JPH0299824A - 改善された位置センサー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本出願は、米国特許出願ＵＳＳＮ２２９．３９６、ＵＳ
ＳＮ２Ｂ９．６４３およびＵＳＳＮ２８９．６４６に基
づく本出願と同日出願の日本国特許出願に関連するもの
である。

本発明はたとえばＵ　Ｓ　−Ａ−４，６１２，５０２中
で述べられている特許請求の範囲第１項の前文で明らか
にされているような位置センサに係る。より具体的には
、それは磁束感応要素を貫く磁束の変化を検出するため
の改善された磁気抵抗センサを存する改善されたー磁界
惑応システムに係る。

本発明は更にすでに述べられかつサデウスシェローダ−
（Ｔｈａｄｄｅｕｓ　５ｃｈｒｏｅｄｅｒ）及びブルー
ノ・ピー・ビー・レクスネ（Ｂｒｕｎｏ　Ｐ、　Ｂ、　
Ｌｅｇｕｅｓｎｅ）の名で、“位置センサ”という名称
で出願されたＵＳＳＮ　２２９，３９６に基く上で引用
した日本特許出願中の特許請求の範囲中に含まれている
改善された磁界感応システムの改良である。

正確でかつ容易に位置、速度又は加速度を計測すること
の必要性が、大きくなりつつあり、特に自動車の分野で
は強い。アンチロック・プレーキシステト、トラクショ
ン制御システム、電気パワーステアリング、四輪ステア
リング及びスロットル制御はそのような計測を使用でき
る機能の例である。そのような用途は正確さ及び精密さ
だけでなく、しばしば厳しい環境を含む。そのようなシ
ステムの価格も重要な要因である。

そのような用途に対し、強固でかつ信頼性があり、小型
で安価であり、（ゼロを含み）低速に感応し、自動車中
に用いられる他の制御システムからの電磁界の妨害を比
較的感じない位置センサ（速度及び加速度は位置信号か
ら導かれる）をもつことが望ましい。

位置セン°す′の周知の型は、半導電性磁気抵抗センサ
である。そのようなセンサは２つの基本部分を含む磁気
回路から成る。これらの部分の１つは典型的な場合静止
を保ち、半導電性感応性要素を含み、それはその表面を
貫く磁束密度に感応し、更に基準磁束を発生させるため
の永久磁石を含む。

２つの部分の他方はエキサイタとよばれ、一連の歯型を
有する高透磁率要素をｉｔ・。その要素は磁気回路の抵
抗を変え、歯型のイ装置に対応するように、感応要素を
貫く磁束を変えるため、静止要素に対して移動する。

そのようなセンサは、磁束密度の変化により、磁束密度
に感じ、従ってそれは速度の下限は持たない。そのため
、Ｅ、Ｍ、１に対する感度は低い。

更に、その応答は感応要素の表面上の磁束密度分布に関
連し、予測できる。

典型的な場合、静止部分は磁束抵抗要素を含・ろ、それ
は抵抗がそれを貫く磁束密度とともに制御よく変化し、
それによって電気出力信−Ｊが導かれる半導電性要素を
含む。更に、この磁気抵抗器をインジウムアンチモン又
はインフラｌ、ひ素などの化合物半導体のような高電子
移動度半導体から生成すると、大きな電気出力信号が得
られる。もし出力信号が十分大きければ、更に増幅する
必要が無いか全くない出力信号が得られる可能性がある
。

このことはかなり有利な要因である。

高感度で大電気出力信号が効率よ＜１：＋られ、似転性
よく低価格で製作できる位置センサをもつことが望まし
い。

エキサイタの位置の与えられた変化に対する感応要素の
磁束変化の大きさは、センサの感度を決る重要な要因で
ある。従って、エキサイタ位置の与えられた変化に応答
し、センサを貫く磁束密度の変化を最大にするためにこ
れまで各種の設計が試みられてきた。典型的な場合これ
らの試みは磁石の磁界に対する帰還路を作るため、磁気
回路の静止部分中に含まれた永久磁石のための磁束誘導
部を含む。加えて、磁気抵抗要素を貫く磁束を集めるた
め、磁気抵抗要素に隣接して、同じ大きさの磁界集中器
がしばしば用いられた。

しかし、たとえばそのような技術は典型的な場合、３ミ
リメートルの歯型ピッチと１ミリメートルの間隙を有す
る典型的なエキサイタでは、せいぜい約５パーセントの
磁気回路感度をもつ。この場合、感度は測定され最大及
び最小磁束密度間の差を、測定された平均磁束密度（測
定された最大及び最小磁束密度の和の半分）で割った値
で定義される。

上でより十分に述べたｕｓｓＮ　２Ｂ’ｌ、６３４及び
ＵＳＳＮ２８９．６４６に基く２つの関連した日本国特
許は出願法である。これらの２つの関連した特許出願は
新しい型の磁気抵抗体薄膜要素の製作と特性について述
べている。ＵＳＳＮ　２８９，６３４に基く特許出願は
、半ｍ縁性インジウムリン（１ｎＰ）　ｇ板上へのイン
ジウムひ素（ＩｎＡｓ）ずなわら狭禁制帯゛Ｉ′−導体
の薄膜成長プロセスについて詳しく述べ、かつこのデバ
イスは磁界に対する磁気抵抗のかなり大きな感度をもつ
ことを示している。ＵＳＳＮ　２８９，６４６に基く特
許出願は高密度、高移動度電子の薄い表面層（蓄積層又
は反転層として知られる）の存在に恭くデバイスの感度
を増す各種の方法について、概略を述べている。そのよ
うな電子の蓄積又は強い反転層は各種の半導体薄膜材料
中に誘導できる。ここで述べたデバイスはそれ以上あま
り開発をしなくても、各種の磁界感応用途に用いること
ができる。

より厳しい動作条件（たとえば自動車中に存在するもの
）下で位置センサとしてこれらの磁気抵抗体を応用する
ときは、磁気抵抗体に適当な測定システムを設ける必要
がある。

発明者はＵＳＳＮ　２２９．３９６に対する日本国特許
出願に述べられている型の磁気回路は、磁界を集中させ
るのに有効であるため、同じ用途に対し感度の低い磁気
抵抗体で十分動作することを認識した。

加えて、発明者らはある種の感度の低い磁気抵抗材料が
、より高温で磁気的に感度が高いことを認識シタ。発明
者ハマタ、［ｌ５ＳＮ　２８９，６３４及びＵＳＳＮ２
Ｂ９，６４６に基く特許出願の改善された磁気抵抗体の
考えは、磁気的感度の低い材料の感度を上け′る〕とを
認識した。発明者はこれらすべ°Ｃの考えを組合せるご
とにより、特に著しい利点が得られることを認識した。

本発明の出願は特にその組合せについて述べ、特許請求
の範囲とする。

ＵＳＳＮ　２８９，６３４及びｌｌ５ｓＮ　２８９，６
４６に基く特許出願で述べられている改善された磁気抵
抗体が、そのようなセンサシステムにおいて特に望まし
いということには、いくつかの理由がある。その理由に
ついてｌ’＜要さの順序にはよらず述べる。第１に、こ
れらセンサが極めてコンバク１−であるため、空間的な
制限によらず、任意の位置でそれらを理想的に使用する
ことができる。第２にそれらの磁界に対する感度が改善
されたごとにより、エキサイタホイールに対するセンサ
の位置について、設３１上大きな自由度が得られる。こ
のことばエキサイタとセンサ間の空気間隙が、電気信号
の大きさを小さくすることなく、感度の低いデバイスの
場合でも大きくできることを意味する。このことは振動
と熱膨張の問題のため、エキサイタホイールに対するセ
ンサの近接度を制限する用途で立証される。また、改善
された磁気抵抗体の感度の温度に対する安定性がよいこ
とから、温度が一５０℃から１２００℃にもなりうる自
動車アンチロックブレーキシステムのような厳しい温度
環境でも、それらを用いることが可能である。他の用途
では１３００℃もの高温で動作することを要求されろこ
とがある。発明者はＵＳＳＮ　２２９，３９６に対応す
る日本国特許出願に述べられている磁気回路によりシス
テムの感度が増すという考え及びＵＳＳＮ　２８９，６
３４とＵＳＳＮ　２８９，６４６に基く特許出願に述べ
られている考えにより磁気抵抗体の感度が増すというこ
とを組合せることにより、広範囲の半導体材料が磁界セ
ンシングに使用できると信じる。以前には許容できない
と考えられた材料も使用でき、より高温でも許容しうる
動作をすることができる。これによりそのようなセンシ
ングが実行される用途が広がり、他の利点も生じる。

従って、本特許出願で提案された組合せは、直線又は回
転位置測定システムの一部として、自動車用に特に魅力
があると考える。

本発明に従う位置センサは、特許請求の範囲の一部に述
べられた点を特徴とする。

本発明は位置センサ中の新しい磁気回路である。

それは回路を著しく改善する新しい型の磁気抵抗体を肪
徴とする。その組合せは簡単で形態は平坦で、それによ
って多数の同時生産が可能になり、製造価格が下る結果
となる。更に、従来技術の構造よりかなり高い高温にお
ける感度とセンシングが可能になる。

特に、新しい磁気回路は幅が磁気センサ要素より何倍か
広い幅をもつ永久磁石を含め、エキサイタ歯型のピッチ
は少くとも約１．５倍となり有利である。センシング要
素はセンシング領域表面上に蓄積層をもつ磁気抵抗体で
ある。更に、感度を改善するための好ましい実施例にお
いて、歯型が近接して通過する磁石の表面には、高透磁
率の磁気材料の薄い層が形成される。磁気センサ要素は
この磁気層上に中心を置くのが有利で、ＵＳＳＮ　２８
９，６３４又はＵＳＳＮ　２８９，６４６に基く特許出
願中に述べられている。加えて、磁気センシング要素の
幅は感度を最大にするため狭い方が望ましいが、測定さ
れている磁束から生じる特性の変化を検出するのに用い
られる電気回路とのインピーダンス整合をよくするため
、適当な抵抗をもつよう十分広いことが望ましい。適当
な強さの磁石を用いることにより、磁束ガイド又は磁界
集中器の使用が避けられることが好ましい。

通過するエキサイタの歯型がセンサ要素により容易に測
定できる鋭い局所的な磁束密度の変化を発生させるため
、本質的に磁石の幅に沿った磁束密度の空間分布のみを
変化さ−Ｌｍいフェロ磁石層を通過する全磁束密度は本
質的に一定に保たれることが、この磁気回路の特徴であ
る。比較のため、従来の磁気回路においては、エキサイ
タの歯型は回路の自由度を変化させ、その結果回路中の
全磁束が変化する。

上で述べたように、ＵＳＳＮ　２８９．６３４及びＵＳ
ＳＮ２８９．６．１６に基く特許出願中で述べられ請求
範囲に含まれた磁気抵抗器を作成する新しい方式である
。

もし、半導体材料のきわめて薄い膜の表面中に蓄積層が
誘導されるなら、磁気感度に関係する蓄積層の特性は、
薄膜の残りの部分を支配する。

そのような蓄積層はより禁制帯の大きな半導体材料を磁
気抵抗体に有用なものとする。そのような材料はインジ
ウ１、アンチモンのような禁制帯の狭い半導体より、よ
り高い動作温度で使用できる。

しかし、それはインジウムアンチモンの感度をより高温
において使用できるよう十分高くさえする。

この議論において、“蓄積層”という用語が用いられる
。この特許出願において、“蓄積層”というのはまた、
特に断りのない限り反転層も含むこととする。

蓄積層は特に広禁制帯半導体材料で作られた磁気抵抗体
中で用いるようにされる。しかし、他の半導体材料で作
られた磁気抵抗体中でも（−１利であることが期待され
る。

典型的な磁気抵抗体要素は典型的な場合形状が長方形で
、それを貫いて電流が流れる半導体の平板から成る。そ
のような磁気抵抗体については、ニス・カタオカ（Ｓ、
　Ｋａｒａｏｋａ）により“磁気抵抗デバイスと応用の
最近の発展”電子技術総合研究所サーキュラ−２第１８
２号、エイジ１−シシー・オブ・インダストリアル・サ
イエンス・テント・テクノロジー、東京（１９７４年１
２月）中に述べられている。

磁界が無い時、電流線は１つの注入電極から平行線中の
他方へ行く　（第１Ａ図参照）。この流れは第１Ａ図中
の長方形の最１一部及び底部間に沿った電極間である。

形状（この例では長方形）は平板に垂直に磁界が印加さ
れた時、電流線軌道が増す。長方形の平面に対し垂直な
磁界は、このように電流線を長くする。長さが大きいほ
ど、電気抵抗は大きくなる。得られる横方向電圧差が図
示されるように、最」二部及び底部端部電極により電気
的に短絡されるほど長くなる。

この効果を発生させるための最善の形状は、電流注入電
極が長方形の最も長い側に沿い、最短の寸法（“長さ”
）に対するこの寸法（“幅″）の比は、可能な限り大き
くする。長方形センシング領域の短い方の端部の長さは
、長方形センシング領域の長い方の端部に沿った長さの
約３０′Ａ５０％が好ましい。そのような光デバイスの
形態は、従って抵抗を非常に低くする。カタオカの教え
は、そのようなデバイスの磁界感度は、できるだけ大き
なキャリヤ移動度を有する半導体で作ると最善であると
いうことである。羊のようなデバイスの抵抗率は半導体
材料が高いドナ濃度を含み、キャリヤ密度が高い時、温
度依存性が小さくなる。

これら最後の２つの制約は、高感電率を有する半導体が
実際の用途には最も適していることを暗示している。

先に述べた形状についての制約と組合さって最終的な磁
気抵抗要素は低い抵抗をもつであろうことが推測できる
。これは実際的な欠点である。

定電圧下において、デバイスが放出するパｉノーは、抵
抗の逆数に比例する。センザ測定中大きな電圧出力を保
ちなからオーム性加熱（センサ自身を破壊しなければ、
それはセンサの動作温度を制限する）をおさえるために
は、磁気抵抗要素は約ＩＨＨの抵抗をもつことが望まし
い。発明者はこれが典型的な場合約３００Ｗ−３ＫＷの
抵抗と等価であると考える。そのような抵抗を実現する
ため、多（の方法が提案されてきた。たとえば、カタオ
カは多数の要素デバイスを直列に置けることを指摘して
いる。単一要素の集積部分として、複数のセンサ領域を
作ることが、第２図に示されている。

２つだけのセンサ領域（すなわちデバイス）が示されて
いるが、数十又は数百の集積センサ領域（すなわちデバ
イス）を作ることはできる。

もし、そのような要素デバイスの１つの（磁界依存性の
ある）金属−半導体界面接触抵抗が、この要素デバイス
の半導体抵抗のかなりの割合をしめるなら、それは磁界
に対する感度を下咋゛６．従って、この感度劣化を防止
するため、非常に低い金属−半導体界面接触抵抗をもつ
金属を堆積させなければならない。はとんどの場合、セ
ンサ領域とその電極との間の界面接触抵抗は、これら電
極間のセンサ領域の抵抗のＩ　Ｏ−１００分の１の大き
さであることが望ましい。磁気抵抗デバイスの低抵抗に
ついての問題を軽減するもう１つの選択は、できる限り
薄い活性層を用いることであった。このことはハルクイ
ンゴソトから薄く切り出したインジウムアンチモン（ｌ
ｎｓｂ）のウェハを１０ミクロンもの薄さに薄くするこ
とによって行われてきた。ウェハを薄くするプロセスは
そのプロセスから生した残留損傷が電子移動度を下１す
るｈめ、非常に難しいプロセスである。電子移動度が下
げ′るヒ。

この材料で作られたデバイスの磁界に対する感度が減少
する。

別の方法はＪｎＳｂの薄膜を絶縁性基板上に堆積させる
ことであった。他方、この後者の場合、得られた薄膜の
電子移動度は、バルクＩｎＳｂのそれの何分の１かまで
減少した。この減少は薄膜中の欠陥により起る。　２０
，０００Ｃｏ＋”シー’５ｅｃ−’とい・）典型的な移
動度をもつと、これらの薄膜を使った時バルク１ｎｓｂ
から作られたデバイスに比べ磁界に対する感度が著しく
減少したデバイスができる。薄膜で作られた従来の磁気
抵抗体に有用なデバイス構造が、第２図に概略的に示さ
れている。

従来技術の大多数は、これまでＩｎＳｂに焦点を絞って
きた。このことは下の第１表中のデータから理解できる
。

磁気抵抗効果は磁界が小さい場合には電子移動度の２乗
に比例するから、１ｎｓｂは非常に望ましい。しかし、
一般に化合物半導体を成長させることの難しさとそれを
上に成長さ−Ｕる適当な格子整合のとれた絶縁性基板が
ないという事実から、発明者は旧薄膜を成長させること
を試めできた。

そのような仕事についは、これまでパーチン（Ｐａｒｔ
ｉｎ）　らにより、フィジカル　レビュー（ハｎ１ｃａ
ｌ　　Ｒｅｖｉｅｗ）　　Ｂ、３８．３８１Ｂ−３８２
４（１９８８）に、またへレマンス（Ｉｌｅｒｅｍａｎ
ｓ）らによりフィジカル　レビュー（ハＬｋ１　ヒｙ如
り　［３，３８，１０２８０−１０２８４（Ｈ３ｓ８）
＋；Ｊｌすｔ＋、−ｃイル。３０００にで２５，０００
　ｃｍ２Ｖ−’ｓｅｃりもの高い移動度をもつエピタキ
シャル旧薄膜（Ｂｉ＋−ＸＳｂＸの場合は３００’にで
２７，０００　ｃｌＩＩ２Ｖ−’５ｅｃ−’）を成長さ
せることに成功した。これらの薄膜で作られた磁気抵抗
器は、非常に低い感度をもった。ごく最近完了した本発
明者によるモデル研究では、これば旧のエネルギー構造
がいくっがの縮退した伝導帯極小値をもつという事実の
これまで認識されてぃない効果によるものであることが
示された。第１表に示された他の高移動度材料は、単一
の非縮退伝導帯極小値をもつ。その後（半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板上に）　　ＩｎＳｂ薄膜は金属有機物化学気相堆
積（ＭＯＣＶＤ）成長技術を用いて成長させた。多くの
月日に渡る努力の後、わずか５，０００ｃｍ２シー１Ｓ
−１の電子移動度をもつ薄膜が生成した。

２Ｖ絶縁性ＧａＡｓと半絶縁性１ｎＰ基板上へのインジ
ウムひ素（ＩｎＡｓ）の成長が試みられた。“半絶縁性
”ということは、本質的に絶縁性と考えられる高い抵抗
をもつ基板を意味する。これらの後者の基板はそれらに
Ｆｅをドーピングすることにより、半絶縁性基板に作ら
れた。それらはＩｎＡｓ　との格子不整が小さいため（
第１表参照）、ＧａＡｓに加えて試みられた。しばらく
して後、本発明者はＩｎＰ基板上で１３，０００　ｃｍ
２Ｖ−’５ｅｃ−’という室温移動度をもち、ＧａＡｓ
基板上ではこれより移動度の低いＩｎＡｓ　薄膜を生成
させることができた。良好なＩｎＡｓ薄膜は以下のプロ
セスにより形成した。

イーエ１、−　コア（Ｉｉｍｃｏｒｅ）社Ｕ、Ｓ、Ａ製
のＭＯＣＶＤ反応容器を用いた。Ｉｎｌ’基板は適度の
Ｉｎ　（８０５ＣＣＭ又は毎分標準立方センチメートル
）のアルシンを加えた高純度（パラジウム拡散）水素の
５３３３Ｐａ　（４０ｔｏｒｒ）の雰囲気中で、成長温
度まで加熱した。これによりアルシンは約０．０２モル
分率となった。アルシンはより揮発性のリンが失われる
ことにより生じる１０２表面の熱的分離を防止するため
用いた。アルシンがこのプロセス中表面の流れをおさえ
る機構は、よくわかっていない。ボスフィンは好ましい
であろうが、その時反応容器中に得ることはできなかっ
た。

６００℃の温度に達した後、アルシン流は７３ＣＣＭに
滅じ、４０℃に保たれたＥＤＭｌｎを通して高純度水素
（１００ＳＣＣＭ　）をバブルさせることにより、成長
容器中にエチル−ジメチル−インジウム（＋４１１旧ｎ
）を導入した。成長中アルシン流が高くζも低くても、
移動度は低下し表面モフＡロジーは悪くなった。２．５
時間のＩｎＡｓ成長時間後、成長容器中−１ＯＥＤＭＩ
ｎ流は停止させ、（加熱中と同様）アルシン過剰雰囲気
中で室温まで試料を冷却させた。

得られた１ｒｌＡｓ　薄膜の厚さは、２．３ミクロンで
あった。３００’Ｋにおりる通常のポール効果測定から
、電子密度は１．４　Ｘ　１０　”ｃｔｔＶ３で電子移
動度は１３＋ＯＯＯｃｍ２Ｖ−’ｓｅｃ伺であった。電
子密度及び移動度は薄膜中で変るため、実効的に平均を
とった。薄膜には故意にドープはしなかった。これは非
常に失望的な移動度であるが、努力をほとんど必要とし
ないため、粗い磁気抵抗器を作った。

成長したものから長方形試料をへき関し、試料の相対す
る２つの端部に沿ってＩｎ金属を手作業ではんだづげし
、Ｉｎ金属にリード線を接続させた。

第１Ａ及び１１３図中の垂直方向の寸法である長さは２
＋＋ｍで、第１Ａ及び１８図中の水平方向の長さである
幅は５＋ｎであった。

期待されるように、本発明者は直列にした多くの要素を
長だなかったため、デバイスの抵抗は低かった（約５０
Ｗ）。しかし、磁気抵抗効果は大きかった。それば第３
図に示されている。更に、デバイス抵抗及び磁気抵抗は
一５０℃ないし＋１００℃の第３図に示された範囲の温
度に対し、驚くほど安定であった。第２の同様のデバイ
スを＋　２３０℃もの高温で十分ではなかったが試験し
た。この後者の試験の結果が、第４及び５図に示されて
いる。第４図において、印加した磁界６才０．４テスラ
であった。部分的な磁気抵抗がＢ・０．４テスラ及びＢ
＝０の間で温度の関数とし、てプロットされている。電
極に用いられたインジウム金属は１５６℃の融点をもつ
という事実にもかかわらず、磁気抵抗は２３０℃でも非
常に驚くほど機能し、与えられた磁界（０，４テスシ）
に対する抵抗の部分的な増加は、（第４図中に示される
ように）室温付近での応答に比べ、２分の１以ト戎少し
だ。

ゼロ磁界におけるデバイス抵抗Ｒ（０）は、同じ温度範
囲で（第５図に示されるように）５分の１に減少した。

本発明はまた１ｎＡｓの比較的大きな禁制帯を考慮に入
れても、これば驚くほどよいことも見出した。

これら薄膜からの輸送についてのデータの本発明者自身
による詳細な分析は、２つの異なる移動度をもつ電流キ
ャリヤが存在していることを暗示している。ふり返ると
、その結果はセンサ層の表面における電子の蓄積層に関
連しているように考えられる。本発明者はヴイーダー（
Ｗｉｅｄｃｒ）がアプライ１　・フィジックス・レター
ズ（八ｐｐ１．　Ｐｈｙｓｌ、ｅｔｔｅｒｓ）　２５．
２０Ｇ　（１９７４）中で、そのような蓄積層は空気／
　ＩｎＡｓ界面付近のＩｎＡｓのごく内側に存在すると
報告していることを認識した。

ヴイーダーの報告にある程度の誤りがあるように、本発
明者には思える。しかし、本発明者は電子蓄積層が存在
するという基本的な結論は正しいと考える。これらの電
子は空気／　ＩｎＡｓ界面における正電荷から、空間的
に分前されζいる。従って、それらはこの電荷によって
はほとんど散乱されず、通常の場合より高い移動度が生
じる。それらはまたそのような蓄積層中で非常に高い密
度で存在し、そのため温度が上昇するにつれ、熱的に発
生したキャリヤの密度は蓄積層中の密度の相対的に小さ
な割合でしかない。このことは温度に対する（ゼロ磁界
における）抵抗を安定化させる助けをする。

従って、１３，０００　ｃｍ”Ｖ−’５ｅｃ−’という
測定された比較的低い電子移動度は、蓄積層中の電子と
薄膜の厚さの残りの部分にあるそれらとの平均であると
考えられる。

従って、格子不整の裁板−にに成長さ・ける１、５、厚
さとともに結晶品質（及び移動度）は−・般的に改善さ
れるため、良好な磁気抵抗器を作るためには、通常１ｎ
Ａｓの比較的厚い層を成長さ一已たいと考える。しかし
、層が厚くなるとともに、その導電率はより大きくなり
表面蓄積層の存在による利点が明白でなくなってくる。

従って、本発明行がそれらのデバイスについて現在理解
していることは、平均の薄膜移動度が幾分減少しても、
比較的薄い層が好ましいことを暗示している。なぜなら
、これは表面蓄積層の導電率を、全薄膜の導電イｘ、　
ｏ）ｊ５要部分とするからである。本発明の位置センザ
中における単結晶インジウムひ素薄膜は、約１−３ミク
ロンの厚さで、１立方センチメー１−ル当り１０１６電
子のオーダーの平均電子密度と、約１０．０００１５．
０００ｃｍ２シー’５ｅｃ−’の平均電子移動度をもつ
。

Ｉ 薄膜の厚さ、結晶品質及び表面蓄積層間の正確な関係は
、現在研究中である。

Ａｕ（又はＳｕ）金属部を用いて、続いてこの材料から
多要素磁気抵抗体が作られた。第１に、第６図に示され
たパターンを描くため、インジウムリン（ＩｎＰ　）基
板の表面からインジウムひ素（ｌｎＡｓ）薄膜の不要な
領域をエッチ除去するため、通常のフォトリングラフィ
技術を用いた。ＩｎＡｓをエッチするため、メタノール
中の稀ｉ（０，５％）臭素溶液を用いた。次に、１００
ナノメータ（１０００オングストローム）厚のＡｕ金属
の一面の層を、フォトレジスト除去後試料の全表面上に
、通常の真空蒸着技術を用いて堆積させた。次に第７Ａ
図中に示された全パターンを描くため、Ａｕ（Ｊ膜の不
要な領域をエッチするため、通常のフットリソグラフィ
を用いた。この工程にはＫＣＮの稀薄水溶液を用いた。

（本発明者は溶解した酸素を有用で、それは雰囲気の空
気から溶液中に拡散させるかまたは過酸化水素を非常に
少量加える形で供給することかできる）ＩｎＡｚｌ＋１
膜」二の全パターンを有する得られた２つのパターンの
合成が、第７１３図に示されている。

次に大きなＡｕ端子ボンディングバソドに、銀エポキシ
レジンにより、リード線を固着させた。リード線はまた
通常認められたフィラメント状のワイヤボンディング技
術によっても固着させることができた。もしそうするな
ら、特に最近のワイヤボンディング装置を用いる場合、
ポンディングパッドは容易により小さく作れる。また、
第６．７Ａ及び７Ｂ図中に示されるような多くのデバイ
スも、通常の集積回路技術を用いて、同時に作ることが
できる。得られたデバイスはゼロ磁界中で、室温におい
てほぼ１に−（典型的な場合子又は−２０％）の抵抗を
有する。驚いたことに、多センシング領域に対する磁気
抵抗効果は、単一センシング領域デバイスに対する効果
より、はるかに大きかった。

与えられた磁界におけるこれらの効果を比較するため、
第８及び３図を参照されたい。多要素デバイス（すなわ
ち複数のセンサ領域要素）において、センサ領域は２１
５の幅に対する長さの比をもった。

発明者は各要素の幅に対する長さの比が２７５であるた
めになぜ多要素デバイスの動作が良好であるのか理解し
ていない。第３図に示された単一要素デバイスについて
も同じで、それは同じＩｎＡｓ成長層の一部を用いて製
作した。もう１つの多要素磁気抵抗体もすぐ上で述べた
のと同様に作成したが、幅に対する長さの比は４１５で
あった。それは第４及び５図中のパターンに従って作ら
れたものとほぼ同じ大きさの磁気抵抗を有した。やはり
本発明者はまだこのことを理解していないが、得られた
デバイスは非常に良く動作した。幅に対する長さの比が
６７５デバイスでも、良く動作した。

ある種の自動車用では一５０℃ないし＋１７０℃から１
２００℃もの高温での動作を必要とし、（３００℃まで
の）更に高い温度を必要とする用途もあるから、温度に
対するこれら磁気抵抗の相対的な安定性は、次第に重要
性を増すようにみえる。本発明が３００℃もの高い温度
及び更に高い温度で動作する磁気抵抗体を実現するであ
ろうことを信じる理由である。

本発明に従って作られるＩｎＡｓ＆を気抵抗体に伴う潜
在的な問題は、空気／ＩｎＡｓ界面の潜在的な重要さに
ある。それはデバイス特性を雰囲気空気の組成変化に敏
感にするか、表面の連続的な酸化により、時間又は熱順
歴により、ゆっくり特性を変化させる。本発明に従う好
ましいセンサは各センサ領域上に保護はするがガスを浸
透する被膜をもつものである。そのような被膜は雰囲気
空気を浸透させることが好ましい。ブレース（Ｇｒａｃ
ｅ）社、ｌＪ、ｓ、Ａの一部署であるエマーソンアンド
キューミング（Ｅｍｅｒｓｏｎ　ａｎｄ　Ｃｕｍｉｎｇ
）製の特定のエポキシレジンで２つのデバイスの表面を
被覆することについては、試みられている。用いたエポ
キシレジンは“スタイキャスト（Ｓｔｙｃａｓｔ）１２
６７番であった。Ａ部分とＢ部分を混合し、デバイスに
塗布し７０℃で２時間なました。本発明者はこの封止プ
ロセスの結果として、室温でのデバイス特性に著しい変
化は観測しなかった。本発明者は他の温度ではこれらの
デバイスを系統的に試験していないが、この基本的な結
果により元気づけられる。

本発明者は他のエポキシレジン及び５ｉ０２又はＳｉＪ
。

のような薄膜誘電体など他の封止剤を探す必要があると
考える。

なおＩｎＡｓと接触との間の非常に低い金属−半導体接
触抵抗を実現し、バー金属の形成部を短くするため、第
６．７Ａ及び７Ｂ図に関連して先に述べたプロセス工程
を修正する必要があるかもしれない。たとえば、先の議
論のマスクを反対にすると、表面上のフォトレジストが
ＩｎＡｓを露出するための誘電体又は広禁制帯半導体層
の湿式エツチング（たとえば湿式化学物質又は反応性イ
オン、イオンビーム等による）用マスクとして使用でき
る。

次にＡｕ又は他の金属を真空蒸着（又はスパッタリング
又は電解メツキなど他の通常のプロセスによる）され、
次にフォトレジストを除去すると、金属の不要な領域が
リフトオフされる。あるいは［ｎＡｓまで貫いてエツチ
ングした後、フォトレジストを除去することもでき、篩
又は他の金属は表面全体に均一に堆積することができ、
次にフォトレジストの堆積後筒７Ａ図中のマスクパター
ンを誘電体中にエッチされたパターンと位置合せするこ
とができ、Ａｕを前と同様パターン形成することができ
る。

更に別の代りとして、もし広禁制帯半導体の十分薄い層
（たとえば２０ナノメータ（２００オングストローム）
が存在するなら、上で述べた最初のプロセス工程はＡｕ
の代りにＡｕ−Ｇｅｚ　Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ又はＡｇ　−
Ｓｎのような低融点共融合金の堆積に修正できる。Ａｕ
をパターン形成したのと同様（又は第７Ａ図中のマスク
を逆に用いリフトオフする）にパターン形成した後、試
料をＡｕ　−Ｇｅを基礎とした合金の場合３６０℃ない
し５００℃の範囲の適度の温度に加熱し、広禁制帯半導
体の薄膜に液体金属を局部的に溶解させ、ＩｎＡｓへの
接触を効果的に形成した。

最も最近の仕事では、ＩｎＡｓの成長プロセスは幾分変
った。プロセスは前と同じであるが、ＩｎＰウェハは４
６０℃に加熱し大きなアルシンモル分率（０，１）とす
る。ＩｎＰ上の自然酸化物が昇華する４６０℃０．５分
の後、温度は４００℃に下げ、２０ナノメータ（２００
オングストローム）の厚さのＴｎＡｓが成長する。次に
温度は６２５℃の成長温度に上げ、（アルシンのモル分
率はなお０．１）、次にアルシンを急激に５３ＣＣＭ（
約０．００１モル分率）まで下げＥＤＭＩｎを導入する
。ＥＤＭＩｎは５０℃に保たれ、高純度水素は７５３Ｃ
ＣＭの速度でバブルを保つ。やはり５ＳＣＣＭのアルシ
ン流がこれらの成長条件にはほぼ最適と思われる。

得られた薄膜は先に成長したものに比べ磁界に対する感
度が幾分増す。

最近の仕事のすべてが半絶縁性（すなわち本質的に電気
的に絶縁性）のＩｎＰ基板上にＩｎＡｓ薄膜を成長させ
ることから製作した磁気抵抗体に集中しているが、本発
明者はより熟慮した成長技術により、半絶縁性ＧｅＡｓ
基板上に成長させたものとほぼ同程度の質のＩｎＡｓ薄
膜の成長が可能と考える。いずれの場合も分子線エピタ
キシー、液相エピタキシー又は塩素輸送気相エピタキシ
ーなどの他の成長技術も有用である可能性がある。

上で述べたインジウムひ素（ＩｎＡｓ）　＊膜デバイス
製作プロセス及び動作特性についてはＵＳＳＮ２８９．
６３４に基く日本国特許出願中で述べられ、請求の範囲
とされている。

他方、本発明者は上で述べた薄膜１ｎＡｓ磁気抵抗器中
の自然に発生する蓄積層の可能性のある何かが、それら
の特性をよくし、実際的なデバイスの生産を可能にして
いると考える。本発明者はこの基礎的な考えが磁気抵抗
体には新しく、この考えはインジウムひ素だけでなく他
の半導体材料にも広く拡張できると信じる。この特許出
願において、更に多くの種類について述べかつ請求の範
囲とし、その技術によって製作プロセスの結果として自
然に発生するか固有に発生ずるのではなく、半導体層中
に蓄積層を導入することができる。

以下の議論ではＩｎＡｓ薄膜及び薄膜状の他の半導体材
料中で、実効的な高移動度を実現するため、電子蓄積又
は反転層を導入するか強める他の方法について述べる。

磁気抵抗活性領域中で強い電子蓄積層を用いることには
、３つの基本的な利点がある。この特許出願中で用いる
“電子蓄積層”というのは、電子反転層も含むことをこ
こでくり返しておく。

第１に、電子蓄積層又は電子反転層は任意の温度におけ
る真性密度より、著しく大きな電子密度を含むことがで
きる。このことは温度安定性を改善する。なぜなら、熱
的に励起されたキャリヤは蓄積又は強く反転したキャリ
ヤの一部分だからである。

第２に、蓄積層は半導体中のキャリヤの移動度を増す。

この効果は薄いインジウムひ素（ＩｎＡｓ）膜中で、特
に高温において実験的に観測されている。それらは磁気
抵抗体の感度を増す。この効果の考えられる原因の１つ
は、そのような蓄積又は強い反転層中においては、同じ
空間領域中に高濃度のイオン化不純物が存在せずに高電
子密度が得られることである。この効果はジー・バーン
ズ（Ｇ、Ｂｕｒｎｓ）により、ソリッド・ステー１・・
フィジフクス（Ｓｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ）、７２６−７４７頁、アカデミツクプレス（１９８
５）に述べられている層の“変調ドーピング″゛と同様
である。そのような効果は高電子移動度トランジスタ（
ＨＥＭＴＳ）の製作にも用いられている。

第３に、蓄積層又は強い反転層は半導体の表面又は界面
に本質的に近い。このごとにより恐らく電圧バイアスと
組合さり、半導体の最上部に堆積さゼた薄膜構造を用い
ることによって、これらの蓄積又は強い反転層を比較的
容易に導入、増強又は制御できるようになる。

蓄積層はシリコンＭＯ３ＦＥＴボール板中で用いられて
きており、エイチ・ピー・ボールッ（１１，Ｐ、　Ｂｏ
ｌ　ｔｅｓ）　　らによりプロシーディングアイイーイ
ーイー　（Ｐｒｏｃ、　ＩＥＥＥ）　７４．１１０７−
１１３２頁、特に１１１６−７頁（１９８６）に述べら
れている。ＭＯ３ＦＥＴホール効果デバイスにおいて、
金属−酸化物一半導体中のバイアスされたゲート電極が
、半導体−酸化物界面に近接した適度に薄い電子層を発
生させるために用いられた。その層への接触として、４
つの電極が用いられた。すなわちソース及びトレインは
それを通して電流が流れ、２つの中間の電極は、その間
にホール電圧が発生ずる。更に、」二で引用したポール
ッらはまた、４つの電極のめ（１つのソース、２つのド
レイン及び１つのゲート）を有する蓄積層に基くセンリ
ーーを用いた分離ドレインＭ　ＯＳ　ＦＩＥ　Ｔについ
て述べている。ホール効果デバイスに対する磁気抵抗体
の特徴の１つは、磁気抵抗体は２つだけの電極をもつこ
とである。本発明の改善された磁気抵抗体においてこの
ことを保つために、本発明者は第２図で述べたような磁
気抵抗体の配置と組合・Ｕて、外部バイアスゲート電極
を用いずに、蓄積層又は反転層を発生させる多くの新し
い方法を用いることを提案する。

第１の実施例において、ＩｎＡｓと空気の間の自然の界
面は、ＩｎＡｓ中に電子蓄積層を発生させることが知ら
れているという事実を利用する。同様の効果はＩｎＳｂ
にも存在する可能性がある。従って、この技術はこの半
導体月料で作った薄膜磁気抵抗体にも応用できる。しか
し、本発明者はそのようなデバイスがＩｎＡｓと同様に
非常に高温で動作するとは予想しない。ＩｎＳｂの禁制
帯が非常に小さい（第１表参照）ため、キャリヤが熱的
に発生し、それが蓄積層に隣接したＩｎＳｂ薄膜中の導
電率を増し、蓄積層の導電率をデバイス全体の導電率の
相対的にわずかな割合にする。従って、蓄積層の利点が
広禁制帯幅のＩｎＡｓよりＩｎＳｂでは低温で失われる
。

本発明者は金属有機物化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）を用
いて、絶縁性１ｎｌ’基板」−に、２．３の厚さのＩｎ
Ａｓエピタキシャル層を実験的に成長させた。

３５０°にないし０，５°にの範囲の温度及び７テスラ
までの磁界中におけるホール及び磁気抵抗測定により、
少くとも２つの“型”のキャリヤが存在することが明ら
かになった。それらはほぼ濃度が等しく、移動度は非常
に異る（２ないし３倍）。

先に述べたウィーダ−（Ｗｉｅｄｅｒ）の発表を思い出
すと、それらの１つは空気との界面近くに位置する蓄積
層と仮定するのが適切である。本発明者はこの薄膜から
２つの長さ２１、幅５ＩＩｍの磁気抵抗体を作ったとこ
ろ、それらは非常に有用な磁界感度を示し、一方良好な
温度安定性も保った（第３．４、及び５図参照）。本発
明者はＩｎＡｓ表面を適当な封止被膜（たとえばエポキ
シレジン又は他の誘電体材料）で被覆した後も、この感
度は保たれると信じる。

第２の実施例において、ＧａＡｓ、　ｌｎＰ　、八ｚｓ
ｂ又はＩｒ＋＋−ｙＡ　１　ｙＡｓのような広禁制帯半
導体のキャップ層を、狭禁制帯活性層半導体（ＩｎＳｂ
を用いた同様の構造も考えられるが、典型的な場合１ｎ
Ａｓ又はＩｒ＋１−ＸＧａＸＡｓ、　０　＜　Ｘ　＜　
０．５　）の最上部」二に成長させることができる。こ
のキャップ層中には、本発明者はＳｉ、　Ｔｅｓ　Ｓｅ
又はＳのようなドナ型不純物を置く。これらは電子を放
出し、それは最小エネルギーをもつ層ずなわち狭禁制帯
半漕体中で終端する。これにより広禁制帯キャンプ層中
に正にイオン化した「す不純物の層が残るが、それらは
活性層中の電子からは空間的に離れており、従ってそれ
らを著しく散乱することはない。

第３の実施例において、本発明者はショットキー障壁を
生成する目的で、デバイス活性領域の最上部に、金属の
層を堆積させることを提案する。

この第３の実施例における金属−半導体界面に隣接した
電子エネルギー準位のプロットが、第９図に示されてい
る。第９図を参照すると、活性狭禁側帯半導体の最上部
領域の空乏層を見ることができる。もし活性層が十分薄
い（１００〜２００ナノメータ（１０００−２０００オ
ングストローム））なら、これは活性層中の電子を基板
の方へ閉じ込め、電気的特性を蓄積層のそれらと同様の
ものとする。Ａｕ又は＾ｌのように■−■化合物に対し
てショットキー障壁を一般に形成する金属は有用である
かもしれないが、本発明者はまだこの構造を実験的に検
討して適切なものであると確認はしていない。

第４の実施例において、本発明者は狭禁制帯半導体層の
活性層上及びゲーＩ−電極の最上部上に、広禁制帯半導
体又は５ｉＯ７又はＳｉ＋Ｎａのような誘電体の層を堆
積させることを提案する。今考察している界面における
層を貫いての電子エネルギーのプロットが、第１０図に
示されている。第１０図中のデー１−電極の金属は、半
導体中の電子親和力と金属中の仕事関数の差による効果
のため、半導体−誘電体界面付近に蓄積層を誘導するよ
うに選ぶことができる。逆に、半導体−誘電体界面を空
乏にし、上で述べた第３の実施例とほとんど同様に、基
板付近に電子を閉じ込めるために、より大きな仕事関数
をもつ異なる金属を用いることができる。

第５の実施例において、第４の実施例において述べたゲ
ート電極を、それらの下の半導体中に蓄積層を発生させ
るようにバイアスすることが示される。そのような考え
は第１１Ａ、１１Ｂ及び１００図中に概略的に示されて
いる。第１１Ａ図において、もし必要ならゲート電極を
別々にバイアスするため、１ないし複数の接触を加えて
もよいことがわかる。このことは通常好ましいわりでは
ないが、そうすることもできる。磁気抵抗体の利点の１
つはそれが２つだけの電極をもつことにあるため、それ
は好ましくはない。ここでは考察のためだけに示す。逆
に、接触を増すことは実際には必要ない。ゲーＩ・電極
は内部抵抗回路により電気的にバイアスでき、その例は
第１１Ｂ及び１１Ｃ図に示されている。

次に、第１１Ｂ及び１１ＣＩＡに示された第５の型の実
施例について特に考察する。ゲート漏れ電極は非常に小
さいから、バイアスするためには非常に高抵抗（＞　１
ＭＷ）の回路を使うことができる。第１１Ｂ図に示され
た特定の場合、抵抗Ｒ１はきわめて大きく　（開放回路
）とし、他の抵抗はゼロ抵抗（短絡回路）とすることが
できる。従って、１つの外部電極に印加する（他の外部
電極に対する）完全に正のバイアスは、この特定の場合
、すべてのゲートに加わる。別の変形は、各半導体領域
上のゲートを、ゲート（すなわち短絡バー）と活性領域
間の電位差が後者中に蓄積層を導入するように配置され
た他の２つの半導体領域間で、短絡バーを用いて接続す
ることである。この後者の方式が第１１Ｃ図に示されて
いる。この形態の特殊な場合は、各ゲートが隣接した短
絡バーに接続される場合である。この形態において、各
要素はゲート及びトレインが短絡されたＭＩＳＦＥＴｌ
−ランジスタと考えてもよい。

先の５つの実施例において、蓄積層はセンサ領域中の半
導体の望ましい輸送特性を増進するためだけに用いた。

磁気抵抗体の形態すなわち各活性要素の幅に対する長さ
の比は、やはり金属短絡バーの使用により規定される。

第１１Ｂ図の構造は半導体活性層内部でキャリヤ密度従
って導電率を変調することにより、磁気抵抗要素それ１
ロの形態を規定するのに拡張できる。この形態が本発明
の第６の実施例である。そのような構造の例が、第１２
図中に概略的に示されている。やはり（チップ中に集積
化された）外部抵抗回路は、この第６の実施例において
、一連の強い蓄積領域を発生させるため、一連のゲート
電極をバイアスするために使われる。これらは幾何学的
な磁気抵抗を発生させるために、短絡バーの代りに使用
できる。

そのような構造は金属短絡バーを用いる構造より、潜在
的に優れている。なぜならば、金属及び半導体間の電界
に感応する接触抵抗が除かれるからである。

やはりこの第６の実施例に対しても、第５の実施例で考
えたと同様、特別の場合を考えることができる。第６の
実施例のこの特別な場合において、第１２図の抵抗Ｒ１
は開放回路で、他の抵抗（Ｒ，、Ｒ３’−”）は短絡回
路である。そのため、１つの外部端子に印加された正バ
イアスの全部が、各ゲートにも加えられる。従って、第
１１Ａ図中のゲート間には自然にできた蓄積層が通常存
在するが、電子密度は低い。もし必要なら、ゲート間の
電子蓄積層を除去し、さらには相対する形のキャリヤ（
正孔）を有する強い反転層を発生させるため、ゲートを
負にバイアスすることもできる。本発明のこの記録は２
つの外部リードのみを有するデバイスに力点をおいてい
るが、抵抗回路を通して第３の外部リードにゲートを接
続することができ、ゲートリードに外部から印加された
電圧バイアスを通して、磁界センサを外部から制御でき
るものとすることができる。先に示したように、第１１
Ａ図に示されたデバイスで、同様の三端子デバイスを作
ることができる。

第７の実施例においては低濃度ドープのｐ形薄膜を成長
させる（典型的な場合、Ｚｎ、　Ｃｄ、　Ｍｇ、　Ｂｅ
、又はＣドープである。）　ＩｎＡｓの場合、表面はな
お強い縮退した電子層をもつと本発明者は信しるが、そ
れは反転層かもしれない。そのような反転層は表面付近
に高電子密度を有するであろうが、ｎ”／ｐ接合の空間
電荷領域と同様、非常に低キャリヤ密度の比較的厚い（
ドーパン［５度に依存して典型的な場合０．１龍ないし
ｌ■職又はそれ以上）領域であろう。このことは強い電
子反転層に隣接した薄膜の導電率を下るために用いると
有利であるかもしれない。非常に高いデバイス動作温度
において、ＩｎＡｓのような狭禁制帯半導体の真性キ中
リヤ密度は、このねらいを幾分弱くする傾向にあるが、
Ｉｎ　、　−ｘＧａ、Ａｓのような他の広禁制帯半導体
は好ましい可能性がある（第１表参照）。

Ｉｎｏ、　５３ｃａ０．４？＾Ｓは半絶縁性Ｉｎｋ’基
板に格子整合させられるため、特別の場合である。この
ことにより高結晶品質のそのような薄膜を成長さゼるの
が容易になる。

上で述べたアクセプタドーパント（ずなわ６Ｚｎ、Ｃｄ
、　Ｍｇ、　Ｂｅ及びＣ）は可能性のあるｍ−ｖ化合物
中で小さな活性化エネルギーをもつ（第１表参照）。

しかし、Ｉｎｏ、　ｓ＋Ｇａｏ、　４Ｊｓ中のＦｅのよ
うに、比較的大きな活性化エネルギーを有する他のアク
セプタドーパントもある。このことは鉄をイオン化し、
正孔伝導に寄与させるために、比較的大きな熱エネルギ
ーが必要なことを意味する。しかし、鉄は材料中にしば
しば存在するドナ不純物の濃度を補償し、そのためそれ
らは電子を伝導帯にあげない。

従って、この材料に鉄をドープするとそれは高濃度電子
蓄積層を除いて、高抵抗になる傾向がある。

可能な最高濃度の電子移動度と密度を蓄積層中で得るた
めには、鉄−ドープ層の最上部上に薄いノンドープのｌ
ｎｏ、　５３ｃａＯ，４７八ｓＮ（鉄拡散効果を修正し
た後、たとえば０．１ミクロンの厚さ）を成長させるの
が、この場合望ましい。しかし、大きな活性化エネルギ
ーをもつ適当なドーパントを見い出すことは、禁制帯の
小さな半導体材料にとっては実際的ではないかもしれな
い。更に、上で述べた他の実施例を、高電子密度領域に
隣接して薄膜の導電率を効果的にこのように滅すことと
ともに用いることができる。

上で述べたことの力点は、電子蓄積又は反転層に置いた
。正孔蓄積又は反転層も使用することができる。しかし
、第１表に示された材料中で電子は高い移動度をもつた
め、電子は通常磁気抵抗体中の電流キャリヤとして好ま
しい。

図面を参照すると、第１３図は位置センサ１０の典型的
な従来技術の型を示し、磁気回路は間隙１２Ｂで分離さ
れた一連の歯型１２Ａでできたフヱロ磁性材料のエキサ
イタ部１２、一表面上にセンサ要素１６を保持した永久
磁石１４から成る静止センサ部及び磁界の帰還路を作る
ための磁束誘導路１８を含む。図示されるように、各歯
型の幅は磁石とセンサ要素の幅にほぼ等しい。必要なら
ば、高透磁率フェロ磁性材料の薄い層の形で、センサ要
素１６上に磁界集中器（図示されていない）を置いても
よい。

エキサイタ１２は典型的な場合一端に沿って分離された
歯型を有する平板で、その歯型が測定する位置の動きに
従って、永久磁石１４とセンサ要素１６の下を通過する
よう水平に移動するのに適している。あるいは、エキサ
イタはスロットを周囲においた歯型を有する円盤でよく
、センサ要素に対する歯型の位置を変えながら、固定さ
れた軸の周囲で回転する。エキサイタは典型的な場合、
鉄のような高透磁率のフェロ磁性材料である。

永久磁石は図示されるように、紙面に垂直に磁化してい
る。センサ要素は典型的な場合磁気抵抗体で、バルクを
垂直に通過する磁束が増すとともに抵抗が増す２つの端
子要素をもち、典型的な場合磁石とほぼ同じ幅を有した
。センサ要素１６は先に述べたとうりである。

磁束ガイド１８も鉄のように高透磁率材料であると有利
で、それが存在するとエキサイタを通過する磁束に対す
る効果的な帰還路ができるため、センサを通過する磁束
密度が増す。この目的のため、エキサイタの隣接した歯
型の中心間の間隔及び永久磁石と磁束ガイドで形成され
る磁気回路の中心間の間隔は、図示されるように本質的
に等しく作られる。しかし、そのような磁束ガイドは、
実際はほとんど感度が高めず、もし適当な磁束密度が十
分な厚さの磁石又は磁性材料の選択により得られるなら
、必要ない。

磁石１２の垂直方向の厚さ及び水平方向の幅の典型的な
寸法は、ともに約１ミリメートルであろう。同様に各歯
型１２Ａの高さ及び幅も約１ミリメートルで、間隙１２
Ｂの幅は約２ミリメーｌ−ル、図示された位置における
歯型と磁石間の間隔は、約１ミリメートルである。磁束
ガイド１８は典型的な場合同じ寸法で、磁気回路の高さ
に更に１ミリメートル加える。図面の面に垂直な磁石の
横方向の寸法は、センサ要素中の端部効果を低く保つの
に十分なように広くする。

この種の磁気回路では、得られる最大感度は約５パーセ
ントより小さい傾向がある。更に、センサは磁気回路の
静止部分が、異なるセンサの別々の脚として用いるため
の一対の磁気センサを含むことは知られている。そのよ
うな場合、２つのセンサ要素は典型的な場合、センサ要
素の１つが１つの歯型に直接相対するように分離され、
他のセンサ要素は時間センサ要素からの出力差が最大と
なるように、隣接した歯型間の間隙の中心に直接相対す
る。そのようなセンサは高感度をもつが、著しく複雑に
なる。

第１４図には本発明の好ましい実施例に従う位置センサ
２０が示されている。磁気回路は第１３図に示された位
置センサ１０中に含まれるエキサイタと同様でよく、従
って同じ参照番号が用いられている。磁気回路の静止部
が第１５図に非常に詳細に示されている。それは図示さ
れるように垂直に磁化し、その底面上に第１３図の位置
センサ１０中のセンサ要素１６が作られている永久磁石
２２を含む。本発明の特徴に従うと、センサ要素１６及
び永久磁石２２の中間に、永久磁石２２の全底面を被覆
する鉄のような高透磁率磁性材料の層２４が含まれる。

加えて、この層がセンサ要素１６を電気的に短絡しない
ことを確実にするために、センサ要素１６及び層２４の
中間に絶縁層２６が含まれる。もし層２４が高透磁率フ
ェライトのような非導電性材料なら、絶縁層２６は不必
要になり、省いてもよいであろう。

本発明の特徴に従うと、センサ２０におい°ζ感度を増
すために、永久磁石２２の幅Ｗは第１３図中に示された
従来技術のセンサｌＯの典型的な幅より、かなり広い。

永久磁石の幅を第１４図に示されるように、歯型の幅と
エキサイタの２つの間隙の合計に等しく、従ってエキサ
イタの歯型のピッチの約１．５倍に作ると有利である。

比較のため、第１３図中に示されたセンサにおいて、永
久磁石１４の幅はエキサイタの歯型のそれと本質的に整
合する。更に、磁石の幅をこのように増すごとによって
感度が改善されることは、磁石層１８の存在により、更
に増す。

磁石の感度を最大にするため、本設計においてセンサ要
素の幅をできるだけ狭くし便利なものとすることが、も
う１つの特徴である。しかし、電気回路の効率のため、
要素は十分高い抵抗、たとえば少くとも１０オームをも
ち、それによって要素をどこまで狭くするかという実質
的な制約が加わることが望ましい。また、センサ要素は
適当なパターン放散能力をもつよう十分広い必要がある
。

それにもかかわらず、センサ要素は典型的な場合、エキ
サイタの設計が異常に狭い歯型を含まなければ、歯型要
素より著しく狭くなるであろう。図示されるように、セ
ンサ要素１６には相対する端部に電極１６Ａ及び１６Ｂ
が作られ、それによってそれは適当な電気回路に接続さ
れてもよい。これらは典型的な場合、絶縁層２６上に金
属メツキされる。フェロ磁性の層はたとえば約０．１ミ
リメトルの厚さで、低カーボンスチール１００８のよう
な材料で作ることができる。結果は製作が容易な一連の
平坦な層で作られた形状となる。

センサ要素１６は意図する具体的な用途に従って選ぶの
が典型である。先に明らかになった理由から、磁気抵抗
体が好ましい。磁界はセンサ要素中のセンサ領域の主表
面に垂直に加わることが好ましい。

第１６Ａ及び１６Ｂ図は第１４図に示された位置センサ
２０の場合について、それぞれ最大及び最小磁束の条件
に対して示す。第１６Ａ図かられかるように、センサ要
素１６がエキサイタの歯型１２Ａに直接相対するとき、
センサ要素１６を貫く線３０により表わされる磁束密度
は、相対的に高い。しかし、エキサイタがセンサ要素１
６が歯型の間の間隙１２Ｂの中心と相対するように動い
たとき、センサ要素１６の貫く磁束密度は相対的に小さ
い。典型的な場合、最大磁束密度は２ミリメートル厚の
ＭＱ２磁石の場合０．２テスラで、最小磁束密度は０．
１５テスラである。Ｍ　Ｑ　２　Ｃｍ石祠料は１３−１
５ＭＧＯｅのエネルギー積をもつＮｄＦｅＲ合金で、等
方的で、１００パーセントの密度であり、ゼネラルモー
ター社の商品名である。

フェロ磁石層２４の役割は、センサ要素１６に対し磁束
が容易に向いあるいは離れるように移動しやすくするこ
とで、従ってセンサ要素を通過する最大磁束を増し、か
つ最小磁束を減少させる。

そのため感度が増す。感度は測定される最大及び最小磁
束間の差に依存する。

特に、エキサイタ歯型の動きは全磁束密度にはほとんど
影響を与えず、磁石の幅に沿った磁束密度の空間的分布
を変え、鋭い局部的な磁束密度の変化を発生させ、それ
は磁気抵抗体のような局部的なセンサ要素により測定で
きる。フェロ磁性層は磁気回路の静止部分とエキサイタ
間の空気間隙の分布を反映するように、磁石幅に沿って
磁束密度を再分布させられる。この空気間隙が狭い場合
、磁束密度は高く、この間隙が広い場合、磁束密度は低
い。この空気“間隙”はエキサイタの歯型に沿って最も
狭いから、そこでの磁束密度は最も高く、この密度のピ
ークは磁石の幅に沿った歯型の動きに追随する。特に試
験により上で述べたように薄いフェロ磁性層２４を加え
ることによって、すでに最適値の幅をもつ磁石を有する
センサの感度が、本質的に２倍になることが示されてい
る。

フェロ磁性層の最適厚は飽和せず誘導したい最大磁束密
度により決ることが望ましい。５ミクロンという薄さの
層ですら、約０．１２Ｔの最大磁束密度を測定するのに
有用であることが立証されている。この磁束密度の場合
、厚さが約２５ミクロンに達する時、改善は頭うちとな
る傾向をもつ。

磁性層２４には通常の粘着剤を用いて、永久磁石２２の
表面に固着した薄い金属箔として単に形成することでき
る。あるいは先に述べたＭＱ２のような磁性粉末を圧縮
するかシンタリングすることにより製作された磁石は、
永久磁石の集積部分としてフェロ磁性層を形成すること
ができる。この目的のために、磁性粉末を導入する前か
後に、適当な量の鉄粉末が鋳造空胴中に導入され、次に
粉末はともに圧縮される。更に、デバイスの平坦な形状
により、大量加工が可能になり、それによって数百の磁
気抵抗体を、フェロ磁性層及び半絶縁層を有する比較的
薄い非磁化永久磁石上に、同時に堆積させることができ
る。次にウェハは別々のセンサに切断され、センサはパ
ンケージに入れられ、永久磁石は磁化される。

平均磁束密度を下（丁ｂ〕ととひきかえに、感度の増進
が得られることがわかる。もしこれが用いられる具体的
な磁気抵抗体の効果的な変調のための感心率なら、平均
磁束密度は感度にほとんど影響を与えることなく、所望
のレベルに増すことができる。その方法は磁石又は磁石
型の厚さを増し、それによってセンサの所望の平坦さを
保ちかつ磁束密度を改善するため磁石ガイドの必要性を
除くことである。しかし、これらの方法のどれもが不適
当な特別の例では、更にエキサイタに沿って歯型を含む
磁束密度を改善するため、磁束ガイドを導入してもよい
。

先に述べた磁気回路の高磁気感度を最適にするため、セ
ンサ要素は磁石上に適切に配置する必要がある。第１７
図はセンサ要素の規格化された距離ｄ／Ｗに対してプロ
ットされた実現可能な最大感度の典型的な包絡線を示ず
。こごで、ｄは幅Ｗの６１石の中央点からの距箭である
。得られるピーク感度は磁石の中央点（ｄ＝ｏ）におい
てで、最小値は磁石の各端部（ｄ／Ｗ＝０．５）におい
てであることがわかる。従って、センサ要素の最適位置
は磁石の中央点である。

センサ要素の適当な幅をもつことも重要である。

′ｌ）に、要素がその表面にかかるも■束密度の平均値
に対応して、電気的出力信号を発生する磁気抵抗体であ
るときは重要である。

しかし、磁気抵抗体の長さに沿った磁束密度分布は一定
と仮定できる。従って、磁気抵抗体の幅にのみ沿った磁
束密度又は感度分布を考える必要がある。この理由のた
め、実効的な電気的感度は第１８図中で与えられた磁気
感度分布を、磁気抵抗体幅ＷＭＲに渡って積分すること
により決るように、平均磁気感度に直接関連するであろ
う。第１８図は第１６Ａ及び１６Ｂ図に示される配置の
場合、磁石幅に沿って感度がいかに変化するかを示す。

感度分布をみると、ＷＭＲをできるだ４Ｊ小さくする試
みにより、電気的感度を最大にしようとするであろう。

しかし、寸法が小さくなると磁気抵抗体の抵抗とパワー
放散能力が下り、それによって出力信号が下ることにな
る。ＷＭＲの逼］Ｊｉｉは磁気抵抗体の長さ、可能な最
善の感度、十分大きな抵抗及びパワー放散及び可能な最
低の磁気抵抗体価格（磁気抵抗体が小さいほど一般に価
格は低い）等に対する実際的な制限などいくつかの制約
条件を考慮して行わなければならない。従来使用できた
磁気抵抗体技術を考えると、これまで述べたエキサイタ
設計の場合のＷＭＲの実際的な最小値は、約０．３１ｍ
であることがわかり、するとｄ／Ｗ＝０．０３３となり
約２８パーセントの実効るイ１気感度ＳＭが生しる。本
発明者は本発明により考えられる改善された磁気抵抗体
により、これがどのように影響されるかは、現時点では
知らない。

０、６１ｍの幅ではなお約２６バーセントの感度が得ら
れる。いずれの場合も、幅ＷＭＲは通常の設計におりる
歯型の幅より小さくするのが望ましい。

センサ要素の高さは典型的な場合数十ミクロンと小さく
てよく、それによって付随した表面の平坦性はその存在
により、はとんど乱されない。

歯型ピッチＰに対する歯型幅Ｔの比も、感度に影響を与
えることが本設計で見出された。感度は約０．２５のＴ
／Ｐ比で最大になり、０．１７ないし０．３７の範囲で
比較的平坦さを保つことがわかった。

歯型ピッチが感度に影響を与え、特に歯型ピッチを増す
と感度がかなり」二ることも本設計でわかった。たとえ
ば、ここで議論した設計の場合、３■ないし５１１のピ
ッチの変化は、条件を最適化した時約５８パーセン１〜
に最大感度を増すことができる。エキサイタと磁石間の
空気間隙を増すと感度が下るから、歯型ピッチを増ずご
とは空気間隙を大きくすることを補償し、空気間隙と歯
型ピッチを交換することを設計者に許す。

加えて、ここで述べた種類のセンサの静止部は、広範囲
のエキサイタボイール歯型ピッチ寸法とともに効果的に
使えることかわった。この特徴は広く異る歯型ピッチ寸
法を用いるＡＢＳ設剖のような用途に対しては、かなり
の価格低下の可能性を与える。もし、異なる歯型ピッチ
寸法を有するホイールで、特定の固定された設計のセン
サを動作させることを意図するなら、磁石幅は最小の歯
型ピッチ寸法に対してセンサを最適化するよ・うに選択
するのが好ましい。それによって最小の歯型ピッチ寸法
をもつエキサイタホイールを用いた時出会う最低の感度
は、可能な限り高くなるであろう。

先に述べたように、最適磁石幅は歯型ピッチ寸法の約１
．５倍である。

ここで述べた具体的な実施例は単に本発明の一般的な原
理を説明するだけのもので、特許請求の範囲で述べた本
発明の視野の中で、各種の修正が考えられることを理解
すべきである。たとえば、位置センサの静止部と可動部
の役割を反対にすることは、すぐ考えられる。加えて、
ここで述べた各種の寸法及び材料は、単に典型的な設計
を説明するためのものであり、他の設計では他の寸法及
び材料の必要性が生しうる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は磁界が加えられていない時の電流線を示す磁
気抵抗体の概略図、 第１Ｂ図は、磁界が磁気抵抗体表面に垂直に印加された
時、第１Ａ図に示される電流線がいかに磁気抵抗体の主
表面のある平面内に方向を変えられるかを示す磁気抵抗
体の概略図、 第２図は本質的に平行な２つの集積化されたセンシング
領域をもつ磁気抵抗体を示す等角図、第３図は温度及び
磁界強度の変化とともに単一要素のより大きな禁制帯を
もつ半導体磁気抵抗体中の電気抵抗の変化を示す三次元
又は輪郭を１１１．１ソトした図、 第４図は第３図に示されたより広い温度範囲での部分的
な磁気抵抗を二次元のプロン１で示す図、第５図は第３
図に示された広い温度範囲で、磁界を印加しないときの
抵抗の変化を示す二次元でプロットした図、 第６図は単一磁気抵抗体中に集積化された直列接続の複
数のセンシング領域を形成するためのパターン中におけ
る半導体薄膜を示す立面図、第７Ａ図は第６図のパター
ン上に重畳するための金属パターンを示す立面図、 第７Ｂ図は複数のセンシング領域を描くため、第６図の
半導体パターン上に重畳された第７Ａ図の金属パターン
を示す立面図、 第８図は第７Ｂ図に示されるような複数のセンシング領
域磁気抵抗体の電気抵抗の変化を示す三次元又は輪郭を
プロットした図、 第９及び１０図は磁気抵抗体のセンシング領域の表面上
の特定の層下における蓄積層中に、いかに電子が閉じ込
められるかを示すため深さに対し、二次元電子のエネル
ギーをプロットした図；第１１Ａ、ＩＩＢ及びＩＩＣ図
はセンシング領域中に蓄積層を電気的に誘導するため、
複数のセンシング領域のそれぞれの上にゲート電極をも
つ磁気抵抗体を示す概略図で、第１１Ｂ及びＩＩＣ図に
おいてはゲート電極は二つの異なる技術により電気的に
内部からバイアスされたゲート電極であることを示す図
； 第１２図はセンシング領域だけでなくセンシング領域の
端部への電気的接触を作る導電体としての蓄積層を有す
る磁気抵抗体を示す概略図；第１３図は磁束誘導帰還路
を用いる型の従来技術による位置センサの典型的な磁気
回路を示す図；第１４図は本発明の好ましい実施例に従
う位置センサの磁気回路を示す図； 第１５図は第１４図に示された磁気回路の静止センサ部
分をより詳細に示す図； 第１６Ａ及び１６Ｂ図はエキサイタに対する永久磁石の
２つの異なる位置の場合について、第１４図の磁気回路
を示す図； 第１７及び１８図は本発明の設計につい゛ζ検討するの
に有用なプロットをした図である。 図面の浄書（内容に変更なし） 温度 手 続 補 正 書 １、本件の表示 平成１年特許願第２０３９９７号 ２、発明の名称 改善された位置センサー ３、補正をする者 事件との関係

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、歯型ピッチを規定するための間隙（１２Ｂ）により
   空間的に分離された一連の歯型（１２Ａ）を含むエキサ
   イタ部（１２）、及びそれらの間で相対的に動くための
   センサ部であって、前記センサ部が磁石の極性に垂直な
   平坦な主表面をもつ永久磁石（２２）を含む磁気回路を
   含む位置センサ（２０）において、前記位置センサは摂
   氏数百度の温度範囲にわたって、印加された磁界の変化
   に応答して１ボルトオーダの増幅されていない電気的出
   力を作り；前記永久磁石（２２）はエキサイタ歯型（１
   ２Ａ）の幅より少くとも数倍である幅（Ｗ）をもち、か
   つ磁気抵抗センサ要素を保持し；前記磁気抵抗センサ要
   素は内表面及び外部表面を有する単結晶インジウムひ素
   （１６）の薄膜を含み、内表面は本質的に電気的に絶縁
   性の単結晶インジウムリン基板上に支持され；前記イン
   ジウムひ素薄膜（１６）は長方形センサ領域の各長さ方
   向の端部の長さに沿って延びた導電体を有する本質的に
   長方形のセンサ領域を含み；前記エキサイタ歯型 （１２Ａ）のそれぞれは前記センサ領域の寸法より大き
   な幅を有し；そしてインジウム、ひ素（１６）の前記薄
   膜は約１−３ミクロンの厚さで、　名目上アンドープで
   、１立方センチメートル当り１０＾１＾６電子のオーダ
   ーの平均電子密度と約１０，０００〜１５，０００ｃｍ
   ＾２Ｖ＾−＾１Ｓ＾−＾１の平均電子移動度をもつが、
   インジウム、ひ素薄膜（１６）が少くとも１桁上の薄さ
   と、少くとも１桁上の電子密度及び著しく高い移動度を
   もったときのような磁気感度と温度に対する安定性をも
   つことを特徴とする位置センサ。 ２、本質的に長方形のセンサ領域はまた長さ方向の端部
   の約３０−５０％である短い方の端部に沿った寸法をも
   つ請求項１記載の位置センサ。 ３、センサ領域の長さ方向の端部に接する導電体間のセ
   ンサ領域を横切って全体に延びる前記インジウムひ素薄
   膜（１６）の外部表面に隣接した電子蓄積層があり、該
   蓄積層は前記平均電子密度より少くとも１桁高い電子密
   度と前記平均電子移動度より著しく高い電子移動度をも
   ち、あたかもインジウムひ素薄膜がはるかに薄くかつは
   るかに高い電子密度と電子移動度をもつかのような磁気
   感度と動作温度範囲をもたせるのに有効である請求項１
   又は２記載の位置センサ。 ４、磁石の幅（Ｗ）が歯型ピッチの約１．５倍で、磁気
   抵抗センサ要素は複数の前記薄膜センサ領域を含み、前
   記複数の領域は電気的に相互に直列接続され、前記複数
   のセンサ領域は前記エキサイタ歯型（１２Ａ）の幅より
   小さな最大寸法を有する組合された領域中に配置される
   請求項１又は２記載の位置センサ。 ５、間隙（１２Ｂ）により空間的に分離された歯型（１
   ２Ａ）及びそれらの間で相対的に移動させるためのセン
   サ部（２０）を有する磁気回路が含まれ、センサ部（２
   ０）がエキサイタ部（１２）に近接した一表面を有し、
   エキサイタ歯型（１２Ａ）の幅に比べて相対的に広い永
   久磁石（２２）、前記一表面上の高透磁率磁気材料の層
   （２４）、及び永久磁石（２２）の２つの端部の間の限
   られた部分に沿って位置された前記層（２４）上の磁気
   センサ要素（１６）を含む位置センサにおいて、磁気セ
   ンサ要素（１６）が適度な平均キャリヤ密度及び適度な
   平均電流キャリヤ移動度と少くとも０．３５電子ボルト
   の禁制帯を有する単結晶半導体材料の薄膜；前記薄膜中
   のセンサ領域；及び前記センサ領域を横切って延び前記
   薄膜の表面に隣接して配置された前記薄膜中の蓄積層を
   含み、前記電流キャリヤは前記センサ領域の相対する端
   部に接触する導電性部分間で選択的に流れ、それは前記
   半導体材料中のキャリヤ移動度及び濃度を明らかに増加
   させ、前記薄膜の厚さを明らかに減少させ、前記薄膜の
   磁気感度を実際に改善し、前記薄膜中の磁気感度の温度
   安定性を改善するのに効果的であることを特徴とする位
   置センサ。 ６、磁気層（２４）は永久磁石（２２）の前記一表面と
   同じだけの広がりをもつ請求項５記載の位置センサ。 ７、前記センサ要素（１６）は永久磁石（２２）の２つ
   の端部間に本質的に中心をおき、複数の前記薄膜センサ
   領域を含み、前記複数のセンサ領域は電気的に相互に直
   列に接続され、前記複数のセンサ領域は前記エキサイタ
   歯型（１２Ａ）の幅より小さな最大寸法を有する組合さ
   れた領域中に配置される請求項６記載の位置センサ。 ８、センサ要素（１６）の幅は歯型（１２Ａ）の幅より
   小さい請求項６記載の位置センサ。 ９、前記永久磁石（２２）の幅はエキサイタ部（１２）
   の歯型ピッチの約１．５倍である請求項７記載の位置セ
   ンサ。 １０、歯型ピッチに対する歯型の幅の比は、約０．１７
   ないし０．３７である請求項９記載の位置センサ。 １１、歯型ピッチに対する歯型幅の比は約０．２５であ
   る請求項１０記載の位置センサ。 １２、磁気センサ要素（１６）は前記センサ要素に対す
   る２より多くの電気的接触の必要性なしに、位置センサ
   の使用中前記薄膜中に前記蓄積層を保持するための手段
   を含む請求項５記載の位置センサ。 １３、薄膜の半導体材料はインジウムひ素で、薄膜中に
   蓄積層を保持するための手段は、インジウムひ素薄膜上
   の空気を透過する被膜である請求項１２記載の位置セン
   サ。 １４、前記磁石（２２）の幅（Ｗ）はエキサイタ部（１
   ２）の歯型ピッチの約１．５倍で、磁気抵抗センサ要素
   （１６）は複数の前記薄膜センサ領域を含み、前記複数
   の領域は電気的に相互に直列に接続され、前記複数のセ
   ンサ領域は前記エキサイタ歯型（１２Ａ）の幅より小さ
   な最大寸法をもつ組合された領域中に配置され、前記セ
   ンサ要素の使用中前記薄膜中に前記蓄積層を保つための
   手段は、薄膜中に蓄積層を作り出す被膜である請求項１
   ２記載の位置センサ。 １５、被膜は蓄積層を作り出すため、薄膜中に電界を誘
   導するための導電性電極層を含み、蓄積層を保持するた
   めの手段は、導電性電極層を前記センサ領域の相対する
   端部に接触する前記導電性部分に相互接続するための電
   気的バイアス手段を更に含む請求項１４記載の位置セン
   サ。 １６、歯型ピッチに対する歯型の幅の比が０．１７ない
   し０．３７である請求項１４記載の位置センサ。 １７、前記静止部（２０）を通過して移動させるのに適
   した静止部（２０）及びエキサイタ部（１２）を含み、
   前記静止部（２０）が磁石（２２）の極性に垂直な平坦
   である主表面を有する永久磁石（２２）を含み、前記エ
   キサイタ部（１２）が間隙（１２Ｂ）により空間的に分
   離された一連の歯型（１２Ａ）を含む位置センサにおい
   て、 前記主表面上にフェロ磁性層（２４）があ り、センサ要素（１６）は前記層（２４）上の前記表面
   の幅に沿って中心をおき、前記センサ要素（１６）の幅
   は前記磁石（２２）の幅より本質的に小さく；前記歯型
   （１２Ａ）のそれぞれの幅は前記間隙（１２Ｂ）のそれ
   ぞれの幅より小さくかつ前記センサ要素（１６）の幅よ
   り大きく、単結晶インジウム、ひ素の前記薄膜は一般に
   長方形のセンサ領域をもち；前記センサ領域の相対する
   端部中に電流キャリヤを注入するため、前記薄膜に接触
   した本質的に平行な導電体があり、前記センサ領域は前
   記導電体に平行方向の寸法より著しく短い前記導電体間
   の直っすぐな通路の寸法をもち、前記センサ領域の寸法
   は前記エキサイ タ歯型（１２Ａ）の幅より小さい請求項１記載の位置セ
   ンサ。 １８、前記センサ要素（１６）は複数のセンサ領域をも
   ち、複数のセンサ領域は薄膜の長い方の部分に順次配置
   され、各センサ領域は長い方の部分の幅全体を横切って
   延び、各センサ領域の相対する側の長い方の部分の幅全
   体を横切って導電体が延び、薄膜の長い方の部分の長さ
   は、前記エキサイタ歯型（１２Ａ）の幅より小さい寸法
   をもつ請求項１７記載の位置センサ。