JPH0294462A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH0294462A JPH0294462A JP24564688A JP24564688A JPH0294462A JP H0294462 A JPH0294462 A JP H0294462A JP 24564688 A JP24564688 A JP 24564688A JP 24564688 A JP24564688 A JP 24564688A JP H0294462 A JPH0294462 A JP H0294462A
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- Japan
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- lead
- semiconductor device
- lead frame
- thermal stress
- molded resin
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 15
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造に用いられるリードフレーム
の改良に関するらのである。
の改良に関するらのである。
従来の技術
従来の樹脂封止型半導体装置の製造において、半導体装
置をバラゲージングする工程は、銅やＮＳＤ （Ｎｉ−
３ｎ合金）などの導伝性材料でできた第３図に示すよう
なリードフレームを用いて行われる。第３図において、
１はリードフレーム外枠で、中央部には半導体素子積載
部２が設けられ、この半導体素子積載部２はリードフレ
ーム外枠１により支持されている。半導体素子積載部２
の周囲には多数の内部リード３が配設され、それぞれが
外部リード４として延長されている。これら内部リード
３および外部リード４はリードフレーム外枠１に接続、
支持されている。
置をバラゲージングする工程は、銅やＮＳＤ （Ｎｉ−
３ｎ合金）などの導伝性材料でできた第３図に示すよう
なリードフレームを用いて行われる。第３図において、
１はリードフレーム外枠で、中央部には半導体素子積載
部２が設けられ、この半導体素子積載部２はリードフレ
ーム外枠１により支持されている。半導体素子積載部２
の周囲には多数の内部リード３が配設され、それぞれが
外部リード４として延長されている。これら内部リード
３および外部リード４はリードフレーム外枠１に接続、
支持されている。
上記リードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製
造する際には、第４図において、まず半導体素子５を半
導体素子積載部２の上にマウントした後、半導体素子５
のポンディングパッドと内部リード３の間をボンディン
グワイヤ６で接続し、エポキシ樹脂などを用いて樹脂モ
ールド層７の形成を行う、これにより第４図に示すよう
な断面を有する樹脂封止形の半導体装置を形成できる。
造する際には、第４図において、まず半導体素子５を半
導体素子積載部２の上にマウントした後、半導体素子５
のポンディングパッドと内部リード３の間をボンディン
グワイヤ６で接続し、エポキシ樹脂などを用いて樹脂モ
ールド層７の形成を行う、これにより第４図に示すよう
な断面を有する樹脂封止形の半導体装置を形成できる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来のリードフレームを用い
た樹脂封止型半導体装置では、半導体素子５の発熱や半
導体装置外部からの熱による熱ストレスにより内部リー
ド３と樹脂モールドＪ＠ ７の間で剥離が生じるという
問題があった。この剥離は、前記内部リード３と前記樹
脂モールド層７の熱膨張係数が異なることにより、熱ス
トレスを受けたとき、内部リード３と樹脂モールド層７
の間でスライドが生じ、その結果剥離が発生ずる。
た樹脂封止型半導体装置では、半導体素子５の発熱や半
導体装置外部からの熱による熱ストレスにより内部リー
ド３と樹脂モールドＪ＠ ７の間で剥離が生じるという
問題があった。この剥離は、前記内部リード３と前記樹
脂モールド層７の熱膨張係数が異なることにより、熱ス
トレスを受けたとき、内部リード３と樹脂モールド層７
の間でスライドが生じ、その結果剥離が発生ずる。
本発明は上記問題を解決するもので、熱ストレスによる
内部リードと樹脂モールド層間の剥離の発生を防止でき
る半導体装置用リードフレーム、を提供することを目的
としている。
内部リードと樹脂モールド層間の剥離の発生を防止でき
る半導体装置用リードフレーム、を提供することを目的
としている。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために本発明は、内部リードを断面
形状で、リード表面に対してほぼ直角に立ち上がる立ち
トがり壁を有する横道にしたものである。
形状で、リード表面に対してほぼ直角に立ち上がる立ち
トがり壁を有する横道にしたものである。
作用
上記構成により、このリードフレームを用いて半導体装
置を製造すると、樹脂モールド層と内部リードとの接触
面積が増し、がっ、これらのスライド方向に対しても内
部リードの面積が増加し、熱ストレスによる内部リード
と樹脂モールド層間の剥離を防止することができる。
置を製造すると、樹脂モールド層と内部リードとの接触
面積が増し、がっ、これらのスライド方向に対しても内
部リードの面積が増加し、熱ストレスによる内部リード
と樹脂モールド層間の剥離を防止することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。なお
、従来のリードフレームと同じ構造の部分には同一番号
を付し、その説明は省略する。
、従来のリードフレームと同じ構造の部分には同一番号
を付し、その説明は省略する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置用リードフ
レームの平面図、第２図は第１図ＡＡ′断面図である。
レームの平面図、第２図は第１図ＡＡ′断面図である。
第１図および第２図において、内部リード８は断面形状
において、両端部に折り曲げ加工などにより上方に立ち
上がる側壁８ａが形成され、全体として凹型に構成され
ている。
において、両端部に折り曲げ加工などにより上方に立ち
上がる側壁８ａが形成され、全体として凹型に構成され
ている。
上記構成のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装
置を製造すると、側壁８ａにより内部リード８と樹脂モ
ールド層との接触面積が増加し、かつ平面的ではなく、
立体的になるため、この部分に熱ストレスがかかっても
、内部リード８と樹脂モールド層の間にスライドが生じ
にくくなる。
置を製造すると、側壁８ａにより内部リード８と樹脂モ
ールド層との接触面積が増加し、かつ平面的ではなく、
立体的になるため、この部分に熱ストレスがかかっても
、内部リード８と樹脂モールド層の間にスライドが生じ
にくくなる。
なお、内部リード８に設けた１１１１１壁８ａは、圧延
、エツチングなどによって形成することができる。
、エツチングなどによって形成することができる。
あるいは、従来は切り落していた内部リード間の金属を
折り曲げて形成してもよい。また、内部リード８の形状
は両端部で立ち上がる側壁を有する凹型であっても、通
口型であっても、あるいは中間部で立ち上がる側壁を有
する凸型であってもよく、要は樹脂モールド層と立体的
に接する立ち上かり壁を有する形状であればよい。また
、この内部リードのｆｆ１．！Ｉ壁は、内部リードの一
部分にのみ形成しても効果がある。
折り曲げて形成してもよい。また、内部リード８の形状
は両端部で立ち上がる側壁を有する凹型であっても、通
口型であっても、あるいは中間部で立ち上がる側壁を有
する凸型であってもよく、要は樹脂モールド層と立体的
に接する立ち上かり壁を有する形状であればよい。また
、この内部リードのｆｆ１．！Ｉ壁は、内部リードの一
部分にのみ形成しても効果がある。
発明の効果
以上のように、本発明のリードフレームを用いて半導体
装置を製造すれば、熱ストレスにより発生ずる、内部リ
ードと樹脂モールド層間の熱応力による剥離を防止する
ことができる。
装置を製造すれば、熱ストレスにより発生ずる、内部リ
ードと樹脂モールド層間の熱応力による剥離を防止する
ことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置用ノードフ
レームの平面図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ’断面
図、第３図および第４図は従来の半導体装置用リードフ
レームの平面図および半導体装置の断面図である。 ８・・・内部リード、８ａ・・・側壁（立ち上がり壁）
。 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図 −３１，７−
レームの平面図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ’断面
図、第３図および第４図は従来の半導体装置用リードフ
レームの平面図および半導体装置の断面図である。 ８・・・内部リード、８ａ・・・側壁（立ち上がり壁）
。 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図 −３１，７−
Claims (1)
- １、内部リードを断面形状で立ち上がり壁を有する構造
にした半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24564688A JPH0294462A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24564688A JPH0294462A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294462A true JPH0294462A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17136744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24564688A Pending JPH0294462A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0294462A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003529702A (ja) * | 1999-10-04 | 2003-10-07 | ローレンス ポンプ インコーポレイテッド | 軸封部を備えた水中用モータ |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP24564688A patent/JPH0294462A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003529702A (ja) * | 1999-10-04 | 2003-10-07 | ローレンス ポンプ インコーポレイテッド | 軸封部を備えた水中用モータ |
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