JPH03101128A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体チップの製造方法に関する。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上述した半導体チップの製造技術において、例
えば第３図（Ａ）に示すように、ウェハ１にバンブ電極
のような突起部２・・・が形成されている場合には、保
護用の樹脂フィルム３を熱圧着等で接着すると、樹脂フ
ィルム３が均一な膜厚であるため、ウェハ１の突起部２
・・・に応じて突出する。このウェハｌをバックグライ
ドする際には、ウェハｌの樹脂フィルム３側を台座４上
に吸着させて固定する。すると、第３図（Ｂ）に示すよ
うに、樹脂フィルム３の表面全体が台座４に密着するよ
うに吸着されるので、突起部２・・・と対応する部分の
ウェハ１が突起部２・・・の厚さだけ上方へ突出する。

この状態で、１点鎖線で示す箇所までウェハｌを水平に
バックグライドすると、突起部２・・・と対応する部分
のウェハ１がその周囲部分よりも多く切削される。その
ため、ウェハｌを台座４上から取り外してウェハｌから
樹脂フィルム３を剥離すると、第３図（Ｃ）に示すよう
に、ウェハｌは自身の弾性で復帰するが、均一な厚さに
ならず、突起部２・・・と対応する部分がその周囲全域
よりも薄くなり、割れや欠は等が生じやすくなるという
問題がある。

この発明の目的は、ウェハな均一な厚さに薄く形成でき
、割れや欠は等が生じ難い半導体チップの製造方法を提
供することである。

［課題を解決するための手段］ この発明は、突起部を有する半導体チップが形成された
ウェハの表面に保護樹脂層を前記突起部よりも厚く形成
して硬化させ、この後、ウェハを固定して裏面側をバッ
クグラインドし、しかる後、保護樹脂層をウェハから剥
離し、このウェハをダイシングして個々の半導体チップ
に分離することにある。

［作用］ この発明によれば、突起部を有する半導体チップが形成
されたウェハの表面に保護樹脂層を前記突起部よりも厚
く形成するので、保護樹脂層の表面を平滑化することが
できる。しかも、この保護樹脂層を乾燥処理等により硬
化させるので、例えばウェハの保護樹脂層側を台座等に
吸着させて固定する際に、ウェハが突起部によって変形
することがなく平坦な状態で固定できる。この状態で、
ウェハの裏面側をグラインドするので、ウェハを均一な
厚さに薄く形成することができる。そのため、保護樹脂
層をウェハがら剥離し、このウェハをダイシングして個
々の半導体チップに分離しても、割れや欠は等を防ぐこ
とができる。

［実施例］ 以下、第１図〜第２図を参照して、この発明の詳細な説
明する。

第１図（Ａ）〜（Ｃ）は半導体チップの製造工程を示す
。第１図（Ａ）において、１０はウェハを示す。このウ
ェハ１０は、図示はしないが、所定の半導体素子および
内部配線が形成された上、外部装置に接続されるバンブ
電極１１が、内部配線よりも突出して形成されているも
のである。このウェハ１０は、次に、バンブ電極１１を
、例えば、テープキャリア、配線基板または表示装置等
の外部装置の電極にポンディング可能とするため、個々
の半導体チップに分離されるものである。このため、こ
こまでの工程では、製造工程中の割れを防止するために
ウェハｌＯは、最終の半導体チップよりも厚く形成され
ている。従って、ここで、ウェハｌＯの裏面側をグライ
ンドして、最終の半導体チップの厚さにした上、個々の
半導体チップに切断するものである。

先ず、第１図（Ａ）に示すようにウェハ１０の表面に比
較的粘度の高いレジスト液を滴下したうえ、ウェハ１０
を回転させてレジスト液をバンブ電極１１・・・よりも
厚い−様な層厚にスピーンコーティングする。このとき
、ウェハ１０の周縁部分にレジスト液が滞留して盛り上
り部が形成された場合には、必要に応じてエツジリンス
処理等により周縁部分の盛り−Ｌり部を洗い落す平滑化
処理を施す。この後、レジスト液を所定の温度で乾燥さ
せて硬化させることにより、半導体チップおよびバンブ
電極１１・・・を保護する保護樹脂層１２が−様な層厚
で形成される。

次に、第１図（Ｂ）に示すように、ウェハｌＯを上下反
転させて保護樹脂層１２を下にし、この保護樹脂層１２
を台座１３上に配置して真空吸着により、ウェハｌＯを
台座１３上に固定する。このとき、保護樹脂層１２はバ
ンブ電極１１・・・よりも厚い−様な層厚で形成されて
いるので、ウェハｌＯから突出したバンブ電極１１・・
・にょリウェハ１０が変形することがなく平坦な状態で
固定される。この状態で、同図（Ｂ）に１点鎖線で示す
箇所までバックグラインドし、ウェハ１０を薄くする。

このとき、ウェハｌＯは平坦な状態で固定されているの
で、均一な厚さで薄く形成される。なお、バックグライ
ンドとは、グラインダ等による機械的な切削加工のほか
、ウェットエツチングやドライエツチング等による化学
的な加工も含むものである。

この後、第１図（Ｃ）に示すように、ウェハｌＯを台座
１３上から取り外してレジスト溶解液に浸すことにより
、ウェハ１０の表面から保護樹脂層１２を剥離する。そ
して、ウェハｌＯをダイシングして個々の半導体チップ
に分離する。このように半導体チップを分離する際、お
よび分離された各半導体チップは、バンブ電極１１・・
・と対応する部分のウェハｌＯが薄くならずに均一であ
るから、割れや欠は等が発生し難い。

第２図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ他の実施例を示す。すな
わち、第２図（Ａ）はバンブ電極１１・・・を形成する
ためのフォトレジスト１４を厚く形成した場合である。

この場合には、バンブ電極１１・・・を形成する際に、
予め、ウェハｌＯの表面にフォトレジスト１４をバンブ
電極１１・・・よりも厚く形成し、このフォトレジス）
１４の不要な部分つまりバンブ電極１１・・・と対応す
る部分を除去して硬化させる。この後、除去した部分に
メツキを施してバンブ電極１１・・・をフォトレジス）
１４よりも薄く形成する。すると、フォトレジスト１４
の表面はバンブ電極１１・・・の表面よりも高いので、
そのままフォトレジスト１４を保護樹脂層１２として用
いることができる。そのため、前述した実施例のように
新たに保護樹脂層１２を形成する必要がないので、製造
工程の簡素化を図ることができる。

第２図（Ｂ）はバンブ電極１１・・・の表面の汚染等の
悪影響が懸念される場合、もしくはバンブ電極１１・・
・の上部がフォトレジス）１４よりも突出する場合等で
ある。この場合には、メツキを施してバンブ電極１１・
・・を形成した後、このフォトレジス）１４およびバン
ブ電極１１・・・上に再度フォトレジスト１５を−様な
層厚に形成して、２層構造の保護樹脂層１６を形成する
。このように形成された保護樹脂層１６においても、前
述した実施例と同様、バンブ電極１１・・・を保護した
状態でウェハ１０を均一な厚さに薄く形成することがで
きる。しかも、この保護樹脂層１６を剥離する場合には
、同じレジスト溶解液で各フォトレジスト１４．１５を
連続して除去することができる。

なお、この発明にいう半導体チップとは、トランジスタ
、ダイオード集積回路チップの他に、このような半導体
素子が形成されたイメージセンサ、サーマルヘッド等も
含むものである。また、保護樹脂層の剥離とウェハのダ
イシングとは、いずれが生の工程であっても良いもので
ある。

［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、この発明によれば、ウェハ
の表面に保護樹脂層を半導体チップの突起部よりも厚く
形成して硬化させるので、ウェハが突起部によって変形
することがなく平坦な状態で固定され、この状態でウェ
ハの裏面側をバックグラインドするので、ウェハを均一
な厚さに薄く形成することができる。そのため、保護樹
脂層をウェハから剥離し、このウェハをダイシングして
個々の半導体チップに分離しても、割れや欠は等を防ぐ
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明に係る半導体チップの
製造工程を示す要部拡大断面図、第２図（Ａ）および（
Ｂ）はそれぞれ他の実施例を示す要部拡大断面図、第３
図（Ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体チップの製造工程を示
す要部拡大断面図である。 １ ０・・・・・・ウェハ、 １・・・・・・バンプ電極、 ｌ　２． １６・・・・・・保護樹脂層、 １４・・・・・・フォトレジスト。 特 許 出 願 人 カシオ計算機株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 突起部を有する半導体チップが形成されたウェハの表面
   に保護樹脂層を前記突起部よりも厚く形成して硬化させ
   る工程と、 前記ウェハを固定して裏面側をバックグラインドする工
   程と、 前記保護樹脂層を剥離して前記ウェハをダイシングする
   ことにより、個々の半導体チップに分離する工程と、 からなる半導体チップの製造方法。