JPH0296357A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0296357A JPH0296357A JP24926388A JP24926388A JPH0296357A JP H0296357 A JPH0296357 A JP H0296357A JP 24926388 A JP24926388 A JP 24926388A JP 24926388 A JP24926388 A JP 24926388A JP H0296357 A JPH0296357 A JP H0296357A
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- Japan
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- semiconductor device
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- lead frame
- resin molding
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 19
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910018100 Ni-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018532 Ni—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置に関するものである。
従来の技術
従来の半導体装置の製造において、半導体素子をパッケ
ージングする工程は、銅やNSD (Ni−S n合金
)などの導電性材料でできた第3図に示すようなリード
フレームを用いて行われる。第3図において、1はリー
ドフレーム外枠で、中央部には半導体素子をマウントす
るためのアイランド部2が設けられ、このアイランド部
2はリードフレーム外枠1により支持されている。アイ
ランド部2の周囲には多数の内部リード3が配設され。
ージングする工程は、銅やNSD (Ni−S n合金
)などの導電性材料でできた第3図に示すようなリード
フレームを用いて行われる。第3図において、1はリー
ドフレーム外枠で、中央部には半導体素子をマウントす
るためのアイランド部2が設けられ、このアイランド部
2はリードフレーム外枠1により支持されている。アイ
ランド部2の周囲には多数の内部リード3が配設され。
それぞれが外部リード4に接続されており、これらの内
部リード3および外部リード4はともにリードフレーム
外枠1により支持されている。
部リード3および外部リード4はともにリードフレーム
外枠1により支持されている。
上記リードフレームを用いて半導体装置を製造する際に
は、まず半導体素子をアイランド部2にマウントし、半
導体素子のポンディングパッドと内部リード3の間を金
、アルミニュウムあるいは銅などのボンディングワイヤ
で接続する。その後エポキシなどの樹脂を用いて、樹脂
封止を行う。
は、まず半導体素子をアイランド部2にマウントし、半
導体素子のポンディングパッドと内部リード3の間を金
、アルミニュウムあるいは銅などのボンディングワイヤ
で接続する。その後エポキシなどの樹脂を用いて、樹脂
封止を行う。
そしてリードフレームの所要部分を切断し、外部リード
4を所定の形状に曲げると、第4図に示すような断面を
有する半導体装置が得られる。第4図において、5は半
導体素子、6は半田などのマウント材、7はボンディン
グワイヤ、8は封止樹脂からなる樹脂モールド層である
。
4を所定の形状に曲げると、第4図に示すような断面を
有する半導体装置が得られる。第4図において、5は半
導体素子、6は半田などのマウント材、7はボンディン
グワイヤ、8は封止樹脂からなる樹脂モールド層である
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来の半導体装置では、半導
体素子5の発熱や半導体装置外部の熱による熱ストレス
によりアイランド部2の外周の樹脂モールド層8にクラ
ックが生じるという問題があった、これは、樹脂モール
ド層8とアイランド部2の熱膨張係数が異なることによ
り、熱ストレスを受けたとき、アイランド部2の裏面と
樹脂モールド層8との間でスライドが生じ、アイランド
部2の外周下部位置の樹脂モールド層8に応力が集中す
ることにより発生するものである。
体素子5の発熱や半導体装置外部の熱による熱ストレス
によりアイランド部2の外周の樹脂モールド層8にクラ
ックが生じるという問題があった、これは、樹脂モール
ド層8とアイランド部2の熱膨張係数が異なることによ
り、熱ストレスを受けたとき、アイランド部2の裏面と
樹脂モールド層8との間でスライドが生じ、アイランド
部2の外周下部位置の樹脂モールド層8に応力が集中す
ることにより発生するものである。
本発明は上記課題を解決するもので、熱ストレスによる
樹脂モールド層のクラックの発生を防止できる半導体装
置を提供することを目的としている。
樹脂モールド層のクラックの発生を防止できる半導体装
置を提供することを目的としている。
i11!題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明は、半導体素子がマウ
ントされるリードフレームのアイランド部の裏面が、外
壁の一部を構成したものである。
ントされるリードフレームのアイランド部の裏面が、外
壁の一部を構成したものである。
作用
上記構成により、リードフレームのアイランド部の直下
には樹脂モールド層が存在しないため。
には樹脂モールド層が存在しないため。
熱ストレスを受けても応力の集中は発生しない。
したがってクラックの発生を未然に防止することができ
る。
る。
実施例
以下1本発明の一実施例を図面に基づき説明する。なお
、従来の半導体装置と同じ構造の部分には同一番号を付
し、その説明は省略する。
、従来の半導体装置と同じ構造の部分には同一番号を付
し、その説明は省略する。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図で
ある。第1図において、半導体素子5のマウント部であ
るリードフレームのアイランド部9は周囲に側壁10を
有する凹形に形成され、アイランド部9の下方に突出し
た凹部の裏面が半導体装置の外壁の一部を構成するよう
に樹脂モールド層8で封止されている。
ある。第1図において、半導体素子5のマウント部であ
るリードフレームのアイランド部9は周囲に側壁10を
有する凹形に形成され、アイランド部9の下方に突出し
た凹部の裏面が半導体装置の外壁の一部を構成するよう
に樹脂モールド層8で封止されている。
上記のような構成の半導体装置によれば、アイランド部
9の外周下部には樹脂モールド層8が存在しないので、
半導体装置に熱ストレスがかかっても、アイランド部9
の外周下部への応力集中は抑制され、かつ樹脂モールド
層8がこの部分に存在しないため、クラックは発生しな
い。また、半導体素子5を半導体装置の下部にマウント
することになるため、ボンディングワイヤ7を従来より
低く張ることができ、半導体装置を薄く製造できるとい
う利点もある。なお、リードフレームのアイランド部9
は、圧延、エツチングなどによって形成することができ
る。
9の外周下部には樹脂モールド層8が存在しないので、
半導体装置に熱ストレスがかかっても、アイランド部9
の外周下部への応力集中は抑制され、かつ樹脂モールド
層8がこの部分に存在しないため、クラックは発生しな
い。また、半導体素子5を半導体装置の下部にマウント
することになるため、ボンディングワイヤ7を従来より
低く張ることができ、半導体装置を薄く製造できるとい
う利点もある。なお、リードフレームのアイランド部9
は、圧延、エツチングなどによって形成することができ
る。
第2図は本発明の他の実施例を示す半導体装置であって
、平坦に形成されたアイランド部11の裏面全体が半導
体装置の外壁の一部となっている。
、平坦に形成されたアイランド部11の裏面全体が半導
体装置の外壁の一部となっている。
この半導体装置によっても上記のものと同様の作用効果
が得られる。
が得られる。
発明の効果
以上のように、本発明の半導体装置によれば、熱ストレ
スによっても樹脂モールド層にクラックが発生しない半
導体装置が得られるという顕著な効果がある。
スによっても樹脂モールド層にクラックが発生しない半
導体装置が得られるという顕著な効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図、
第2図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の断面図
、第3図および第4図は従来の半導体装置のリードフレ
ーム平面図および半導体装置の断面図である。 5・・・半導体素子、6・・・マウント材58・・・樹
脂モールド層、9.11・・・アイランド部、10・・
・アイランド部側壁。 代理人 森 本 義 弘 第 図 第 2図 !/ 第3 図 第4図 ど
第2図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の断面図
、第3図および第4図は従来の半導体装置のリードフレ
ーム平面図および半導体装置の断面図である。 5・・・半導体素子、6・・・マウント材58・・・樹
脂モールド層、9.11・・・アイランド部、10・・
・アイランド部側壁。 代理人 森 本 義 弘 第 図 第 2図 !/ 第3 図 第4図 ど
Claims (1)
- 1、半導体素子がマウントされるリードフレームのアイ
ランド部の裏面が外壁の一部をなす半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24926388A JPH0296357A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24926388A JPH0296357A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0296357A true JPH0296357A (ja) | 1990-04-09 |
Family
ID=17190361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24926388A Pending JPH0296357A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0296357A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9296243B2 (en) | 2010-07-28 | 2016-03-29 | Michael Stevenson & Kathleen Stevenson | Printing ink, transfers, and methods of decorating polyolefin articles |
-
1988
- 1988-10-03 JP JP24926388A patent/JPH0296357A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9296243B2 (en) | 2010-07-28 | 2016-03-29 | Michael Stevenson & Kathleen Stevenson | Printing ink, transfers, and methods of decorating polyolefin articles |
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