JPH03116016A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH03116016A JPH03116016A JP25234389A JP25234389A JPH03116016A JP H03116016 A JPH03116016 A JP H03116016A JP 25234389 A JP25234389 A JP 25234389A JP 25234389 A JP25234389 A JP 25234389A JP H03116016 A JPH03116016 A JP H03116016A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は加熱ヒータが非画像表示部を隠蔽する遮光層を
兼ねるようにすることにより、特に強話電液晶表示装置
における表示品位向上を図った液晶表示装置に関するも
のである。
兼ねるようにすることにより、特に強話電液晶表示装置
における表示品位向上を図った液晶表示装置に関するも
のである。
［従来の技術］
従来、強誘電液晶素子は、例えば第４図に示すように、
上下のガラス基板３，４に画素電極１゜１° （通常Ｉ
ＴＯ等の透明電極を用いる）をフォトリソグラフィ技術
で形成した後、ポリイミド膜のラビングによる配向処理
を行い、上下のガラス基板３．４間に強誘電液晶（例え
ばＣ５−１０１４（チッソ社製））を封入して構成して
いた。
上下のガラス基板３，４に画素電極１゜１° （通常Ｉ
ＴＯ等の透明電極を用いる）をフォトリソグラフィ技術
で形成した後、ポリイミド膜のラビングによる配向処理
を行い、上下のガラス基板３．４間に強誘電液晶（例え
ばＣ５−１０１４（チッソ社製））を封入して構成して
いた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来例の素子をマトリクス駆動する場合、
強誘電液晶のスイッチング特性が温度変化に対して敏感
なため、環境温度の変化にともなって駆動波形を変える
必要があった。また、液晶表示素子の温度を外部に設け
たヒータによって均一化することで温度変化の影響に対
処する方法も考えられている。
強誘電液晶のスイッチング特性が温度変化に対して敏感
なため、環境温度の変化にともなって駆動波形を変える
必要があった。また、液晶表示素子の温度を外部に設け
たヒータによって均一化することで温度変化の影響に対
処する方法も考えられている。
一方、強誘電液晶素子のもう１つの欠点として、画像切
換時の残像現象があるが、この現象を低減する手段につ
いてはほとんど開示されていない。強誘電液晶素子の残
像の主原因としては、上下の画素電極間のスペース部分
である被画素表示部２′ （以下、画素間という）上に
ある液晶のスイッチング特性による影響が大きいと考え
られる。すなわち、画素間の液晶の一部が画素電極上の
液晶より数百ｍ５ｅｃ〜数ｓｅｃ遅れてスイッチングす
るために、デイスプレィ画面上の表示では、画像切換時
の残像として肥識される。
換時の残像現象があるが、この現象を低減する手段につ
いてはほとんど開示されていない。強誘電液晶素子の残
像の主原因としては、上下の画素電極間のスペース部分
である被画素表示部２′ （以下、画素間という）上に
ある液晶のスイッチング特性による影響が大きいと考え
られる。すなわち、画素間の液晶の一部が画素電極上の
液晶より数百ｍ５ｅｃ〜数ｓｅｃ遅れてスイッチングす
るために、デイスプレィ画面上の表示では、画像切換時
の残像として肥識される。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、
液晶表示装置において、複雑な駆動回路なしに残像がな
くコントラストが高い表示を可能にすることにある。
液晶表示装置において、複雑な駆動回路なしに残像がな
くコントラストが高い表示を可能にすることにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため本発明では、液晶と、液晶を挟
んで各電極が交差して対向するように配置した電極群と
、液晶の温度を一定に保つ温度制御手段と、電極群に電
圧を印加して液晶を駆動することにより各電極の交差部
分に画素を形成する駆動手段とを備えた液晶表示装置に
おいて、温度制御手段は、各画素間の非画素表示部分を
隠蔽する電熱発生部分を備え、これに通電して液晶の温
度を一定に保つもような構成としている。
んで各電極が交差して対向するように配置した電極群と
、液晶の温度を一定に保つ温度制御手段と、電極群に電
圧を印加して液晶を駆動することにより各電極の交差部
分に画素を形成する駆動手段とを備えた液晶表示装置に
おいて、温度制御手段は、各画素間の非画素表示部分を
隠蔽する電熱発生部分を備え、これに通電して液晶の温
度を一定に保つもような構成としている。
電熱発生部分は、例えば、液晶を挟んで対向する電極群
が形成された双方の基板にストライプ状に形成され、あ
るいは、液晶を挟んで対向する電極群が形成された基板
のいずれか一方にメツシュ状に形成される。
が形成された双方の基板にストライプ状に形成され、あ
るいは、液晶を挟んで対向する電極群が形成された基板
のいずれか一方にメツシュ状に形成される。
液晶としては通常、強誘電液晶が用いられる。
［作用］
この構成において、液晶表示装置をマトリクス駆動する
場合、強誘電液晶のスイッチング特性は温度変化に対し
て敏感に変化するが、加熱制御手段によりて液晶の温度
が一定に制御されるため、電極群に印加する電圧の波形
を変化させる必要なく良好な表示が行なわれる。また、
各画素間の非画素表示部分の液晶は画素部分の液晶より
も数百ｍ５ｅｃ〜数ｓｅｃ遅れてスイッチングするが、
電熱発生部分が非画素表示部分を隠蔽しているため、残
像現象を生じることもない。
場合、強誘電液晶のスイッチング特性は温度変化に対し
て敏感に変化するが、加熱制御手段によりて液晶の温度
が一定に制御されるため、電極群に印加する電圧の波形
を変化させる必要なく良好な表示が行なわれる。また、
各画素間の非画素表示部分の液晶は画素部分の液晶より
も数百ｍ５ｅｃ〜数ｓｅｃ遅れてスイッチングするが、
電熱発生部分が非画素表示部分を隠蔽しているため、残
像現象を生じることもない。
［実施例〕
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例に係る液晶表示装置を
模式的に示す平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図
、そして同図（Ｃ）はＢ−Ｂ’断面図である。
模式的に示す平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図
、そして同図（Ｃ）はＢ−Ｂ’断面図である。
この液晶表示装置は、同図に示すように、強誘電液晶５
と、強誘電液晶５を挟んで各電極が交差して対向するよ
うに配置した電極群である画素電極１．１′と、強誘電
液晶５の温度を一定に保つ温度制御手段（第２図の温度
制御部１１およびヒータ電源１０を含む）と、画素電極
１，１°に電圧を印加して強誘電液晶５を駆動すること
により画素電極１．１′の各電極の交差部分に画素を形
成する駆動手段であるデイスプレィドライバ（第２図に
表示）とを備えており、加熱制御手段は、各画素間の非
画素表示部分を隠蔽する電熱発生部分であるストライプ
ヒータ７を備え、これに通電して液晶の温度を一定に保
つように構成されている。
と、強誘電液晶５を挟んで各電極が交差して対向するよ
うに配置した電極群である画素電極１．１′と、強誘電
液晶５の温度を一定に保つ温度制御手段（第２図の温度
制御部１１およびヒータ電源１０を含む）と、画素電極
１，１°に電圧を印加して強誘電液晶５を駆動すること
により画素電極１．１′の各電極の交差部分に画素を形
成する駆動手段であるデイスプレィドライバ（第２図に
表示）とを備えており、加熱制御手段は、各画素間の非
画素表示部分を隠蔽する電熱発生部分であるストライプ
ヒータ７を備え、これに通電して液晶の温度を一定に保
つように構成されている。
さらに実際の製造工程を参照して説明すれば、まず、上
ガラス基板３と下ガラス基板４にストライプ状の加熱ヒ
ータ（ストライプ状ヒータ電極、あるいはストライプヒ
ータともいう）７を通常のフォトリソグラフィの工程で
形成する。加熱ヒータの材質は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ
など比較的安定な金属が使用される。本実施例ではスパ
ッタ法で形成した膜厚１０００人のＭｏを用いている。
ガラス基板３と下ガラス基板４にストライプ状の加熱ヒ
ータ（ストライプ状ヒータ電極、あるいはストライプヒ
ータともいう）７を通常のフォトリソグラフィの工程で
形成する。加熱ヒータの材質は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ
など比較的安定な金属が使用される。本実施例ではスパ
ッタ法で形成した膜厚１０００人のＭｏを用いている。
次に、層間絶縁層６として膜厚１μｍの５ｉ０２を、ま
た画素電極１．１′として膜厚１５００人のＩＴＯを、
同様にスパッタ法で連続成膜する。
た画素電極１．１′として膜厚１５００人のＩＴＯを、
同様にスパッタ法で連続成膜する。
さらに、加熱ヒータ７のストライプパターンが画素電極
１．１°間のスペース部（画素間）を覆い隠す位置に画
素電極パターン１．１°を形成する。そして、これらの
処理が行なわれた基板３゜４にポリイミドを印刷した後
、ラビングによって配向処理を行なってから強誘電液晶
５ （Ｃ３−１０１４（チッソ製））を封入する。これ
によって、１０００ｘｌＯＯＯ画素でＡ４サイズの液晶
表示装置の作成が完了する。
１．１°間のスペース部（画素間）を覆い隠す位置に画
素電極パターン１．１°を形成する。そして、これらの
処理が行なわれた基板３゜４にポリイミドを印刷した後
、ラビングによって配向処理を行なってから強誘電液晶
５ （Ｃ３−１０１４（チッソ製））を封入する。これ
によって、１０００ｘｌＯＯＯ画素でＡ４サイズの液晶
表示装置の作成が完了する。
この液晶表示装置は、第２図に示すように、デイスプレ
ィドライバ９によってマトリクス駆動されるが、その間
、温度制御部１１によってヒータ電源１０を介して加熱
ヒータ７に通電され、温度制御される。
ィドライバ９によってマトリクス駆動されるが、その間
、温度制御部１１によってヒータ電源１０を介して加熱
ヒータ７に通電され、温度制御される。
この構成において、加熱ヒータ７に通電し、装置の温度
を４５℃±３．５℃に制御してマトリクス駆動を行なう
とともに、第４図に示した従来例の液晶表示装置を恒温
槽内に入れ４５℃±１℃に保って本実施例の場合と同じ
駆動波形でマトリクス駆動を行い、これらの表示品位を
比較したところ、残像時間は、従来例の場合が１０〜３
０秒であったのに対し、本実施例の液晶表示素子の場合
は１秒以下であり、非常に見易くなっていた。また、コ
ントラスト比も従来例の１．４倍となり、表示品位が格
段に向上していた。
を４５℃±３．５℃に制御してマトリクス駆動を行なう
とともに、第４図に示した従来例の液晶表示装置を恒温
槽内に入れ４５℃±１℃に保って本実施例の場合と同じ
駆動波形でマトリクス駆動を行い、これらの表示品位を
比較したところ、残像時間は、従来例の場合が１０〜３
０秒であったのに対し、本実施例の液晶表示素子の場合
は１秒以下であり、非常に見易くなっていた。また、コ
ントラスト比も従来例の１．４倍となり、表示品位が格
段に向上していた。
また本実施例の場合、第２図に示す様な温度制御手段を
備えているので、環境温度の変化に対応して駆動波形を
変える必要がなく、複雑な駆動波形発生回路を設ける必
要がないという利点もある。
備えているので、環境温度の変化に対応して駆動波形を
変える必要がなく、複雑な駆動波形発生回路を設ける必
要がないという利点もある。
［他の実施例］
第３図（ａ）〜（ｅ）は本発明の他の実施例に係る液晶
表示装置の平面図、およびそのＡ−Ａ断面図ならびにＢ
−Ｂ’断面図である。この液晶表示装置は、各画素間の
非画素表示部分を隠蔽する電熱発生部分である加熱ヒー
タ７の構成が上述実施例の場合と異なる。他の部分の構
成は上述実施例の場合と同様である。
表示装置の平面図、およびそのＡ−Ａ断面図ならびにＢ
−Ｂ’断面図である。この液晶表示装置は、各画素間の
非画素表示部分を隠蔽する電熱発生部分である加熱ヒー
タ７の構成が上述実施例の場合と異なる。他の部分の構
成は上述実施例の場合と同様である。
この場合の製造工程を説明すれば、まず、上ガラス基板
３または下ガラス基板４の一方にメツシュ状の加熱ヒー
タ７が画素電極１，１′の画素間ピッチに合わせて形成
される。加熱ヒータ７の形成方法及び材質は上述の実施
例の場合と同様である。次に、眉間絶縁層６としてＯＣ
Ｄ （東京応化類）を約１μｍの膜厚で印刷して形成す
る。その後、画素電極１，１′の形成および配向処理を
上述実施例と同様に行い強誘電液晶Ｃ５−１０１４（チ
ッソ製）を封入して１０００ｘｌＯＯＯ画素でＡ４サイ
ズの液晶表示素子の作成が完了する。
３または下ガラス基板４の一方にメツシュ状の加熱ヒー
タ７が画素電極１，１′の画素間ピッチに合わせて形成
される。加熱ヒータ７の形成方法及び材質は上述の実施
例の場合と同様である。次に、眉間絶縁層６としてＯＣ
Ｄ （東京応化類）を約１μｍの膜厚で印刷して形成す
る。その後、画素電極１，１′の形成および配向処理を
上述実施例と同様に行い強誘電液晶Ｃ５−１０１４（チ
ッソ製）を封入して１０００ｘｌＯＯＯ画素でＡ４サイ
ズの液晶表示素子の作成が完了する。
また、本実施例ではメツシュ状加熱ヒータ７のパターン
の一部を切断することで液晶表示素子の表示エリア内の
温度分布がより均一になるようにしている。
の一部を切断することで液晶表示素子の表示エリア内の
温度分布がより均一になるようにしている。
この液晶表示装置のメツシュ状加熱ヒータに通電し、装
置温度を制御してマトリクス駆動を行なったところ、温
度は４５℃±２．０ｔになった。
置温度を制御してマトリクス駆動を行なったところ、温
度は４５℃±２．０ｔになった。
この液晶表示素子を上述実施例と同様に従来例と比較し
て評価したところ、残像時間が従来例の場合の１０〜３
０秒に対し本実施例の場合が１秒以下、コントラスト比
が従来例の１．４倍という結果を得た。
て評価したところ、残像時間が従来例の場合の１０〜３
０秒に対し本実施例の場合が１秒以下、コントラスト比
が従来例の１．４倍という結果を得た。
なお、本実施例においても上述実施例と同様に複雑な駆
動波形発生回路を設ける必要はない。
動波形発生回路を設ける必要はない。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、電熱発生部分が非
画像表示部（画素間）を隠蔽する遮光層を兼ねるように
したため、残像がなくコントラストが高い強誘電液晶表
示装置を複雑な駆動回路なしに実現できる。
画像表示部（画素間）を隠蔽する遮光層を兼ねるように
したため、残像がなくコントラストが高い強誘電液晶表
示装置を複雑な駆動回路なしに実現できる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例に係る液晶
表示装置の平面図およびそのＡ−Ａ’断面図ならびにＢ
−Ｂ’断面図、 第２図は、第１図の装置の温度制御機構を示すブロック
図、 第３図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の他の実施例に係る液
晶表示装置の平面図およびそのＡ−Ａ断面図ならびにＢ
−Ｂ’断面図、そして第４図（ａ）〜（ｃ）は、従来例
に係る液晶表示素子の平面図およびそのＡ−Ａ’断面図
ならびにＢ−Ｂ’断面図である。 １．１° ；画素電極、２：非画像表示部、３：土ガラ
ヌ基板、４：下ガラス基板、５：強話電液晶、６・層間
絶縁層、７：ヒータ電極、８：メツシュ状ヒータ電極、
９：デイスプレィドライバ、１０：ヒータ電源、１１；
温度制御部。 特 許 出 願 人 キ ャノ ン株式会社 代 代 理 理 人 人
表示装置の平面図およびそのＡ−Ａ’断面図ならびにＢ
−Ｂ’断面図、 第２図は、第１図の装置の温度制御機構を示すブロック
図、 第３図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の他の実施例に係る液
晶表示装置の平面図およびそのＡ−Ａ断面図ならびにＢ
−Ｂ’断面図、そして第４図（ａ）〜（ｃ）は、従来例
に係る液晶表示素子の平面図およびそのＡ−Ａ’断面図
ならびにＢ−Ｂ’断面図である。 １．１° ；画素電極、２：非画像表示部、３：土ガラ
ヌ基板、４：下ガラス基板、５：強話電液晶、６・層間
絶縁層、７：ヒータ電極、８：メツシュ状ヒータ電極、
９：デイスプレィドライバ、１０：ヒータ電源、１１；
温度制御部。 特 許 出 願 人 キ ャノ ン株式会社 代 代 理 理 人 人
Claims (4)
- （１）液晶と、液晶を挟んで各電極が交差して対向する
ように配置した電極群と、液晶の温度を一定に保つ温度
制御手段と、電極群に電圧を印加して液晶を駆動するこ
とにより各電極の交差部分に画素を形成する駆動手段と
を備えた液晶表示装置において、温度制御手段は、各画
素間の非画素表示部分を隠蔽する電熱発生部分を備え、
これに通電して液晶の温度を一定に保つものであること
を特徴とする液晶表示装置。 - （２）電熱発生部分は、液晶を挟んで対向する電極群が
形成された少なくとも一方の基板にストライプ状に形成
されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - （３）電熱発生部分は、液晶を挟んで対向する電極群が
形成された基板のいずれか一方にメッシュ状に形成され
る請求項１記載の液晶表示装置。 - （４）液晶が強誘電液晶である請求項１記載の液晶表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25234389A JPH03116016A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25234389A JPH03116016A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116016A true JPH03116016A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17235957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25234389A Pending JPH03116016A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116016A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998023406A1 (fr) * | 1996-11-29 | 1998-06-04 | Komatsu Ltd. | Procede et dispositif pour le marquage au laser et procede d'activation pour element a cristaux liquides |
| JP2006119418A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Gunze Ltd | 透明面状発熱体及びその製造方法 |
| JP2008111870A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| KR101024646B1 (ko) * | 2004-03-23 | 2011-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 구동장치 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP25234389A patent/JPH03116016A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998023406A1 (fr) * | 1996-11-29 | 1998-06-04 | Komatsu Ltd. | Procede et dispositif pour le marquage au laser et procede d'activation pour element a cristaux liquides |
| US6184917B1 (en) | 1996-11-29 | 2001-02-06 | Komatsu Ltd. | Laser marking method and apparatus and liquid crystal element driving method |
| KR101024646B1 (ko) * | 2004-03-23 | 2011-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 구동장치 |
| JP2006119418A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Gunze Ltd | 透明面状発熱体及びその製造方法 |
| JP4662751B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2011-03-30 | グンゼ株式会社 | 透明面状発熱体及びその製造方法 |
| JP2008111870A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
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