撮動子、＋１
２１はこの振動子（１０１の振動を効率良く伝えるホー
ンであり、先端に上記キャピラリー１６１が固定されて
いる。
尚、超音波ホーン＋９１．トーチ（６）及びクランパ（
８）は共にボンディングヘッド（図示せず）Ｋ固定され
ており、所定の動作が利両！装置により行なえる様に構
成されている。
続いて、第５図はワイヤボンディング後、リードフレー
ムを上面から見た図であり、図において、■及び０４１
は上記超音波ホーン（９１の振動方向（Ａ矢印）ＶＣ対
して直角に向いているリードフレーム１４）のＢ方向の
集合リード、（Ｉ５１及びＵ（至）＃：ｔＡ矢印方向と
同じ方向に回いているＡ方向の集合リードとする。
さらに、射６図はワイヤボンディング装置における。超
音波ホーンの他の従来例（特公昭６３−４２８５５号公
報参照）を示す構成図であり、直交する２個の振動子を
有するものである。
〔従来技術の作用、動作〕
次に、第８図においてポールボンディングの方法につい
て説明する。まず第８図（＆１の様に、トーチ１６１Ｖ
ｃよりワイヤ１１；の先端に放電をかけて加熱すると、
先端部が第３図（ｂｌの様に溶けて球状に形成される。
次１ｃ第８図（Ｏ；及び第８図１ｄｌの様にキャピラ’
）　　＋５１が下降してボール（７）を半導体素子（２
１上の電極１３１上に押圧すると共に、超音波ホーン１
９１　Ｋより超音波振動を印加してボンディングされる
。この時、半導体素子（２１ハ予め約２８０’Ｃに加熱
されている。
さらに、第８図１ｅｉ及び第３図ｔｆ＋の様にキャピラ
リー（５）ヲリードフレーム！４１上ｒｃ移助させた後
、下降させて押圧し、さらＶＣＮｉ音波ホーン（９）に
より超音波振動全印加してボンディングされる。
最後に、クランパ（８）がワイヤ４１をクランプした後
、キャピラリ・−１５１が所定の位置に上昇する。
その後クランパー（８）がワイヤ＋ＩＩをクランプした
状態で上昇し、ボンディング個所の上部でワイヤｉｌ＋
かちぎられて切断され、第８図１ａｌの状態に戻る。
以上のシーケンスを何度も繰り返してワイヤボンディン
グを行なう。
ここで、上記超音波ホーン（９）は従来、第４凶の様に
一方向（Ａ方向）にしか振動しないが、第６図の様に１
個のキャピラリー＋５１１７Ｉｌ：対し、直交する二方
向Ｖｃ５動させるために夫々側の超音波ホーンをＢ個接
続したもの（特公昭ｆ１３−４８８５５号公報）　もあ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のワイヤボンディング方法は以上の様に博成されて
いるので、振動子が直線的にしか振動しない場合ＶＣは
、第５図において１例えばＡ方向の集合リードｏ３１及
び１１４に比らべて、これと直角なり方向の集合リード
ａω及びＩＪＢＶｃは超音波振動エネルギーが伝わりに
くい。これは超音波振動方向（Ａ方向）に対するリード
の剛性の点でＢ方向集合リードＵ＋及び１．ＩＱの方が
Ａ方向集合リード・１：り及びＩよりも低いため％超音
波振動子を４えるキャピラリー１圃といっしょにＢ方向
果合リード０ω及びαＧも共振するという問題点がある
ばかりでなく、Ｂ方向果合リードＪ５１及び１１６１と
ワイヤＩｌｌとの接合が不十分で品質的に不安定である
という問題点があった。
第６図に示すものにおいては第４図の一方向だけでなく
直交する二方向のリードにおけるワイ’（ホ７　ティン
グについても適応できるものの、あらゆる方向のリード
ｒｃも適応は出来ない。
〔発明の目的〕
この発明は、上記の様な問題点を解消するためになされ
たものであらゆる方向に超音波振動が発生できると共に
、リードとワイヤの接合が完全で品質的に安定したワイ
ヤポンディング方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るワイヤボンディング方法ハ、縦振動を行
なう振動子と、ねじり振動を行なう振動子により、キャ
ピラリーに縦振動子とねじり振動を加えてボンディング
する様にしたものである。
〔作用〕
この発明に係るワイヤポンディング方法は、連結された
縦振動を行なう振動子とねじり振動を行なう振動子によ
り、キャピラリーに４振動とねじり振動を加えられてリ
ードフレームにワイヤがボンディングされる。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を嬉１図及び第２図について
説明する。
図において、（１０ａ）は縦振動（Ａ矢印方向）を行な
う振動子、（ｌｏｔ））はねじり振動（Ｃ矢印方向）を
行なう振動子、（ｌｌａ）及び（ｌｌｂ）は夫々縦振動
及びねじり振動を行なう振動子にエネルギーの供給？与
える超音波発振器、ｄ７１は上記部品から構成される超
音波ホーンを示す。
父、第２図μ第１図の斜視図を示し、Ｂ矢印はＡ矢印と
直角方向の振動方向を示す。尚、その池の符号の説明は
従来の説明と同じにつき省略する。
〔実施列の作用〕
上記の様ＶＣ構成されたものにおいては、ワイヤボンデ
ィングのポールボンディング方法は従来方法と同じであ
る。
ここで、第５図において、Ａ方向集合リードｔ１３１及
びＩにボンディングする時は従来例と同じく。
縦振動を行なう振動子（１０ａ）のみに超音波発振器（
ｌ　ｌａ）からエネルギーを与えキャピラリー１６）を
入方向に振動させる。
次に、Ｂ方向集合リードａ均及び１Ｊｆ９にボンディン
グする時は、第１図の様にねじり振動を行なう振動子（
ｉｏｂ）のみに超音波発振器（ｌｌｂ）からエネルギー
を与えて振動子（１０ｂ）　ｋＣ方向に振動させる。そ
して、そのねじり振動がホーン１．１力からキャピラリ
ー、５）の先端に伝わるとキャピラリー＋６）けＢ方向
に振動する。
さらに、第７図のように振動子（１０ａ）の縦撮動と振
動子（１０１））のねじり振動を同一周波数で位相ｔｏ
ｏにし、縦振動とねじり振動による夫々の振幅を、超音
波発振器（ｌｌａ）　　及び（１１１））の印加エネル
ギーの増ｔｆＣＫよりＡｇ１すれば、任意の角度にキャ
ピラリー１５）の振動方向’ｔＫえられる。
例えば％第８図の様にＡ、Ｂ方向に対しθ−４５゜方向
にキャピラリー１５１を振動させたい時Ｖｉ縦振動とね
じり振動によるキャピラリー・６）の先端の振幅（Ｘｌ
）ｉ等しくなる様にすれば良い。以上から、縦及びねじ
り振動をさ成して、任意の角度にキャピラリー１６１を
赦蛎せしめることができる。従って、リードの方向と同
一方向にキャピラリー＋５１が振動できることになる。
〔他の実施列の説明〕
なお、上記実施例ではポールボンディング方法による例
を示したが、ウェッジボンディング方法においても同様
の効果倉奏する。
〔発明の効果〕
以上の様に、この発＃４によれば縦振動を行なう振動子
とねじり振動を行なう振動子を設けると共に、縦振動と
ねじり振動の合成により任意の方向にキャピラリー？赦
納する様に構成したので、リードの方向と同一方向にキ
ャピラリーを振動させることができ、超音波振動方向に
対するリードの剛性が最も高くなり、リードとキャピラ
リーが共振することがなくなり、リードとワイヤとの接
合が完全となり品質的に安定したものが得られる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はこの発明を説明するための超音波ホ
ーンの１１１１ＩＵＩＪ図と斜視図、第８図は従来のワ
イヤボンディング装置におけるワイヤボンディングの主
要段階倉示す工程図、第４図は従来例ヲ伐明するための
超音波ホーンを示す概略図、第５図はワイヤボンディン
グ後、リードフレームを上面から見た図、第６図は他の
従来例を説明するための超音波ホーン部分を示す平面図
、第７図は縦振動とねじり振動の周波数を図中１，６）
はキャピラリー　（１０ａ）及び（ｌｏ→は振動子、（
ｌｌａ）及び（ｉｌｌ））超音波発振器、（Ｉ２１はホ
ーン、０ηは超音波発振器である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ボンディング用ワイヤに超音波振動を加えるホーンを有
    し、リードフレームに半導体素子の電極をワイヤで接続
    するワイヤボンディング装置において、縦振動を行なう
    振動子とねじり振動を行なう振動子とによりキャピラリ
    ーに縦振動とねじり振動とを加えてボンディングするこ
    とを特徴とするワイヤボンディング方法。
JP1262360A 1989-10-06 1989-10-06 ワイヤボンデイング方法 Pending JPH03124039A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1262360A JPH03124039A (ja) 1989-10-06 1989-10-06 ワイヤボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1262360A JPH03124039A (ja) 1989-10-06 1989-10-06 ワイヤボンデイング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03124039A true JPH03124039A (ja) 1991-05-27

Family

ID=17374660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1262360A Pending JPH03124039A (ja) 1989-10-06 1989-10-06 ワイヤボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03124039A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08124974A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Nec Corp 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置
JPH08153759A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Nec Yamagata Ltd シングルポイントボンダーおよび半導体装置の製造方法
JPH08153758A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Nec Corp 超音波ワイヤボンディング装置及び方法
JP2010060022A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 防振ブッシュ
WO2023063431A1 (ja) * 2021-10-17 2023-04-20 株式会社新川 超音波ホーン及びボンディング装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08124974A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Nec Corp 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置
JPH08153758A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Nec Corp 超音波ワイヤボンディング装置及び方法
JPH08153759A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Nec Yamagata Ltd シングルポイントボンダーおよび半導体装置の製造方法
JP2010060022A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 防振ブッシュ
WO2023063431A1 (ja) * 2021-10-17 2023-04-20 株式会社新川 超音波ホーン及びボンディング装置
JPWO2023063431A1 (ja) * 2021-10-17 2023-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7523775B2 (en) Bonding apparatus and method of bonding for a semiconductor chip
JPH03124039A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH0677271A (ja) 超音波ワイヤボンデイング方法
JPH02101754A (ja) ボンディング方法及びボンディング装置
JP2812104B2 (ja) 超音波ワイヤボンディング装置
JPH0258845A (ja) 超音波ワイヤボンディング装置
JPH08153759A (ja) シングルポイントボンダーおよび半導体装置の製造方法
US7150388B2 (en) Method of bonding and bonding apparatus for a semiconductor chip
JPS63242479A (ja) 複合振動を用いた超音波溶接方法およびその装置
JPH04372146A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH0927377A (ja) 電線の接続方法及び接続装置
JPH10323620A (ja) 超音波振動装置
JPH01146207A (ja) 超音波接合用被覆付線材
JPH11345819A (ja) ボンディングツールおよびボンディング装置
JPH0344051A (ja) ワイヤボンディング方法
JP4109074B2 (ja) 超音波ホーンとそのツール保持方法及びそれを用いたバンプボンディング装置
JP2814608B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPS60189233A (ja) 超音波駆動装置
JP2574054B2 (ja) ワイヤボンダ及びワイヤボンディング方法
JPH0153508B2 (ja)
JP2000208560A (ja) 超音波複合振動を用いた半導体チップの基板への実装方法
JPS6387734A (ja) 超音波ワイヤボンデイング装置
JPH0482056B2 (ja)
JP2716989B2 (ja) 超音波振動子の製造方法
JPH07274554A (ja) 超音波リニアモータ